「n is a」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A Ti/Al electrode 105 is formed on the AlGaN layer 103.例文帳に追加

またn型AlGaN層103上にはTi/Al電極105が形成されている。 - 特許庁

However, a bit length of the coefficient Q_HV is N_HV.例文帳に追加

但し量子化係数Ｑ_HVのビット長はＮ_HVである。 - 特許庁

To provide a vortex flowmeter of which the S/N ratio is enhanced.例文帳に追加

Ｓ／Ｎ比が向上された渦流量計を提供する。 - 特許庁

A trench 14 is formed on an N-type semiconductor layer 12.例文帳に追加

Ｎ−型半導体層１２にトレンチ１４を形成する。 - 特許庁

The urine receptacle N is provided with a deformable base member 1.例文帳に追加

受尿具Ｎは変形可能な基部材１を備えている。 - 特許庁

At the point of time t6, N-th music is dubbed to a tape.例文帳に追加

時点ｔ6でＮ番目の曲をテープにダビングする。 - 特許庁

Preferably, width m is a multiple of width n.例文帳に追加

好ましくは、幅ｍは幅ｎの複数倍である。 - 特許庁

A blocking plate H for blocking the water intake hole n is arranged.例文帳に追加

そして、取水穴ｎを塞ぐ閉塞板Ｈが配される。 - 特許庁

The frequency division ratio (N) is generated via a control circuit (15).例文帳に追加

分周比（Ｎ）は、制御回路（１５）を介して生成される。 - 特許庁

A parallel p-n structure is formed by this processes.例文帳に追加

ここまでのプロセスで、並列ｐｎ構造が形成される。 - 特許庁

A depletion layer is generated only in the N-InAsP window layer 4.例文帳に追加

空乏層は、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４内のみに発生する。 - 特許庁

A factor (n) relating to weighing is computed (204).例文帳に追加

重み付けに関する係数ｎを演算する（204）。 - 特許庁

The sounder 27 is rotatable around a virtual axis N.例文帳に追加

打診子２７は、仮想軸線Ｎの周りに回転自在である。 - 特許庁

A p-type well 22 is arranged on an n-type substrate 21.例文帳に追加

Ｎ型基板２１上に、Ｐ型ウエル２２が配置される。 - 特許庁

In the Formula (2), n is a natural number of 1 to 18.例文帳に追加

（１） ｎは１〜１８の自然数（２） - 特許庁

A wiring layer 11 is connected to the n^- region 1.例文帳に追加

配線層１１は、ｎ^-領域１に接続されている。 - 特許庁

Among test data, wherein yi is an undefined value, a class yNNtest(i) of a data NNtest(i) is not an undefined value, and the data NNtest(i) is correctly leaned, a test data iB for providing a minimum d(i, NNtest(i)) is found out (Step 2).例文帳に追加

yiが未定義値でかつデータN Ntest(i)のクラスy_N Ntest(i_)が未定義値でなく、かつN Ntest(i)が正しく学習されているテストデータの中で、最小のd(i, N Ntest(i)）を与えるテストデータi_Bを見つける（ステップ３）。 - 特許庁

In the N-type well, a PMOS region is formed.例文帳に追加

Ｎ型ウェル内には、ＰＭＯＳ領域が形成されている。 - 特許庁

A quaternary benzomorphan compound is a quaternary salt of a compound selected from a group consisting of N-methylnaltrexone, N-methylnaloxone, N-methylnalorphine, N-diallylnormorphine, N-allyllevallorphan and N-methylnalmefene.例文帳に追加

第四級モルフィナン化合物は、Ｎ−メチルナルトレキソン、Ｎ−メチルナロキソン、Ｎ−メチルナロルフィン、Ｎ−ジアリルノルモルフィン、Ｎ−アリルレバロルファン、及びＮ−メチルナルメフェンからなる群から選択される化合物の第四級塩。 - 特許庁

A monomer which emits light in a visible region upon excitation is represented by formula: M^n+(L)^n-(CL)_x, wherein n+ represents a valency of M, and (L) represents anion ligands having a total n- valent of 1 or 2 or more and at least one of the ligands has formula: Ch-X-Y.例文帳に追加

励起によって可視領域で発光する、次の一般式で表されるモノマーであって、(化１)Ｍ^n+（Ｌ）^n-（ＣＬ）_x、ｎ+は、Ｍの価数を表し、（Ｌ）は、１又は２以上の総計ｎ−価を有するアニオンリガンドを表し、前記リガンドの少なくとも１つは次の式を有する。 - 特許庁

The phase error detecting circuit 7 is provided with a computing element computing a ratio C_n (=A_n/2/B_n) of the sum A_n and the difference B_n of signal levels X_n, X_n-1 in continuous two sampling positions (n), (n-1) of an input signal.例文帳に追加

位相誤差検出回路７は、入力信号の連続する２つのサンプリング位置ｎ，（ｎ−１）における信号レベルＸ_ｎ、Ｘ_ｎ−１について、それらの和Ａ_ｎと差Ｂ_ｎの比Ｃ_ｎ（＝Ａ_ｎ／２／Ｂ_ｎ）を演算する演算器を備える。 - 特許庁

A delay unit 2 and an adaptive filter 3 delay a microphone input signal y(n) to generate a sine component b(n)=sin(ω0*t+θ'+θ") delayed from the howling component sin(ω0*t+θ) by 2nπ and a subtractor 4 is used to subtract the component bn from the microphone input signal y(n) to suppress the howling.例文帳に追加

マイク入力信号ｙ(n)を遅延器２と適応フィルタ３により遅延して、ハウリング成分sin(ω0*t+θ)より２ｎπだけ遅延したsin成分(ω0*t+θ'+θ")＝ｂ(n)を生成し、これを減算器４によりマイク入力信号ｙ(n)から差し引くことによりハウリングを抑制する 。 - 特許庁

The calculating portion 14 determines an average value I0(n) of use times Δt(n-Δn+1) to Δt(n) of a plurality of pieces Δn of nearest replaced components A(i) (i=1 to n), that is, the components A(n-Δn+1) to A(n).例文帳に追加

演算部１４は、交換された部品Ａ（ｉ）（ｉ＝１〜ｎ）のうち直近の複数個Δｎ、すなわち部品Ａ（ｎ−Δｎ＋１）〜Ａ（ｎ）の、それぞれの使用期間Δｔ（ｎ−Δｎ＋１）〜Δｔ（ｎ）を用いてそれらの平均値Ｉ０（ｎ）を求める。 - 特許庁

In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加

n型クラッド層（１０３）と、ＭＱＷ活性層（１０５）と、p型クラッド層（１０６）とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層（１０３）中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層（１０４）を設ける。 - 特許庁

A memory cell of (n) bits in which an address is specified for each plurality of (n) bits unit is sectioned for each n/k (k:2 or more), selected successively every n/k bits, output data of the selected memory cell of the n/k are discriminated by sense amplifiers of n/k pieces, and outputted in serial as read-out data.例文帳に追加

複数ｎビット単位でアドレス指定されたｎビットのメモリセルを、ｎ／ｋ（但し、ｋは２以上）ずつに区分して、ｎ／ｋビットずつ順次選択し、選択された前記ｎ／ｋのメモリセルの出力データをｎ／ｋ個のセンスアンプで判定し、読み出しデータとしてシリアルに出力する。 - 特許庁

When a sample stage 2, which is a positioning target, reaches N that is a target address, the target address is changed to (N+1), and then control to return the target address to N is repeated, when the target reaches (N+1).例文帳に追加

位置決め対象である試料ステージ２が目標アドレスであるＮに達したときに、目標アドレスを（Ｎ＋１）に変更し、その後、対象が（Ｎ＋１）に達したとき、目標アドレスをＮに戻す制御を繰り返し行うようにする。 - 特許庁

The driving method includes: turning on gate lines on the N-th row; closing a switch, so that charges of gate lines on two rows are neutralized and a gate ON voltage of gate lines on the N-th row is reduced to a secondary ON voltage for gates; and turning off gate lines on the N-th row.例文帳に追加

駆動方法は、N行目のゲートラインをオンさせ、スイッチをターンオンして、二つの行のゲートラインでの電荷が中和されて、N行目のゲートラインでのゲートオン電圧をゲート第2レベルオン電圧に引き下げ、N行目のゲートラインをオフさせる。 - 特許庁

A boring hole 2 is excavated in the ground, and a sampling tube 6 is provided with a mark thereon showing the N-pole on the ground, and plunged into the boring hole bottom, while keeping a state where the mark agrees with the N-pole direction, and the soil is filled into an internal space 7.例文帳に追加

地中にボーリング孔２を掘削し、サンプリング管６には地上でのN極となる目印を設け、該目印をN極方向に一致させた状態を保ちつつボーリング孔底に押し込んで内部空間７に土を充填する。 - 特許庁

When the N pole (N_1) of a magnet 9b is opposed to the inner peripheral surface 15 of the member 14, the N poles (N_a, N_b and N_c) magnetized on the inner peripheral surface 15 of the member 14 and the N pole (N_1) of the magnet 9b are not opposed in parallel.例文帳に追加

磁気シール部材１４の内周面１５に磁石９ｂのＮ極（Ｎ_１）が対向した場合、磁気シール部材１４の内周面１５に着磁されたＮ極（Ｎ_ａ、Ｎ_ｂ、Ｎ_ｃ）と、磁石９ｂのＮ極（Ｎ_１）は平行に対向しない。 - 特許庁

A CPU determines whether box groups in two adjacent columns X_n and X_n+1 are in a column-matching condition in which blanks or row-oriented lines are displayed in corresponding boxes in Step ST2, and if the column-matching condition is met, deletes all the boxes in the column X_n in Step ST3.例文帳に追加

ＣＰＵは、ステップＳＴ２で、隣り合うＸ_n、Ｘ_n+1の２列のボックス群の互いに対応するボックスにそれぞれ空欄または行方向の線路が表示される列同一状態にあるかを判断し、列同一状態にある場合はステップＳＴ３でＸ_nの列のボックス全てを削除する。 - 特許庁

If the vehicle speed is equal to or greater than a specific value N (specific value N ≤ vehicle speed), a steps S60 is started in which the washer solution ejection output value is set so that an output of the amount or pressure of ejection of the washer solution is maximized.例文帳に追加

車速が規定値N以上の時（規定値N≦車速）はステップＳ６０に移行して、ウオッシャ液の噴射量乃至噴射圧の出力が最大になるようにウオッシャ液の噴射出力値が設定される。 - 特許庁

In a coding method, a (2N-1)st original block of m bits is encoded as an A type weighted block of n bits and a 2Nth original block of m bits is encoded as a B type weighted block of n bits.例文帳に追加

符号化方法において、mビットの(2N−1)番目オリジナルブロックがnビットのAタイプ加重ブロックに符号化され、mビットの2N番目オリジナルブロックがnビットのBタイプ加重ブロックに符号化される。 - 特許庁

A difference between a brightness I_n of the pixel having the pixel number (n) and the resultant brightness I_A is found, and a square sum as to all the pixels (n=1-N_L) is found to serve as a merit function Φ.例文帳に追加

画素番号ｎの画素の輝度Ｉ_nと合成輝度Ｉ_Aとの差を求め、全ての画素（ｎ＝１〜Ｎ_L）に関して自乗和を求めメリット関数Φとする。 - 特許庁

If the n-type semiconductor substrate is defined as an emitter, the p-type impurity region is defined as a base and the n-type impurity region is defined as a collector, a DC current amplification factor hFE can be made into 100 or more.例文帳に追加

N型半導体基板；エミッタ、P型不純物領域；ベース、N型不純物領域；コレクタとする場合直流電流増幅率ｈFEを100以上とすることが可能となる。 - 特許庁

For example, supposing that the AC input current power required for one rectifier at rated output is A, the upper limit value is set to A×N+α, and the lower limit value is set to A×N×N/(N+1)+β.例文帳に追加

たとえば、定格出力時に１台の整流器に必要な交流入力電流電力をＡとすると、上限値はＡ×Ｎ＋αに、下限値はＡ×Ｎ×Ｎ／（Ｎ＋１）＋βにする。 - 特許庁

An organogermanium compound represented by the formula [(O1/2)3Ge-A-CO2H]n (n is ≥1; A is a lower alkyl group) remarkably suppresses MCP-1 receptor antagonism, e.g. chemotaxis such as monocyte which is brought about by MCP-1.例文帳に追加

［(O_1/2)_3Ge-A-CO_2H]_n（式中、n は１以上の数、A は低級アルキル基）で表される有機ゲルマニウム化合物が、MCP-1受容体拮抗作用、例えば、MCP-1により惹起される単球等のケモタキシスを顕著に抑制することを示す。 - 特許庁

When n is defined as 1≤n≤2 and a, b, and k are defined as constant numbers, then the distance t is a function of the magnification ratio m: a×(1/m-k)^n+b, and the constant numbers a, b, and k are determined at the limit point of the zoom-in and zoom-out.例文帳に追加

また、１≦ｎ≦２として、ａ、ｂ、ｋを定数として、距離ｔは、ａ×（１／ｍ−ｋ）^n＋ｂとなる倍率ｍの関数とし、ズームイン、ズームアウトの限界点で定数a、ｂ、ｋを決める。 - 特許庁

The semiconductor device is composed of an n-GaN layer 11, a p-GaN layer 12 and an n-GaN layer 13 on the n-GaN layer 11, an n^--GaN layer 14 on the p-GaN layer 12, and an n-GaN layer 21 on the n-GaN layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−ＧａＮ層１１、ｎ−ＧａＮ層１１上にｐ−ＧａＮ層１２とｎ−ＧａＮ層１３、ｐ−ＧａＮ層１２上にｎ^- −ＧａＮ層１４、ｎ−ＧａＮ層１３上にｎ−ＧａＮ層２１、で構成されている。 - 特許庁

The capacitors C_1-C_n are charged, a trigger signal is provided to the switches SW_1-SW_n and charges charged in the capacitors C_1-C_n are discharged, whereby pulse-like power energy can be supplied between the main discharge electrodes 3a and 3b.例文帳に追加

コンデンサＣ_1 〜Ｃ_n を充電し、スイッチＳＷ_1 〜ＳＷ_n にトリガ信号を与え、コンデンサＣ_1 〜Ｃ_n に充電されていた電荷を放電させることにより、主放電電極３ａ、３ｂ間にパルス状の電力エネルギーを供給することができる。 - 特許庁

An inkjet recording device is configured to use nozzles selected from nozzles positioned in a connection part of chips (N), (N+1) according to an amount of displacement between alignment positions of the chips (N), (N+1), as nozzles overlapping each other to record an image corresponding to the connection part of the chips (N), (N+1).例文帳に追加

チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に位置するノズルの中から、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）の配列位置のずれ量に応じて選定されたノズルをオーバーラップするノズルとして用いて、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に対応する画像を記録する。 - 特許庁

A component acquisition unit 32 generates a component matrix A in which component values a[m,n] per unit band σF[m] in each of unit periods σT[n] into which a sound signal X is divided on a time axis are arranged in a time axis direction and a frequency axis direction.例文帳に追加

成分取得部３２は、音響信号Ｘを時間軸上で区分した各単位期間σT[n]における単位帯域σF[m]毎の成分値ａ[m,n]を時間軸方向および周波数軸方向に配列した成分行列Ａを生成する。 - 特許庁

During an operation of a steering wheel 54, a relation in the rotation speeds N_A and N_C of the electric motors M_A and M_C on a side of outer wheels is opposite to a relation in the rotation speeds N_B and N_D of the electric motors M_B and M_D on a side of inner wheels.例文帳に追加

ハンドル５４の操作中における外輪側の電動モータＭ_AとＭ_Cの回転数Ｎ_ＡとＮ_Cの大小関係と内輪側の電動モータＭ_BとＭ_Dの回転数Ｎ_BとＮ_Dの大小関係とは、逆となっている。 - 特許庁

In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ＭＯＳゲート構造が形成されたｎ^−高抵抗層２１の下にｎバッファ層２３が形成され、このｎバッファ層２３とｐ^＋ドレイン層との相互間にｎ^＋バッファ層３１が形成されている。 - 特許庁

A byte length-classified directory 301 is provided correspondingly to each byte length, and a facility name character string whose byte length is n is stored in the byte length-classified directory 301 of the byte length n.例文帳に追加

バイト長毎に対応してバイト長別ディレクトリ３０１を設け、バイト長nのバイト長別ディレクトリ３０１には、バイト長がnである施設名文字列を格納する。 - 特許庁

The N-alkyl-chitosan derivative represented by formula (I) (wherein n is a degree of substitution of an N-alkyl group and the equation: m+n=1 is satisfied) is prepared by reacting chitosan with a benzene derivative having an aldehyde group.例文帳に追加

キトサンとアルデヒド基を有するベンゼン誘導体とを反応させて得られる式（Ｉ）で表されるＮ−アルキルキトサン誘導体を用いた。 - 特許庁