「n is a」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

A flat plate 3 is fixed to the opening of the embedded hole 13 with metal screws N and N.例文帳に追加

埋設孔１３の開口部に平板３を金属ネジＮ，Ｎでネジ止めして固定する。 - 特許庁

An n-type channel region 203 is provided inside a p well 202 on an n-type substrate 201.例文帳に追加

Ｎ型基板２０１上のＰウェル２０２内部にＮ型チャネル領域２０３がある。 - 特許庁

The number of windings of the VM coil 6 is switched to N or n by a switching circuit 7.例文帳に追加

ＶＭコイル６の巻き数は、スイッチ回路７により、Ｎまたはｎに切り換えられる。 - 特許庁

The data is stored in a state where track numbers 1 to N are divided into n groups.例文帳に追加

トラック番号の１からＮを、ｎ個のグループに区分けした状態でデータ格納する。 - 特許庁

At a step 108, an N-multiple signal of the N-phase phase-modulated signal is generated.例文帳に追加

ステップ１０８では、Ｎ相位相変調信号のＮ逓倍信号を生成する。 - 特許庁

The partial rate is first allocated, according to the S/N so as to obtain a prescribed transmission error rate.例文帳に追加

初め所定伝送誤り率を得るようS/Nに応じ部分速度を割当てる。 - 特許庁

Also, a matrix Z consisting of one line and N rows indicating the number of vehicles needed on each of the N days is created.例文帳に追加

また、Ｎ日の各日の必要車両台数を示す１行Ｎ列の行列Ｚを生成する。 - 特許庁

The n^--layer 105 has a constant impurity concentration which is lower than that of the n-layer 103.例文帳に追加

Ｎ^−層１０５は、Ｎ層１０３よりも低く、一定の不純物濃度を有している。 - 特許庁

An array list of values up to N from 1 being a definition area of an intermediate array index is introduced.例文帳に追加

中間配列indexの定義域である1からNまでの値の配列listを導入する。 - 特許庁

The multi-core processor 100 has 2^n (n is a natural number ≥2) cores.例文帳に追加

マルチコアプロセッサ１００は、２^ｎ個（ｎは２以上の自然数）のコアを備えている。 - 特許庁

As a result, it is possible to form an n/n^+/SiO_2 structure as designed in an SOI layer 10A.例文帳に追加

この結果、ＳＯＩ層１０Ａ内に設定通りのｎ／ｎ^＋／ＳｉＯ_２構造を形成することができる。 - 特許庁

A replay N having N RP2 symbols is won simultaneously with other replay having RP2 symbols less than N.例文帳に追加

Ｎ個のＲＰ２図柄を有するリプレイＮを、Ｎ個未満のＲＰ２図柄を有する他のリプレイと重複当選させる。 - 特許庁

The n electrode 4 is structured so as to have an n electrode body 6 and an electrode bump 7 formed on a surface of the n electrode body 6.例文帳に追加

ｎ電極４は、ｎ電極本体６と、そのｎ電極本体６の表面に形成された電極突起部７とを備えて構成される。 - 特許庁

On the other hand, a shallow N+ type semiconductor 3 is formed by diffusing high concentration N type impurities from one surface side of the N- type semiconductor substrate.例文帳に追加

また，Ｎ−型半導体基板の上記一方の表面側から高濃度のＮ型不純物を拡散して，浅いＮ＋型半導体を形成する。 - 特許庁

The n-th selector circuit T_n of all the selector circuits T_k is connected to an input terminal of a verification object.例文帳に追加

また、全セレクタ回路Ｔ_kのうちｎ番目のセレクタ回路Ｔ_nは、検証対象の入力端子に接続される。 - 特許庁

The 6-O-sulfated N-acetylheparosan is obtained by sulfating a primary hydroxy group of N-acetylglucosamine constituting N-acetylheparosan.例文帳に追加

Ｎ−アセチルヘパロサンを構成するＮ−アセチルグルコサミンの第１級水酸基が硫酸化された６−Ｏ−硫酸化Ｎ−アセチルヘパロサン。 - 特許庁

Consequently, the polyorganosiloxane latex having the ratio of the weight-average particle diameter (d_w) to a number- average particle diameter (d_n) of ≤2.0 is obtained.例文帳に追加

このようにして、重量平均粒子径（ｄ_w）と数平均粒子径（ｄ_n）との比（ｄ_w／ｄ_n）が２．０以下であるポリオルガノシロキサンラテックスを得る。 - 特許庁

A phase shift made through the phase shifter 18 is equivalent to λ/n (where λis oscillation wavelength, n>4), for instance, λ/8 (n=8).例文帳に追加

そして、位相シフト部１８における位相シフト量をλ／ｎ（ただし、λは発振波長、ｎ＞４）、例えばλ／８（ｎ＝８）に相当する量とする。 - 特許庁

A slider is composed of permanent magnets arranged at the interval of n/m (n and m are natural numbers to satisfy n>m≥2) of the L_EM .例文帳に追加

スライダはＬ_ＥＭのｎ／ｍ（ｎ及びｍはｎ＞ｍ≧２を満たす自然数）の間隔で配置された永久磁石で構成される。 - 特許庁

A semiconductor device 100 is formed by laminating an n^--drain layer 101, an n^+-buffer layer 102, and an n^--base layer 103.例文帳に追加

半導体装置１００は、Ｎ^−型ドレイン層１０１、Ｎ^＋型バッファ層１０２及びＮ^−型ベース層１０３を積層するように形成している。 - 特許庁

A silicon oxide film 16 is embedded in the n^--type offset layer 13 between the n^+-type source layer 14 and the n^+-type drain layer 15.例文帳に追加

ｎ+型ソース層１４とｎ+型ドレイン層１５との間のｎ-型オフセット層１３にはシリコン酸化膜１６が埋め込まれている。 - 特許庁

One pixel is formed by at least m (n≥m≥2) light sources out of n (n≥2) light sources arranged at different positions in a subscanning direction.例文帳に追加

少なくとも副走査方向に異なる位置に配置されたｎ個（ｎ≧２）の光源のうちのｍ個（ｎ≧ｍ≧２）の光源全体で一画素を形成する。 - 特許庁

N pieces of wiring lines 105, 106 to which N phases (N is a positive integer of 2 or more) of signals are supplied are located on the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

半導体基板１０１上にＮ相（ただしＮは２以上の正の整数）の信号が供給されるＮ本の配線１０５,１０６が設けられる。 - 特許庁

A clock from an oscillation part 1 is inputted to an N-multiplier 3 which multiplies the clock by 1 to N (N: natural number).例文帳に追加

発振部１からのクロックはＮ倍器３に入力され、Ｎ倍器３で１〜Ｎ倍にＮ倍（Ｎ：自然数）される。 - 特許庁

Each of the aluminum oxynitride layers is formed of an Al-O-N solid solution, an Al-O-N compound or a mixture of both of them, and AIN may additionally be mixed to it.例文帳に追加

酸窒化アルミニウム層は、Al−Ｏ−Ｎ固溶体、もしくはAl-N-O化合物もしくは両者の混合物からなり、更に、AlNを添加することもあり得る。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

ｎ^＋型のシリコンウェーハ１１ｗ上にｎ型シリコン層１２を形成し、ｎ型シリコン層１２に複数本のトレンチ１３を形成する。 - 特許庁

As the thickening agent, a polymer containing an acrylonitrile unit and -(CH_2)_n- structure (wherein, 6≤n) is used.例文帳に追加

増粘剤には、アクリロニトリル単位および−（ＣＨ_2）_n−構造（ただし、６≦ｎ）を含む重合体を用いる。 - 特許庁

The semiconductor device 300 is provided with an n^+ source region 31, an n^+ drain region 11, a p^- body region 41 and an n^- drift region 12.例文帳に追加

半導体装置３００は，Ｎ^+ ソース領域３１，Ｎ^+ ドレイン領域１１，Ｐ^- ボディ領域４１およびＮ^- ドリフト領域１２を備えている。 - 特許庁

A deep N+ type region 14 is formed in an N- type layer 13b to reach an N+ type layer 13a.例文帳に追加

Ｎ−型層１３ｂに、Ｎ＋型層１３ａに達するようにディープＮ＋型領域１４が形成されている。 - 特許庁

In order to get a contact with an n-side electrode 29, both sides of the stripe geometry is removed to the middle of the n-GaN buffer layer 13.例文帳に追加

ｎ側電極29とのコンタクトをとるために、ストライプの両側をn-GaNバッファ層13の途中まで除去する。 - 特許庁

The yoke 113 has n/m number of pole tooth 115 in an angle range θ of 360°/m where (m) is a divisor of (n) except 1 and (n).例文帳に追加

ヨーク１１３は、３６０°／ｍ（ｍは１及びｎを除くｎの約数）の角度範囲θ内にぞれぞれｎ／ｍ個の極歯１１５を有する。 - 特許庁

(In the formulae, Ph is a benzene ring such as phenyl, phenylene or the like m≥0, n≥0, m+n≥1, P≥0).例文帳に追加

Ph(OH)-[HC(Ph)-(Ph)OH)]_m[CH_2-(Ph)-CH_2-(Ph)OH]_n-H………………(2) Ph(OH)-[CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)]_p-CH_2-(Ph)-(Ph)-CH_2-(Ph)OH)……(3) （式中Phは,フェニル、フェニレン等ベンゼン核残基であり、ｍ≧０、ｎ≧０で、ｍ＋ｎ≧１、ｐ≧０である） - 特許庁

The optimum polarization state for entering each probe #n (1, ..., N) is stored as control information of the probe #n in a storage part 305.例文帳に追加

各プローブ♯ｎ（１，…，Ｎ）に入射するのに最適な偏光状態を、プローブ♯ｎの制御情報として記憶部３０５に格納しておく。 - 特許庁

A correction amount C(n) is changed on the basis of the video signal Din(n), position information B_2(n), and weighting information 30B.例文帳に追加

映像信号Ｄｉｎ（ｎ）と、位置情報Ｂ_2（ｎ）と、重み付け情報３０Ｂとに基づいて補正量Ｃ（ｎ）が変えられる。 - 特許庁

The first semiconductor layer 20 is equipped with an N-type contact layer 21, an N-type clad layer 22, and an N-type guide layer 23 successively laminated on a board 10 side.例文帳に追加

第１の半導体層２０は、基板１０の側から順に、ｎ型コンタクト層２１，ｎ型クラッド層２２，ｎ型ガイド層２３を有している。 - 特許庁

Then, second characteristic data N(n), A(n), indicating an objective characteristic relative to the game character, is recognized by the control part 1.例文帳に追加

そして、ゲームキャラクタに対する客観的な特性を示す第２特性データＮ（ｎ），Ａ（ｎ）が、制御部１に認識される。 - 特許庁

A curvature lessening layer composed of n-AlGaN is inserted to an n-contact layer 11 composed of n-GaN.例文帳に追加

ｎ−ＧａＮからなるｎコンタクト層１１中に、ｎ−ＡｌＧａＮからなる湾曲緩和層を挿入した。 - 特許庁

On the other hand, a combined signal C_i (i=1, 2,..., n) from the input signal E_i (i=1, 2,..., n) is detected between the comblike electrode 2B and the facing electrode 3.例文帳に追加

一方、櫛型電極２Bと対向電極３との間では、入力電気信号E_iからの結合信号C_i (i=1, 2,…, n)も検出される。 - 特許庁

An error position detection EC(n) is conducted on the basis of the result of the 1st correction processing DC1(n) for a 3rd frame period and then a 2nd correction processing DC2 is executed on the basis of the syndrome obtained as a result of the 2nd syndrome calculation processing SC2(n).例文帳に追加

第３のフレーム期間に、第１の訂正処理ＤＣ１(n)の結果に基づいて誤り位置検出ＥＣ(n)が施され、続いて、第２のシンドローム算出処理ＳＣ２(n)の結果得られたシンドロームに基づいて第２の訂正処理ＤＣ２を実行する。 - 特許庁

A nozzle selected according to a displacing quantity of the arranged positions of chips (N), (N+1) among nozzles located in a connecting portion of the chips (N), (N+1) is used as the nozzle for overlapping, thereby the image corresponding to the connecting portion of the chips (N), (N+1) is recorded.例文帳に追加

チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に位置するノズルの中から、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）の配列位置のずれ量に応じて選定されたノズルをオーバーラップするノズルとして用いて、チップ（Ｎ），（Ｎ＋１）のつなぎ部分に対応する画像を記録する。 - 特許庁

The n-type layer 11 of a light-emitting element 1 has a structure in which a first n-type layer 111, a second n-type layer 112, and a third n-type layer 113 are sequentially laminated on a sapphire substrate 10, and the n-electrode 16 composed of V/Al is formed on the second n-type layer 112.例文帳に追加

発光素子１のｎ型層１１は、サファイア基板１０上に第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２、第３ｎ型層１１３の順に積層された構造であり、Ｖ／Ａｌからなるｎ電極１６は第２ｎ型層１１２上に形成されている。 - 特許庁

In the case of an NTSC system, a counter 1 is cleared at the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(N) of the system via the NTSC terminal of a switching circuit 4, and the counter counts a horizontal synchronizing signal PH(N) of the system and outputs a scan signal L(N)i at each clearing.例文帳に追加

ＮＴＳＣ方式の場合、切換回路４のＮＴＳＣ端子を介して該方式の垂直同期信号Ｐ_V(N)の後縁でカウンタ１をクリアし、カウンタは、クリア毎に該方式の水平同期信号Ｐ_H(N)を計数して走査信号Ｌ_(N)iを出力する。 - 特許庁

When A/D converting a signal that requires a sampling frequency lower than an operating frequency of the A/D converter is A/D converted, oversampling is performed by generating an n-times ((n) is a natural number) sampling clock.例文帳に追加

そのA/D変換器の動作周波数に満たないサンプリング周波数を要する信号をアナログ／ディジタル変換する場合は、n倍（nは自然数）のサンプリングクロックを生成しオーバーサンプリングを行う。 - 特許庁

Thus, the n-type impurity region is formed, which is constituted by putting a high concentration n-type impurity region 211 into which the n-type first impurities and the n-type second impurities are introduced into a state adjacent to the lightly-doped n-type impurity region 212 into which only the n-type second impurities are introduced.例文帳に追加

これにより、ｎ型第１不純物とｎ型第２不純物とを導入した高濃度ｎ型不純物領域２１１と、ｎ型第２不純物のみを導入した低濃度ｎ型不純物領域２１２とが隣接してなるｎ型不純物領域を形成する。 - 特許庁

A layer structure which has a refractive index elliptical body and wherein relation of n_x>n_y=n_z is satisfied between principal refractive indices n_x, n_y and n_z in directions of axes x, y and z orthogonal to each other is provided between at least one of the pair of polarizing plates and the liquid crystal cell.例文帳に追加

一対の偏光板の少なくとも一方と液晶セルとの間には、屈折率楕円体を有し、互いに直交するｘ軸、ｙ軸およびｚ軸の方向の主屈折率ｎ_ｘ、ｎ_ｙおよびｎ_ｚの間に、ｎ_ｘ＞ｎ_ｙ＝ｎ_ｚの関係が成立する層構造が設けられている。 - 特許庁