「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(72ページ目) - Weblio英語例文検索

When the mask comprising a resist layer is formed on the film to be patterned, a layered resist pattern containing a lower layer resist pattern 111 and an upper layer resist pattern 112 is formed on the film 102 to be patterned.例文帳に追加

被パターニング膜上にレジスト層でなるマスクを形成するにあたり、被パターニング膜１０２上に、下層レジストパターン１１１と、上層レジストパターン１１２とを含む積層レジストパターンを形成する。 - 特許庁

Two grooves 21 each having an opening part opening on the side of the recording gap layer 9 toward the lower magnetic pole layer 8 are formed on the both sides of the magnetic pole part of the upper magnetic pole layer 15 by this etching.例文帳に追加

このエッチングにより、上部磁極層１５の磁極部分の両側において、下部磁極層８に対して、記録ギャップ層９側で開口する開口部を有する２つの溝部２１が形成される。 - 特許庁

A core layer 110 is formed on a lower clad layer 101, etching is performed by using a resist 111 as a photomask, and a core 103 and a portion 115 which becomes the embedding layer are formed so as to have an identical thickness.例文帳に追加

下部クラッド層１０１の上にコア層１１０を形成し、レジスト１１１をフォトマスクとしてエッチングを行い、コア１０３と埋設層となる部分１１５とを同じ厚みとなるように形成する。 - 特許庁

The heat generating member 23 has a first heat generating layer 23a having a predetermined Curie point and a second heat generating layer 23b having lower volume resistivity than the volume resistivity of the first heat generating layer 23a.例文帳に追加

発熱部材２３は、所定のキューリー点を有する第１発熱層２３ａと、第１発熱層２３ａの体積抵抗率よりも低い体積抵抗率を有する第２発熱層２３ｂと、を具備する。 - 特許庁

The lower shield layer 13 is electrically connected to the substrate 11 via a first viaplug 35a formed through the substrate layer 12 and a wiring line 37 formed on the substrate layer 12.例文帳に追加

下部シールド層１３は、下地層１２を貫通して形成された第１のビアプラグ３５ａおよび下地層１２上に形成された配線３７を介して基板１１と電気的に接続される。 - 特許庁

The emitter part 12 is composed of the upper layer 12c constituted of a large number of dielectric particles 12e and the lower layer 12d positioned downward the upper layer 12c and constituted of the large number of dielectric particles 12f.例文帳に追加

エミッタ部１２は、多数の誘電体粒子１２ｅから構成される上層１２ｃと、その上層１２ｃの下方に位置する、多数の誘電体粒子１２ｆから構成される下層１２ｄとからなる。 - 特許庁

Also, the absorbent 3B is divided into an upper layer absorbent 3B1 facing the back surface of the transmission sheet 2 and a lower layer absorbent 3B2 laminated on the back surface side of the upper layer absorbent 3B1.例文帳に追加

また、吸収体３Ｂは、透過シート２の裏面に対向する上層吸収体３Ｂ１とこの上層吸収体３Ｂ１の裏面側に積層された下層吸収体３Ｂ２とに分ける。 - 特許庁

The hologram laminate includes a hologram record layer 1 made of a photosensitive material, a hard coat 2 coated on the upper face of the hologram record layer 1 and a hard coat 3 coated on the lower face of the hologram record layer 1.例文帳に追加

ホログラム積層体は、感光性材料からなるホログラム記録層１と、ホログラム記録層１の上面に被着されたハードコート２と、ホログラム記録層１の下面に被着されたハードコート３とからなる。 - 特許庁

In the semiconductor device using the SOI substrate, a P well diffusion layer or an N well diffusion layer is formed only in a body region being a lower part of a gate electrode in a semiconductor thin film layer.例文帳に追加

ＳＯＩ基板を用いた半導体装置において、半導体薄膜層のゲート電極下部に当たるボディ領域のみにＰウェル拡散層またはＮウェル拡散層を形成することを特徴とする。 - 特許庁

When a first aluminum wiring 3 functioned as the lower electrode of the MIM capacitance element is formed, an antireflection film 4 of two-layer structure of a TiN layer 41 and an SiON layer 42 is used.例文帳に追加

ＭＩＭ容量素子の下部電極として機能する第１のアルミ配線３の形成の際には、ＴｉＮ層４１、ＳｉＯＮ層４２から成る二層構造の反射防止膜４が使用される。 - 特許庁

Increase in inter-wiring capacitance can be suppressed by setting to about 50 nm the thickness of a silicon nitride film 6 provided as an etching stopper layer between an upper layer wiring M2 and a lower layer wiring M1.例文帳に追加

上層配線Ｍ_2 と下層配線Ｍ_1 との間にエッチングストッパ層として設けられる窒化シリコン膜６の厚さを約５０ｎｍ程度とすることにより、配線間容量の増加を抑えることができる。 - 特許庁

On the outer peripheral surface of both skirts 8, 9 of a piston 1 base material 1a made of aluminum alloy, a double layer film composition consisting of a lower layer film composition 22 and an upper layer film composition 21 laid on top surface thereof is formed.例文帳に追加

アルミニウム合金製ピストン１の基材１ａの両スカート部８，９の外周面に、下層被膜組成物２２とこの上面の上層被膜組成物２１の複層被膜組成物を形成した。 - 特許庁

A composition forming the organic layer 13 is composed of a perfluorovinyl polymer having a cyclic structure in a main chain, and is lower in the refractive index than the substrate layer of the organic layer 13 or the lens substrate 10.例文帳に追加

有機層１３を形成する組成物は、主鎖に環状構造を持つパーフルオロビニル重合体からなり、有機層１３の下地層またはレンズ基材１０よりも低屈折率となっている。 - 特許庁

In this invention, a metallic substrate is coated with a multilayer surface finishing material containing an amorphous metallic lower layer, a corrosion resistant metallic intermediate layer and a one or more noble metal external layer in succession.例文帳に追加

本発明によると、金属基板は、非晶質金属下部層、耐腐蝕性金属中間層、および一つ以上の貴金属外部層を順次含む、多層表面仕上げ材によってコーティングされる。 - 特許庁

The negative electrode structure layer 110, the first separator 120, the chlorophyll layer 130, the second separator 140 and the positive electrode structure layer 150 are sandwiched between the upper flat plate 160 and the lower flat plate 170.例文帳に追加

負極構造層１００、第一セパレータ１２０、葉緑素層１３０、第二セパレータ１４０及び正極構造層１５０は、上平板１６０と下平板１７０との間に挟まれる。 - 特許庁

To prevent a magnetic recording layer in an anodic oxidation process from peeling off without using a soft magnetic oxide such as ferrite as a soft magnetic layer which constitutes a lower layer in a perpendicular magnetic recording medium.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に関し、下部層を構成する軟磁性層としてフェライト等の軟磁性酸化物を使用することなく陽極酸化工程における磁気記録層の剥離を防止する。 - 特許庁

For the mat, a mat body with a fuzz fiber layer 15 on the surface of the mat body and a mat molding sheet 30 comprising a colored layer 32 layered on the lower face of a seat base material layer 31 made of thermoplastic resin are prepared.例文帳に追加

表面に毛羽立ち繊維層１５を有するマット本体１０と、熱可塑性樹脂からなるシート基材層３１の下面に着色層３２が積層された成形用シート３０とを準備する。 - 特許庁

In addition, the transistor is also provided with at least a part of region in the lower side of the source/drain electrodes 70, for example, a type-n impurity region 90 formed on the barrier layer 50, spacer layer 40, and channel layer 30.例文帳に追加

そして、ソース／ドレイン電極７０下側の少なくとも一部の領域、例えば、バリア層５０、スペーサ層４０、チャネル層３０のに形成されるｎ型不純物領域９０を備える。 - 特許庁

The hydraulic machine comprises a sealed portion 22 provided in a stepwise form on a lower cover 11 and a combined coating layer 27 formed thereon consisting of an adhesive coating layer 25 and a protective coating layer 26.例文帳に追加

本発明に係る水力機械は、下カバー１１に設けられ、階段状に形成したシール部２２に密着性皮膜層２５と保護皮膜層２６とからなる複合皮膜層２７を形成した。 - 特許庁

The insulated cable 10 is so constructed that the heat deflection temperature of the insulating material constituting the second coating layer 14 is made lower than the heat deflection temperature of the coating layer material constituting the first coating layer 12.例文帳に追加

また、絶縁電線１０は、第２被覆層１４を構成する絶縁材料の熱変形温度を、第１被覆層１２を構成する被覆層材料の熱変形温度より低くしたものである。 - 特許庁

Dicing is performed with a method, wherein the tape 1 is used, the layer 21 is completely cut from the upper surface thereof to the lower surface thereof, the layer 22 is partially cut from the upper surface thereof to the middle thereof, and the layer 23 is not cut at all.例文帳に追加

ダイシングは、前記テープ１を用い、上部層を上面から下面まで完全に切断し、中間層を途中まで部分的に切断し、そして下部層を全く切断しない方法で行う。 - 特許庁

Stationary frames (20, 30) support the upper layer movable frame part 25 such that the upper layer movable frame part 25 and the lower layer movable frame part 35 are swingable in a Y-axis direction orthogonal to the X-axis direction.例文帳に追加

固定フレーム部（２０，３０）上層可動フレーム部２５及び前記下層可動フレーム部３５が、Ｘ軸方向と直交するＹ軸方向の揺動可能なように、上層可動フレーム部２５を支持する。 - 特許庁

The area of the chip 2B of a lower layer is smaller than that of the chip 2A of an upper layer, and the chip 2B is stuck on the main surface of the chip 2A of the upper layer via an adhesive film 6 stuck on the rear surface (upper surface) of the chip 2B.例文帳に追加

下層のチップ２Ｂは、上層のチップ２Ａよりも面積が小さく、その裏面（上面）に貼り付けた接着フィルム６を介して上層のチップ２Ａの主面に接着されている。 - 特許庁

The adhesive layer 24 is formed to prevent interfacial delamination between the memory layer 25 and the interlayer insulating film 20, but the adhesive layer 24 is not formed on the upper surface of the plug 23 (lower electrode).例文帳に追加

接着層２４は、記憶層２５と層間絶縁膜２０との界面剥離を防止するために設けられているが、プラグ２３（下部電極）の上面には、接着層２４が設けられていない。 - 特許庁

A thin-film magnetic head 300 is constructed such that a main magnetic pole layer 26, a write shield layer 60, a gap layer 27, a lower thin-film coil 10, and an upper thin-film coil 55 are laminated on a substrate 1.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッド３００は主磁極層２６と、ライトシールド層６０と、ギャップ層２７と、下部薄膜コイル１０、上部薄膜コイル５５とが基板１上に積層された構成を有している。 - 特許庁

The sacrifice layer 120 is constituted out of metals or alloys containing the metals whose corrosion potentials are lower than the one of the material constituting the anti-ferromagnetic layer 130, and the thickness of the sacrifice layer 120 falls within the scope of 0.1 nm to 1.0 nm.例文帳に追加

犠牲層１２０は、反強磁性層１３０を構成する材料よりも、腐食電位の低い金属又はそれらを含む合金で構成され、厚さが０．１ｎｍ〜１.０ｎｍの範囲にある。 - 特許庁

The hologram laminate includes a hologram record layer 1 made of a photosensitive material, a hard coat 2 applied on the upper surface of the hologram record layer 1, and a hard coat 3 applied on the lower surface of the hologram record layer 1.例文帳に追加

ホログラム積層体は、感光性材料からなるホログラム記録層１と、ホログラム記録層１の上面に被着されたハードコート２と、ホログラム記録層１の下面に被着されたハードコート３とからなる。 - 特許庁

The sheet for surface treatment is formed by sequentially laminating a synthetic resin film layer and an adhesive layer on the lower face of a nonwoven fabric layer containing synthetic resin fiber and pulp and having a basis weight less than 30 g/m^2.例文帳に追加

合成樹脂繊維及びパルプを含み、坪量が３０ｇ／ｍ^2未満である不織布層の下面に、合成樹脂フィルム層と、粘着剤層とが順次積層されてなる下地処理用シート。 - 特許庁

The upper surface of the silicide layer 230 lowers from the center of the silicide layer 230 to both ends where the upper surface height of the silicide layer 230 is lower than that of an offset spacer 180.例文帳に追加

シリサイド層２３０の上面は、シリサイド層２３０の中央から両端に向けて低くなっており、当該両端におけるシリサイド層２３０の上面の高さは、オフセットスペーサ１８０の高さ以下である。 - 特許庁

A lower coil part of a primary side is formed on a first metal layer 13, a coil part of a secondary side is formed on a second metal layer 14, and an upper coil part of the primary side is formed on a third metal layer 15.例文帳に追加

第１のメタル層１３に一次側の下側のコイル部を形成し、第２のメタル層１４に二次側のコイル部を形成し、第３のメタル層１５に一次側の上側のコイル部を形成する。 - 特許庁

In the thermosensitive recording element having an undercoat layer and a thermosensitive recording layer sequentially laminated on a support, the undercoat layer contains a latex with a particle diameter of more than 150 nm and a glass transition temperature of 0°C or lower.例文帳に追加

支持体上に、下塗層、感熱記録層を順次積層して成る感熱記録体において、該下塗層に粒径が１５０ｎｍより大きく、ガラス転移温度が０℃以下であるラテックスを含有する。 - 特許庁

A ferroelectric layer 18 consisting of a PZT is formed on the portion being the lower electrode 16a of the iridium layer 16, on which an iridium layer 20 as an upper electrode is formed.例文帳に追加

イリジウム層１６の下部電極１６ａの部分の上には、ＰＺＴからなる強誘電体層１８が形成され、さらにその上には上部電極としてのイリジウム層２０が設けられている。 - 特許庁

An amorphous silicon layer is formed on the lower polysilicon germanium layer 23 and then crystallized thus obtaining the upper polysilicon layer 24 having a nondirective crystal structure.例文帳に追加

下部ポリシリコンゲルマニウム層２３上に非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層を結晶化することによって、非方向性結晶構造を有する上部ポリシリコン２４層を得ることができる。 - 特許庁

The light transmission path 50 is formed from a core layer 51 constituted of a material with a high refraction factor and a clad layer 52 constituted of an insulating material with a refraction factor lower than that of the core layer 51.例文帳に追加

導光路５０は、高い屈折率を有する材料からなるコア層５１と、絶縁性でコア層５１よりも低い屈折率を有する材料からなるクラッド層５２とから形成されている。 - 特許庁

A movable layer is formed on a substrate 20 by a metallic movable upper electrode 7, a fixed lower electrode 8, and a silicon sacrifice layer 99, and a silicon oxide optical element layer is laminated.例文帳に追加

基板２０に、金属製の可動な上電極７および固定された下電極８とシリコン製の犠牲層９９により可動層を形成し、さらに酸化シリコン製の光学素子層を積層する。 - 特許庁

A piezoelectric element of the present invention includes a substrate 21, a lower electrode layer, a piezoelectric layer, an upper electrode layer 23, a cavity portion formed below a piezoelectric vibrating portion, and at least two bridging portions 2a, 2b.例文帳に追加

本発明の圧電素子は、基板２１と、下部電極層と、圧電体層と、上部電極層２３と、圧電振動部の下に形成された空洞部と、二以上の架橋部２ａ，２ｂとを備える。 - 特許庁

A heterojunction allows a lower resistance of the internal base layer, while the diffusion of impurity at the internal base layer comprising the Si1-xGexCy layer formed by epitaxial growth is suppressed.例文帳に追加

ヘテロ接合を利用して、内部ベース層の低抵抗化を可能とし、かつ、エピタキシャル成長により形成されたＳｉ_1-x Ｇｅ_x Ｃ_y 層からなる内部ベース層における不純物の拡散を抑制することができる。 - 特許庁

The third polysilicon layer has only a contact pad function for electrical connection of the upper and lower conductive layers, having no area where it overlaps a fourth polysilicon layer that is a conductive layer above it.例文帳に追加

この第三のポリシリコン層は、上下の導電層の電気的な接続のためのコンタクトパッドの機能のみを有し、その上部の導電層である第四のポリシリコン層と重なり合う領域を有しない。 - 特許庁

On the upper side electron supply layer, a source electrode and a drain electrode are arranged that are separate from each other and are connected ohmic to the lower side electron travel layer and the upper side electron travel layer.例文帳に追加

上側電子供給層の上に、相互に離隔して配置され、下側電子走行層及び上側電子走行層にオーミックに接続されるソース電極及びドレイン電極が配置されている。 - 特許庁

The organic EL element comprises a substrate, a lower side electrode, an organic EL light-emitting layer, a transparent oxide layer having low resistance functioning as an upper side electrode, and a transparent oxide layer having high resistance.例文帳に追加

基板と、下部電極と、有機ＥＬ発光層と、上部電極として機能する低抵抗透明酸化物の層と、高抵抗透明酸化物の層とを含むことを特徴とする有機ＥＬ発光素子。 - 特許庁

This piston ring 14 mounted in the ring channel at the outer periphery of a piston is formed to have a two layer structure constituted by laminating an upper layer 17 and a lower layer 18 formed by materials having different coefficients of thermal expansion.例文帳に追加

ピストン外周のリング溝に装着されるピストンリング１４を、各々熱膨張率の異なる材質で形成された上層１７及び下層１８を積層した二層構造に形成する。 - 特許庁

The main mask layer mainly consists of carbon, and a material of which the etching rate in reactive ion etching in the main mask layer processing step (S108) is lower than that of carbon is used as the material of the auxiliary mask layer.例文帳に追加

主マスク層の材料は主成分が炭素であり、且つ、副マスク層の材料は、主マスク層加工工程（Ｓ１０８）の反応性イオンエッチングに対するエッチングレートが炭素よりも低い材料を用いる。 - 特許庁

Next, plasma etching is performed while using the intermediate layer 103 as a substantial mask, so that an opening having a dimension smaller than that of an opening of the upper resist layer 104 is formed on a lower organic film layer 102.例文帳に追加

次に、中間層１０３を実質的なマスクとして、プラズマエッチングを行い、下層有機膜層１０２に、上層レジスト層１０４の開口部の寸法より小さい寸法の開口部を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a piezoelectric composite oxide layer 5 containing a lead element is formed on the lower electrode layer 4 via a heating process and an upper electrode layer 6 is formed thereon thus manufacturing a piezoelectric element 1.例文帳に追加

次いで、下部電極層４上に、鉛元素を含有する圧電性複合酸化物層５を加熱工程を経て形成し、その上に上部電極層６を形成することによって、圧電素子１を得る。 - 特許庁

Accordingly, a UBM contact layer 10 including an alumina (Al_2O_3) film damaged by ion implantation and an amorphous aluminum (Al) film in a lower layer is formed in the surface layer of the pad electrode 9a.例文帳に追加

それにより、パッド電極９ａの表面層に、イオン注入により損傷されたアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）膜と、その下層のアモルファス化されたアルミニューム（Ａｌ）膜からなるＵＢＭコンタクト層１０を形成する。 - 特許庁