| 意味 | 例文 |
lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 11223件
The lower-layer insulating film 7a is made up in a laminated structure of a silicon nitride film 7aa, a silicon oxide film 7ab, an interface layer 7ac and a silicon oxide film 7ad.例文帳に追加
下層絶縁膜7aがシリコン窒化膜7aa/シリコン酸化膜7ab/界面層7ac/シリコン酸化膜7adの積層構造により構成されている。 - 特許庁
An optical waveguide including a lower clad layer 12 formed through successive crystal growth, a plurality of quantum wires 13 and an upper clad layer 14 are formed on the ridge 21.例文帳に追加
このリッジ21の上に、一連の結晶成長により形成された下部クラッド層12、複数の量子細線13、上部クラッド層14を含む光導波路を設ける。 - 特許庁
A lower molded insulating layer and an upper molded insulating layer where a dummy pattern is formed inside are sequentially formed on a semiconductor substrate on which a photodiode is formed.例文帳に追加
フォトダイオードが形成された半導体基板上に下部モールド絶縁層と、ダミーパターンが内部に形成された上部モールド絶縁層を順次に形成する。 - 特許庁
The heat seal layer is formed from a film containing a biodegradable polymer of which the melting point or softening point is lower than that of polylactic acid forming the substrate layer.例文帳に追加
ヒートシール層は、基材層を形成するポリ乳酸よりも融点または軟化点が低い生分解性ポリマーを含有するフィルムによって形成されている。 - 特許庁
The inner tube rubber layer 12 and the lower rubber layer 14 use rubber materials in which the difference of initial tensile stresses under an unvulcanized condition is ≤0.5 MPa.例文帳に追加
内管ゴム層12および下ゴム層14は、未加硫の状態における初期引張応力の差が0.5MPa以下のゴム材料を用いている。 - 特許庁
The polyolefin foam particle has a high-density surface layer because the expansion ratio at the surface layer is lower than that in the inside.例文帳に追加
ポリオレフィン発泡体粒子は、表層発泡比の方が内部発泡比よりも相対的に低くて高密度の表層を有することを特徴とする。 - 特許庁
The surface electron emission element has a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially laminated, in this order, and a nanostructure layer which is formed on the upper electrode.例文帳に追加
順次に積層された下部電極、絶縁層及び上部電極、上部電極上に形成されたナノ構造層を備える表面電子放出素子。 - 特許庁
In some embodiments, the light emitting device includes an InGaN lower confinement layer formed between the 1st conductivity type layer and the active region.例文帳に追加
幾つかの実施形態において、発光デバイスは、第1導電型層と活性領域との間に形成されるInGaN下部封じ込め層を含む。 - 特許庁
Each of the lower clad layer 3, the core part 4 and the upper clad layer 5 is a cured matter of an optical curable composition such as (meta)acryl-based, and epoxy-based.例文帳に追加
下部クラッド層3、コア部分4、及び上部クラッド層5の各々は、(メタ)アクリル系、エポキシ系等の光硬化性の組成物の硬化体である。 - 特許庁
The emitted laser light 39 raises temperatures of a first ferromagnetic layer and an antiferromagnetic layer included in the reproducing element to temperatures not lower than the blocking temperature.例文帳に追加
出射されたレーザ光39は、再生素子に含まれる第一の強磁性層及び反強磁性層をブロッキング温度以上の温度に昇温させる。 - 特許庁
A first and a second high-permittivity oxide film, 103 and 104, are successively laminated between an upper electrode layer 105 and a lower electrode layer 102.例文帳に追加
上部電極層105と下部電極層102間に第1および第2高誘電率酸化物膜103、104の積層を順に形成する。 - 特許庁
First resin forming the first resin layer 7 contains metal particles at a lower rate than second resin forming the second resin layer 8.例文帳に追加
第一の樹脂層7を形成する第一の樹脂は、第二の樹脂層8を形成する第二の樹脂よりも金属粒子の含有率が低くなっている。 - 特許庁
The gate electrode 6 and the lower electrode 15 are formed on the same layer, and a source wiring 8 and the upper electrode 16 are formed on the same layer.例文帳に追加
そして、ゲート電極6と下電極15とが同一層に形成され、ソース配線8と上電極16とが同一層に形成されている。 - 特許庁
The semiconductor device has a substrate 1, a semiconductor film, a lower-layer insulation film 9, upper-layer insulation films 10a-10e, and gate electrodes 11a-11d.例文帳に追加
半導体装置は、基板1と、半導体膜と、下層絶縁膜9と、上層絶縁膜10a〜10eと、ゲート電極11a〜11dとを備える。 - 特許庁
A plasma CVD method adopting aluminum alkoxide and oxygen as raw materials is applied to film-form a lower part insulating layer 43 and an upper part insulating layer 45.例文帳に追加
原料をアルミニウムアルコキシド及び酸素とするプラズマCVD法を適用して下部絶縁層43及び上部絶縁層45などを成膜する。 - 特許庁
A lower-layer comb-tooth electrode 13 and an upper-layer comb- tooth electrode 17 are arranged as one unit at given intervals while overlapping with each other by several μm.例文帳に追加
下層櫛歯電極103と上層櫛歯電極107とを数um程度オーバーラップさせ、この電極を1つの単位とし、所定の間隔で並べる。 - 特許庁
A lower shield layer 3 is formed like a frame having a space for housing a conductive layer 7b constituting an electrode connected with an MR element 5.例文帳に追加
下部シールド層3は、MR素子5に接続される電極を構成する導電層7bを収容するための空間を有する枠状に形成される。 - 特許庁
Then, ultrasonic joining is performed so that the collector electrodes 6 reach any position from an upper surface of the power generation layer 3 to a lower surface of the front surface electrode layer 2.例文帳に追加
その後、超音波接合により、集電電極6を、発電層3の上面から表面電極層2の下面までの何れかの位置に到達させる。 - 特許庁
Part of the power supply wiring formed on the panel 0 to drive the pixel array part 1 is multi-layered wiring of an upper layer 12 and a lower layer 11.例文帳に追加
画素アレイ部1を駆動する為にパネル0に形成された電源配線の一部が、上層12と下層11とで多層配線化されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit of a multilayer structure in which interconnection of an upper layer thin film transistor (TFT) and a lower layer transistor is formed with good yield.例文帳に追加
上層の薄膜トランジスタ(TFT)と下層のトランジスタの配線の接続を、歩留まり良く形成された多層構造の半導体集積回路を提供する。 - 特許庁
An oxygen barrier layer 71 is formed between a tangsten plug 61 and a capacitor C composed of a lower electrode 81, a dielectric layer 91 and an upper electrode 15.例文帳に追加
下側電極81、誘電体層91、上側電極15からなるキャパシタCとタングステンプラグ61との間に、酸素バリア層71を形成する。 - 特許庁
Lower layer wiring 11 being an arbitrary metal wiring pattern and upper layer wiring 12 are formed in interlayer insulating films 10 (101, 102) in multilayer interconnection.例文帳に追加
多層配線における層間の絶縁膜10(101,102)中に任意の金属配線パターンである下層配線11、上層配線12が形成されている。 - 特許庁
A hole injection layer 16A and a hole transport layer 16B are formed as common layers on a plurality of lower electrodes 14 using a coating method.例文帳に追加
複数の下部電極14上に正孔注入層16Aおよび正孔輸送層16Bを共通層として塗付法を用いて形成する。 - 特許庁
To provide an encoding apparatus capable of encoding progressive data in a higher layer and encoding interlace image data in a lower layer when performing layered encoding.例文帳に追加
階層符号化を行う場合に、上位レイヤにおいてプログレッシブデータを符号化し、下位レイヤにおいてインタレース画像データを符号化できる符号化装置を提供する。 - 特許庁
The acrylic resin is used as a material of the elastomer layer 22 and the mechanical strength of the elastomer layer 22 is lower than that of the plastic layers 20 and 21.例文帳に追加
エラストマー層22には、その材料としてアクリル系樹脂が用いられており、エラストマー層22はプラスチック層20,21よりも機械的強度が低くなっている。 - 特許庁
On a lead frame 15 made of copper etc., having high thermal conductivity, a stack structure having a lower-layer chip 11 and an upper-layer chip 12 is mounted.例文帳に追加
高熱伝導率をもつ銅等で構成されるリードフレーム15上に、下層チップ11と上層チップ12が積層された積層構造が搭載されている。 - 特許庁
Moreover, the label with the hanging tool has arc-shaped hanging tools 22, 24 which are extended from the upper layer label part 14 and the lower layer label part 16 and have the same shape and are mutually laminated .例文帳に追加
上層ラベル部14と下層ラベル部16から各々同形状で延長し、互いに積層された弧状の吊り具部22,24を有する。 - 特許庁
An Al plug 31 penetrating the interlayer dielectric 1 and coming into contact with both the lower layer Cu interconnect line 21 and the upper layer Cu interconnect line 41 is provided.例文帳に追加
層間絶縁膜1を貫通して下層Cu配線21と上層Cu配線41との双方に接触するAlプラグ31を設ける。 - 特許庁
A laminated structure in which a lower layer chip 11 and an upper layer chip 12 are laminated is mounted on a lead frame 15 made of copper, etc., having high heat conductivity.例文帳に追加
高熱伝導率をもつ銅等で構成されるリードフレーム15上に、下層チップ11と上層チップ12が積層された積層構造が搭載されている。 - 特許庁
The diffusing speed of a second-conductivity impurity in the lower clad layer 104 is made faster than that of the impurity in the upper clad layer 106.例文帳に追加
第2導電型不純物の下部クラッド層104における拡散速度が上部クラッド層106における拡散速度より大きくなるように構成する。 - 特許庁
The contact holes 21a, 21b have different aperture sizes corresponding to the depth from the surface of the insulating layer to the lower conductive layer 28.例文帳に追加
コンタクト孔21a,21bは、絶縁層の表面から下層の導電層28までの深さに応じて異なる大きさの開口寸法Wa,Wbを有する。 - 特許庁
To provide a surface sheet of an absorbent article in which a liquid quickly moves from an upper layer to a lower layer and the wet-back of the liquid can hardly occurs.例文帳に追加
上層から下層への液の移行が迅速に行われ、また液のウエットバックが起こりにくい吸収性物品の表面シートを提供すること。 - 特許庁
To obtain circumstances where system settings in all layers from system setting in a higher layer to that in a lower layer in a hierarchical organization can coexist together.例文帳に追加
階層組織における、より上位層のシステム設定から下位層のシステム設定まで全ての階層でのシステム設定が共存できる環境を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming an electrode structure as a multilayer structure in which each lower layer is covered with each upper layer in one-time lift-off step.例文帳に追加
1回のリフトオフ工程によって、下層が上層によって被覆された積層構造体から成る電極構造を形成する方法を提供する。 - 特許庁
The layer 15 is cured under the condition that the layer 15 is in contact with the surface 21 and also that the mold 20 is in contact with the flat and rigid lower surface.例文帳に追加
材料層15がモールド表面と接触し且つモールド20が平坦で剛性の下表面と接触する状態で、材料層15が硬化される。 - 特許庁
A read element 41 and a write element 42 are arranged between a low thermal expansion material layer 43 at lower side and an upper low thermal expansion material layer 44.例文帳に追加
読み出し素子41および書き込み素子42は下側低熱膨張材層43および上側低熱膨張材層44の間に配置される。 - 特許庁
The longitudinal direction Young's modulus of the magnetic layer for servo signal recording is lower by 0.49 GPa (50 kg/mm2) as compared with the longitudinal direction Young's modulus of the magnetic layer for information recording.例文帳に追加
前記サーボ信号記録用磁性層の長手方向ヤング率は、前記情報記録用磁性層の長手方向ヤング率と比較して0.49GPa(50kg/mm^2)以上低い。 - 特許庁
The bead wire is turned back at an upper end of the first layer after wounded up to the upper most end and is wound around the formed body 9 toward a lower end from the upper most part of a second layer in a spiral shape.例文帳に追加
最上端まで巻き付けた後、1層目の上端から折り返して2層目の最上部から下端に向かってらせん状に巻き付ける。 - 特許庁
Upon operating the control stick in the z-axis direction, menus are displayed in sequence from a menu in an upper layer to a menu in a lower layer, with the menus being arranged in the z-axis direction.例文帳に追加
コントロールスティックがz軸方向に操作された場合、より下の階層の(Z軸方向に配列されている)メニューを順次表示させる。 - 特許庁
The semiconductor storage device is provided with a capacitor lower electrode 22a including: an upper conductive layer 22f comprising Pt; a lower conductive layer 22d made of a material including Ir, silicon, and nitrogen; and an intermediate conductive layer 22e arranged between the upper/lower conductive layers 22f, 22d for adhering the upper/lower conductive layers 22f, 22d to each other.例文帳に追加
この半導体記憶装置は、Ptからなる上部導電層22fと、Ir、シリコンおよび窒素を含有する材料からなる下部導電層22dと、上部導電層22fと下部導電層22dとの間に配置され、上部導電層22fと下部導電層22dとを密着させるための中間導電層22eとを含むキャパシタ下部電極22aを備えている。 - 特許庁
This floor heating structure is constituted by successively stacking a heat-resisting layer 2, a sheet heating element 3 and a floor material layer 4 on an upper side of a heat storage layer 1, and a temperature sensor 7 for controlling a temperature is disposed at a lower side of the heat storage layer 1.例文帳に追加
蓄熱層1の上側に、耐熱層2、面状発熱体3、床材層4を順に積層して床暖房構造体を構成するとともに、温度制御のための温度センサー7を、蓄熱層1の下側に設置した。 - 特許庁
This n-type layer 103 is a layer consisting of the n-type Si with an impurity concentration lower than the drain layer 101 and higher than the interlayer 102, and constitutes a drift layer which becomes a main course of a current at the time of operation.例文帳に追加
このN型層103は、ドレイン層101よりも不純物濃度が低く、中間層102よりも不純物濃度が高いN型Siからなる層であり、動作時の電流の主経路となるドリフト層を構成している。 - 特許庁
The low-resistance boron phosphide semiconductor layer is composed of a lower polycrystalline layer and an upper single crystal layer, and for instance, the boron phosphide semiconductor light emitting device excellent in both rectifying characteristics and emission intensity is formed by the use of the low-resistance boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加
低抵抗のリン化硼素系半導体層を多結晶の下層と、単結晶の上層とから構成することとし、例えば、整流特性と発光強度に優れるリン化硼素系半導体発光素子を構成する。 - 特許庁
A first interlayer dielectric film 2 is deposited in a semiconductor device 1, and a first laminate 17a for a lower electrode which is composed of a Ti layer 3, a TiN layer 4, an AlCu layer 5 and a TiN layer 6 is formed on it by a sputtering method.例文帳に追加
半導体基板1上に第1層間絶縁膜2を堆積し、その上に、スパッタ法により、Ti層3,TiN層4,AlCu層5およびTiN層6からなる下部電極用の第1積層17aを形成する。 - 特許庁
A recording head of the thin film magnetic head has a lower magnetic pole layer (upper shield layer) including magnetic pole parts mutually opposite via a recording gap layer 14, an upper magnetic pole layer 15 and a thin film coil 5 arranged between the layers.例文帳に追加
薄膜磁気ヘッドの記録ヘッドは、記録ギャップ層14を介して互いに対向する磁極部分を含む下部磁極層(上部シールド層)および上部磁極層15と、これらの間に配設された薄膜コイル5を有している。 - 特許庁
In a thin film capacitor where a lower electrode layer 2, a thin film dielectric material layer 3 and an upper electrode layer 4 are sequentially formed on a supporting substrate 1, the shape at the end face of the upper electrode layer 4 is formed almost in the sine-wave shape.例文帳に追加
支持基板1上に、下部電極層2、薄膜誘電体層3、上部電極層4を順次形成して成る薄膜コンデンサにおいて、前記上部電極層4の端辺形状が概略正弦波形状となっている。 - 特許庁
The lower layer structure 3 is immersed by excavating the ground under the upper layer structure 2 in a cylindrical shape in a hard layer, and installing a short cylindrical corrugated steel plate on its inner wall in a connecting manner to the upper layer structure 2.例文帳に追加
下層構造物3は、硬質層において、上層構造物2の下側の地中を筒形に掘り下げ、その内壁に、上層構造物2に連結して短筒形の波形鉄板5を布設することにより沈設される。 - 特許庁
The lower electrode 12 is provided with an adhesive layer 12c containing IrHf, a rare metal layer 12b containing Ir, an oxygen containing layer 12a containing IrHfO, and a rare metal layer 12d containing Ir which are laminated successively on the base 11.例文帳に追加
下部電極12は、下地部11の側から順にIrHfを含む密着層12c,Irを含む貴金属層12d,IrHfOを含む酸素含有層12a,Irを含む貴金属層12bを積層して有する。 - 特許庁
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