「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

Because of this, it is possible to arrange the first auxiliary active layer 7 and the second auxiliary active layer 8 in the position of the antinode of a standing wave where the amplitude of light is large without extending an optical length Lo between the lower reflective layer 4 and the upper reflective layer 5.例文帳に追加

これにより、下部反射層４と上部反射層５との間の光学長Ｌoを延長することなく、第１の副活性層７および第２の副活性層８を光の振幅が大きい定在波の腹の位置に配置することができる。 - 特許庁

To provide a sucking and sending device for a sheet body surely sending an uppermost-layer sheet body from a lower-layer sheet body and stably separating the uppermost-layer sheet, when the uppermost layer sheet body out of a stacked plurality of sheet bodies is sucked and sent.例文帳に追加

積層された複数枚のシート体のうち最上層のシート体を吸着して枚葉する際に、最上層のシート体を下層のシート体と確実に分離して安定して枚葉することができるシート体の吸着枚葉装置を得る。 - 特許庁

A fluorescent body panel has a protection layer to cover a fluorescent body sheet having a stimulable phosphor layer on a support body and has a cushion layer at lower than the stimulable phosphor layer.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する蛍光体シートを被覆するように設けられた保護層を有する蛍光体パネルであって、前記輝尽性蛍光体層よりも下にクッション層を有することを特徴とする放射線画像変換パネルである。 - 特許庁

A PIN diode 212 is constituted on an insulation film 44 by sequentially laminating a lower electrode 212a, an N-type semiconductor layer 212b, a light receiving layer 212c made of a polysilicon layer, a P-type semiconductor layer 212d, and an upper electrode 212e.例文帳に追加

ＰＩＮダイオード２１２は、絶縁膜４４上に順に積層された下電極２１２ａ、Ｎ半導体層２１２ｂ、ポリシリコン層からなる受光層２１２ｃ、Ｐ型半導体層２１２ｄ、及び上電極２１２ｅを備えて構成されている。 - 特許庁

AlCu alloy wiring 100 constituted of a TiN barrier layer 110, a lower part Ti metal layer 120, an AlCu layer 130 and a TiN cap layer 140 is formed on a plasma oxide film formed on a semiconductor substrate in which elements are formed.例文帳に追加

素子が形成された半導体基板上に形成されたプラズマ酸化膜上に、ＴｉＮバリア層１１０、下部Ｔｉ金属層１２０、ＡｌＣｕ１３０層、ＴｉＮキャップ層１４０からなるＡｌＣｕ合金配線１００を形成する。 - 特許庁

Temperature of a flowing layer is controlled to be more than about 80°C by using oxygen of more than 90% concentration in the waste gasifying melting furnace of a vertical coke bed method that an upper part of a sedimentary layer of the waste is the flowing layer and a lower part is a moving layer.例文帳に追加

廃棄物の堆積層の上部が流動層で下部が移動層の竪型のコークスベッド方式の廃棄物ガス化溶融炉において、酸素濃度９０％以上の酸素を用いて流動層の温度を約８００℃以上に制御する。 - 特許庁

An edge of the light reflection layer 109 is self-aligned to an edge of the color filter 110 positioned at the upper layer and further an edge of each transparent electrode 112 is self-aligned to an edge of the light reflection layer 109 positioned at the lower layer.例文帳に追加

光反射層１０９のエッジは上層に位置するカラーフィルタ１０９のエッジに対して自己整合しており、かつ、各透明電極１１２のエッジは下層に位置する光反射層１０９のエッジに対して自己整合している。 - 特許庁

The materials for the quantum well layer and for the carrier confinement layers and the thickness of the quantum well layer are selected so that the difference between the energy level at the carrier confinement layer conduction band lower edge and the ground level of electrons in the quantum well layer is 100 meV or higher.例文帳に追加

キャリア閉込層の伝導帯下端のエネルギ準位と、量子井戸層内の電子の基底準位との差が１００ｍｅＶ以上になるように、量子井戸層とキャリア閉込層の材料、及び量子井戸層の厚さが選択されている。 - 特許庁

Furthermore, the refractive index of the second optical interference layer 13b is lower than that of the first optical interference layer 13a, and the ratio of the film thickness of the film thickness of the first optical interference layer 13a to the second optical interference layer 13b is set to 1.6 to 1.8.例文帳に追加

さらに、第２光学干渉層１３ｂの屈折率は第１光学干渉層１３ａの屈折率より低く、第１光学干渉層１３ａの膜厚／第２光学干渉層１３ｂの膜厚の比率が１．６〜１．８に設定される。 - 特許庁

A convex occupancy calculator 22 calculates the thickness of a layer which is the object of simulation on the basis of mask data immediately beneath the layer which is the object of simulation, and calculates the convex occupancy on the basis of the altitude of a lower layer and the thickness of the layer which is the object of simulation.例文帳に追加

凸部占有率算出部２２は、シミュレーション対象層の直下のマスクデータに基づいてシミュレーション対象層の膜厚を算出し、下層の標高とシミュレーション対象の膜厚とに基づいて凸部占有率を算出する。 - 特許庁

Each of the optical waveguide 10, the optical waveguide 20, the incident side optical demultiplexer 30, and the emission side optical multiplexer 40 has a lower clad layer, a core layer, an intermediate semiconductor layer, and an upper clad layer laminated in order on an n-type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

光導波路１０、光導波路２０、入射側分波器３０及び出射側合波器４０の各々は、ｎ型半導体基板２上に順に積層された下部クラッド層、コア層、中間半導体層及び上部クラッド層を有する。 - 特許庁

Thus, a crystallographic influence caused by the crystal structure of the lower lead layer 10 etc. is canceled out by the tantalum layer 21 and also an underlying base suitable for crystal growth of the pinning layer 12 is formed of the ruthenium layer 22.例文帳に追加

これにより下部リード層１０などの結晶構造に起因する結晶学的な影響がタンタル層２１によって打ち消されると共に、ピンニング層１２の結晶成長に適した下地がルテニウム層２２によって形成されることとなる。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises a conductive layer, a layer containing micro particles of semiconductor adsorbing a dye, a hole transport layer and a counter electrode where the hole transportation layer contains olygopyrol having a degree of polymerization of 50 or lower.例文帳に追加

少なくとも導電層、色素を吸着した半導体微粒子含有層、正孔輸送層および対極を備えた光電変換素子において、前記正孔輸送層が、重合度が50以下のオリゴピロールを含有する光電変換素子および太陽電池。 - 特許庁

A first layer metal wiring 7 of the lower layer of a third layer metal wiring 9 which serves as a main word line MWL is used as wiring for shunting and connected to first layer polysilicon wiring 3, constituting a sub word line SWL electrically at prescribed intervals.例文帳に追加

メインワード線ＭＷＬとなる第３層金属配線９下層の第１層金属配線７をシャント用配線として用いて、サブワード線ＳＷＬを構成する第１層ポリシリコン配線３に電気的に所定間隔で接続する。 - 特許庁

A thin-film dielectric layer 3 arranged between a lower electrode layer 2 and an upper electrode layer 4 is formed through high-frequency sputtering of argon-ozone mixed gas in an atmosphere by using substantially the same target with the composition of the thin-film dielectric layer 3.例文帳に追加

下部電極層２と上部電極層４との間に配置された薄膜誘電体層３を、薄膜誘電体層の組成と実質に同一のターゲットを用いて、アルゴン−オゾン混合ガスの雰囲気中で高周波スパッタリングにより成膜した。 - 特許庁

Thus, the transition propagating through the first nitride semiconductor layer is shielded by the second protective film 18 so that the transition density of a second nitride semiconductor layer 20 is lower than the first nitride semiconductor layer 26 by a single layer.例文帳に追加

これにより、第１窒化物半導体層２６内を貫通して進行する転位を第２保護膜１８によって遮断して、第２窒化物半導体層２０の転位密度を、第１窒化物半導体層２６よりも一層低くすることができる。 - 特許庁

To provide packaged two-layer jelly having clear interface between an upper layer gel and a lower layer gel, and also visually enjoyable, and to provide a method for stably producing the packaged two-layer jelly with an easy method.例文帳に追加

上層のゲルと下層のゲルとの界面が明瞭でありながら、視覚的にも楽しめる容器入り二層ゼリー、及び、そのような容器入り二層ゼリーを、簡単な方法で、安定して得ることができる、容器入り二層ゼリーの製造方法を提供すること。 - 特許庁

This stack 11 has a structure wherein a plurality of the cells 1 are stacked by interlaying collectors 12; and each collector 12 has a three-layer structure comprising an upper conductive layer, an insulation layer and a lower conductive layer, and is formed into a shape having a corrugated form or having a plurality of uneven parts.例文帳に追加

スタック１１は、セル１を集電体１２を介して複数積み重ね、集電体１２が、上部導電層、絶縁層、下部導電層の三層構造で波形或いは複数の凹凸を有する形状に形成された構成を有する。 - 特許庁

A container body 221 (container sheets 221A, 221B) of a fuel container 22 includes an inner layer made of a resin material containing no electrically negative atom and a barrier layer having lower alcohol permeability than the inner layer in order from the innermost layer side.例文帳に追加

燃料容器２２の容器本体２２１（容器シート２２１Ａ，２２１Ｂ）は、最内層側から順に、電気的に陰性の原子を含まない樹脂材料からなる内層と、それよりも低いアルコール透過率を有するバリア層とを含んでいる。 - 特許庁

The lower magnetic pole layer 10 comprises the first layer 10a arranged on a position facing the thin film coils 13, 18, the second layer 10b and the third layer 10d arranged on the position nearer to an air bearing surface 30 than the thin film coils 13, 18.例文帳に追加

下部磁極層１０は、薄膜コイル１３，１８に対向する位置に配置された第１の層１０ａと、薄膜コイル１３，１８よりもエアベアリング面３０に近い位置に配置された第２の層１０ｂおよび第３の層１０ｄを有している。 - 特許庁

A soaking layer 12 made of non-magnetic metal is stacked on the upper surface of a heating layer 11 made of magnetic shunt alloy and an auxiliary layer 13 made of magnetic metal is stacked on the lower surface of the heating layer 11 to form induction heating material 10.例文帳に追加

整磁合金材料からなる発熱層１１の上面に非磁性金属材料からなる均熱層１２を積層し、発熱層１１の下面に磁性金属材料からなる補助層１３を積層して誘導発熱材１０を形成する。 - 特許庁

The sand layer 2 as the lower layer of the mud layer 1 is excavated by utilizing a water jet and changed into sand slurry, the sand slurry is force-fed near the surface of the water W by a pump 9 and discharged upwards and dispersed on the mud layer 1 and sedimented freely.例文帳に追加

泥土層１の下層の砂層２を水ジェットの利用により掘削して砂スラリーとし、その砂スラリーをポンプ９により水面Ｗ近くまで圧送した後、上向きに放出して泥土層１上に分散して自由沈降させる。 - 特許庁

The multi-layer core 18 comprises at least a first layer 12 formed of a heat-resistant material, and a second layer 14 which is formed of a material with less heat resistance or a lower melting point than the material of the first layer 12.例文帳に追加

多層コア１８は、熱抵抗性材料から成る少なくとも１つの第一の層１２と、第一の層よりも熱抵抗性が小さい材料又は第一の層よりも低い融点を有する材料から成る第二の層１４とを備えている。 - 特許庁

In the radiation image conversion panel which has a phosphor layer made by a gas phase deposition method, the phosphor layer consists of a lower layer which has a spherical crystal structure and an upper layer which has a columnar crystal structure.例文帳に追加

気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が、球状結晶構造を有する下層と柱状結晶構造を有する上層とから構成されている放射線像変換パネル。 - 特許庁

Thus, a magnetic layer 32a of the upper electrode 30 formed on the beam part 31b can be formed on an upper part of the magnetic layer 21 of the lower electrode 20, so that a structure having a desired overlapping of the magnetic layer 32a and the magnetic layer 21 can be formed.例文帳に追加

このため、梁部３１ｂ上に形成される上部電極３０の磁性層３２ａを下部電極２０の磁性層２１上方に形成でき、磁性層３２ａと磁性層２１とが所定のオーバラップを持つ構造を形成することができる。 - 特許庁

The suction member 6 deforms when it sucks the flexible intermediate layer 2 and pulls in the intermediate layer 2 from the lower end of the partition 11 upward to deform the intermediate layer 2 so that an air passage can be formed between the plate 3 and the intermediate layer 2.例文帳に追加

吸着部材６は、柔軟な中間層２を吸着すると変形して中間層２を仕切り１１の下端より上に引き込んで、版３と中間層２の間に空気通路が形成されるように中間層２を変形させる。 - 特許庁

The printed wiring board consists of a substrate 1 wherein an inner layer conductor circuit 2 for electrical conduction is formed in both upper and lower surfaces and an outer layer conductor circuit 4 which is formed in an upper surface 81 and a lover surface 82 of the substrate 1 with a layer insulation layer 3 interposed.例文帳に追加

上下両面に電気導通用の内層導体回路２を形成した基板１と，基板１の上面８１及び下面８２に層間絶縁層３を介して形成した外層導体回路４とからなるプリント配線板である。 - 特許庁

Subsequently, the low hardness layer is mechanically polished with a medium hardness abrasive lower than the high hardness layer 41 and higher than the low hardness layer in hardness, thereby forming a low hardness portion 42 embedded in the hollow formed in the surface of the high hardness layer 41.例文帳に追加

その後、低硬度層を、硬度が高硬度層４１よりも低く低硬度層よりも高い中硬度研磨剤で機械研磨することにより、高硬度層４１の表面に形成された窪みに埋め込まれた低硬度部４２を形成する。 - 特許庁

The lower conductor layer 10 comprises an electrode film 11, a first layer 12 formed on top of the electrode film 11 by using electroplating, and a second layer 13 formed on top of the first layer 12 by the PVD or CVD method.例文帳に追加

下部導体層１０は、電極膜１１と、電気めっき法を用いて電極膜１１の上に形成された第１層１２と、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法を用いて第１層１２の上に形成された第２層１３とを有している。 - 特許庁

A defect classification defining section 221 defines a region that classifies defects on a surface of the inspected device, by using layout design data corresponding to a layer formed on the inspected device and a layer formed in an upper layer or lower layer thereof.例文帳に追加

欠陥分類定義部２２１は、被検査デバイスにそのとき形成されているレイヤおよびその上層または下層に形成されたレイヤに対応するレイアウト設計データを用いて、被検査デバイスの表面に欠陥を分類する領域を定義する。 - 特許庁

For this device, a lower electrode layer is formed on a silicon substrate, thereafter a Co50Fe film of 50 nm is formed as a magnetization fixed layer 1, and Cu of 6 nm as a nonmagnetic intermediate layer 2 and a Co50Fe film as a magnetization free layer 3 of 2.5 nm are formed thereon.例文帳に追加

シリコン基板上に下部電極層を形成した後、磁化固定層１としてＣｏ５０Ｆｅ膜を５０ｎｍ成膜し、その上に非磁性中間層２としてＣｕを６ｎｍ、さらに磁化フリー層３としてＣｏ５０Ｆｅ膜を２．５ｎｍ成膜する。 - 特許庁

A spacer layer 14 is provided along both side faces of wiring layers 13A and 13B on the upper surface side of an adhesive layer 40 and a spacer layer 24 is provided along both side surfaces on wiring layers 23A and 23B on the lower surface side of the adhesive layer 40.例文帳に追加

接着層４０の上面側の配線層１３Ａ，１３Ｂの両側面に沿ってスペーサ層１４が設けられると共に、接着層４０の下面側の配線層２３Ａ，２３Ｂの両側面に沿ってスペーサ層２４が設けられている。 - 特許庁

The thickness T1 of the first high resistance drift layer 23 is set to that where a depletion layer extending in the first high resistance drift layer 23 reaches-through the drain area 21 at voltage lower than sharing voltage V1 of the first high resistance drift layer 23.例文帳に追加

第１高抵抗ドリフト層２３の厚さＴ１は、第１高抵抗ドリフト層２３の分担する分担電圧Ｖ１より低い電圧で、第１高抵抗ドリフト層２３中に広がる空乏層がドレイン領域２１にリーチスルーする厚さに設定される。 - 特許庁

The label includes at least one base layer and an adhesive layer in the lower side of the base layer and has increased resistance against forgery, in which the adhesive layer is made of a pressure sensitive and/or hot-melt adhesive and a thermally activating (reactive) adhesive.例文帳に追加

少くとも一つの基材層とともにその下側に接着剤層を包含し、接着剤層が感圧性および／またはホットメルト接着剤および熱活性化性（反応性）接着剤からなる、偽造に対する抵抗性を高めたラベル。 - 特許庁

The LCD panel includes a lower substrate, including a thin-film transistor (TFT) and a pixel electrode; an upper substrate, including a common electrode and facing the lower substrate; a liquid crystal layer formed in between the upper and lower substrates; and an alignment layer, formed of an inorganic substance containing silicon Si, oxygen O, and carbon C on the upper and lower substrates.例文帳に追加

本発明による液晶表示パネルは、薄膜トランジスタ及び画素電極を含む下部基板と、下部基板と向き合い共通電極を含む上部基板と、上部基板と下部基板との間に形成された液晶層と、上部及び下部基板上にシリコンＳｉ、酸素Ｏ及び炭素Ｃを含む無機物質から形成された配向膜と、を含む。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a plurality of lower electrodes 11 arranged in a matrix form; a plurality of recording layer patterns 13 provided on the lower electrodes 11 and containing a phase change material; and an interlayer insulation film 12 provided between the lower electrodes 11 and the recording layer patterns 13, and including a plurality of openings 12a for exposing parts of the lower electrodes 11.例文帳に追加

マトリクス状に配置された複数の下部電極１１と、下部電極１１上に設けられ、相変化材料を含む複数の記録層パターン１３と、下部電極１１と記録層パターン１３との間に設けられ、下部電極１１の一部を露出させる複数の開口部１２ａを有する層間絶縁膜１２とを備える。 - 特許庁

The catalyst carrier structure comprises a monolith substrate coated with a cerium-zirconium compounded oxide layer and the layer is composed of at least 2 layers; the upper layer of a cerium-zirconium compounded oxide with 1/1 or higher Ce/Zr mole ratio and a lower layer of a cerium- zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio lower than that of the upper layer.例文帳に追加

セリウム-ジルコニウム複合酸化物の層がモノリス基材にコートされてなる触媒担体構造体であって、前記層が少なくとも２層からなり、上層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が、１／１以上でありかつ下層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比よりも高いことを特徴とする触媒担体構造体である。 - 特許庁

An upper side oxygen barrier layer 109A composed of a metal having conductivity even when oxidized is formed on the oxygen barrier layer 108A, the capacitance lower electrode 110A is formed on the upper side oxygen barrier layer 109A and the peripheral surfaces of the oxygen barrier layer 108A, the upper side oxygen barrier layer 109A and the capacitance lower electrode 110A are covered with a second protective insulation film 111.例文帳に追加

酸素バリア層１０８Ａの上には酸化されても導電性を有する金属からなる上側酸素バリア層１０９Ａが形成され、上側酸素バリア層１０９Ａの上には容量下部電極１１０Ａが形成され、酸素バリア層１０８Ａ、上側酸素バリア層１０９Ａ及び容量下部電極１１０Ａの周面は第２の保護絶縁膜１１１により覆われている。 - 特許庁

The waveguide device is characterized in that there are successively laminated on a substrate 201 a first electrode (lower electrode 202), a first cladding layer (lower cladding layer 203), a waveguide 204, a second cladding layer (upper cladding layer 205), and a second electrode (upper electrode 206), and that at least the second cladding layer 205 is configured to contain an organic compound having a conjugate structure.例文帳に追加

基板２０１上に、第１電極（下部電極２０２）、第１クラッド層（下部クラッド層２０３）、導波路２０４、第２クラッド層（上部クラッド層２０５）、及び第２電極（上部電極２０６）が順次積層され、少なくとも第２クラッド層２０５が、共役構造を有する有機化合物を含有して構成されていることを特徴とする導波路デバイスである。 - 特許庁

A multilayered magnetic recording medium, suitable for high recording density and digital recording, having superior electromagnetic recording characteristics and improved surface smoothness and capable of sufficiently absorbing a large quantity of lubricant in the lower side layer, is provided with an upper-side magnetic recording layer, having less than 0.5 μm layer thickness and at least one layer of lower side layer which includes the magnetically soft pigment.例文帳に追加

高記録密度及びディジタル記録に適し、そして優れた電磁記録特性、改良された表面平滑性を有し、さらに下側層に十分に大量の潤滑剤を吸収することができる記録媒体で、層厚が０．５μｍ未満の上側の磁気記録層、及び磁気的に柔かい顔料を含む、少なくとも１層の下側層が設けられた多層磁気記録媒体。 - 特許庁

This method of manufacturing a piezoelectric element includes processes of: forming a lower electrode on a base body; forming a seed layer having a layered perovskite structure on the lower electrode; forming a piezoelectric body layer formed of Bi_4Ti_3O_12-BaBi_4Ti_4O_15 on the seed layer; and forming an upper layer on the piezoelectric body layer.例文帳に追加

本発明に係る圧電素子の製造方法は、基体の上に下部電極を形成する工程と、前記下部電極の上に層状ペロブスカイト構造を有するシード層を形成する工程と、前記シード層の上にＢｉ_４Ｔｉ_３Ｏ_１２−ＢａＢｉ_４Ｔｉ_４Ｏ_１５からなる圧電体層を形成する工程と、前記圧電体層の上に上部電極を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The method of manufacturing the ferroelectric capacitor includes the steps of: forming a lower electrode 50 constituted by sequentially laminating a titanium layer 52, a titanium nitride aluminum layer 54, and a platinum system metal layer 56 on a substrate 12; forming a ferroelectric layer 58 on the upper of a lower electrode 51; and forming an upper electrode 60 on the upper of the ferroelectric layer 58.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの製造方法は、基体１２の上方に、チタン層５２、窒化チタンアルミニウム層５４、及び白金系金属層５６が順に積層された下部電極５０を形成する工程と、下部電極５１の上方に強誘電体層５８を形成する工程と、強誘電体層５８の上方に上部電極６０を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

The photoelectric converter also includes: a second laminated portion provided on the second lower electrode layer and comprising a third semiconductor layer having a first conductivity type and a fourth semiconductor layer having a second conductivity type which are laminated in the order; and a connection conductor provided in a groove located between the first laminated portion and the second laminated portion and electrically connecting the second semiconductor layer with the second lower electrode layer.例文帳に追加

また、該光電変換装置は、第２下部電極層の上に設けられた、第１導電型の第３半導体層と第２導電型の第４半導体層とが順に積層されている第２積層部と、第１積層部と第２積層部との間に位置する溝部に設けられた、第２半導体層と第２下部電極層とを電気的に接続する接続導体とを備えている。 - 特許庁

A semiconductor element has a two-layer structure and is formed in a staircase shape such that a lower-layer semiconductor element 2 is larger than an upper-layer semiconductor element 1 at the outer peripheral part thereof, and metallic bonding wires 4 are connected onto electrode pads 7 formed on the upper surface of the upper-layer semiconductor element 1 and the upper surface of the lower-layer semiconductor element 2 at outer peripheries thereof.例文帳に追加

半導体素子を２層構造とし、その外周部では上層の半導体素子１よりも下層の半導体素子２が大きくなるように階段状に形成し、それらの外周で上層の半導体素子１の表面上および下層の半導体素子２の表面上にそれぞれ形成された電極パッド７上に、それぞれ金属性のボンディングワイヤー４を接続する。 - 特許庁

A finger part 601 of the robot device is provided with: a skeleton layer 80 having a first hardness; a flexible layer 74, 85 provided to cover the skeleton layer 701 and having a second hardness lower than the first hardness; and a surface layer 75, 86 provided to cover the flexible layer 74, 85 and having a hardness lower than the first hardness and higher than the second hardness.例文帳に追加

ロボット装置の指部６０１に、第１の硬度を有する骨格層８０と、骨格層７０１を覆うように設けられた第１の硬度よりも低い第２の硬度を有する柔軟層７４，８５と、柔軟層７４，８５を覆うように設けられた、第１の硬度よりも低くかつ第２の硬度よりも高い硬度を有する表面層７５，８６とを設けるようにした。 - 特許庁