「mask pattern design」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

MASK PATTERN DESIGNING DEVICE, MASK PATTERN DESIGNING METHOD AND COMPUTER-READABLE RECORDING MEDIUM STORING MASK PATTERN DESIGN PROGRAM例文帳に追加

マスクパターン設計装置、マスクパターン設計方法およびマスクパターン設計プログラムを格納したコンピュータ読取り可能な記録媒体 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, MASK PATTERN CORRECTION DEVICE, CIRCUIT DESIGN DEVICE, AND PROGRAM FOR CORRECTING MASK PATTERN例文帳に追加

マスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラム - 特許庁

DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, PHOTOMASK, AND SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

マスクパターンの設計方法、フォトマスク及び半導体装置 - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING DESIGN PATTERN AND METHOD FOR MANUFACTURING EXPOSURE MASK例文帳に追加

設計パターンの補正方法および露光マスクの製造方法 - 特許庁

To provide a method for correcting a mask pattern for accurately transferring a circuit pattern based on circuit design data, and to provide a mask pattern correction device, a circuit design device and a program for correcting the mask pattern.例文帳に追加

回路設計データに基づいた回路パターンを正確に転写するマスクパターンの補正方法、マスクパターンの補正装置、回路設計装置及びマスクパターンを補正するプログラムマスクパターンを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR SETTING DESIGN MARGIN OF WAFER PATTERN, METHOD FOR SETTING PATTERN ACCURACY AND METHOD FOR SETTING DESIGN MARGIN OF MASK PATTERN例文帳に追加

ウェハパターンの設計マージン設定方法、パターン精度設定方法およびマスクパターンの設計マージン設定方法 - 特許庁

Also, the pattern accuracy of the mask pattern is reverse calculated from the design margin M.例文帳に追加

また、この設計マージンＭからマスクパターンのパターン精度を逆算する。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING DESIGN PATTERN DATA, METHOD FOR CREATING MASK PATTERN DATA, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, AND METHOD AND PROGRAM FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE例文帳に追加

設計パターンデータ作成方法、マスクパターンデータ作成方法、マスク製造方法、半導体装置の方法およびプログラム - 特許庁

METHOD FOR CORRECTING PATTERN, PATTERN CORRECTING SYSTEM, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, PATTERN CORRECTING PROGRAM AND DESIGN PATTERN例文帳に追加

パターン補正方法、パターン補正システム、マスク製造方法、半導体装置製造方法、パターン補正プログラム、及び設計パターン - 特許庁

The mask is formed with a mask circuit pattern which is identical in design to other design circuit patterns, a mask top first mark which is overlapped in design with the substrate top first mark when the mask circuit pattern and the substrate top circuit pattern are overlapped at an overlapping position, and a mask top second mark which is overlapped in design with the substrate top second mark.例文帳に追加

マスクは、他の設計回路パターンと設計上は合同のマスク回路パターンと、マスク回路パターンと基板上回路パターンを重ね合わせ位置で重ねた場合に基板上第１マークと設計上重なるマスク上第１マークと、基板上第２マークと設計上重なるマスク上第２マークを有する。 - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING MASK PATTERN, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DESIGN PROGRAM例文帳に追加

マスクパターン設計方法および半導体製造方法ならびに半導体設計プログラム - 特許庁

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE, DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, AND PROGRAM例文帳に追加

半導体装置の製造方法、マスクパターンの設計方法およびプログラム - 特許庁

MASK PATTERN DESIGN TO IMPROVE QUALITY UNIFORMITY IN LATERALLY CRYSTALLIZED POLYCRYSTALLINE Si FILM例文帳に追加

横方向に結晶化した多結晶ＳＩ膜の品質の均一性を向上させるマスクパターン設計 - 特許庁

To correct a design pattern to a shape suited to mask plotting or inspection by simple processing.例文帳に追加

設計パターンを、簡単な処理でマスク描画や検査に適した形状にパターン補正する。 - 特許庁

Design pattern density for a correction object area on the mask is computed and correction data for the mask pattern density corresponding to the design pattern density are selected to correct design pattern data of the correction object area according to the data.例文帳に追加

一方、マスク上の補正対象領域に対する設計パターン密度を算出し、この設計パターン密度に対応するマスクパターン密度の補正データを選択し、これに基づいて、補正対象領域の設計パターンデータに補正を行う。 - 特許庁

METHOD FOR ESTIMATING FILM THICKNESS, LAYOUT DESIGN METHOD, MASK PATTERN DESIGNING METHOD FOR EXPOSING MASK, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT例文帳に追加

膜厚予測方法、レイアウト設計方法、露光用マスクのマスクパターン設計方法、及び、半導体集積回路の作製方法 - 特許庁

To accurately verify whether L/S (line and space widths) of each line pattern on a mask data agrees with the specification of a mask layout design.例文帳に追加

マスクデータ上の各線パターンのＬ／Ｓがマスクレイアウト設計仕様と合致するかどうかを正確に検証する。 - 特許庁

According to data of it, corrections for canceling the mask distortion are made for mask pattern design data at a time.例文帳に追加

このデータに基づいて、マスク歪みを相殺する補正を、マスクパターン設計データに対し一括して行う。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an EUV mask by using an electron beam, without changing the size of a mesh area or the design of a mask pattern.例文帳に追加

メッシュ領域のサイズやマスクパターンの設計変更をすることなしに、電子ビームを用いてＥＵＶマスクを製造する方法を提供する。 - 特許庁

ALIGNMENT METHOD, DESIGN METHOD OF MASK PATTERN, MASK, DEVICE MANUFACTURING METHOD, ALIGNMENT DEVICE, AND EXPOSURE DEVICE例文帳に追加

アライメント方法、マスクパターンの設計方法、マスク、デバイス製造方法、アライメント装置、露光装置 - 特許庁

The method for inspecting a mask defect includes a process of generating referential data from the corrected mask design data D2 obtained by correcting (S10) data according to the exposure transfer pattern, and a process of measuring the actual pattern of the mask based on the corrected mask design data D2 to generate sensor data.例文帳に追加

露光転写パタンに基づき補正した（Ｓ１０）補正後マスク設計データＤ２から、参照データを作成し、補正後マスク設計データＤ２に基づくマスクの形状を実測してセンサデータを作成するマスク欠陥検査方法。 - 特許庁

To provide an exposure mask which can form a design pattern having roughness and fineness in compliance with design data with good accuracy and a method of manufacturing the same, and a method of forming a transfer pattern using this exposure mask.例文帳に追加

疎密を有する設計パターンを設計データ通りに精度よく形成することが可能な、露光マスクその製造方法、ならびにこの露光マスクを用いた転写パターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

Since the circuit diagram is utilized as a detailed instruction book regarding a mask pattern as it is, just by delivering an electronic circuit diagram to the mask pattern generator, a mask layout satisfactory to an analog circuit design engineer is obtained.例文帳に追加

従って、回路図がそのままマスクパターンに関する細かい指示書として活用できるため、電子回路図をマスクパターン生成者に手渡すだけで、アナログ回路設計技術者の満足するマスクレイアウトが得られる。 - 特許庁

To provide a mask blank that prevents disappearance of a resist pattern and also prevent a pattern defect upon producing a transfer mask by a semiconductor design rule (for a DRAM with hp half pitch of 65 nm or less), and also to provide a mask.例文帳に追加

半導体デザインルール（ＤＲＡＭ ｈｐ６５ｎｍ以下）の転写用マスクを作製する際、レジストパターンの消失を防止し、パターン欠陥を防止できるマスクブランク、及びマスクを提供する。 - 特許庁

METHOD FOR DESIGNING DUMMY PATTERN, EXPOSURE MASK, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND DESIGN PROGRAM OF DUMMY PATTERN例文帳に追加

ダミーパターンの設計方法、露光マスク、半導体装置、半導体装置の製造方法およびダミーパターンの設計プログラム - 特許庁

Mask pattern data used when a film formed on the semiconductor substrate to form the design circuit pattern is processed is prepared.例文帳に追加

設計回路パタンを作製するために半導体基板の上方に形成された膜を処理する際に用いられるマスクパタンデータが用意される。 - 特許庁

To exactly obtain a distribution of a line width difference between a pattern which is constituted on a mask and a design pattern, or a distribution of positional errors of these patterns.例文帳に追加

マスク上に形成されたパターンと設計パターンとの線幅の差の分布、または、これらのパターンの位置ずれ量の分布を正確に求める。 - 特許庁

To compare a pattern image of design data with a pattern image of a reticule mask by a parameter which can be numerized.例文帳に追加

数値化が可能なパラメータで、設計データのパターン画像とレチクルマスクのパターン画像とを比較することを課題とする。 - 特許庁

To specify a region usable as an alignment mark as a pattern region from the design data of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの設計データから、アライメントマークとして使用可能な領域をパターン領域として特定する。 - 特許庁

A wafer for evaluation is made in accordance with the correction data of the mask pattern of a mask for evaluation obtained by inputting the design data of the mask pattern of the mask for evaluation to the rule base OPC and the length measurement of the gate pattern of the wafer for evaluation is performed.例文帳に追加

ルールベースＯＰＣに評価用マスクのマスクパターンの設計データを入力することにより、得た評価用マスクのマスクパターンの補正データに基づいて評価用ウェハを製作し、評価用ウェハのゲートパターンの測長を行なう。 - 特許庁

To provide a design method for mask pattern in which an auxiliary pattern for improving a focal depth of an isolated pattern is arranged, with respect to a mask of performing exposure by using a light source having a direction dependence for resolution.例文帳に追加

解像特性に方向依存性を有する光源を用いて露光を行うマスクについて、孤立パターンの焦点深度を向上させる補助パターンを配置するマスクの設計方法を提供する。 - 特許庁

The detection sensitivity for a mask defect is inspected by using a mask for inspection of defect detection sensitivity having a basic pattern region where a pattern is formed based on the design data of a basic pattern and a defect pattern region where a pattern is formed based on the design data of a defect pattern prepared by adding a specified defect to the basic pattern.例文帳に追加

基本パターンの設計データを基づきパターンが形成された基本パターン領域と、基本パターンに、所定の欠陥を加えた欠陥パターンの設計データを元にパターンが形成された欠陥パターン領域とを備える欠陥検出感度検査用マスクを用いて、マスク欠陥検出感度の検査を行う。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT, METHOD FOR MANUFACTURING MASK, SEMICONDUCTOR MASK DATA PRODUCING DEVICE, METHOD FOR CORRECTING MASK PATTERN, AND METHOD FOR CORRECTING DESIGN LAYOUT例文帳に追加

半導体集積回路の製造方法、マスクの製造方法、半導体マスクデータ製造装置、マスクパターンの修正方法、及び設計レイアウトの修正方法 - 特許庁

To provide a mask pattern design method for easily and rapidly designing a mask pattern free from a dimensional error caused by a difference of a resist film thickness due to the level difference part of a base layer.例文帳に追加

下地層の段差部によって生じるレジスト膜厚の相違が原因となる寸法誤差を解消したマスクパターンを容易にかつ迅速に設計することが可能なマスクパターンの設計方法を提供する。 - 特許庁

A generation means 20 generates mask pattern data 31 to be formed on a mask from the design data 30 of an exposure pattern 32 to be transferred onto a semiconductor substrate.例文帳に追加

作成手段２０は、半導体基板上へ転写する露光パターン３２の設計データ３０からマスク上へ形成するマスクパターンデータ３１を作成する。 - 特許庁

To provide a reticle in which a mask pattern associated with a semiconductor chip formation and a mask pattern associated with several kinds of TEG formations are laid out by a new design.例文帳に追加

半導体チップ形成に係るマスクパターン、及び、複数種類のＴＥＧ形成に係るマスクパターンが、新規なデザインで配置されたレチクルを提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an exposure mask by which a mask pattern with high dimensional accuracy can be formed without depending on the layout of the design pattern.例文帳に追加

設計パターンのレイアウトによらずに寸法精度の良好なマスクパターンを形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a diffraction grating and a method for manufacturing a semiconductor laser, which can suppress shift of a diffraction grating pattern from a design value even when a pattern dimension of a mask layer is shifted from the design value.例文帳に追加

マスク層のパターン寸法がその設計値からずれた場合においても、回折格子のパターンがその設計値からずれることを抑制可能な回折格子を形成する方法及び半導体レーザを作製する方法を提供する。 - 特許庁

"mask work" means a functional design which consists of a pattern of an image however fixed or encoded, having or representing at least a part of an integrated circuit;例文帳に追加

「マスクワーク」とは，固定化又は記号化された画像の模様から成り，集積回路の少なくとも一部を有するか又は表わす機能的意匠をいう。 - 特許庁

To design a semiconductor device having a satisfactory breakdown voltage even if mask displacement has occurred in pattern forming.例文帳に追加

パターン形成時にマスクずれが生じたとしても、十分な耐圧を有する半導体装置を設計できるようにする。 - 特許庁

To quickly obtain final pattern data in a mask design step where masks used in the manufacture of a semiconductor integrated circuit device are designed.例文帳に追加

半導体集積回路装置の製造に用いられるマスクの設計段階において、最終的なパターンデータを迅速に得ること。 - 特許庁

To provide a device for creating a mask pattern for creating layout design data capable of improving a data ratio.例文帳に追加

データ率を向上することが可能なレイアウト設計データを生成するマスクパターン生成装置を提供する。 - 特許庁

The memory part 1 is provided with a net list 11, a design condition 12, a model parameter 13, a cell shape 14 and a mask pattern 15.例文帳に追加

メモリ部１は、ネットリスト１１、設計条件１２、モデルパラメータ１３、セル形状１４、及びマスクパターン１５を備えている。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a mask, wherein the linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (real dimensional difference) between a design dimension of a line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of a line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Linearityを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁