「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(70ページ目) - Weblio英語例文検索

The Mo material has a structure in which the outer most layer is composed of a dense welding preventive layer composed of the oxide of the constituting elements of the above metal powder, the lower part thereof is composed of an alloy layer in which the above constituting elements are diffused into the Mo or Mo alloy, and the lower part thereof is composed of an Mo or Mo alloy layer.例文帳に追加

このＭｏ材料は、最外層が前記金属粉末の構成元素の酸化物からなる緻密な溶着防止層であり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金に前記構成元素が拡散した合金層からなり、その下がＭｏあるいはＭｏ合金層からなる構造を有する。 - 特許庁

For forming this mirror layer 4, a lower part clad layer being the lower half of the clad layer 2 is formed, and the core 3 is patterned on it, and a mirror forming layer formed by coating the whole of a substrate is etched just under an etching mask so as to be undercut, or is patterned through photolithography and development processing.例文帳に追加

このミラー層４を形成するには、クラッド層２の下半分である下部クラッド層を形成し、この上でコア３をパターニングした後、基体の全面を被覆して形成されたミラー形成層をエッチング・マスクの直下にアンダカットが入るようにエッチングするか、またはフォトリソグラフィと現像処理を経てパターニングする。 - 特許庁

The upper surfaces of lower layer wirings 33 and 34 in a peripheral circuit B are covered with the same material as at least the base metal layer 26a of a pin layer 26 comprising a TMR device 10, so that the lower layer wirings 33 and 34 can be protected during etching when the device is divided, and they are hard to be exposed.例文帳に追加

ＴＭＲ素子１０を構成するピン層２６の少なくとも下地金属層２６ａと同じ構成材料によって、周辺回路部Ｂの下層配線３３、３４の上面を覆っているので、素子分割時のエッチングの際に下層配線３３、３４が保護され、下層配線３３、３４が露出されることもない。 - 特許庁

The magnetic part is constituted of at least a magnetic material and a conductor, the conductor is arranged between an upper portion magnetic material layer and a lower portion magnetic material layer, and the magnetic material is arranged in a space portion among the upper portion magnetic material layer, the lower portion magnetic material layer, and the conductor.例文帳に追加

本発明の磁性部品は、少なくとも磁性体と導体とにより構成される磁性部品であって、上部磁性体層と下部磁性体層との間に導体が設けられ、前記上部磁性体層及び下部磁性体層と導体との間隙部分に磁性体を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

The laminated electrode composed of an upper layer electrode 17 and a lower layer electrode 16 wider than the upper electrode 17 is formed by laminating negative conductive.photosensitive lower layer paste 12 and negative conductive.photosensitive upper layer past both having high photosensitivity and patterning them in a lamp.例文帳に追加

強い感光性を有するネガ型の導電性・感光性下層ペースト１２とネガ型の導電性・感光性上層ペースト１３とを積層し、両者を一括でパターニングすることで上層電極１７と上層電極よりも幅が広い下層電極１６とで構成される積層電極を形成する。 - 特許庁

After forming a conductive layer 12a composed of chromium film or chromium alloy film for a lower electrode on an insulating substrate 11, a resist layer 9 is formed on the conductive layer 12a (fig.(a)), then the conductive layer 12a is patterned by a wet etching process, thereby, the lower electrode 12 is formed (fig.(b)).例文帳に追加

絶縁性基板１１上に下部電極用のクロム膜若しくはクロム合金膜からなる導電性層１２ａを成膜した後、導電性層１２ａ上にレジスト層９を形成し（図１（ａ））、導電性層１２ａをウェットエッチング工程にてパターニングすることで下部電極１２を形成する（図１（ｂ））。 - 特許庁

A lower insulating layer 30 is provided including a lower high dielectric breakdown voltage layer 28 consisting of an insulating material with a dielectric breakdown voltage at least 5 times higher than that of an aluminum oxide and an upper insulating layer 33 is provided including an upper high dielectric breakdown voltage layer 54 consisting of a similar insulating material.例文帳に追加

絶縁破壊電圧が酸化アルミニウムの少なくとも５倍の絶縁材料よりなる下部高絶縁破壊電圧層２８を含んで下部絶縁層３０を構成すると共に、同様の絶縁材料よりなる上部高絶縁破壊電圧層５４を含んで上部絶縁層３３を構成する。 - 特許庁

A wiring structure 30 formed in a semiconductor device is provided with lower layer embedded wiring 3A, an interlayer insulating film laminated structure 32, a connection hole plug 34, an interwiring insulating film laminated structure 36, and upper layer embedded wiring 18A connected through the connection hole plug to the lower layer embedded wiring and an SiC film 20(oxidation preventing layer).例文帳に追加

本半導体装置に設けた配線構造３０は、下層埋め込み配線３Ａ、層間絶縁膜積層構造３２、接続孔プラグ３４、配線間絶縁膜積層構造３６と、接続孔プラグを介して下層埋め込み配線と接続する上層埋め込み配線１８Ａ、及びＳｉＣ膜２０（酸化防止層）を有する。 - 特許庁

A CDQ facility 100 elevates a circulating gas from the lower layer toward the upper layer of coke in a cooling chamber to cool the coke, and cuts out the lower layer side of the coke, and replenishes coke before being cooled to the upper layer side, and cools the circulating gas discharged from the cooling chamber and circulating the gas into the cooling chamber.例文帳に追加

ＣＤＱ設備１００は、冷却室内のコークスの下層から上層に向けて循環ガスを上昇させてコークスを冷却し、このコークスの下層側を切出し且つ上層側に冷却前のコークスを補充するとともに、この冷却室から排出した循環ガスを冷却して冷却室内に循環させる。 - 特許庁

The optical waveguide is characterized by the fact that the compressive elasticity (E) of at least one of the lower clad layer, the core part, and the upper clad layer is 2 GPa or larger in a patterned optical waveguide which is composed of the lower clad layer, the core part, and the upper clad layer and either one of the layers is formed of a silica-based compound.例文帳に追加

下部クラッド層、コア部分、上部クラッド層から構成され、それらのいずれか１層がシリカ系化合物から形成されるパターン化された光導波路において、下部クラッド層、コア部分および上部クラッド層の少なくとも１つが圧縮弾性率(E)が２GPa以上であることを特徴とする光導波路。 - 特許庁

A bottom part 5 and a lower wall 11 of a vessel consist of an aluminum material, an upper wall 13 integrated with the lower wall consists of a three-layer clad material of an aluminum layer 15, a titanium layer 17 and a stainless steel layer 19, an upper cover 23 consists of a stainless steel material and the boundary parts are mutually welded and integrated together.例文帳に追加

容器の底部５及び下側壁１１はアルミニウム材で構成され、下側壁と一体の上側壁１３はアルミニウム層１５とチタン層１７とステンレス層１９の三層のクラッド材で構成され、上側カバー２３はステンレス材で構成されており、互いに境界部が溶接されて一体になっている。 - 特許庁

The edge part of a subsequent upper-layer liquid film 26L2 is laminated on the edge part of a previously formed lower-layer liquid film 26L1, and the laminated area in which the lower-layer film 26L1 and the upper-layer film 26L2 are superimposed is irradiated with a laser beam B capable of fluidizing the oriented film forming liquid.例文帳に追加

先行して形成した下層液状膜２６Ｌ１の端部に、後続する上層液状膜２６Ｌ２の端部を積層し、これら下層液状膜２６Ｌ１及び上層液状膜２６Ｌ２の重なる積層領域に対して、その配向膜形成液を流動可能なレーザビームＢを照射するようにした。 - 特許庁

In the semiconductor laser having an oscillation wavelength of 760-800 mm, n-type first and second lower clad layers 103 and 104, a lower guide layer 105, a quantum well active layer 107, an upper guide layer 109, and a p-type upper clad layer 110 are formed sequentially on an n-type GaAs substrate 101.例文帳に追加

発振波長が７６０ｎｍより大きく８００ｎｍより小さい半導体レーザ装置であって、ｎ型のＧａＡｓ基板１０１上に、ｎ型の第１，第２下クラッド層１０３，１０４、下ガイド層１０５、量子井戸活性層１０７、上ガイド層１０９、ｐ型の上クラッド層１１０を順次積層する。 - 特許庁

A cover layer 20D of the diffraction element 20 is constituted of a cover lower layer 20Du made of a second UV cured resin 100B and joined to a diffraction pattern PTc for a CD and a cover upper layer 20Do made of a third UV cured resin 100C and joined to the cover lower layer 20Du.例文帳に追加

本発明の回折素子２０におけるカバー層２０Ｄは、第２のＵＶ硬化樹脂１００Ｂでなり、ＣＤ用回折パターンＰＴｃに接合されたカバー下層２０Ｄｕと、第３のＵＶ硬化樹脂１００Ｃでなり、当該カバー下層２０Ｄｕに接合されたカバー上層２０Ｄｏとによって構成されるようにする。 - 特許庁

The multi-ply wallpaper has a plurality of base paper layers of a wallpaper obtained by alternately laminating base paper of wallpaper and thermoplastic synthetic resin layers, wherein the surface adhesive force of the lower-layer base paper layer is larger than the adhesive force of the back face of the wallpaper base paper layer positioned above the lower layer.例文帳に追加

壁紙原紙と熱可塑性合成樹脂層を交互に積層して壁紙原紙の層を複数備えた多層紙壁紙であって、下層の壁紙原紙層の表面の接着力が、その上層側に位置する壁紙原紙層の裏面の接着力よりも大きく設定されていることを特徴とする多層紙壁紙。 - 特許庁

Adhesive power of the sealant and a lower plate 4 is strengthened by totally or partially removing the organic protective layer or the organic protective layer and the gate insulation layer in the region which is coated with the sealant so as to make the sealant directly be in contact with the gate insulation layer or a lower glass 20.例文帳に追加

本発明によると、シーリング剤が塗布される領域の有機保護膜または有機保護膜及びゲート絶縁膜を全体または部分的に除去してシーリング剤がゲート絶縁膜または下部ガラスと直接に接するようにすることでシーリング剤と下板の接着力を強化させることができる。 - 特許庁

In the absorber made by covering a mixed layer of a fiber and an absorptive polymer with an upper layer sheet and a lower layer sheet, the absorbent polymer is formed of a liquid permeable high absorbency polymer and a high absorbency polymer featuring a large absorption quantity is applied to the top face of the lower layer sheet.例文帳に追加

繊維と吸水性ポリマーとの混合層を上層シートと下層シートにより被覆して成る吸収体において、前記吸水性ポリマーを通液性のよい高吸水性ポリマーで構成すると共に、前記下層シートの上面に吸収量のよい高吸水性ポリマーを塗設して吸収体を作製する。 - 特許庁

The printed wiring board 1 comprises an insulating resin layer 2, conductor wiring 3 arranged on at least one of the upper surface 22 and the lower surface 23 of the insulating resin layer 2, and an interlayer conductive part 4 comprising a metal piece 41 buried in the insulating resin layer 2 and conducting the upper and lower surfaces of the insulating resin layer 2 electrically.例文帳に追加

絶縁樹脂層２と，該絶縁樹脂層２の上面２２及び下面２３の少なくとも一方に配設された導体配線３と，絶縁樹脂層２に埋め込まれたメタル片４１によって構成されると共に絶縁樹脂層２の上下面を電気的に導通させる層間導電部４とを有するプリント配線板１。 - 特許庁

In this thin-film transistor, an insulating film 4 having openings in a source region 10S/a drain region 10D is formed between a lower semiconductor layer 11 and an upper semiconductor layer 12; and the lower semiconductor layer 11 and the upper semiconductor layer 12 are connected to each other through the openings H1, H2.例文帳に追加

本発明に係る薄膜トランジスタは、下層半導体層１１と、上層半導体層１２の間には、ソース領域１０Ｓ／ドレイン領域１０Ｄに開口部を有する絶縁膜４が形成され、開口部Ｈ１，Ｈ２を介して、下層半導体層１１と上層半導体層１２が接続される。 - 特許庁

The method for separating polyphenols comprises using HSCC which is true liquid partition chromatography in which an upper layer or a lower layer of a two-phase solvent system obtained by mixing ethers, acetonitrile or alcohols with water or acidic aqueous solution is used as a stationary phase and the lower layer or the upper layer is used as a mobile phase.例文帳に追加

本発明は、エーテル類、アセトニトリルまたはアルコール類、水または酸性水溶液を混和した二相溶媒系の上層または下層を固定相とし下層または上層を移動相に用いた真の液液分配クロマトグラフィである高速向流クロマトグラフィを用いることを特徴とするポリフェノールの分離方法である。 - 特許庁

The substrate includes a resin layer 100, wiring layers 101-107 buried in the upper surface of the resin layer 100, and semi-cured vias 108, 109 having a sintering temperature equal to or lower than the softening temperature of the resin layer 100, and having one end in contact with the wiring layers 102, 106 and the other end exposed from the lower surface of the resin layer 100.例文帳に追加

樹脂層１００と、樹脂層１００の上面に埋設された配線層１０１〜１０７と、樹脂層１００の軟化温度以下の焼結温度を有し、配線層１０２，１０６に一端が接触し且つ樹脂層１００の下面から他端が露出した半硬化状態のビア１０８，１０９とを備える。 - 特許庁

This pet litter box 1 includes a litter box body 2, and a partitioning member 3 for partitioning the inside of the litter box body 2 into an upper layer part A and a lower layer part B, and is used by housing a granular material 20 for forming an excretion floor in the upper layer part A and also housing a urine-absorbing material 21 in the lower layer part B.例文帳に追加

本発明のペット用トイレ１は、トイレ本体２、及びトイレ本体２内を上層部分Ａと下層部分Ｂとに区画する仕切部材３を備え、上層部分Ａに便床を形成する粒状物２０を収容すると共に下層部分Ｂに尿吸収体２１を収容して使用するものである。 - 特許庁

The process of forming the piezoelectric element 54 includes the process of forming a lower electrode 4 above the diaphragm, the process of forming an orientation layer 7 above the lower electrode, the process of forming a piezoelectric layer 5 above the orientation layer, and the process of forming an upper electrode 6 above the piezoelectric layer.例文帳に追加

前記圧電素子５４を形成する工程は、前記振動板の上方に下部電極４を形成する工程と、前記下部電極の上方に配向層７を形成する工程と、前記配向層の上方に圧電体層５を形成する工程と、前記圧電体層の上方に上部電極６を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The metal back layer, in which a first resistance layer 30 and a second resistance layer 32 having lower resistance value than the first resistance layer are laminated thereon, the first resistance layer is laminated on the whole surface of the fluorescent screen, and the second resistance layer is divided into a plurality of divided regions 7a at certain intervals, is laminated on the fluorescent layer.例文帳に追加

メタルバック層は、第１抵抗層３０とこの第１抵抗層よりも低抵抗の第２抵抗層３２とを重ねて形成され、第１抵抗層は蛍光面の全面に重ねて設けられ、第２抵抗層は互いに隙間をおいて並んだ複数の分割領域７ａに分断され、蛍光体層に重ねて設けられている。 - 特許庁

An actuator having a conductive layer and an ion-conducting layer includes: a first layer which is provided in contact with the actuator and is formed from a polymer that suppresses permeation of water; and a second layer which is provided in contact with the first layer, has a lower tensile elastic modulus than that of the first layer, and is formed from a polymer that protects the first layer.例文帳に追加

導電層とイオン伝導層を有するアクチュエータにおいて、前記アクチュエータに接して設けられた水の透過を抑制する高分子からなる第１の層と、前記第１の層に接して設けられた、前記第１の層より引張弾性率が小さい、前記第１の層を保護する高分子からなる第２の層を有するアクチュエータ。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

The variable wavelength semiconductor laser device 1 has a mesa of a laminated structure comprising a p-AlInAs oxidizing layer 14, a p-InP lower clad layer 16, a variable wavelength layer 18, an n-InP intermediate layer 20, a MQW active layer 22, a p-InP spacer layer 24, a p-grating 26 and p-InP embedded layer 28 on a p-InP substrate 12.例文帳に追加

本波長可変半導体レーザ装置１０は、ｐ−ＩｎＰ基板１２上に、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ酸化用層１４、ｐ−ＩｎＰ下部クラッド層１６、波長可変層１８、ｎ−ＩｎＰ中間層２０、ＭＱＷ活性層２２、ｐ−ＩｎＰスペーサ層２４、ｐ−回折格子２６、及びｐ−ＩｎＰ埋め込み層２８の積層構造のメサを有する。 - 特許庁

A first insulating layer and a third insulating layer configuring each wiring layer 100 contain a silicon carbide/nitride film, silicon carbide and/or silicon oxide, the second insulating layer of a lower wiring layer contains the silicon oxide, and the second insulating layer of an upper wiring layer contains fluorinated silicon oxide and/or carbonated silicon oxide.例文帳に追加

各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。 - 特許庁

The metallic wiring layer 30 has a lower conductive layer 30A, a first layer 34 composed of aluminum or an aluminum alloy, a second layer 36 formed on the first layer 34 and composed of an intermetallic compound (aluminum nitride), and a third layer 38, formed on the second layer 36 and composed of a metallic nitride (titanium nitride) which serves as an antireflection coating.例文帳に追加

金属配線層３０は、下部導電層３０Ａ、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる第１の層３４、第１の層の上に形成された金属間化合物（窒化アルミニウム）からなる第２の層３６、および第２の層の上に形成された、反射防止膜としての金属の窒化物（窒化チタン）からなる第３の層３８を有する。 - 特許庁

The objective glass is provided with a heat-reflective layer formed on the surface of a transparent glass substrate by successively applying a lower dielectric layer composed of a nitride of a metal composed mainly of aluminum, a metal layer or a nitride layer composed mainly of Ni, a metal layer or a nitride layer composed mainly of silver and an upper dielectric layer composed of a nitride of a metal composed mainly of aluminum.例文帳に追加

透明ガラス基板表面に、アルミニウムを主成分とする金属の窒化物よりなる下部誘電体層、Ｎiを主成分とする金属層あるいは窒化物層、銀を主成分とする金属層あるいは窒化物層、アルミニウムを主成分とする金属の窒化物よりなる上部誘電体層が順次積層された熱線反射層を形成すること。 - 特許庁

The electron transit layer 29 has a structure where the potential on the junction surface to the second barrier layer 28 is lower than the potential of the collector layer 30, approaches the potential of the collector layer 30 as the distance to the collector layer 30 becomes shorter, and the potential on the junction surface to the collector layer 30 is equal to the potential of the collector layer 30.例文帳に追加

電子走行層２９は、第２の障壁層２８との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルよりも低く、コレクタ層３０との距離が近づくに従ってポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルに近づき、コレクタ層３０との接合面でのポテンシャルがコレクタ層３０のポテンシャルと同じになるような構造をしている。 - 特許庁

The cap layer includes a first Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities, a second Si-doped GaAs cap layer containing Si impurities of a lower concentration than the first Si-doped GaAs cap layer, and a barrier increase-suppressing region arranged on a layer between the second Si-doped GaAs cap layer and stopper layer and suppressing an increase of a potential barrier.例文帳に追加

ここで、キャップ層は、Ｓｉ不純物を含む第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第１ＳｉドープＧａＡｓキャップ層よりも低濃度のＳｉ不純物を含む第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層と、第２ＳｉドープＧａＡｓキャップ層とストッパ層との間の層に設けられ、ポテンシャルバリアの上昇を抑制するバリア上昇抑制領域を備えるものとする。 - 特許庁

The process for fabricating a capacitor 200 having a lower electrode 210 and a ferroelectric layer 230 comprises a metal layer forming step for forming the lower electrode 210, a step for forming a buffer layer 220 having a lattice constant between those of the lower electrode 210 and the ferroelectric layer 230 and exhibiting ferroelectric characteristics on the lower electrode 210, and a step for forming the ferroelectric layer 230 on the buffer layer 220.例文帳に追加

下部電極２１０及び強誘電体層２３０を有するキャパシタ２００を製造するキャパシタ製造方法であって、下部電極２１０を形成する金属層形成ステップと、下部電極２１０の格子定数と強誘電体層２３０の格子定数との間の格子定数を有する、強誘電体特性を示すバッファ層２２０を、下部電極２１０上に形成するバッファ層形成ステップと、強誘電体層２３０を、バッファ層２２０上に形成する強誘電体層形成ステップとを備えたキャパシタ製造方法。 - 特許庁

The optical guide G has a semiconductor lower guide layer 11 having an undoped first lower portion 11a adjoining the central area and an n-type doped second lower portion 11b adjoining the lower coating layer 1, and an upper semiconductor guide layer 12 having an undoped first upper portion 12a adjoining the central area and a p-type doped second upper portion 12b adjoining the upper coating layer 2.例文帳に追加

光学ガイドＧはさらに、中央領域に隣接するドープされていない第１の下方部分１１ａと、下方被覆層に隣接するｎ型のドープされた第２の下方部分１１ｂとを有する半導体下方ガイド層１１と、中央領域に隣接するドープされていない第１の上方部分１２ａと、上方被覆層に隣接するｐ型のドープされた第２の上方部分１２ｂとを有する半導体上方ガイド層１２とを有する。 - 特許庁

The carrier comprises a core particle and a resin layer coating the surface of the core particle, wherein the resin layer includes, from the core particle side, two resin layers of an inner layer and an outer layer, and the outer resin layer contains a charge improving agent in a lower content than in the inner resin layer.例文帳に追加

コア粒子と、前記コア粒子の表面を被覆する樹脂層とを備え、前記樹脂層は、コア粒子側から、内側及び外側の２層の樹脂層を有し、前記外側の樹脂層が、前記内側の樹脂層より、低い含有率で帯電向上剤を含むことを特徴とするキャリアにより上記課題を解決する。 - 特許庁

This non-volatile memory device comprises a first oxide layer 22 formed on a lower electrode 20, a second oxide layer 24 having variable resistance property formed on the first oxide layer, a buffer layer 26 formed on the second oxide layer, and an upper electrode 28 formed on the buffer layer.例文帳に追加

下部電極２０と、下部電極上に形成された第１酸化層２２と、第１酸化層上に形成されて可変抵抗特性を有する第２酸化層２４と、第２酸化層上に形成されたバッファ層２６と、バッファ層上に形成された上部電極２８と、を備える可変抵抗物質を含む不揮発性メモリ素子である。 - 特許庁

In the heat sensitive recording material, printing is performed with a thermal head and a heat sensitive recording layer and a protective layer is provided in the order named on a support, a thermally soft film layer, the hardness of which is lower than that of the protective layer at the printing, is provided on the surface at the heat sensitive recording layer side of the protective layer.例文帳に追加

サーマルヘッドを用いて印画され、支持体上に感熱記録層と保護層とを順次有する感熱記録材料であって、前記保護層の前記感熱記録層側表面に、印画時の硬度が保護層の硬度より低い熱軟膜層を有することを特徴とする感熱記録材料である。 - 特許庁

In an n-type main semiconductor layer 1, in a region between a p channel layer 2 and an n^+ type field stop layer 5, an n-type low concentration base layer 14 and an n-type extremely low concentration base layer 15 of which the impurity concentration is lower than that are alternately repeatedly provided perpendicular to a first main plane of the n-type main semiconductor layer 1.例文帳に追加

ｎ型主半導体層１において、ｐチャネル層２とｎ^+型フィールドストップ層５の間の領域に、ｎ型低濃度ベース層１４およびそれよりも不純物濃度の低いｎ型極低濃度ベース層１５が、ｎ型主半導体層１の第一主面に垂直に交互に繰り返し設けられる。 - 特許庁

The adhesive layer 14 interposed between the heater 13 and the base member 11 has a structure where a first adhesive layer 15 and a second adhesive layer 16 are stacked, wherein the first adhesive layer is formed by curing an adhesive having high thermal conductivity and the second adhesive layer is formed as gel by curing an adhesive having lower viscosity than that of the adhesive of the first adhesive layer.例文帳に追加

ヒータ１３とベース部材１１の間に介在する接着層１４は、熱伝導率の高い接着剤を硬化させてなる第１の接着剤層１５と、該接着剤よりも粘度の低い接着剤を硬化させてゲル状にした第２の接着剤層１６とが積層された構造を有している。 - 特許庁

In the process, after a lower porosity porous layer 12 and a high porosity porous layer 13 are formed one by one, a low porosity porous layer 14 is formed in an inner side of the high porosity porous layer 13 for making the high porosity porous layer 13 and the substrate 11 separated completely by the low porosity porous layer 14.例文帳に追加

その際、低多孔率多孔質層１２および高多孔率多孔質層１３を順次形成したのち、高多孔率多孔質層１３の内側に低多孔率多孔質層１４を形成して、低多孔率多孔質層１４により高多孔率多孔質層１３と形成用基板１１とが完全に離間されるようにする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the shielding type MR element provided with a magnetoresistive film comprising a free layer/a non-magnetic layer (barrier layer)/a fixed layer, after a vertical layer is formed on a lower electrode to be patterned and the magnetoresistive film is layered thereon to be patterned, an insulating layer is formed in the periphery of the magnetoresistive film pattern.例文帳に追加

フリー層／非磁性層（バリア層）／固定層を含む磁気抵抗効果膜を備えたシールド型ＭＲ素子の製造方法において、下電極上に縦バイアス層を形成してパターン化すると共に、磁気抵抗効果膜を積層してパターン化した後、磁気抵抗効果膜パターンの周囲に絶縁層を形成する。 - 特許庁

The package contains a linking lead plated with a gold layer, a low melting metal layer having a lower melting point than the gold layer, for example, the golden bump plated with a tin layer on the surface, and a bonding section which bonds the lead and the bump electrically by eutectic point alloy forming with the low melting metal layer and the gold layer.例文帳に追加

金層がメッキされた連結リードと、金層に比べて融点の低い低融点金属層、例えば、錫層が表面にメッキされた金バンプ、及び低融点金属層と金層との共融点合金形成によってリードとバンプとを電気的に接合連結するボンディング部を含んで構成されるパッケージ。 - 特許庁

A laminated film which includes a 1st insulating film formed of an organic film as a lower layer and a 2nd insulating film made of a hard mask material as an upper layer is used as an insulating film which covers the inter-layer insulating film between a capacitor layer formed of a dielectric film or ferroelectric film and a wiring layer formed thereupon or the wiring layer.例文帳に追加

誘電体膜または強誘電体膜からなるキャパシタ層の上部に形成される配線層との間の層間絶縁膜あるいは配線層を覆う絶縁膜として、有機膜で形成された第一の絶縁膜を下層に、ハードマスク材からなる第二の絶縁膜を上層に配置した積層膜を用いる。 - 特許庁

Thickness of the Pt layer 11 is set such that the Pt layer 11 is left when the AuSn layer 9 is melted in order to bond that semiconductor laser chip depending on the thickness of an Au electrode layer formed on the lower surface of a semiconductor laser chip (not shown), the thickness of the Au layer 8, the thickness of the AuSn layer 9, and the composition.例文帳に追加

Ｐｔ層１１の厚さは、図示しない半導体レーザチップの下面に設けられたＡｕ電極層の厚さ、Ａｕ層８の厚さ、ＡｕＳｎ層９の厚さおよび組成比に応じて、その半導体レーザチップを接合するためのＡｕＳｎ層９の溶融時にＰｔ層１１が残存するように設定されている。 - 特許庁

The capacitor 13 is arranged such that a capacitor part C2 having a dielectric layer 42 sandwiched between an intermediate electrode layer 31 and an upper electrode layer 3 is formed on a capacitor part C1 having a dielectric layer 41 sandwiched between a lower electrode layer 2 and the intermediate electrode layer 31.例文帳に追加

下部電極層２と中間電極層３１との間に誘電絶縁層４１が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ１上に、中間電極層３１と上部電極層３との間に誘電絶縁層４２が配設された構成を有するキャパシタ部分Ｃ２が積層されるように、キャパシタ１３を構成する。 - 特許庁