「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(81ページ目) - Weblio英語例文検索

The lower magnetic pole layer 11 and the cooling layer 12 are separated with a gap in between and connected with two junctions 31, 32 at both sides of the thin-film coil 15.例文帳に追加

下部磁極層１１と冷却層１２は間隙を介して隔てられ、薄膜コイル１５の両側の位置において２つの接続部３１，３２によって接続されている。 - 特許庁

At least the gate wire (including the gate terminal) in the thin-film transistor circuit device is configured so that the lower layer is made of aluminum or aluminum alloy and the upper layer is made of molybdenum alloy including niobium.例文帳に追加

薄膜トランジスタ回路装置の少なくともゲート配線（ゲート端子を含む）を下層をアルミニウム若しくはアルミニウム合金、上層をニオブを含むモリブデン合金とする。 - 特許庁

A composition ratio m of Pt_mO in the lower electrode layer 4 is 0.6 or more, and a composition ratio x of Zr_xTi_1-x in the PZT piezoelectric layer 5 is 0.43-0.55.例文帳に追加

下部電極層４のＰｔ_ｍＯの組成比ｍは０．６以上、ＰＺＴ圧電体層５のＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘの組成比ｘは０．４３〜０．５５である。 - 特許庁

A buried insulation layer 70 is formed at the lower end part of the impurity diffused layer 18, the first channel region 20a and the first n+ type floating emitter region 22a.例文帳に追加

不純物拡散層１８、第１のチャネル領域２０ａおよび第１のｎ^+型フローティングエミッタ領域２２ａの下端部には、埋込み絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁

A plurality of layers are formed on a surface, and a lower layer 13 indicates polishing rate higher than that for an upper layer 14, and also, the thicknesses of the plurality of layers are greater than a step height.例文帳に追加

表面上には、複数の層が成膜され、下層１３は、上層１４よりも高い研磨速度を示し、また、複数の層の厚さは、段高さよりも大きい。 - 特許庁

A wiring 512 of laminated structure composed of an aluminum- containing lower layer 510 and a high melting metal upper layer 511 is arranged on a board 500.例文帳に追加

基板５００上に、アルミニウムを含む層を下層５１０とし、高融点金属からなる層を上層５１１とする積層構造を有する配線５１２が配置される。 - 特許庁

This athletic shoe 1 is provided with a sole 3 and an upper 5, and the sole 3 is composed of an upper layer 11 and a lower layer 13 in the rear half part 9 of the sole.例文帳に追加

本発明に係る運動靴１は、ソール３とアッパー５とを備え、このソール３は、ソール３の後半部９において上層１１と下層１３とからなる。 - 特許庁

To provide a virtual network topology designing apparatus capable of ensuring reachability between each of nodes of an upper layer even when a fault occurs in a physical link or node of a lower layer.例文帳に追加

下位レイヤの物理リンクまたはノードに障害が発生した場合でも、上位レイヤの各ノード間の到達性が確保できる仮想トポロジ設計装置を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device is provided with an n-type first diffusion layer which extends on a semiconductor substrate including the lower layer of a plurality of bonding pads (hereafter referred to as pads) mounted on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に設置された複数のボンディングパッド（以下パッド）下層を含む上記半導体基板上に延在するＮ型の第１拡散層を備える。 - 特許庁

To prevent decrease in visibility in transparently displaying drawing data in a lower layer window through an upper layer window, thereby improving the visibility.例文帳に追加

本発明は、下レイヤのウィンドウの描画データが上レイヤのウィンドウに透過表示されることによる視認性の低下を改善し、視認性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

Observation is carried out by means of an optical microscope 26 from an upper layer side by emitting illumination light from a lower layer side of the ceramic laminate at a position wherein the groove 19 is formed.例文帳に追加

溝１９が形成された位置で、セラミック積層体１３の下層側から照明光を照射して上層側から光学顕微鏡２６で観察する。 - 特許庁

The reproduction lower insulating layer 22 integrally has a thick part 22b in contact with the magneto- resistance element layer 24 and a thin part 22d in contact with the hard magnetic material layers 26.例文帳に追加

再生下部絶縁層２２は、磁気抵抗素子層２４に接する厚肉部分２２ｂと硬質磁性体層２６に接する薄肉部分２２ｄとを一体に備える。 - 特許庁

To provide a vibration control device which damps vibration by amplifying relative displacement occurring between a first member and a second member of a vibration control object (e.g. between an upper layer and a lower layer of a beam-column framework), and to provide a vibration control method.例文帳に追加

制振対象物の第１の部材と第２の部材の間（例えば、柱梁架構の上層と下層との間）に生じる相対変位を増幅して減衰する。 - 特許庁

The base board comprises a laminate of a first heat insulating material layer 12 and second heat insulating material layers 14, 16 having a lower rigidity than the first heat insulating material layer.例文帳に追加

前記基板を、第1の断熱材層１２と、この第1の断熱材層よりも剛性の低い第２の断熱材層１４，１６とを積層することにより構成する。 - 特許庁

The signal line running in each of sense amplifier zones placed so to extend in a lateral direction in a memory array part(MA) comprises a hierarchic structure composed of an upper interconnection layer and a lower interconnection layer.例文帳に追加

メモリアレイ部（ＭＡ）において行方向に延在して配置されるセンスアンプ帯内を走る信号線を上層配線層と下層配線層の階層構造とする。 - 特許庁

The upper layer wiring and the lower layer wiring are designed so as to have identical resistance in the object shape between the terminals A-C, C-B, A-D and D-B.例文帳に追加

端子Ａ−Ｃ間、端子Ｃ−Ｂ間、端子Ａ−Ｄ間、端子Ｄ−Ｂ間で上層配線、下層配線の抵抗は同一となるように対象形状に設計する。 - 特許庁

To provide an acoustic matching layer that has lower acoustic impedance by further increasing the mixing quantity of hollow glass balloon grains, and an ultrasonic sensor using the acoustic matching layer.例文帳に追加

中空ガラスバルーン粒子の混入量をさらに増やしてより低い音響インピーダンスを持った音響整合層およびそれを用いた超音波センサを提供する。 - 特許庁

It is also possible to simplify a manufacturing process by forming a channel formation region simultaneously with a low concentration side isolation layer, and an island lower region simultaneously with a high concentration side isolation layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を低濃度側分離層と、島下部領域を高濃度側分離層と同時に形成し、製造プロセスの簡単化を図ることもできる。 - 特許庁

When etching a shape on the substrate 1 with an insulating lower layer 3 inside a chamber, an etching step by plasma and a passivated-layer depositing step by plasma are repeated alternately.例文帳に追加

チャンバー内の絶縁性下層３付き基板１に形状をエッチングする際に、プラズマによるエッチング・ステップとプラズマによる不動態化層の蒸着ステップとを交互に繰り返す。 - 特許庁

To improve an alignment margin between a plug of a lower layer and a plug of an upper layer without relaxing a layout rule in a semiconductor integrated circuit device having a stacked via structure.例文帳に追加

スタックトビア構造を有する半導体集積回路装置において、レイアウトルールを緩和することなく下層のプラグと上層のプラグとの合わせマージンを向上する。 - 特許庁

To obtain a coating agent for a low-refractive index layer having excellent adhesivity to a lower layer and an antireflection film having excellent scratch resistance, using the same.例文帳に追加

本発明は、下層との密着性に優れた低屈折率層用塗工剤およびそれを用いた耐擦傷性に優れた反射防止フィルムを提供することを目的とする。 - 特許庁

The string is produced by covering an inner layer having stretchability with an outer layer having excellent durability and tightening the braiding texture at the middle part of the string to lower the stretchability.例文帳に追加

また、伸縮性を有する内層を、耐久性に優れた外層で被覆し、紐の中央部は組み方を緊密にすることで伸縮性を有さないようにする。 - 特許庁

To provide an organic electroluminescent element in which separation and particles of a lower-layer organic light emitting layer are suppressed and which has a high quality transparent electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

下層の有機発光層の剥離およびパーティクルを抑え、高品質な透明電極を持った有機電界発光素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a nitride semiconductor device with a current constriction layer which facilitates selective etching with a lower crystalline layer, while having high optical characteristics.例文帳に追加

高い光学特性を有しながら、下層の結晶性層との選択エッチングを容易に行うことができる電流狭窄層を備えた、窒化物半導体素子を得ること。 - 特許庁

The ceramic wiring substrate includes a ceramic substrate and a copper layer formed on the ceramic substrate and has an average copper particle radius of not lower than 10 μm in the copper layer.例文帳に追加

セラミック基板と前記セラミック基板上に形成された銅層とを含み、前記銅層における銅の平均粒子半径が１０μｍ以上であるセラミック配線基板。 - 特許庁

To provide a vibrating reed which improves the adhesiveness between a lower electrode and a piezoelectric layer and the orientation of the piezoelectric layer and has an excellent electromechanical coupling coefficient.例文帳に追加

下部電極と圧電体層との密着性お呼び圧電体層の配向性を向上させ、なお且つ電気機械結合係数が優れた振動片を提供する。 - 特許庁

A lower semiconductor DBR 103, a resonator structure including an active layer 105, an upper semiconductor DBR 107 and a contact layer 109 are laminated on a substrate 101.例文帳に追加

基板１０１上に、下部半導体ＤＢＲ１０３、活性層１０５を含む共振器構造体、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９が積層されている。 - 特許庁

The chromaticity conversion layer 15 is formed on the mesa part 16, at a position different from the position of a passage through which current is poured in the active layer by a lower electrode 35 and an upper electrode 31.例文帳に追加

色度変換層１５は、メサ部１６のうち、下部電極３５と上部電極３１によって注入される電流経路とは異なる部位に形成されている。 - 特許庁

The opening diameter of the opening at a lower surface portion of the second insulating layer 152 is larger than the opening diameter of the opening at an upper surface portion of the first insulating layer 150.例文帳に追加

第２の絶縁層１５２の下面部分における開口部の開口径が、第１の絶縁層１５０の上面部分における開口部の開口径より大きい - 特許庁

The return yoke is connected to ground and its grounding resistance is smaller than that of the reproduction element, upper shield layer, and lower shield layer, and the main magnetic pole.例文帳に追加

リターンヨークはグランドに接続され、リターンヨークとグランドの抵抗値は、再生素子、上部シールド層、下部シールド層、および主磁極のグランドに対する抵抗値よりも低い。 - 特許庁

A wire 30 comprises a core material 32 and a plating layer 33, coating the core material 32 and having a lower melting point than that of a metal constituting the coating layer 34.例文帳に追加

素線３０が芯材３２と該芯材３２を被覆しかつ前記芯材３２の被覆層３４を構成する金属よりも融点の低い鍍金層３３とを備えている。 - 特許庁

For the electron injection restricting layer 6, a material having an electron mobility lower than that of the electron transporting layer 7 or a material having a low lowest unoccupied molecular orbital (LUMO) energy level is used.例文帳に追加

電子注入制限層６としては電子輸送層７に比べて電子移動度が低いまたは最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギーレベルが低い材料を用いる。 - 特許庁

A first thermoplastic resin layer 12 is laminated on an upper side of a vertical reinforcing cloth 11, and a second thermoplastic resin layer 13 is laminated on a lower side of the vertical reinforcing cloth 11.例文帳に追加

縦補強織布１１の上側に第１の熱可塑性樹脂層１２を積層し、縦補強織布１１の下側に第２の熱可塑性樹脂層１３を積層する。 - 特許庁

The metallic layer 43 is made of a metallic material 74 with a melting point lower than a baking temperature of ceramic constituting the ceramic substrate 11, and formed on the metallized layer 42.例文帳に追加

金属層４３は、セラミック基板１１を構成するセラミックの焼成温度よりも低融点の金属材７４からなり、メタライズ層４２上に形成される。 - 特許庁

Next, a lower layer 11 of a second inter-layer insulation membrane is formed, an SOG membrane 14 is laminated and etched back to let the SOG membrane remain in the preliminary opening part C1a.例文帳に追加

次に、第２の層間絶縁膜下層１１を形成し、さらにＳＯＧ膜１４を積層させてからエッチバックして予備開口部Ｃ１ａにＳＯＧ膜を残留させる。 - 特許庁

An ATM layer protocol function part 9 of the lower-order layer protocol function part 9 mounted on a transmission terminal holds transmission enable rate information or transmission enable data amount information.例文帳に追加

送信端末内に実装された下位レイヤプロトコルのＡＴＭレイヤプロトコル機能部９は、送信可能レート情報あるいは送信可能データ量情報を保持している。 - 特許庁

On the inter-layer insulating film 17, a second metal film 24 having a lower Young's modulus than that of the first metal layer 20 is formed covering the remaining first metal film 20.例文帳に追加

残された第１金属膜２０を覆うように層間絶縁膜１７上に、第１金属膜２０よりもヤング率が低い第２金属膜２４を形成する。 - 特許庁

Then, the lower layer absorbent 3B2 is provided with a low density area 7 and a body pressure applied to the upper layer absorbent 3B1 facing the low density area 7 is lowered.例文帳に追加

そして、下層吸収体３Ｂ２に低密度領域７を設け、この低密度領域７と対向する上層吸収体３Ｂ１にかかる体圧が低くなるようにする。 - 特許庁

The conductor layer of the upper half of the side surface of each partition wall 4 is removed by laser processing (laser beams R1, R2) and the conductor layer of the lower half thereof is formed as an electrode 5.例文帳に追加

前記隔壁４の側面の上半分の導電体層をレーザ加工（レーザビームＲ1，Ｒ2）により除去し、下半分の導電層を電極５をとして形成する。 - 特許庁

In an optical waveguide 1 composed of a core part 10, an upper clad layer 11, and a lower clad layer 12, there is formed an optical path conversion mirror on the end face of the optical waveguide 1.例文帳に追加

コア部１０、上クラッド層１１、および下クラッド層１２からなる光導波路１において、該光導波路１の端面には光路変換ミラーが形成されている。 - 特許庁

A close contact layer 110 comprising metal having chemical stability lower than that of the electric power wire 130 is provided in a space with respect to the organic layer 111 contacting with the electric power wire 130.例文帳に追加

電力配線１３０に接する有機層１１１との間には、電力配線１３０より化学的安定性の低い金属からなる密着層１１０を備える。 - 特許庁

To provide a method for easily transmitting a variable size packet from an upper layer of a stack of communication protocol layers to a lower layer that processing of a fixed size packet is intended.例文帳に追加

通信プロトコル層のスタックの上層から、固定サイズパケットを処理することを意図した下層へ、可変サイズパケットを容易に送信することができる方法を得る。 - 特許庁

Then, the insulation layer 22 as a two-layer structure of a lower insulation film 22a and an upper insulation film 22b is formed, and an opening 24a is formed on the upper insulation film 22b.例文帳に追加

その後、下層絶縁膜２２ａ及び上層絶縁膜２２ｂの２層構造の層間絶縁膜２２を形成し、上層絶縁膜２２ｂに開口部２４ａを形成する。 - 特許庁

The rough-surface polysilicon film 118 comprises an upper-layer film 114 on the silicon nitride film 120 side and a lower-layer film 108 on a silicon oxide film 104 side as a continuous film.例文帳に追加

粗面ポリシリコン膜１１８は，チッ化シリコン膜１２０側の上層膜１１４とシリコン酸化膜１０４側の下層膜１０８とから連続膜として構成されている。 - 特許庁

On the p-type semiconductor layer 34, an electrode 24 which makes ohmic contact with the semiconductor layer is provided, and short- circuited to the lower part wiring 18 via the upper part wiring 16.例文帳に追加

ｐ型半導体層３４上に、この半導体層とオーミック接触のとれる電極２４を設け、上部配線１６を介して下部配線１８と短絡する。 - 特許庁