「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

A conductive material 46 is formed inside the contact opening, electrically coming into contact with a lower conductive layer 32.例文帳に追加

導電性物質（４６）をコンタクト開口内に形成し下部の導電層（３２）と電気的接触を形成する。 - 特許庁

The Curie points of the first and second in-plane magnetized layers 4 and 6 are set to the critical temperature of the reproducing layer 3 or lower.例文帳に追加

第１及び第２面内磁化層４及び６のキュリー温度を再生層３の臨界温度以下にする。 - 特許庁

When performing plasma etching using these dummy vias, the effect of charges accumulated on lower-layer wiring is distributed.例文帳に追加

これらダミービアによりプラズマエッチングを行う時に下層配線に蓄積される電荷の影響を分散させる。 - 特許庁

The semiconductor laser 1 has a laminate structure in which an n-type AlGaAs cladding layer 32, an MQW active layer 33, a p-type InGaAlP lower cladding layer 34, a p-type InGaP etching stop layer 35 and a p-type InGaAlP upper cladding layer 36 are formed on an n-type GaAs substrate 2.例文帳に追加

半導体レーザ１は、ｎ型ＧａＡｓ基板２上に、ｎ型ＡｌＧａＡｓクラッド層３２、ＭＱＷ活性層３３、ｐ型ＩｎＧａＡｌＰ下クラッド層３４、ｐ型ＩｎＧａＰエッチングストップ層３５およびｐ型ＩｎＧａＡｌＰ上クラッド層３６の積層構造を有している。 - 特許庁

A semiconductor device is provided with an electrode 4 composed of a conductive layer, an external terminal 8 composed of the conductive layer formed on the electrode 4 and the wiring layer 3 of a different potential holding an insulation layer 5 therebetween on the lower part of the electrode 4, and a low dielectric constant film layer 12 is embedded in the electrode 4.例文帳に追加

導電層からなる電極４と、電極４上に形成された導電層からなる外部端子８と、電極４の下部に絶縁層５を挟んで異電位の配線層３とを備えた半導体装置であって、電極４に低誘電率膜層１２が埋設されている。 - 特許庁

An insulating oxygen barrier layer 15 consisting of Al_2O_3 of about 20nm in thickness is formed on a side face of the conductive oxygen barrier layer 14, wherein the barrier layer 15 prevents diffusion of the oxygen atoms to the contact 13 from a side of the lower layer 14a of the conductive oxygen barrier layer 14.例文帳に追加

導電性酸素バリア層１４の側面上には、Ａｌ_２Ｏ_３からなり、導電性酸素バリア層１４の下部層１４ａの側方からの、すなわちコンタクト１３への側方からの酸素原子の拡散を防ぐ絶縁性酸素バリア層１５が２０ｎｍ程度の厚さに形成されている。 - 特許庁

Between the N-type embedded diffusion layer and the P-type first embedded diffusion layer, a P-type second embedded diffusion layer 14 having the impurity concentration higher than that of the N-type embedded diffusion layer and lower than that of the P-type first embedded diffusion layer is embedded and formed.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型第一埋込み拡散層との間に、不純物濃度がＮ型埋込み拡散層の不純物濃度より高く、且つＰ型第一埋込み拡散層の不純物濃度より低いＰ型第二埋込み拡散層１４を埋込み形成する。 - 特許庁

In this semiconductor laser element 38, the part passing through an upper clad layer 18, an active layer 16, and a lower clad layer 14 of a pit- like recessed section 30 formed on a GaAs substrate 12 through an n-type GaAs layer 22 (current blocking layer) is covered with an insulating film 32.例文帳に追加

本半導体レーザ素子３８では、ｎ−ＧａＡs 層２２（電流ブロッキング層）を貫通してＧａＡs 基板１２に達するピット状凹部３０のうち、上部クラッド層１８、活性層１６及び下部クラッド層１４を貫通する凹部の部分が、絶縁膜３２で覆われている。 - 特許庁

A current block layer 110 which including Al, whose refractivity is lower than that of the second upper clad layer, is formed with the ridge interposed, and a second conductive third upper clad layer 112 whose band gap is larger than that of the active layer is formed on the ridge and the current block layer.例文帳に追加

リッジを挟むようにして第２上部クラッド層より屈折率が低くかつＡｌを含む電流ブロック層１１０が形成され、リッジと電流ブロック層の上に活性層よりも大きなバンドギャップを有する第２導電型の第３上部クラッド層１１２が形成される。 - 特許庁

The lower layer 7 has a first layer 73a made of an amorphous, and a second layer 73b formed so that both side interfaces each contact the first layer 73a and the tunnel barrier layer 8, made of any one cobalt, iron and nickel or a combination thereof, and substantially made of an amorphous.例文帳に追加

下部層７は、アモルファスからなる第１の層７３ａと、両側界面が各々、第１の層７３ａとトンネルバリア層８とに接するように形成され、コバルト、鉄、ニッケルのいずれかまたはその組み合わせからなり、実質的にアモルファスからなる第２の層７３ｂとを有している。 - 特許庁

To lower a threshold voltage or drive voltage of a nitride semiconductor light-emitting element comprising an active layer of a quantum well structure which has a well layer made of a nitride semiconductor containing indium, the active layer is sandwiched between an n-type nitride semiconductor layer and a p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層の間にインジウムを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造の活性層を備えた窒化物半導体発光素子の闘値電圧または駆動電圧を下げることを目的とする。 - 特許庁

The surface emitting laser is provided with a lower clad layer 120, an active layer 130, upper clad layer 140, a photonic crystal structure 145 which is optically coupled with the active layer 130, and a metal thin film 150, formed on the upper clad layer 140 having a periodically fine structure 155.例文帳に追加

面発光レーザであって、下部クラッド層１２０と、活性層１３０と、上部クラッド層１４０と、活性層１３０と光学的に結合するフォトニック結晶構造体１４５と、上部クラッド層１４０の上に設けられ、周期的な微細構造１５５を有する金属薄膜１５０とを備える。 - 特許庁

A region 30 with a triangular cross section including an n-type AlGaAs lower clad layer 5, a non-doped quantum well active layer 6, a p-type AlGaAs upper clad layer 7, an AlGaAs highly resistant upper clad layer 8 and an AlGaAs upper clad layer 9 is formed on the inverse mesa ridge 3.例文帳に追加

逆メサリッジ３上には、Ｎ型ＡｌＧａＡｓ下部クラッド層５、ノンドープの量子井戸活性層６、Ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層７、ＡｌＧａＡｓ高抵抗上部クラッド層８およびＡｌＧａＡｓ上部クラッド層９を含む断面三角形状領域３０が形成されている。 - 特許庁

The vibration damping member 10 is provided with a first layer 12 made from a viscous elastic body, a second layer 14 made of metal and an intermediate layer 16, which has rigidity higher than that of the first layer 12 and lower than that of the second layer 14 and is interposed between the first and second layers 12 and 14.例文帳に追加

制振部材１０は、粘弾性体からなる第１層１２と、金属からなる第２層１４と、第１層１２よりも高くかつ第２層１４よりも低い剛性を有して第１層１２と第２層１４との間に介在する中間層１６とを備える。 - 特許庁

When magnetic fields along an X axis, a Y axis and a Z axis are applied to a free layer of the magnetic storage element 1 storing "0" in combination according to a first magnetic field application sequence, magnetization LM on a lower-layer side of the free layer and magnetization UM on an upper-layer side of the free layer are inverted.例文帳に追加

“０”を記憶する磁気記憶素子１の自由層に対して、第１磁場印加シーケンスに従って、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に沿った磁場が組み合わされて印加されると、自由層の下層側の磁化ＬＭと上層側の磁化ＵＭが反転する。 - 特許庁

This substrate-less double-sided adhesive tape sheet 100 comprises a transparent adhesive layer in which the adhesive layer 10 has a first adhesive layer 10a having a strongly adhesive character and a second adhesive layer 10b having a weakly adhesive character having a lower adhesive force than that of the first adhesive layer.例文帳に追加

透明性の粘着層を有する無基材両面粘着テープ・シート１００であって、前記粘着層１０が、強粘着特性の第１粘着層１０ａと、当該第１粘着層よりも粘着力が低い弱粘着特性の第２粘着層１０ｂとを有する。 - 特許庁

The lower face of the gypsum-based face material is formed of an exposed surface of the gypsum core material, a surface treated coating layer of resin, a planar resin coating layer, a multipoint-like resin coating layer, an emboss-like resin coating layer, a multiple linear resin coating layer, a resin sheet, nonwoven fabric, woven fabric, or embossed paper or sheet.例文帳に追加

石膏系面材の下面は、石膏芯材の露出面、樹脂の表面処理皮膜層、面状の樹脂被覆層、多点状の樹脂被覆層、エンボス状の樹脂被覆層、多数の線状樹脂被覆層、樹脂シート、不織布、織布、或いは、エンボス加工した紙又はシートからなる。 - 特許庁

The buffer layer 19 is formed by oxidizing an oxidized layer 19D (not shown) formed with a material and thickness which increase oxidation speed relative to the upper DBR layer 15 and a lower DBR layer 11, and decrease the oxidation speed relative to an oxidized layer 18D (not shown).例文帳に追加

バッファ層１９は、上部ＤＢＲ層１５および下部ＤＢＲ層１１よりも酸化速度が速く、かつ被酸化層１８Ｄ（図示せず）よりも酸化速度が遅くなるような材料および厚さによって構成された被酸化層１９Ｄ（図示せず）を酸化することにより形成されている。 - 特許庁

The transistor comprises a columnar semiconductor layer 2, gate electrode 4 formed to surround the columnar semiconductor layer 2 through a gate insulation film 3, and a drain diffusion layer 5 and a source diffusion layer 6 formed in an upper and a lower end of the columnar semiconductor layer 2, respectively.例文帳に追加

トランジスタは、柱状半導体層２と、この柱状半導体層２を取り囲むようにゲート絶縁膜３を介して形成されたゲート電極４と、柱状半導体層２の上端部及び下端部に形成されたドレイン拡散層５及びソース拡散層６とを有する。 - 特許庁

In the variable resistance element 101, a hydrogen barrier layer 26 suppressing the diffusion of hydrogen to the variable resistance layer 22, a hydrogen barrier layer 19a in a lower electrode 19, and a buried insulating layer 21 having a function of suppressing hydrogen diffusion are formed in a peripheral area surrounding the variable resistance layer 22.例文帳に追加

可変抵抗素子部１０１では、可変抵抗層２２を囲む周辺領域に、可変抵抗層２２への水素の拡散を抑制する水素バリア層２６、下部電極１９における水素バリア層１９ａ、および水素の拡散抑制機能を有する埋め込み絶縁層２１が形成されている - 特許庁

In the frame member 6 of resin, on the inner side of the skin layer 61, the high foam rate layer 621 comprising thermoplastic resin that is foamed, and the low foam rate layer 622 of a lower foam rate than the high foam rate layer 621 that joins mutually facing parts of the skin layer 61 to each other are formed.例文帳に追加

樹脂製機枠部材６において、スキン層６１に対する内側部分には、熱可塑性樹脂を発泡させた高発泡層６２１と、高発泡層６２１よりも発泡率が低く、互いに対向するスキン層６１の部分同士を繋ぐ低発泡層６２２とが形成されている。 - 特許庁

Each corresponding layer provides a first mask layer at a side facing the conductor pattern ends (27 and 28), and widely and thinly provides a step getting over pattern 5 extended from upward of the lower layer conductor pattern ends (27 and 28) and gotten over the first mask layer on the step part of the first mask layer.例文帳に追加

該当各層では、導体パターン端部（２７，２８）に面する側に第１マスク層を設け、当該第１マスク層の段差部分に、下層の導体パターン端部（２７，２８）上から延びて第１マスク層上に乗り越える段差乗り越しパターン５を幅広で薄厚に設ける。 - 特許庁

The optical sheet has at least one light pass changing layer and at least one low refractive index layer, wherein the low refractive index layer has a refractive index lower than that of the light pass changing layer and is present on the light out-going side of the light pass changing layer.例文帳に追加

少なくとも１つの光路変更層と、少なくとも１つの低屈折率層とを有してなり、該低屈折率層は前記光路変更層よりも屈折率が小さく、かつ前記光路変更層の光出射面側に前記低屈折率層を有する光学シートである。 - 特許庁

In the optical recording medium having a lower heat-resistant protective layer 2, optical recording layer 3, upper heat-resistant protective layer 4 and reflective heat radiation layer 5 successively laminated on a substrate 1, the heat-resistant protective layer consists of Ag and/or Cu, In and/or Al and O (oxygen).例文帳に追加

基板１上に、下部耐熱保護層２、光記録層３、上部耐熱保護層４及び反射放熱層５を順次積層した光記録媒体において、前記耐熱保護層が、Ａｇ及び／又はＣｕと、Ｉｎ及び／又はＡｌと、Ｏ（酸素）とからなることを特徴とする光記録媒体。 - 特許庁

The method comprises a pseudo liquid layer forming process for forming a pseudo liquid layer 6 by the use of material having a melting point lower than that of the oxide-based superconductor, and a superconductive layer forming process for depositing the superconductive layer 8 by the use of the oxide-based superconductor after the pseudo liquid layer deposition process.例文帳に追加

酸化物系超電導体より融点が低い物質で擬似液体層６を成膜する擬似液体層成膜工程と、 擬似液体層成膜工程の後に、酸化物系超電導体で超電導層８を成膜する超電導層成膜工程とを含む。 - 特許庁

The lower electrode layer 1 is constructed so as to have a multi-layer structure where a seed layer 20 made of nickel-chrome alloy(NiCr), a non-magnetic high-melting-point metal layer 30 made of ruthenium(Ru), and an over layer 40 made of nickel-chrome alloy are laminated in this order.例文帳に追加

ニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）により形成されたシード層２０と、ルテニウム（Ｒｕ）により形成された非磁性高融点金属層３０と、ニッケルクロム合金により形成されたオーバー層４０とがこの順に積層された積層構造を有するように下部電極層１を構成する。 - 特許庁

In the antireflection laminated body, in which at least a low refractive index layer is laminated at least on one surface of a transparent substrate, the low refractive index layer has a two layer structure composed of a low refractive index lower layer and a low refractive index upper layer.例文帳に追加

本発明は、透明基材の少なくとも片面に、少なくとも低屈折率層を積層した反射防止積層体において、該低屈折率層が低屈折率下層と低屈折率上層との２層構造からなることを特徴とする反射防止積層体である。 - 特許庁

In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加

下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁

A semiconductor laminated structure including a p-type InP clad layer 12, an AlGaInAs lower optical confinement layer 13, an AlGaInAs-MQW active layer 14, an n-type AlGaInAs upper optical confinement layer 15, and an n-type InP clad layer 16 is formed on a p-type InP substrate 11.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１１上に、ｐ型ＩｎＰクラッド層１２、ＡｌＧａＩｎＡｓ下光閉込層１３、ＡｌＧａＩｎＡｓ—ＭＱＷ活性層１４、ｎ型ＡｌＧａＩｎＡｓ上光閉込層１５、ｎ型ＩｎＰクラッド層１６からなる半導体積層構造を形成する。 - 特許庁

In addition, p- and n-type blocking layers 8 and 9 are arranged between the partial lower part of the buffer layer 2 and the spacer layer 5 by making the widths of the upper part of the spacer layer 2, active layer 3, and spacer layer 4 in the direction perpendicular to the emitting direction of laser light narrower than that of the substrate 1.例文帳に追加

また、ｎ−バッファ層２の上部と、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３とｐ−スペーサ層４は、レーザ光出射方向に対して垂直方向の幅がｎ−基板１よりも狭くしてｐ−ブロッキング層８、ｎ−ブロッキング層９とが配置されている。 - 特許庁

To increase a contact area between an upper conductive layer and a connection wiring layer while making the most of the function of a space, and to reduce the resistance of the contact even at the time of using the spacer on the outer peripheral face of the connection wiring layer connecting the upper conductive layer and the lower conductive layer.例文帳に追加

上部導電層および下部導電層を接続する接続配線層の外周面にスペーサを使用したとしてもスペーサの機能を生かしながら上部導電層および接続配線層間の接触面積を増加させることができ、接触部分の抵抗を低減できるようにする。 - 特許庁

A resistive memory device includes: a substrate 10; an insulating layer 11 over the substrate 10; a nano wire 12 to be defined as the lower electrode penetrating the insulating layer 11; a resistive layer 13 formed over the insulating layer 11 and contacting with the nano wire 12; and an upper electrode 14 formed over the resistive layer.例文帳に追加

基板１０と、該基板１０上の絶縁膜１１と、該絶縁膜１１を貫通する下部電極として定義されるナノワイヤ１２と、前記絶縁膜１１上に位置づけられ、前記ナノワイヤ１２と接触する抵抗層１３と、該抵抗層上の上部電極１４と、を備える。 - 特許庁

The magnetic thin-film element has a structure of a face-centered cubic lattice as an foundation layer of a ferromagnetic metal layer between at least ferromagnetic metal layer and a base material, and is provided with the layer comprising metal having the electric resistance lower than that of the ferromagnetic metal layer.例文帳に追加

発明１の磁性薄膜素子は、少なくとも強磁性金属層と基材との間に、前記強磁性金属層の下地層として、面心立方格子の構造を持ち、かつ前記強磁性金属層よりも低い電気抵抗である金属からなる層が設けてあることを特徴とする。 - 特許庁

The magneto-optical recording medium has a recording layer on which a recording mark is formed by recording information and an auxiliary control layer that controls a recording state of the recording layer through magnetic switched connection and the magneto-optical recording medium is realized by placing the auxiliary control layer to a lower part or an upper part of the recording layer.例文帳に追加

情報が記録されることにより記録マークが形成される記録層と、磁気的な交換結合により記録層の記録状態を制御する補助制御層とを有し、補助制御層は、記録層の下部又は上部に設置することにより実現する。 - 特許庁

The thermally transferable image protective sheet has a protective layer that comprises a peeling layer and an adhesive layer on at least one portion of one face of a substrate sheet and is thermally transferable, wherein the peeling layer and the adhesive layer are respectively constituted by resins that have different upper and lower values of refractive indexes, with a refractive index of 1.5 serving as its border.例文帳に追加

基材シート上の片面の少なくとも一部に、剥離層と接着層からなる熱転写可能な保護層を有し、該剥離層と接着層とが１．５の値を堺にして上下値の異なる屈折率の樹脂で構成されていることを特徴とする熱転写型画像保護シート。 - 特許庁

An n-type InP clad layer 2, a GRIN-SCH-MQW active layer 3, a p-type InP spacer layer 4, a p-type InP clad layer 6 and a p-type InGaAsP contact layer 8 are sequentially laminated on an n-type InP substrate 1, and an n-type electrode 11 is disposed on the lower part of the substrate 1.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に順次ｎ−ＩｎＰクラッド層２、ＧＲＩＮ−ＳＣＨ−ＭＱＷ活性層３、ｐ−ＩｎＰスペーサ層４、ｐ−ＩｎＰクラッド層６、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層８を積層し、ｎ−ＩｎＰ基板１の下部にはｎ型電極１１を配置する。 - 特許庁

For the multilayer insulation sheath electric conductor, an uppermost layer of a multilayer insulation sheath layer is made of polyamideimide resin, and a lower layer of the insulation sheath layer contacting with the uppermost layer is made of at least one kind of resin chosen from polyimide resin, polyesterimide resin, and H-type polyester resin.例文帳に追加

多層絶縁被覆電気導体において、該多層絶縁被覆層の最上層がポリアミドイミド樹脂であって、最上層に接触する下層の絶縁被覆層がポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、およびＨ種ポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種である被覆金属導体。 - 特許庁

The semiconductor laser element comprises a GaN substrate and a lower clad layer, active layer, upper clad layer, and GaN contact layer, which are deposited on the substrate in this order, The thickness of the GaN contact layer is between 0.07 μm and 80 μm.例文帳に追加

本発明の半導体レーザ素子は、ＧａＮ基板と、該基板上に順次積層された下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層と、ＧａＮコンタクト層とを備えた半導体レーザ素子であって、前記ＧａＮコンタクト層の膜厚が、０．０７μｍ以上８０μｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Then a p-type electrode 4 is formed on the insulating layer 6 and the growth principal surface 25 of the p-type GaN contact layer 19, so that a lower layer principally containing Pt comes in contact with the growth principal surface 25 of the p-type GaN contact layer 19 exposed from the insulating layer 6.例文帳に追加

そして、ｐ型電極４を、Ｐｔが主として含有される下層が、絶縁層６から露出するｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に接触するように、絶縁層６およびｐ型ＧａＮコンタクト層１９の成長主面２５に形成する。 - 特許庁

Magnetoresistive films including a magnetization fixing layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer, at least one thin film making up the non-magnetic intermediate layer and the magnetization free layer is formed by using a sputtering apparatus while a pressure around a substrate is set at 8.0×10^-3 Pa or lower.例文帳に追加

磁化固定層、非磁性中間層、及び磁化自由層を含む磁気抵抗膜のうち、非磁性中間層及び磁化自由層を構成する少なくとも１つの薄膜を、スパッタ装置を用い基板近傍の圧力を８．０×１０^−３Ｐａ以下として形成する。 - 特許庁

A first display part 20A of the first folding zone 20 as a part in the same layer of a display layer 14, and a second display part 22A of the second folding zone as a part in the same layer of the display layer 14 are structured to have lower flexural rigidity than in the other part of the display layer 14.例文帳に追加

第１折曲げ部２０の表示層１４と同一層上の部分である第１表示部２０Ａ、及び第２折曲げ部２２の表示層１４と同一層上の部分である第２表示部２２Ａは、表示層１４の他の部分よりも曲げ剛性が低い構成とされている。 - 特許庁

The electron source 1 is formed into lamination structure in which the first signal wire 16 and the lower layer insulation part 21 form a first layer, the element electrodes 14, 15 and the upper layer insulation part 22 form a second layer, and a conductive thin film 12 and a second signal wire 17 are formed on the second layer.例文帳に追加

電子源１は、第１の信号線１６と下層絶縁部２１とが第１の層をなし、素子電極１４，１５と上層絶縁部２２とが第２の層をなし、第２の層の上に導電性薄膜１２および第２の信号線１７が形成された積層構造となっている。 - 特許庁

A multilayer wiring substrate 100 included in the semiconductor package includes: a first insulating layer 104 and a second insulating layer 106 in which wiring layers are formed on an upper surface and lower surface, respectively; and a core layer 102 formed between the first insulating layer 104 and the second insulating layer 106.例文帳に追加

半導体パッケージに含まれる多層配線基板１００は、上面および下面にそれぞれ配線層が設けられた第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６と、第１の絶縁層１０４および第２の絶縁層１０６の間に設けられたコア層１０２と、を含む。 - 特許庁

Thus, the first DBR reflection layer 4 is provided between the semiconductor substrate 3 and first clad layer 5, so even when guided light reaches a lower end of the first clad layer 5, it is reflected by the first DBR reflection layer 4 and then a leakage of the light to the semiconductor layer 3 can be suppressed.例文帳に追加

このように、半導体基板３と第１クラッド層５との間に、第１ＤＢＲ反射層４が設けられているので、導波光が第１クラッド層５の下端に達しても、第１ＤＢＲ反射層４において反射されるため、半導体基板３への光の漏れを抑制できる。 - 特許庁

The recording medium is manufactured by providing a lower protective layer 2, a crystallization promoting layer 3 consisting of an oxide containing Bi, a phase transition recording layer 4 consisting of a recording material consisting essentially of Sb and Te, an upper protective layer 5 and a reflection layer 6 on a substrate 1.例文帳に追加

本発明の記録媒体は、基板１上に、下部保護層２、Ｂｉを含む酸化物からなる結晶化促進層３、ＳｂおよびＴｅを主成分とする記録材料からなる相変化記録層４、上部保護層５および反射層６を設けることにより得られる。 - 特許庁