「lower- layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(85ページ目) - Weblio英語例文検索

When single layer films of Au and Pt are formed and etched using an aqua regia based solution, etching rate of Au employed in the upper layer was about 100 nm/min and etching rate of Pt employed in the lower layer was about 80 nm/min.例文帳に追加

ＡｕとＰｔのそれぞれ単層膜を形成し、王水系の溶液を用いてエッチングしたところ、上層に用いたＡｕはエッチングレートが約１００ｎｍ／分で、下層に用いたＰｔは８０ｎｍ／分であった。 - 特許庁

A second layer sheet 52 is laminated and formed on an upper surface of a first layer sheet 51, and a third sheet 53 having a lower frame and a fourth sheet having an upper frame are laminated and formed on the second layer sheet 52 in said order.例文帳に追加

第１層シート５１上面には第２層シート５２が積層形成され、第２層シート５２上に下枠体を有する第３シート５３、上枠体を有する第４シートの順で積層形成される。 - 特許庁

The inorganic EL element 1 has a transparent electrode thin film, an insulating layer 4, a light-emitting layer 5, and an insulating layer 6 as a lower transparent electrode 3 and a transparent electrode thin film as an upper transparent electrode 7 laminated in this order.例文帳に追加

無機ＥＬ素子１は、下部透明電極３としての透明電極薄膜、絶縁層４、発光層５、絶縁層６および上部透明電極７としての透明電極薄膜をこの順に積層する。 - 特許庁

Specifically, the resistance change layer 22 has a structure where a first layer 22A formed of the transition metal oxide and a second layer 22B containing the aluminum oxide as a main constituent are laminated in an order from the side of a lower electrode 10.例文帳に追加

具体的には、抵抗変化層２２は、下部電極１０の側から順に、遷移金属酸化物よりなる第１層２２Ａと、アルミニウム酸化物を主成分とする第２層２２Ｂとが積層された構成を有している。 - 特許庁

To provide a composite nanometallic paste which, when a layer of paste is sintered in an inert gas under non pressure until the layer turns to a metal layer, attains a shear bond strength between the upper and lower bodies of 10 MPa or higher.例文帳に追加

不活性ガス中で無加圧下でペースト層を金属層まで焼結させたとき、前記金属層による上体と下体間のせん断接合強度が１０Ｍｐａ以上である複合ナノ金属ペーストを提供する。 - 特許庁

Accordingly, not only migration from the reflection electrode layer 22 comprising the silver alloy is inhibited, but also blackening on at interface with the light-transmitting electrode layer 21 comprising ITO as a lower layer can be prevented, thus the efficiency of light extraction is improved.例文帳に追加

これにより、銀合金から成る反射電極層２２からのマイグレーションを抑制した上、下層のＩＴＯから成る透光性電極層２１との界面での黒化を防止でき、光取り出し効率が向上する。 - 特許庁

Forming films so that emitter material is vertically implanted to the substrate 1, an emitter lower layer 5a is deposited on the substrate 1 and a first deposited layer 6a is deposited on the layer 3.例文帳に追加

エミッタ材料をシリコン基板１に対して垂直に入射するように成膜すると、シリコン基板１上にはエミッタ下層５ａが堆積し、第２の絶縁層２上には第１の堆積層６ａが堆積する。 - 特許庁

At least one oxidation suppressive layer 4 consisting of a compound of the oxygen defect concentration lower than that of the zirconium oxide is formed in the thermal barrier layers 3, 5 or on the interface between the thermal barrier layer 3 and the metallic bond layer 2.例文帳に追加

この場合、遮熱層３，５内、または遮熱層３と金属結合層２との界面に、酸素欠陥濃度がジルコニウム酸化物よりも低い化合物からなる酸化抑止層４を少なくとも１層形成する。 - 特許庁

A diffusion barrier layer which interposes between the lower conducting layer and the upper conducting layer is thermally treated in an inert atmosphere prior to selective oxidation heat treatment, and turned into high melting point metal siliconitride.例文帳に追加

下側導電層と上側導電層との間の介在する拡散障壁層を、選択酸化熱処理に先立って不活性雰囲気中で熱処理することにより、高融点金属珪窒化物に変換する。 - 特許庁

Since the amount of SOx to be collected by the upper catalyst layer 3 is remarkably larger than a theoretical value and the NOx absorption capacity of the upper catalyst layer is recovered easily, the lower catalyst layer 2 is restrained from being poisoned by sulfur, and NOx can be purified by both catalyst layers.例文帳に追加

上触媒層３は、SO_x の捕捉量が理論値より格段に多く、NO_x 吸蔵能の回復も容易であるので、下触媒層２の硫黄被毒が抑制され、しかも両触媒層でNO_x を浄化できる。 - 特許庁

A lower layer portion 16 of a multi-layer wiring layer 13 is formed in an upper part of a pixel array area 3 and a circuit area 4 of a substrate 2 by alternately laminating a metal wiring 15 and a silicon oxide film 14.例文帳に追加

基板２の画素アレイ領域３及び回路領域４の上方に、金属配線１５と酸化シリコン膜１４とを交互に積層させることにより、多層配線層１３の下層部分１６を形成する。 - 特許庁

To accurately detect the completion point of polishing of a semiconductor wafer having a film to prevent diffusion of a metal of a metallic film being a called barrier film between a metallic film of a topmost layer and an insulation layer of a lower layer.例文帳に追加

最上層の金属膜と下層の絶縁層との間のバリア膜といわれる金属膜の金属の拡散を防止するための膜を有する半導体ウェハ研磨の終了点を正確に検出する。 - 特許庁

As the transparent glass surface layer 4, the one subjected to low temperature baking at a baking temperature lower than that of the colored glass substrate layer 2 and also at ≤800°C as a glass layer is preferable.例文帳に追加

前記透明ガラス表層４は、その焼付け温度は、前記着色ガラス下地層２の焼き付け温度より低温度であって、かつ８００℃以下の温度でガラス層として低温焼付けされたものが好ましい。 - 特許庁

A gate insulating film 4 is formed on the polysilicon thin film 3, and the gate electrode constituted of a two-layer structure of an upper layer metal thin film 6 and a lower layer microcrystal silicon thin film 5 is formed.例文帳に追加

そして、このポリシリコン薄膜３上にゲート絶縁膜４を形成し、このゲート絶縁膜４上に上層金属薄膜６及び下層マイクロクリスタルシリコン薄膜５の２層構造からなるゲート電極を形成する。 - 特許庁

The enterprise force measurement tree is configured of a leaf and a node in the upper layer, and the score calculation method of each node is defined, and the scores of the upper layer are calculated based on the scores of the lower layer.例文帳に追加

企業力測定ツリーは、リーフ及びその上層のノードから構成され、各ノードのスコア算出方法が定義されたものであって、上層のスコアはその下層のスコアに基づき算出されるものである。 - 特許庁

The alloy layer 3 is formed by one portion of the electrode of the semiconductor laser element 2 and a solder layer provided on the submount 1, in advance, and the content of Sn contained in the alloy layer 3 is to be 26 wt.% or lower.例文帳に追加

合金層３は、半導体レーザ素子２の電極の一部と、サブマウント１上にあらかじめ設けられた半田層とによって形成され、合金層３に含まれるＳｎの含有率を２６重量％以下とする。 - 特許庁

The respective precious metals are prevented from solid-solutioning by separating Rh, rich atmosphere exhaust gas passing through the upper catalyst layer 21 can reach the lower catalyst layer 20, and H_2 produced by Rh can pass through the upper catalyst layer 21.例文帳に追加

Rhを分離することで貴金属どうしの固溶を防止でき、リッチ雰囲気の排ガスが上触媒層21を通過して下触媒層20に到達可能であり、かつRhによって生成したH_2が上触媒層21を通過可能となる。 - 特許庁

A resin-impregnated pattern layer may be formed by infiltrating a resin in the pattern paper 6 wherein the lower printing layer is formed by gravure printing and the upper printing layer is formed thereon by ink jet printing.例文帳に追加

また，グラビア印刷により下部印刷層が形成され，その表面にインクジェット印刷により上部印刷層が形成されてなるパターン紙に樹脂を含浸させて前記樹脂含浸パターン層が形成されていてもよい。 - 特許庁

The release layer 40 is provided with a plurality of slits so that the surface of the release layer 40 remains to be smooth after the first surface of the adhesive layer 30 adheres to the concave lower surface of at least one body.例文帳に追加

剥離層４０には、接着剤層３０の第１の表面が少なくとも１つの本体の凹状の下面に付着した後も剥離層４０の表面が滑らかなままであるように、複数のスリットが設けられる。 - 特許庁

To provide a reflector having a reflection layer in which even when a substance corroding the reflection layer intrudes through edges or flaws or cracks in upper and lower layers, corrosion in the whole reflection layer is prevented.例文帳に追加

反射層を有する反射体において、反射層を腐食する物質がエッジもしくは上下層の傷やクラックなどから進入した場合に、反射層全体が侵食されるのを防止する反射体を提供すること。 - 特許庁

At least first and second lower clad layers 103 and 133, a quantum well active layer 105 consisting of a well layer and a barrier layer, and first and second clad layers 107 and 109 are formed sequentially on a GaAs substrate 101.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１上に、少なくとも、第一および第二下クラッド層１０３，１３３、井戸層と障壁層からなる量子井戸活性層１０５、第一および第二上クラッド層１０７，１０９を積層する。 - 特許庁

To relate to a method for forming a stack of layers including a lower metal layer, an intermediate dielectric layer, and an upper metal layer on a semiconductor substrate, in particular, to provide a method for forming a metal-insulator-metal capacitor structure.例文帳に追加

下部金属層、中間誘電体層、および上部金属層を含む層のスタックを、半導体基板上に形成する方法に関し、特に、金属−絶縁体−金属キャパシタ構造の形成方法を提供する。 - 特許庁

Recessed parts are formed on the top surfaces of base bodies 21 and 22 and in the recessed parts, a lower shield layer 25, a thick insulating layer 26, a couple of thick conductive layers 27a and 27b for a magneto- resistance element, and a thick insulating layer 28, are formed.例文帳に追加

基体２１、２２の表面に凹部を形成し、この凹部内に下部シールド層２５、厚い絶縁層２６、磁気抵抗素子に対する一対の厚い導電層２７ａおよび２７ｂ、厚い絶縁層２８を形成する。 - 特許庁

Gate wiring is a three-layered film, and mean wiring width of the maximum wiring width and the minimum wiring width of at least either of the upper layer and the lower layer is made to differ from as mean wiring width of the maximum wiring width and the minimum wiring width in the middle layer.例文帳に追加

ゲート配線に、上層と下層の少なくとも何れか一方の配線幅が中間層の配線幅と異なる三層膜、または、上層と下層の配線幅が異なる二層膜を用いる。 - 特許庁

A P-type layer 20, having lower resistance than the P wells 11 and 12, is formed in a surface 50 while the P-type layer 20 is being laid across the P wells 11 and 12, and both the P wells 11 and 12 are electrically connected via the P-type layer 20.例文帳に追加

表面５０内にＰウエル１１，１２に跨って、Ｐウエル１１，１２よりも低抵抗のＰ型層２０が形成されており、両Ｐウエル１１，１２はＰ型層２０を介して電気的に接続される。 - 特許庁

The organic layer 5 is made to be pinched between the lower part electrode 4, and on the light absorbing layer 9 part where the organic layer 5 has been removed, the upper part electrode 6 connected to the auxiliary wiring N is formed on the substrate 2.例文帳に追加

下部電極４との間に有機層５を狭持させると共に有機層５が除去された光吸収層９部分において補助配線Ｎに接続された上部電極６を、基板２上に形成する。 - 特許庁

The confectionery 10 has a belt-like shape, and has a three-layer structure where an upper-layer langue-de-chat dough 11 and a lower-layer langue-de-chat dough 13 are superposed on each other and filling (chocolate, in this case) is sandwiched between both of the dough.例文帳に追加

菓子１０は、帯状の形状であり、上層のラングードシャ生地１１と下層のラングードシャ生地１３が重ねられて、両生地の間に充填物（この例ではチョコレート）１５が挟まれた３層構造である。 - 特許庁

To prevent an interlayer dielectric including an SOG (Spin On Glass) film from cracking without providing a slit in a wiring layer or limiting the ratio of a line width and a space interval of a wiring layer positioned as a lower layer.例文帳に追加

配線層にスリットを設けたり、下層に位置する配線層にライン幅及びスペース間隔の比率を制限したりすることなく、ＳＯＧ膜を含む層間絶縁膜におけるクラックの発生を防止する。 - 特許庁

A surface light-emitting laser element which keeps a lower section multi-layer film reflective mirror, an active layer, and an upper section multi-layer film reflective mirror stacked in this order on a semi-conductive board is arranged into an array form, and used to irradiate a laser beam.例文帳に追加

半導体基板上に、下部多層膜反射鏡と、活性層と、上部多層膜反射鏡とがこの順に積層された面発光レーザ素子をアレイ状に配置して使用し、レーザ光を照射する。 - 特許庁

To eliminate the attachment of garbage to a treating vessel and the rotation of the garbage together with the treating vessel in stirring, and to enable to send in air over the whole region of an upper layer, intermediate layer and lower layer of the treating vessel in good balance, by a simple structure.例文帳に追加

簡単な構造により攪拌時の生ゴミの付着とつき回りをなくすと共に、処理槽内の上部層、中間層、下部層の全領域にわたってバランスよく空気が送り込めるようにする。 - 特許庁

In a ceramic package 4, a planar annular package side metallization layer 5a is formed in a joining part with an infrared ray incident window 8, and an electric resistance pattern layer 6 is laminated on its lower layer via ceramics.例文帳に追加

セラミックパッケージ４は、赤外線入射窓８との接合部に平面状の環状のパッケージ側メタライズ層５ａが形成され、その下層には電気的な抵抗パターン層６がセラミックを介して積層されている。 - 特許庁

The pea gravel 7 is fixed by a double-layer structure comprising a lower soil pavement layer 5 in which a solidifying material for solidifying the soil is contained, and an upper soil pavement layer 9, so that the pavement structure retaining the relationship between the soil and the pea gravel can be obtained.例文帳に追加

土を固める硬化材が配合された下層の土舗装層５と上層の土舗装層９の２層構造によって玉砂利７を固定し、土と玉砂利の関係を保った舗装構造とする。 - 特許庁

When the detector is cooled at 1K or lower and a voltage is applied between the layer 13 and the electrode 14, B in the layer 11 just under the layer 12 captures holes and B^+ is formed.例文帳に追加

この検出器を１Ｋ以下に冷却し、導電層１３−電荷供給電極１４間に電圧を印加すると、絶縁体層１２直下の半導体層１１にあるＢが正孔を捕獲しＢ^＋が形成される。 - 特許庁

The photoelectric converting element 101 includes a structure with a lower electrode 201, a second insulating layer 302a, and a semiconductor layer 303a in the order from the side of the substrate 100 disposed in this order on the first insulating layer 301a.例文帳に追加

光電変換素子１０１は、第１の絶縁層３０１ａ上に、基板１００側から、下部電極２０１、第２の絶縁層３０２ａ、半導体層３０３ａの順に配置された構造体を有する。 - 特許庁

A method comprises a step of generating an auxiliary graph for a network comprising a plurality of network elements having an Internet Protocol layer, a lower layer, and a wavelength layer, the auxiliary graph including a plurality of directed edges indicative of connectivity of components of the plurality of network elements.例文帳に追加

ＩＰレイヤ、下位レイヤ、および波長レイヤを有する複数のネットワーク装置を含むネットワークについて、ネットワーク装置のコンポーネント間の接続を表す複数の有向エッジを含む補助グラフを作成する。 - 特許庁

Also, an ACL(Access Control List) is automatically set in the OU 702 for managing the user/group by the group belonging to the higher layer, and the group 705 of the higher layer is registered as the member of a group 703 of the lower layer.例文帳に追加

また、ＯＵ７０２には、上位階層の組織に所属するグループがユーザ／グループを管理できるＡＣＬ（Access Contorol List）を自動的に設定し、上位階層のグループ７０５を、下位組織のグループ７０３のメンバとして登録する。 - 特許庁

A lower electrode layer (first electrode) 103, a metal oxide layer 104 made of bismuth (Bi), titanium (Ti), and oxygen, and an upper electrode (second electrode) 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102.例文帳に追加

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、下部電極層（第１電極）１０３と、ビスマス（Ｂｉ）とチタン（Ｔｉ）と酸素とから構成された金属酸化物層１０４と、上部電極（第２電極）１０５とを備える。 - 特許庁

Preferably, the layer is composed of the upper layer of a cerium- zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio of 1/1 to 6/1 and the lower layer of a cerium-zirconium compounded oxide with a Ce/Zr mole ratio of 2/3 to 3/2.例文帳に追加

好ましくは、前記層が２層からなり、上層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が６／１〜１／１であり、下層のセリウム-ジルコニウム複合酸化物のＣｅ／Ｚｒのモル比が３／２〜２／３である。 - 特許庁

An organic thin film 16 containing an organic luminescence layer is formed on the upper-layer data electrode 14, and a plurality of scanning electrodes 17 are formed so that they may intersect perpendicularly with the lower-layer data electrodes 12 on the organic thin film 16.例文帳に追加

上層データ電極１４上に有機発光層を含む有機薄膜１６が形成され、有機薄膜１６上に下層データ電極１２と直交するように複数本の走査電極１７が形成される。 - 特許庁

An interlayer provided with a circumferential area consisting of a polyvinyl acetal layer containing lower plasticizer than the layer 12 at around three-layered sound insulating area including the layer 12 is provided for easily manufacturing a structure.例文帳に追加

また、この構造を容易に製造するために、層１２を含む３層の遮音領域の周囲に層１２よりも可塑剤の含有率が低いポリビニルアセタール層からなる周縁領域を配置した中間膜を提供する。 - 特許庁

The semiconductor laser device 1 includes a semiconductor layer 2 cleaved into square shapes, an electrode 3 formed on the upper surface 2a of the semiconductor layer 2, and an electrode 4 formed on the lower surface 2b of the semiconductor layer 2.例文帳に追加

半導体レーザ素子１は、正方形状に壁開された半導体層２と、半導体層２の上面２ａに形成された電極３と、半導体層２の下面２ｂに形成された電極４とを備える。 - 特許庁

A seed layer 30 is constituted so as to have lamination structure in which a lower part seed layer 21 constituted by tantalum (Ta) and an upper part seed layer 31 constituted by nickel chrome alloy (NiCr) are laminated in this order.例文帳に追加

タンタル（Ｔａ）により構成された下部シード層２１およびニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）により構成された上部シード層３１がこの順に積層された積層構造を有するようにシード層３０を構成する。 - 特許庁

The lower electrode layer 103 made of a conductive thin film composed of ruthenium (Ru) and nitrogen (N), the metal oxide layer 104, and an upper electrode 105 are provided on a substrate 101 via an insulating layer 102.例文帳に追加

基板１０１の上に、絶縁層１０２を介し、ルテニウム（Ｒｕ）と窒素（Ｎ）とから構成された導電薄膜よりなる下部電極層１０３と、金属酸化物層１０４と、上部電極１０５とを備える。 - 特許庁

The surface of the substrate between the P-type layer 12 which includes the RESURF layer 13 and the channel stopper layer 14 is lower than that of the substrate in the periphery, and a semiconductive film 15 is formed thereon.例文帳に追加

ＲＥＳＵＲＦ層１３を含むＰ型層１２とチャネルストッパ層１４との間の基板表面が周辺の基板表面高さより低くなっておりその上に半導電性膜１５が形成されている。 - 特許庁

A reinforcing block 5 for connection of the optical fiber is mounted on a surface of the optical waveguide layer 2 where the heater 6 is disposed by adhesion via an adhesive layer 7 which has a refractive index lower than that of the cladding 3 of the optical waveguide layer 2.例文帳に追加

光導波層２のヒータ６が設けられている側の面に、光ファイバ接続用の補強ブロック５を、光導波層２のクラッド３よりも屈折率が低い接着層７を介して接合して設ける。 - 特許庁