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n is aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19398



例文

In the step 102, the digital sound wave signal S(n) is multiplied by a rectangular-wave window function W(n), to thereby limit the time, and a one-cycle first-wave digital sound wave signal SW(n)=S(n)×W(n) is cut out.例文帳に追加

次のステップ102において上記デジタル音波信号S(n)に矩形波の窓関数W(n)を掛けて時間を限定し、1サイクル分の第1波のデジタル音波信号SW(n)=S(n)×W(n)を切り出す。 - 特許庁

The signal source is provided with a 1:N frequency divider (6) connected to the local oscillator, the frequency divider supplies two orthogonal square wave signals (Id and Qd) of a frequency Fo/N and here, the N is equal to 2 orn and the (n) represents an integer.例文帳に追加

この信号源は:局部発振器に接続された1:N分周器(6)を備え、この分周器は周波数fo/Nの2つの直交方形波信号(Id、Qd)を供給し、ここで、Nは2もしくは4×nに等しく、nは整数を表す。 - 特許庁

An electric charge generated in each pixel part P_m, n is input in an integration circuit S_n passing through wiring L_o, n for reading, and a voltage value output from the integration circuit S_n is output via a holding circuit H_n according to its amount of electric charge.例文帳に追加

各画素部P_m,nで発生した電荷は読出用配線L_O,nを通って積分回路S_nに入力され、その電荷量に応じて積分回路S_nから出力された電圧値は保持回路H_nを経て出力される。 - 特許庁

The echo number n is assigned to sampling points using the determined function func_n(ky, kz), and a data acquisition region R_acq is divided into n_max pieces of regions by a plurality of curved lines.例文帳に追加

決定した関数func_n(ky,kz)を用いてサンプリング点にエコー番号nを割り当てていき、データ収集領域R_acqを複数の曲線でn_max個の領域に分割する。 - 特許庁

例文

The postal code is a six-character, uniformly structured alphanumeric code in the form of ANA NAN where "A" represents an alphabetic character and "N" represents a numeric character. 例文帳に追加

郵便番号は六文字で表され、ANA NAN 形式となります。 "A" はアルファベット、そして"N" は数字です。 - PEAR


例文

A monitoring part 31 measures a shift concerning the number N of users and a traffic amount T after a campaign is launched.例文帳に追加

監視部31は、キャンペーン実施後のユーザ数Nおよびトラヒック量Tの推移を計測する。 - 特許庁

m and n are a natural number and A is set to A=Ps/Po(Po2-Ps2)1/2.例文帳に追加

但し、m、nは自然数、A=Ps/Po(Po^2-Ps^2)^1/2とする。 - 特許庁

Electrodes 1, 2, 3 for applying n-phase AC voltage, where n is at least 2, are arranged on a specimen table 9, and a circuit for applying the n-phase AC voltage is arranged.例文帳に追加

試料台9に、n=2以上のn相交流電圧を印加する電極1、2、3を設け、n相交流電圧を印加する回路を設ける。 - 特許庁

R-O-(C_3H_6O_2)_n-H (I) [wherein, R is a 6-22C hydrocarbon group; and (n) is a number of 1 to 7].例文帳に追加

R−O−(C_3H_6O_2)_n−H (I)(式中、Rは炭素数6〜22の炭化水素基を、nは1〜7の数を示す。) - 特許庁

例文

This self-luminous display device 10 is provided with a display panel 20 comprising N lines (N is a natural number) of scanning lines X_1 to X_N.例文帳に追加

この自己発光型表示装置10は、N本(Nは自然数)の走査線X_1〜X_Nを有する表示パネル20を備える。 - 特許庁

例文

The integer number M is preferably set to be a value except a value of (N×n+1) ('n' is an integer number not less than 1).例文帳に追加

この整数Mは、(N×n+1)以外の値(nは1以上の任意の整数)に設定されていることが好ましい。 - 特許庁

Data on a plurality of positions (node points) Nd[n] on a road is acquired, and the degree of curvature Rc[n] of the road in each node point Nd[n] is calculated.例文帳に追加

道路上の複数の位置データ(ノード点)Nd[n]が取得され、各ノード点Nd[n]における道路の屈曲度Rc[n]が演算される。 - 特許庁

And, an estimated error e (n) which is a difference between the estimated current value x (n) and a current feedback value i (n) FB is calculated.例文帳に追加

そして、推定電流値x(n)と電流フィードバック値i(n)FBとの差である推定誤差e(n)を求める。 - 特許庁

In such a case, a state of N-bit data transmitted just before is kept as it is for invalid data (N-N/m bits).例文帳に追加

この際、無効データ(N-N/Mビット)は、直前に送信したNビットデータの状態をそのまま保持する。 - 特許庁

The positions at which slits 15 are disposed in open state are set to the positions distant from the closed end of the antenna 12 by n×λg/2 (n is integer, n≥0 and λg is a wave length of a microwave propagating in antenna).例文帳に追加

また、スリット15,15,…の開設位置は、導波管型アンテナ部12の閉塞した端部からn・λg/2の位置に定めてある。 - 特許庁

In a step S17, an SOH^n is calculated by using the updated F^n(t); and in a step S19, an SOC^n is calculated.例文帳に追加

更新されたF^n(t)を用いてステップS17でSOH^nを算出し、ステップS19でSOC^nを算出する。 - 特許庁

Digital image data of n-bit is converted to n+m-bit by a γ compensation table and is displayed by using the D/A converter of n+m-bit.例文帳に追加

nビットのデジタル画像データをγ補正テーブルでn+mビットに変換し、n+mビットのD/Aコンバータを用いて表示する。 - 特許庁

The control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (13) or the control command of the program access (PGN#n) is issued in a step (14).例文帳に追加

そしてステップ〔13〕でプログラムアクセス(PGN #n)の制御指令が発行されるか、ステップ〔14〕でプログラムアクセス(PGN #1)の制御指令が発行される。 - 特許庁

If n is omitted, it defaults to zero.The result is a floating point number. 例文帳に追加

n が省略されると、標準の値はゼロになります。 結果は浮動小数点数です。 - Python

Packs a fixed length string, s. n is the length of the string but it is not packed into the data buffer.例文帳に追加

n は文字列の長さですが、この値自体はデータバッファにはパック されません 。 - Python

The signal to noise ratio (S/N) of the line is computed and is used to select the optimum speed for communication from a table. 例文帳に追加

回線のS/N比が計算され、表から最適な通信速度を選択するために用いられる。 - 特許庁

The PLL circuit (7) is connected to (n) ((n) is a positive number) general ICs (8-1 to 8-n).例文帳に追加

PLL回路(7)は、n個(nは正数)の汎用IC(8−1〜8−n)に接続されている。 - 特許庁

When a contents ID is (n), an n-th bit from the head of the receiving-confirming file 11 is taken as '1'.例文帳に追加

コンテンツIDがnの場合、受信確認ファイル11の先頭からnビット目を「1」とする。 - 特許庁

When an FET is identified, a P/N ratio is calculated for every possible input combination.例文帳に追加

FETが識別されると、可能性のある全ての入力の組合せについてP/N比が計算される。 - 特許庁

This motor is an n-phase motor (n is a natural number, except for multiples of 3).例文帳に追加

本発明によるモータは、n相モータ(nは3の倍数を除く自然数)である。 - 特許庁

When the slave device #n is in a standby state (S274: YES), picto of the slave device #n is lit on (S276).例文帳に追加

子機#nが待機状態にあれば(S274:YES)、子機#nのピクトを点灯する(S276)。 - 特許庁

To provide a magneto-optical recording medium which is high in S/N (C/N) and is overwritable.例文帳に追加

S/N(C/N)の高い、オーバーライトが可能な光磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

In the concentration measuring apparatus, the concentration of liquid is calculated from a brix value obtained from an expression: brix value = measured brix value-pressure value (MPa)/N, where N is 5-15.例文帳に追加

ブリックス値=測定ブリックス値−圧力値(MPa)/N・・・(1式)Nは5〜15 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor laser wherein an n-n connection is prevented from being made between an n-type InP clad layer or an n-type InP contact layer and an n-type InP block layer so as to reduce a leakage current.例文帳に追加

n型InPクラッド層またはn型InPコンタクト層と、n型InPブロック層との間でn−n接続が起こるのを防いで、リーク電流を低減することのできる半導体レーザの製造方法を提供する。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and then a prediction current ide(n+2) and idq(n+2) are calculated in step S14 while using a subsequent voltage vector V(n+1) as the present voltage vector V(n).例文帳に追加

ステップS10において電圧ベクトルV(n)を出力した後、ステップS14において、次回の電圧ベクトルV(n+1)を今回の電圧ベクトルV(n)として、予測電流ide(n+2),idq(n+2)を算出する。 - 特許庁

A thyristor type VCSEL 2 having an N-P-N-P structure has a structure in which a tyristor having the N-P-N-P structure is held by N-type and P-type Bragg reflectors (DBR) 26, 28.例文帳に追加

npnp構造のサイリスタ型VCSEL20は、npnp構造のサイリスタをn型およびp型のブラッグ反射器(DBR)26,28で挟んだ構造のものである。 - 特許庁

To provide a technique capable of analyzing a characteristic of an impulse response {h_n} even when the impulse response {h_n} is long in addition to {x_n} by using a small-scale arithmetic unit (normal-scale personal computer etc.).例文帳に追加

小規模な演算装置(通常規模のパソコン等)を用いて、{x_n}に加えてインパルス応答{h_n}が長い場合でも、そのインパルス応答特性を解析可能な技術を提供すること。 - 特許庁

A deep N-well 4 is formed in a memory cell Tr 50 region of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板1のメモリセルTr50領域には、ディーフ゜Nウェル4が形成されている。 - 特許庁

Further, a computed value of A_n is output as a DC error signal S_n of the input signal.例文帳に追加

さらに、演算したA_nの値を、入力信号のDC誤差信号S_nとして出力する。 - 特許庁

A memory cell stores a plurality of data by threshold voltage of an n value (n is a natural number ≥2).例文帳に追加

メモリセルは、n値(nは2以上の自然数)の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

A memory cell MC stores a plurality of bits data by threshold levels 1, 2... n (n is a natural number).例文帳に追加

メモリセルMCは、閾値レベル1、2…n(nは自然数)により、複数ビットのデータを記憶する。 - 特許庁

The positive electrode is composed of a positive electrode active material or the like such as, for example, a metal oxide and a graphite fluoride ((CF)_n).例文帳に追加

正極は、例えば金属酸化物やフッ化黒鉛((CF)_n)などの正極活物質などからなる。 - 特許庁

An oscillation part 11 generates a signal of a frequency n×f which is an n-multiple of a target frequency (f).例文帳に追加

発振部11は、目的とする周波数fのn倍の周波数n・fの信号を生成する。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is composed of a heavily-doped n-type layer 2 and a lightly-doped n-type layer 3 on it.例文帳に追加

半導体基板1は高濃度n型層2とその上の低濃度n型層3からなる。 - 特許庁

R^1 is an alkyl or a halogen atom, n is 3-5 in each formulae.例文帳に追加

各式中、R^1 はアルキル、ハロゲン、nは3〜5。 - 特許庁

M is H or a cation, n is 1 or 2.例文帳に追加

Mは水素原子またはカチオン、nは1もしくは2である。 - 特許庁

When N is set as a positive integer, D=Nλ/2 is satisfied.例文帳に追加

またNを正の整数としたとき、D=Nλ/2を満たす。 - 特許庁

That is, the term with respect to the Q(tn) is a vibration term.例文帳に追加

すなわち、Q(t_n)に関する項は振動項となる。 - 特許庁

An n+ cathode layer 32 is formed on one surface of an n-layer 31, and a cathode electrode 33 is formed on the n+cathode layer 32.例文帳に追加

n- 層31の一方の表面にn+ カソード層32が形成され、n+ カソード層32上にカソード電極33が形成されている。 - 特許庁

An n-type semiconductor is epitaxially grown on an n-type low resistance substrate 1 and a trench is formed on the n-type semiconductor.例文帳に追加

n型低抵抗基板1の上にn型半導体をエピタキシャル成長させ、そのn型半導体にトレンチを形成する。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor region 8C is formed by introducing an n-type impurity ion into a region that is adjacent to the n-type semiconductor region 8B.例文帳に追加

続いて、n型半導体領域8Bと隣接する領域にn型の不純物イオンの導入によりn型半導体領域8Cを形成する。 - 特許庁

A diode is formed by the p+ area 2, the n+ area 3, an n- substrate area 1 which is between the p+ area 2 and the n+ area 3.例文帳に追加

このp^+ 領域2とn^+ 領域3およびp^+ 領域2とn^+ 領域3に挟まれたn^- 基板領域1で、ダイオードが形成される。 - 特許庁

An n-type semiconductor 22 is formed on the surface of an n-type silicon substrate 21, and a mask oxide film is formed on the surface of the n-type semiconductor 22.例文帳に追加

n型シリコン基板21の表面にn型半導体22を形成し、n型半導体22の表面にマスク酸化膜を形成する。 - 特許庁

When sound recording mode is selected, the sound is picked up by microphones MICh1, MICh2, MICh3, and sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) are stored in a storage part 3.例文帳に追加

録音モードが選択されると、マイクロホンMICh1,MICh2,MICh3による収音が行われ、音声データShm1(n),Shm2(n),Shm3(n)が記憶部3に記憶される。 - 特許庁

例文

When Y(n) is determined to be zero, the equalizer adjusts the stored correction value D(n) by a predetermined value Δ based on whether X'(n) is positive or negative.例文帳に追加

Y(n)が0であると判定された時、等化器は、X’(n)が正か負かに基づいて、記憶されている補正値D(n)を所定値Δだけ調節する。 - 特許庁

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