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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > lower- layerの意味・解説 > lower- layerに関連した英語例文

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lower- layerの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 11223



例文

Road noise ranging from a low frequency range to a middle frequency range is reduced by providing a rubber sheet layer which continuously covers from a belt layer lower part to a bead filler inner side through below a bead lower part and which has a JISA hardness of 50 to 80 degrees.例文帳に追加

ベルト層下部からビード部下を通りビードフィラー内面側までを連続して覆うJISA硬度が50度〜80度のゴムシート層を設けることで、低周波数領域から中周波数領域のロードノイズの低減を図る。 - 特許庁

The via hole 21 comprises an upper hole part 21A penetrating the second insulating layer 17, and a lower hole part 21B having a larger cross-section than the upper hole part 21A, and penetrating the first insulating layer 15 to be connected to the lower pad 1302.例文帳に追加

ビアホール21は、第2の絶縁層17を貫通する上ホール部21Aと、上ホール部21Aよりも大きい断面で第1の絶縁層15を貫通し下部パッド1302に接続された下ホー部21Bとで構成されている。 - 特許庁

First and second contact holes 5 and 6 are formed at parts corresponding to one end of and the other end of the sides of the lower layer input terminal 2a for the power supply of an insulating film covering the lower layer input terminal 2a for the power supply.例文帳に追加

電源用下層入力端子2aを覆う絶縁膜の電源用下層入力端子2aの一端部両側および他端部両側に対応する部分には第1、第2のコンタクトホール5、6が設けられている。 - 特許庁

The distance between a lower end of the end region 5a and the active layer 12 in a direction perpendicular to the principal surface 3a of the n-type InP substrate 3 is larger than the distance between a lower end of the principal region 5b and the active layer 12 in the same direction.例文帳に追加

n型InP基板3の主面3aに垂直な方向における端部領域5aの下端と活性層12との距離は、同方向における主領域5bの下端と活性層12との距離より大きい。 - 特許庁

例文

When a holding capacity of a liquid crystal device is constituted, a silicon nitride film 4a constituting a lower layer side of a gate insulating layer 4 is formed, and then the silicon nitride film 4a in a part overlapping a lower electrode 3c is removed by dry etching.例文帳に追加

液晶装置の保持容量を構成するにあたって、ゲート絶縁層4の下層側を構成するシリコン窒化膜4aを形成した後、ドライエッチングにより下電極3cと重なる部分のシリコン窒化膜4aを除去する。 - 特許庁


例文

Light is radiated onto a semiconductor layer 103 on a substrate 101 at 100°C or lower in substrate temperature for crystallization, and then the semiconductor layer 103 is treated by a plasma at 100°C or lower in substrate temperature.例文帳に追加

基板101上の半導体層103に基板温度100℃以下で光照射による半導体層103の結晶化をおこない、しかる後に基板温度100℃以下で半導体層103にプラズマ処理を施す。 - 特許庁

Or lower layer wires respectively interconnecting a plurality of the fuses and an internal circuit at the outside of the guard ring are provided to the lower part of the guard ring, and upper layer wires respectively interconnecting a plurality of the fuses and the internal circuit are provided to an upper part of the guard ring.例文帳に追加

または、ガードリングの下方に、複数のヒューズとガードリングの外側にある内部回路をそれぞれ接続する下層配線を設け、ガードリングの上方に、複数のヒューズと内部回路をそれぞれ接続する上層配線を設ける。 - 特許庁

A diffusion preventing film 106 and the interlayer insulating film 108 are formed on the lower-layer wirings 104, 105 and, thereafter, the interlayer insulating film is ground to flatten the same with a grinding amount in accordance with the amount of dishing of the lower-layer wiring 105 through CMP.例文帳に追加

下層配線104,105上に拡散防止膜106、層間絶縁膜108を形成した後、CMPにより下層配線105のディッシング量に応じた研磨量で層間絶縁膜を研磨し平坦化する。 - 特許庁

The under-layer contains a thermal plastic resin having a glass transition temperature of not higher than -10°C, a thermal plastic resin of a glass transition temperature of not lower than 10°C and a white pigment, while the receiving layer contains a thermal plastic resin of a glass transition temperature of not lower than 40°C.例文帳に追加

アンダー層が、ガラス転移温度−10℃以下の熱可塑性樹脂とガラス転移温度10℃以上の熱可塑性樹脂と白色顔料とを含み、受容層が、ガラス転移温度40℃以上の熱可塑性樹脂を含む。 - 特許庁

例文

Stress migration occurs at the connection between the dummy Cu pattern 43B and the dummy via plug 47D of the lower wiring layer at the tip, and occurrence of the stress migration is prevented at the connection between the via plug 47C and the lower-layer wiring pattern 43A.例文帳に追加

ストレスマイグレーションは先端部の下層配線層のダミーCuパターン43Bとダミービアプラグ47Dの接続部で発生し、ビアプラグ47Cと下層配線パターン43Aの接続部ではストレスマイグレーションの発生は防止される。 - 特許庁

例文

The interlayer insulation film is then removed and the first magnetic layer, the tunnel insulation film and the second magnetic layer are machined integrally using the mask material as an etching mask to form a lower electrode, a tunnel barrier and an upper electrode on the lower interconnections.例文帳に追加

層間絶縁膜を除去し、マスク材をエッチングマスクとして、第1磁性層、トンネル絶縁膜、および第2磁性層を一体的に加工して、下部配線上に、下部電極、トンネルバリア、および上部電極を形成する。 - 特許庁

Lower layer paste containing, by weight, 1 to 10% nickel components, 20 to 70% tungsten components and 30 to 69% molybdenum components is applied on the surface of a ceramic base material 9, and drying is carried out to form a lower layer.例文帳に追加

ニッケル成分を1〜10重量%とタングステン成分を20〜70重量%とモリブデン成分を30〜69重量%を含有する下層ペーストを、セラミック基材9上に塗布し乾燥して下層を形成する。 - 特許庁

To allow a path communication device to ensure compatibility with a lower-layer path communication device as to path control and path management, by setting or deleting paths or changing bands by communication paths according to a path control method of the lower-layer path communication device.例文帳に追加

パス通信装置は、下位レイヤパス通信装置のパス制御方法に合わせ、通信路毎にパスを設定または削除または帯域変更し、パス制御とパス管理について下位レイヤパス通信装置との互換性を確保する。 - 特許庁

Therefore, heat generated from a magneto-resistive element 16 can be efficiently released to a lower shield layer 1 through the lower gap layer 2 and temperature rising of the element part can be suppressed and excellent reproducing sensitivity can be obtained.例文帳に追加

従って、磁気抵抗効果素子層16から発生する熱を効率良く、前記下部ギャップ層2を介して下部シールド層1に逃がすことができ、素子部温度の上昇を抑制し、良好な再生感度を得ることが可能である。 - 特許庁

Then, a second semiconductor element on which a second adhesive layer, including a remaining volatile matter 0.2% or lower, is arranged on a first semiconductor element, and the second adhesive layer is adhered through the heating process in the temperature range of 120°C or higher, and of 150°C or lower.例文帳に追加

次いで、残存揮発分が0.2%以下の第2の接着剤層が形成された第2の半導体素子を第1の半導体素子上に配置し、第2の接着剤層を120℃以上150℃以下の範囲の温度に加熱して接着する。 - 特許庁

When a polysilicon is used as the material of a lower-layer wiring 102, a side-wall deposit 118a comprising Si is formed on the side wall of a via hole 110 by sputtering on the surface of a lower-layer wiring 102 in a via hole formation process S5.例文帳に追加

下層配線102の材料にポリシリコンを適用すると,ビアホール形成工程S5において下層配線102表面でスパッタリングによってビアホール110側壁にSiからなる側壁堆積物118aが形成される。 - 特許庁

This structure is provided with a p-type layer 3a in a lower part of a center part of a p-type base region 3 connected between adjacent cells, specifically, a lower part of a body p-type layer 5 brought into contact with a source electrode 12 within the p-type base region 3.例文帳に追加

隣接するセル同士間で繋がったp型ベース領域3の中央部の下部、具体的にはp型ベース領域3のうちソース電極12と接触させられるボディp型層5の下部にp型層3aを備える。 - 特許庁

The upper surfaces 1a and 1a of both side ends of a lower shield layer 1 and the upper surfaces 7a and 7a of both side ends of a lower core layer 7 are formed so as to form curved shapes, and gradually become thinner toward both edges.例文帳に追加

下部シールド層1の両側側端部の上面1a,1a及び下部コア層7の両側側端部の上面7a,7aが曲面状に変化し、両縁部に向かうにしたがって徐々に薄くなるように形成される。 - 特許庁

Before the first write-in operation, a high resistance layer 19 is formed at an interface of the memory layer 17 with the lower electrode 14 by applying initialization pulse voltage to the upper electrode 18 and the lower electrode 14.例文帳に追加

初回の書込み動作の前に、上部電極18および下部電極14に対して初期化パルス電圧が印加されることにより、記憶層17の下部電極14との界面に高抵抗層19が設けられている。 - 特許庁

A tantalum oxide film used for the insulation layer 14x contains hydrogen, nitrogen and tungusten, and the lower electrode 13x is comprised of a tantalum film containing oxygen to prevent the entry of hydrogen to the insulation layer 14x from the lower electrode 13x.例文帳に追加

絶縁層14xに用いたタンタル酸化膜は、水素、窒素およびタングステンを含有し、下電極13xは、下電極13xから絶縁層14xの水素の侵入を防止する酸素を含有するタンタル膜からなる。 - 特許庁

To obtain this change in light, either a thin surface layer containing much C and O can be formed on a surface of the lower portion of the interlayer insulating film, or a modified layer containing much C and O can be formed in the surface of the lower portion.例文帳に追加

また、この光の変化を得るために層間絶縁膜の下部分の表面に薄くC及びOが多い表面層を形成するか、あるいは、下部分表面のC及びOの多い改質層を形成することができる。 - 特許庁

Preferably, the hardness of the lower layer exterior body 2 and the hardness of the element body 3 are made different corresponding to a difference between the edge rounding time of the lower layer exterior material 2 and the exposure time of the outer ends 41b and 42b of the internal electrodes 41 and 42.例文帳に追加

好ましくは、下層外装材2のエッジ丸め時間と内部電極41,42の外端部41b,42bの露出時間との差異に対応させて、下層外装材2の硬度と素体3の硬度を異ならせる。 - 特許庁

In the optical recording medium comprising at least a resin substrate, a recording layer containing an organic dye and a reflective layer, the reflective layer has a first reflective layer and a second reflective layer in this order from the side close to the recording layer, the second reflective layer has a lower thermal conductivity than the first reflective layer, and the first reflective layer is thicker than the second reflective layer.例文帳に追加

本発明は、少なくとも樹脂基板、有機色素を含む記録層、及び反射層を有する光記録媒体であって、前記反射層が、前記記録層に近い側から第一反射層と第二反射層とをこの順で有し、前記第二反射層の熱伝導度が前記第一反射層の熱伝導度よりも低く、かつ、前記第一反射層の膜厚が前記第二反射層の膜厚よりも厚いことを特徴とする光記録媒体を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

A sample for analyzing such a thin film is destroyed and analyzed in order from an upper layer to a lower layer to obtain a relation between the growing conditions and the quality of the plurality of the thin films.例文帳に追加

そして、このような薄膜分析用サンプルを上層から下層へ順番に破壊分析して、成長条件と複数の薄膜の膜質との関係を得る。 - 特許庁

A first surface of the upper contact pads is affixed to a top surface of the dielectric layer and a first surface of the lower contact pads is affixed to a bottom surface of the dielectric layer.例文帳に追加

上部コンタクトパッドの第1の面は誘電体層の上面に固着され且つ下部コンタクトパッドの第1の面は誘電体層の底面に固着される。 - 特許庁

To provide a wash place floor for a bathroom, which is equipped with a surface coating layer capable of transferring the cushioning property of a lower layer to a user while having high surface hardness.例文帳に追加

高い表面硬度を具備しつつ、且つ下層のクッション性を使用者に伝達することのできる表面コーティング層を備えた浴室用洗い場床を提供する。 - 特許庁

A ratio that height HL of a lower end PL of the outer layer 24 occupies in height HU of an upper end PU of the outer layer 24 is 20 to 30%.例文帳に追加

外側層24の下端PLの高さHL(図1参照)が外側層24の上端PUの高さHUに占める比率は、20%以上30%以下である。 - 特許庁

Each of the printed layers 11-13 of the superposed printed layer 1 is composed of bunches of dots an the dots of the lower printed layer 11 are seen through the gaps between the dots of the upper layers 12, 13.例文帳に追加

重ね印刷層1における各印刷層11〜13はドットの集合群からなり,上層の印刷層のドットの隙間から,下層の印刷層のドットがみえる。 - 特許庁

A layered board 10 with built-in batteries is formed by sandwiching batteries 16, 18 and 20 in sheet form which are layered in series between an upper-layer board 12 and a lower-layer board 14.例文帳に追加

上層基板12と下層基板14の間にシート状電池16、18、20を直列に重ねて挟み込み、電池内蔵型の積層基板10を構成する。 - 特許庁

An Si_x(Ge_yC_1-y)_1-x layer (where 0<x<1, 0<y≤1) 12 is formed to reduce the composition ratio of Ge from a lower layer side to a surface on a substrate 11.例文帳に追加

基板11上に、下層側から表面にかけてGeの組成比が減少するようにSi_x(Ge_yC_1-y)_1-x層(ただし、0<x<1,0<y≦1)12を形成する。 - 特許庁

The low-refractive index layer 28 has a refractive index lower than that of the second p-type clad layer 27, while its thickness is set to a range ≥0.1 μm and ≤0.5 μm.例文帳に追加

低屈折率層28は、第2p型クラッド層27の屈折率よりも低い屈折率となっており、その厚さが0.1μm以上0.5μm以下となっている。 - 特許庁

Since vibration from a lower side of a floor of the vehicle is absorbed by the vibration absorption layer 3, the radiation sound is reduced and the permeation sound is shut off by the load-resistance layer.例文帳に追加

振動吸収層3によって車両床下からの振動が吸収されるため、放射音を低減でき、また、耐荷重層によって透過音を遮音できる。 - 特許庁

An amorphous transparent conductive film is formed as the transparent conductive film placed in the upper layer, and a polycrystal transparent conductive film is formed as the transparent conductive film placed in the lower layer.例文帳に追加

上層に位置する透明導電膜にはアモルファスの透明導電膜を、下層に位置する透明導電膜には多結晶の透明導電膜を形成する。 - 特許庁

To provide a construction method for installing a manhole frame for constructing a pavement quickly and adjusting the height of the manhole frame and a road surface easily on a paved road constituted by a lower crushed stone layer and an upper paved layer.例文帳に追加

下方の砕石層と上方の舗装層より構成される舗装路において、迅速な舗装施工と、マンホール枠と路面との容易な高さ調整を可能とする。 - 特許庁

The impurity concentration of a (p) type anode layer 50 of the diode element region J2 is lower than the impurity concentration of a (p) type body layer 30 of the IGBT element region J1.例文帳に追加

また、ダイオード素子領域J2のp型のアノード層50の不純物濃度が、IGBT素子領域J1のp型のボディ層30の不純物濃度と比較して低い。 - 特許庁

After a lower layer 12 consisting of polyvinylalcohol having90 mol% saponification degree is formed on a glass substrate 11, the layer is baked at 160 to 240°C for 30 minutes.例文帳に追加

ガラス基板11上に、ケン化度が90mol%以上のポリビニルアルコールからなる下層12を成膜した後、温度160℃〜240℃、30分間のベーキングを行う。 - 特許庁

The carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As second clad layer 14 is lower than the carrier concentration of the n-type Al_yGa_(1-y)As first clad layer 13.例文帳に追加

n型Al_yGa_(1−y)As第2クラッド層14のキャリア濃度は、n型Al_yGa_(1−y)As第1クラッド層13のキャリア濃度に比べて低くなっている。 - 特許庁

Next, the lower layer 2 is spray coated with a coating material for finish coating mainly composed of a silicon-containing composition and is thermoset for 30 minutes at 140°C, by which an upper layer 3 is formed.例文帳に追加

次に、下層2にケイ素含有組成物を主とする上塗り用塗料をスプレー塗布し、140°Cにおいて30分間加熱硬化させ上層3を形成する。 - 特許庁

To form a minute isolated line pattern by a narrowed sectional structure, in which a lower layer part is narrowed than an upper layer resist, with good controllability, in the forming method of a minute resist pattern.例文帳に追加

微細レジストパターンの形成方法に関し、上層レジストよりも狭くした下層部となるクビレ断面構造で、微細な孤立ラインパターンを制御性良く形成する。 - 特許庁

Preferably, a high-order layer 301 an a lower-order layer 302 of a software processing system of the apparatus respectively generate pseudo random numbers 31, 32 and the apparatus merges them to obtain the protection key 22.例文帳に追加

好ましくは、装置のソフトウェア処理系の上位層301と下位層302でそれぞれ擬似乱数31,32を生成し、これらを結合して保護鍵22を得る。 - 特許庁

To provide a method and a means for establishing a higher-layer redundant path avoiding duplicative use of network resources of lower layers in a multi-layer network.例文帳に追加

マルチレイヤネットワークにおいて、下位レイヤのネットワークリソースを重複して使用することのない上位レイヤ冗長パスの確立を行う方法および手段を提供する。 - 特許庁

An n-type InGaAsP light guide layer 9 is laminated on a lower part of the region 1, and a p-type InGaAsP light guide layer 10 is laminated on an upper part of the region 1.例文帳に追加

さらに、発光領域1の下部にはn型InGaAsP光導波層9が、上部にはp型InGaAsP光導波層10が積層される。 - 特許庁

In a region of the semiconductor layer opposed to the gate electrode with a gate insulating layer interposed therebetween, the gate electrode functions as a shield, and the region is free from the influence of the electric field of the lower electrode.例文帳に追加

半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。 - 特許庁

To provide a coating method and a coating apparatus capable of manufacturing a planographic printing plate having a multilayered plate making layer without damaging the sand dressing surface of a lower layer or support web.例文帳に追加

下側の層や支持体ウェブの砂目たて面を傷付けることなく 多層型製版層を有する平版印刷版を製造できる塗布方法、および塗布装置の提供。 - 特許庁

The ideal focal position of recording/reproducing light of a hologram is set, at a position closer to an objective lens side than the lower layer side of a recording layer which is a conventional ideal focal position.例文帳に追加

ホログラムの記録/再生光の理想焦点位置を、従来の理想焦点位置である記録層の下層側面よりも対物レンズ側となる位置に設定する。 - 特許庁

First manufacturing equipment 10 of the manufacturing device system is fixed onto the upper layer rigid floor structure 52, and second manufacturing equipment 11 of the manufacturing device system is fixed onto the lower layer rigid floor structure 51.例文帳に追加

製造装置系の第1製造機器(10)は、上層の剛性床組(52)上に固定され、製造装置系の第2製造機器(11)は、下層の剛性床組(51)上に固定される。 - 特許庁

The restraining material 4 is installed in such a manner as to pass through a liquefied layer E1 and make a lower end thereof reach a predetermined depth of firm bearing ground of an unliquefied layer E2.例文帳に追加

拘束材4は、液状化層E1を貫通して、その下端が非液状化層E2の強固な支持地盤の所定の深度に到達するように設置されている。 - 特許庁

To provide a patterned aluminum sheet in which any upper layer is not left on an exposed portion of a lower layer of a clad sheet, and a high productivity can be achieved, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

クラッド板の下層露出部に上層の残存する虞がなく、かつ、高い生産性を達成できる模様付アルミニウム板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The scan signal wiring 9 is formed as a laminated structure of a lower layer film 92 formed of an aluminum film and an upper layer film 94 formed of an aluminum alloy film having aluminum as a main component.例文帳に追加

走査信号配線9を、アルミニウム膜からなる下層膜92と、アルミニウムを主成分とするアルミニウム合金膜からなる上層膜94の積層構造とした。 - 特許庁

例文

The soft magnetic film is formed of an alloy whose composition is represented by the formula: FeNiRe, and a lower core layer 16 and/or an upper core layer 22 is formed of the above soft magnetic film.例文帳に追加

組成式がFeNiReで示される合金からなる軟磁性膜を形成し、この軟磁性膜を用いて下部コア層16及び/または上部コア層22を形成する。 - 特許庁




  
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