「mask pattern design」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

A finish evaluating means 41 evaluates the finished state of a semiconductor device based on the design dimension Wd of a design pattern feature 22 and on the finish dimension Wf of the semiconductor device manufactured by using a mask pattern of a synthesized pattern feature 21.例文帳に追加

仕上り評価手段４１は、設計パターン図形２２の設計寸法Ｗｄと、合成パターン図形２１のマスクパターンを用いて製造した半導体デバイスの仕上り寸法Ｗｆとに基づいて、半導体デバイスの仕上り状態を評価する。 - 特許庁

A design pattern reduces complementary patterns SP1, SP2, which are divided complementarily, by an amount of a size variation, and mask patterns CP1, CP2 after reducing are formed on the mask.例文帳に追加

設計パターンが相補分割された相補パターンＳＰ１，ＳＰ２を寸法変動量だけ縮小させ、縮小後のマスクパターンＣＰ１，ＣＰ２をマスクに形成する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal spatial light modulator as a mask for exposure capable of accurately forming the desired mask pattern, even if making design rule to be more minute makes progress.例文帳に追加

設計ルールの微細化が進んでも、所望通りのマスクパターンを正確に形成することができる露光マスクとしての液晶空間光変調器を実現すること。 - 特許庁

As the ideal pattern, an exposure mask pattern based on an exposure mask when performing exposure on a semiconductor wafer, and an exposure simulation pattern based on exposure simulation on the basis of the exposure mask and an exposure condition, or the like, can be used other than a circuit pattern (CAD data) based on design information of a semiconductor, and at least one of them is displayed three-dimensionally.例文帳に追加

なお、理想的なパターンとしては、半導体の設計情報に基づく回路パターン（ＣＡＤデータ）の他、半導体ウェーハ上に露光を行う際の露光マスクに基づく露光マスクパターン、及び露光用マスクと露光条件に基づく露光シミュレーションに基づく露光シミュレーションパターン等があり、それらの少なくとも１つを３次元的に表示するようにしている。 - 特許庁

A pattern is extracted by performing registration p1 of a pattern image with respect to a critical portion of the reference mask and registration p2 of a pattern in a critical portion of design data and applying extraction p4 of the critical pattern portion to a pattern image acquired by acquisition p3 of the pattern image of an inspection target mask.例文帳に追加

基準マスクのクリティカル部分についてのパターン画像の登録Ｐ１と、設計データのクリティカル部分のパターンの登録ｐ２を行い、検査対象マスクのパターン画像の取得ｐ３によって得たパターン画像に対してクリティカルパターン部の抽出処理ｐ４を施すことでパターンを抽出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing method for obtaining a selection region at the beginning of design without losing the similarity of a design value even in the transfer of a fined mask pattern.例文帳に追加

微細化されたマスクパターンの転写においても、設計値との相似性を損なうことなく、設計当初の選択領域が得られる半導体製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device for more appropriately measuring the thickness of a polished and planarized insulating film, a design method of a mask pattern for exposure used for the manufacturing method, and a program for the design method.例文帳に追加

研磨・平坦化された絶縁膜の膜厚をより適切に測定することができる半導体装置の製造方法、この製造方法に用いる露光用のマスクパターンの設計方法及びそのためのプログラムを提供する。 - 特許庁

A mask correction unit 3 is determined in accordance with the space dependence 7 of a pattern obtained through photolithography and etching steps, design data 1 for producing a photomask are corrected using the mask correction unit 3 and the objective photomask is produced with a pattern forming device.例文帳に追加

フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を経て得られたパターンのスペース依存性７に基いてマスク補正単位３を決定し、このマスク補正単位３を用いてフォトマスク作成用の設計データ１に対する補正を行い、描画装置を用いてフォトマスクを作成する。 - 特許庁

To provide a method for making an exposure mask which enables transfer formation of a real pattern with high dimensional accuracy with respect to the design pattern onto a wafer by proximity effect correction considering the loading effect arisen in a dry etching process for making an exposure mask.例文帳に追加

露光マスク作製のドライエッチング工程で発生するローディング効果も考慮した近接効果補正により、設計パターンに対する寸法精度の良好な実パターンをウェハ上に転写形成することが可能な露光マスクの作製方法を提供する。 - 特許庁

In a data division process 103, input mask layout design data are divided into a plurality of layout pattern groups according to the layout pattern division condition.例文帳に追加

データ分割工程１０３では、入力されたマスクレイアウト設計データを前記レイアウトパターン分割条件に従って複数のレイアウトパターン群に分割する。 - 特許庁

With this structure, even if a design pattern has a large area (for example, larger pattern than a size of the membrane), the complementary division patterns can be arranged in the membrane group of the stencil mask.例文帳に追加

これにより、設計パターンが大面積（例えば、メンブレンのサイズより大きいパターン）であっても、相補分割パターンをステンシルマスクのメンブレン群に配置することが出来る。 - 特許庁

The calculating device 100 calculates and derives pattern manufacturing error data on the basis of length measurement data and the mask design data and transmits the pattern manufacturing error data to the orderer through the communication line.例文帳に追加

素子寸法演算装置１００は、測長データとマスク設計データとに基づいて、パターンの製造誤差データを演算して導出し、通信回線を介して、発注者に送信する。 - 特許庁

A segment where a gate wiring pattern and an activation region overlap on each other is extracted as a gate pattern from the input mask design data 601 in a gate region extraction section 603.例文帳に追加

入力されたマスク設計データ６０１からゲート配線パタンと活性化領域とが重なり合う部分をゲート領域抽出部６０３でゲートパタンとして抽出する。 - 特許庁

To provide a semiconductor mask layout pattern correction/verification device capable of verifying/correcting a pattern by a margin value different from a normal design reference value in the open end part of wiring.例文帳に追加

配線の開放端部においては、通常の設計基準値とは別個の余裕値でパターンの検証・補正が行える半導体マスクレイアウトパターン補正・検証装置を得る。 - 特許庁

In a pattern data processing part 40, pattern data used for mask design is converted to image data for inspection by FIR filter processing, and the image for defect detection and the image data for inspection are collated with each other.例文帳に追加

また、パターンデータ処理部４０で、マスクの設計に用いたパターンデータにＦＩＲフィルタ処理を行って検査用画像データに変換し、欠陥検出用画像と検査用画像データとを照合する。 - 特許庁

A correction means 22 compares the exposure pattern 32 calculated by the calculation means 21 and the design data 30 with each other to correct the mask pattern data 31 generated by the generation means 20.例文帳に追加

補正手段２２は、算出手段２１によって算出された露光パターン３２と、設計データ３０とを比較し、作成手段２０によって作成されるマスクパターンデータ３１を補正する。 - 特許庁

To provide a design method of mask pattern that can be simply corrected without increasing a chip area so as not to deform a circuit pattern on a film for forming a surface layer side circuit due to a level difference of a substrate side circuit.例文帳に追加

表層側回路を形成する為の膜上の回路パターンが、基板側回路の段差に起因して変形しないように、チップ面積を増大させることなく、簡易に補正することが出来るマスクパターンの設計方法の提供。 - 特許庁

To erase an unwanted pattern (for example, a side lobe or the like) formed together with a resist pattern by increasing its thickness, whereby it is attempted to reduce a load on an exposure mask design and enlarge a focal depth.例文帳に追加

レジストパターンと共に形成される不要なパターン（例えば、サイドローブなど）を厚肉化させて消去することにより、露光マスク設計への負担軽減及び焦点深度の拡大を図る。 - 特許庁

To provide an exposing system which can predict the quantity of exposure enough to form a resist pattern having a line width equivalent to a design value even if there is any manufacturing error in the line width of a mask pattern.例文帳に追加

マスクパターンの線幅が製造誤差を有する場合も、設計値と等しい線幅を有するレジストパターンを形成可能な露光量を予測する露光システムを提供する。 - 特許庁

To provide a means for detecting the failure of a circuit pattern accurately with high speed by comparing the pattern, formed on a photo mask or a wafer, with design data.例文帳に追加

フォトマスクやウエハ上に形成されたパターンを、設計データとの比較により、回路パターンの欠陥を精度良く、かつ高速に検出する手段の提供。 - 特許庁

An element shape pattern which is formed every working partition of a print mask material 60 is specified based on working shape data relating a kind, a dimension and a forming position on the print mask material 60 of a working shape which composes a working pattern incorporated in design data (garber data) of the working pattern formed in the print mask material 60.例文帳に追加

印刷マスク材６０に形成する加工パターンの設計データ（ガーバーデータ）に含まれる該加工パターンを構成する加工形状の種類、寸法及び印刷マスク材６０上での形成位置に関する加工形状データに基づいて、印刷マスク材６０の各加工区画ごとに形成する要素形状パターンを特定する。 - 特許庁

To provide a practicable method for setting a design margin of mask patterns which determines the cross relations of the design margin, dimensional errors and superposition errors while studying an actual semiconductor process, a method for setting pattern accuracy and a method for setting the design margin of wafer patterns.例文帳に追加

実際の半導体プロセスを検討しながら、設計マージン、寸法誤差、重ね合わせ誤差の相互関係を求める実用的なマスクパターンの設計マージン設定方法、パターン精度設定方法およびウェハパターンの設計マージン設定方法の提供。 - 特許庁

In this process, a defect is detected by comparing a basic inspection image obtained from the basic pattern formed in the basic pattern region of the mask for inspection of pattern defect detection sensitivity with a defect reference image produced by image processing based on the design data of the defect pattern.例文帳に追加

この際、パターン欠陥検出感度検査用マスクの基本パターン領域に形成された基本パターンから取得した基本検査画像と、欠陥パターンの設計データを基に画像処理により生成した欠陥参照画像とを、比較して欠陥を検出する。 - 特許庁

A divided print mask (corresponding to a conventional frame mold or pattern paper of printing) every color is prepared from trace data of a design and divided print images obtained by applying the divided print mask to colors (displayed on a color coordinating table 12) used for printing are overlapped and the resultant printing image 18 is displayed on a screen.例文帳に追加

図案のトレースデータから色毎の分版マスク（従来の捺染の型枠又は型紙に相当）を作成し、捺染に使用する色（配色テーブル１２に表示）に分版マスクを適用して成る分版イメージを重畳することにより得られる捺染イメージ１８を画面に表示する。 - 特許庁

In the method of manufacturing an exposure mask which is used to perform pattern exposure with a high resolution by shifting the phase of light transmitting both sides in the line width direction of a mask pattern, high-precision patterns requiring line width precision and high-resolution patterns requiring pattern exposure with high resolution are extracted from gate patterns (design patterns) (S2).例文帳に追加

マスクパターンの線幅方向両側を透過する光の位相をシフトさせることで高解像度のパターン露光を行う際に用いられる露光マスクの作製方法であって、ゲートパターン（設計パターン）の中から、線幅精度が要求される高精度パターンと、高解像度でのパターン露光が要求される高解像度パターンとを抽出する（Ｓ２）。 - 特許庁

To provide a design pattern capable of evaluating depending on the design conditions at a level requiring phase shift mask and a light proximity effect in manufacture a circuit of a wafer following the advanced microminiaturization of circuit wirings.例文帳に追加

回路配線の微細化が進み、ウエハの回路作製に光近接効果と同補正を必要とし、位相シフトマスクの使用を必要とするレベルにおいて、設計条件に対応し且つ実用レベルで評価できるテスト設計パタンを提供する。 - 特許庁

An exposure evaluation mask M includes first regions a1, a3, a5, etc. having pattern based on a design value, and second regions a2, a4, etc. adjoining to the first regions and giving deviation of an exposure amount with respect to the design value.例文帳に追加

露光評価用マスクＭａは、設計値に基づくパターンを有する第１の領域ａ１，ａ３，ａ５，・・・と、第１の領域に隣接して、設計値に対して露光量のずれを与えるパターンを有する第２の領域ａ２，ａ４，・・・と、を有する。 - 特許庁

A process of forming the pattern 5 on the substrate 6 is simulated on the basis of the design data of the mask patterns 3, 4 formed on at least one of the masks 1, 2.例文帳に追加

少なくとも１枚のマスク１，２に形成されているマスクパターン３，４の設計データに基づいて基板６上にパターン５を形成するプロセスのシミュレーションを実行する。 - 特許庁

To provide a technology by which the alternation of a layout pattern from the production side is made unnecessary, the design time can be shortened and the yield can be improved in the method for forming a mask.例文帳に追加

マスクの形成方法において、製造側からのレイアウトパターンの変更をなくし、設計工期を短縮するとともに歩留まりの向上を図ることができる技術を提供する。 - 特許庁

A conversion difference D1 is calculated which indicates a difference between a measured value of a width W3 of a pattern 45a of a mask layer 45 formed on a diffraction grating layer 41 and a design value of the width.例文帳に追加

回折格子層４１の上に形成されたマスク層４５のパターン４５ａの幅Ｗ３の測定値とその設計値との差を示す変換差Ｄ１を算出する。 - 特許庁

To obtain a radiation-sensitive resin composition capable of faithfully reproducing a design size of a mask pattern even by proximity exposure and forming a spacer for a display panel excellent in strength, heat resistance, etc., required for the spacer.例文帳に追加

プロキシミティー露光によってもマスクパターンの設計サイズを忠実に再現でき、かつスペーサーとして必要な強度、耐熱性等に優れた表示パネル用スペーサーを形成しうる感放射線性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

By making a pattern design using this configuration, without using spare cells, the logic correction after making the mask can be made only by the change of the wiring layer.例文帳に追加

この構成でパターン設計を行うことにより、予備のセルを使うことなく、マスク作成後の論理修正を配線層のみの変更で行うことが可能となる。 - 特許庁

A test mask having a plurality of test patterns is produced (S1, S5) by changing shapes and layouts according to the shape and layout of a design pattern.例文帳に追加

設計パターンの形状および配置状態に応じて形状および配置状態を変化させた複数のテストパターンを備えたテストマスクを作製する（Ｓ１，Ｓ５）。 - 特許庁

Further, whether the patterns after the synthesis satisfy the prescribed mask pattern design rule or not is checked and if the rule is not satisfied, the patterns are properly corrected.例文帳に追加

さらに、前記グループ化後、および合成後のパターンが所定のマスクパターン設計ルールを満たしているか否かをチェックし、満たしていない場合は適宜修正する。 - 特許庁

A plurality of cell libraries are laid to design a mask pattern and the correction amount by the OPC applied to the cell library is changed by considering the influences of cell library patterns laid in the periphery.例文帳に追加

複数のセルライブラリを配置してマスクパターンを設計し、セルライブラリに施されたＯＰＣの補正量を、周囲に配置したセルライブラリのパターンの影響を考慮して変化させる。 - 特許庁

The simulate pattern is compared with a pre-OPC design layout obtained in a process 218 (process 220) to determine whether the manufactured mask demonstrates the desired patterning performance (process 222).例文帳に追加

シミュレートパターンを工程２１８で得られたプレＯＰＣ設計レイアウトと比較し（工程２２０）、所望のパターニング性能を発揮するかどうかを判定する（工程２２２）。 - 特許庁

To provide a photosensitive coloring composition with which no scum (floating residue) is produced on a pixel, and a highly precise pattern comforming to a mask design is formed with high sensitivity, and which is also excellent in adhesion strength to a substrate and so on.例文帳に追加

本発明は、画素上にスカム（浮きかす）が発生することがなく、高感度でかつマスク設計通りの高精細なパターンを形成でき、基板との密着強度等にも優れた感光性着色組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device to reduce the time required for verifying DRC (design rule check) while improving reliability in a mask pattern data subjected to optical proximity correction, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

光近接効果補正したマスクパターンデータについて信頼性を向上させつつＤＲＣの確認に要する時間を短縮する半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To remarkably reduce the time required for verification by previously estimating and detecting a problematic portion in a pattern shape exposed on a wafer for fine design data before mask formation.例文帳に追加

微細な設計データに対して、ウエハ上に露光されたパターン形状で問題となり得る箇所について、予めマスク作成前に予測・検出し、検証に必要な時間を大幅に短縮化する。 - 特許庁

In this method of creation, since the same mask pattern is exclusive-ORed twice, original data is restored; and an original design image is displayed on the completed QR code image.例文帳に追加

この作成方式によれば、同一マスクパターンの排他的論理和が２回とられるので元データが復元され、完成したＱＲコード画像上に元のデザイン画像が表示される。 - 特許庁

And, for an error at a position regarded as non-problematic (because of line width equal to or greater than required width) on a mask or a substrate due to roundness of corner part among errors caused by the correction pattern, the design device determines that the error is a pseudo error.例文帳に追加

そして、設計装置は、補正パターンによるエラーのうち、コーナー部の丸まりによりマスク上又は基板上において問題とならない（線幅が規定以上となる）箇所のエラーは、疑似エラーと判定する。 - 特許庁

The exposure data forming method comprises steps of arranging patterns inside a block so as to satisfy a pattern size and an inter-pattern distance determined by a design rule, of forming data for manufacturing a block mask mounted with the block, and of extracting a pattern layout satisfying the pattern size and inter-pattern distance of the block from layout data concerning semiconductor integrated circuits to form wafer manufacturing exposure data.例文帳に追加

露光データ生成方法は、設計規則で定められるパターンサイズ及びパターン間距離を満たすようにパターンをブロックの内部に配置し、該ブロックを搭載したブロックマスク製造用露光データを生成し、該ブロックの該パターンサイズ及び該パターン間距離を満たすパターン配置を半導体集積回路のレイアウトデータから抽出してウエハ製造用露光データを生成する各段階を含む。 - 特許庁

The mask patterns meeting circuit design and eventually the resist patterns are obtained with good accuracy without appearance of the degradation in the accuracy of the pattern accuracy in the etching by a difference in the aperture ratios occurring in a so called loading effect at the chip pattern.例文帳に追加

これらのこと等により、いわゆる局所的なローディング効果を原因とした開口率の違いによるエッチング時のパターン精度低下がチップパターンに現れることなく、回路設計に応じたマスクパターンひいてはレジストパターンが精度良く得られる。 - 特許庁

Specifically, a dual damascene structure corresponding to a design pattern figure can be formed by means of one exposure, development and etching step using a high resolution gray scale mask, which reduces a production process of a dual damascene structure and enhances the pattern accuracy.例文帳に追加

具体的には、高分解能グレーマスクを用いて、１回の露光、現像及びエッチング工程により、設計パターン形状に対応したデュアルダマシン構造を形成可能とし、デュアルダマシン構造の作製工程の短縮化及びパターン精度を向上させる。 - 特許庁

The performance of the printing using the screen mask can enhance the wrap-around property of paste even on the same condition as the conventional printing condition, without changing a paste material or the printing condition, and can bring about the high-precision pattern 5 faithful to the design pattern 4.例文帳に追加

斯かるスクリーンマスクを使用した印刷を行うことにより、ペースト材料や印刷条件を変更することなく、従来の印刷条件と同じ条件でもペーストの回り込み性を向上させ、設計上のパターン４に忠実な高精度なパターン５を得ることが出来る。 - 特許庁