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n is aの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19398



例文

The n-side metal pillar has an n-side external terminal that is exposed from the insulating material on a surface different from the surface onto which the n-side electrode is connected.例文帳に追加

n側金属ピラーは、n側電極と接続された面とは異なる面で絶縁材から露出されたn側外部端子を有する。 - 特許庁

To improve the S/N ratio by overcoming the problem, wherein the S/N ratio gain becomes smaller if the noise intensity is smaller than an appropriate value, when the S/N ratio is improved by using a probability resonance phenomenon.例文帳に追加

確率共鳴現象を用いてS/N比を改善する際、適切なノイズ強度より小さいとS/N比ゲインが小さくなる。 - 特許庁

On the porous n-type region 11n, an n-side electrode 13 is formed, and on the n-side electrode 13, a passivation film 14 made of silicon nitride is formed.例文帳に追加

n側電極13上には窒化シリコンからなるパッシベーション膜14が形成されている。 - 特許庁

YmSiXn (1) wherein Y is an organic functional group, X is a hydrolyzed group, m and n are each an integer of 1-3, and they satisfy n+m=4.例文帳に追加

Y_m SiX_n (1) (但し、Yは有機官能基、Xは加水分解基、mおよびnはそれぞれ1〜3の整数であって、m+n=4を満足する。) - 特許庁

例文

The formula (1) is -[C(H,F)_2]_n-X-(CF_2)_m-SO_3H when X is O or a direct bond and n, m are respectively integers of 1 or more and 3 or less.例文帳に追加

−[C(H、F)_2]_n−X−(CF_2)_m−SO_3H ・・・(1) 但し、Xは、O又は直接結合、n、mは、それぞれ、1以上3以下の整数。 - 特許庁


例文

When the HDMI key of a remote controller is depressed (YES at #2), n is incremented by 1 (n=n+1) (#3).例文帳に追加

そして、リモコン装置のHDMIキーが押下されると(#2においてYES)、nを1インクリメント(n=n+1)する(#3)。 - 特許庁

R-CONH-(CH_2)_n-NHCO-R [1] (wherein n is an integer of 1-6; and R is a straight-chain aliphatic group).例文帳に追加

R−CONH−(CH_2)_n−NHCO−R [1](式中、nは1〜6の整数を表す。Rは直鎖の脂肪族基を表す。) - 特許庁

Thereafter, N-frame average value (N is a natural number of ≥2) of the one-frame average values is calculated for each N-frame period.例文帳に追加

この後、1フレーム平均値のN(Nは2以上の自然数)フレーム平均値をNフレーム期間毎に算出する。 - 特許庁

Next, it is decided whether each the obtained regression coefficient β_i is within a proper range or not.例文帳に追加

y_1 =β_1 x+ α_1 y_2 =β_2 x+ α_2 ・・・ y_n =β_n x+ α_n 次に、得られた各回帰係数β_i が、適正範囲内であるか判断する。 - 特許庁

例文

A differential signal D(n) between a delay signal Y(n-1) obtained by delaying an output signal Y(n) for a prescribed period of time and an input signal X(n) is calculated.例文帳に追加

出力信号Y[n]を所定時間遅延させた遅延信号Y[n−1]と入力信号X[n]との差分信号D[n]を算出する。 - 特許庁

例文

The phase shifter is constituted by substituting for an (n)th branch between B and C of a 90° hybrid 1 with a branch number (n) (n=4 in Fig.) by a PIN diode 2.例文帳に追加

分岐数n(図ではn=4)の90度ハイブリッド1の第n分岐BC間をPINダイオード2で置換して移相器とする。 - 特許庁

When a voltage value V_n of a secondary battery 1 is a prescribed voltage value or higher, a control part 8 stores a difference ΔV_n between a current voltage V_n and a voltage value V_n-N which is detected N-time before in a storage part 6 as ΔV_max.例文帳に追加

二次電池1の電圧値V_nが所定の電圧値以上である場合に、制御部8は現在の電圧値V_nおよびN回前に検出された電圧値V_n−Nの差ΔV_nをΔV_maxとして記憶部6に格納する。 - 特許庁

The solvent of a polyimide is generally a polar solvent such as N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide and dimethyl sulfoxide.例文帳に追加

通常ポリイミドの溶媒はN−メチルピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシドなどの極性溶媒とされている。 - 特許庁

An ultraviolet application unit (UV) is provided with the same number of photosensors 72(1)-72(n) for individually monitoring the emission state of a plurality of (n) ultraviolet lamps 64(1)-64(n) in a lamp chamber 66.例文帳に追加

この紫外線照射ユニット(UV)では、ランプ室66内に複数(n)個の紫外線ランプ64(1)〜64(n)の発光状態をそれぞれ個別的に監視するための同数の光センサ72(1)〜72(n)が設けられている。 - 特許庁

The maximum value Max and the minimum value Min of a region except for both end residues of the Core region are calculated, and if Max-Min is a constant threshold or less, amino acid residue number NN at N end and amino acid residue number NC at C end are calculated.例文帳に追加

次にCore領域の両端残基を除いた領域の [H] の最大値Maxと最小値Minを算出し、Max−Minが一定の閾値以下となる場合に、N端側のアミノ酸残基数N_NとC端側のアミノ酸残基数N_Cを算出する。 - 特許庁

If the difference value diff[n] is higher than a threshold γ (S102:Yes), the method sets a new threshold level Th[n] based on the Echo level Echo[n] the threshold level Th[n] of the noticed distance position [n] (S105).例文帳に追加

差分値diff[n]が閾値γよりも高ければ(S102:Yes)、注目の距離位置[n]のエコーレベルEcho[n]と閾値レベルTh[n]とから新たな閾値レベルTh[n]を設定する(S105)。 - 特許庁

When a CPU 104 can be increased in communication speed, as an automatic phase adjustment procedure, a phase shift value CLK-DLY=n is set immediately after a vertical synchronous interrupt, and when the next vertical synchronous interrupt is generated, a phase shift value CLK-=n+1 is set, and then video detection data VIDEO-DATA(n) are read.例文帳に追加

CPU104の通信速度が速くできる場合、自動位相調整の手順として、垂直同期割込直後に位相シフト量CLK_DLY = nを設定し、次の割込が垂直同期発生したときに位相シフト量CLK_DLY = n+1を設定した後映像検出データVIDEO_DATA(n)を読み込む。 - 特許庁

At less than the measured critical current Ic_all, a constant-magnitude DC I_n is decided, the DC I_n is made to flow into the superconducting cable 1 for a certain period of time, and a temperature distribution T_n in a longitudinal direction of the current-conducting cable 1 is measured by the optical fiber 3o.例文帳に追加

測定した臨界電流Ic_all以下で、一定の大きさの直流電流I_nを決定し、直流電流I_nを超電導ケーブル1に一定時間流すと共に、この通電中のケーブル1の長手方向の温度分布T_nを光ファイバ3oにより測定する。 - 特許庁

The pressure increase or decrease amount ΔPf(n) is added to the latest value Pf(n) of the pressure feedback by an adder 12 and a difference ep(n) between the obtained new pressure feedback value and a designed pressure value Pr is calculated by a reducer 13 and then is input to a PID controller 14.例文帳に追加

この圧力増減量ΔPf(n)は加算器12で圧力フィードバックの今回値Pf(n)と加算され、新たな圧力フィードバック値として圧力設定値Prとの差分ep(n)が減算器13で求められ、PID制御器14に入力される。 - 特許庁

A voltage value is outputted from the integration circuit S_n to a holding circuit H_n.例文帳に追加

その後、積分回路S_nから保持回路H_nへ電圧値を出力させる。 - 特許庁

A conductive oxide layer and an ohmic electrode are formed in an n-type SiC substrate, and a diode is formed.例文帳に追加

n形SiC基板に導電性酸化物層とオーミック電極を形成し、ダイオードを作製する。 - 特許庁

A lightly doped N- type semiconductor layer 3 is formed on a heavily doped N+ type semiconductor substrate 2.例文帳に追加

高濃度のN+型の半導体基板2上に、低濃度のN−形の半導体層3を形成する。 - 特許庁

The s_i+1(n) is used for a complex progression s_i+1(n) for a succeeding correction step i+1.例文帳に追加

このs_i+1(n)が次の補正ステップi+1の複素数列s_i+1(n)となる。 - 特許庁

A second N-type semiconductor layer 32 is formed so as to come into contact with a first N-type semiconductor layer 30.例文帳に追加

N型の第1の半導体層30と接するようにN型の第2の半導体層32が形成されている。 - 特許庁

To achieve a high (desired) S/N, even when the image luminance of a screen (transmission pixel) is low.例文帳に追加

画面(送信画素)の画像輝度が低い場合においても、高い(所望の)S/Nを実現する。 - 特許庁

A low-concentration N-type epitaxial layer 11 is stacked on a high-concentration N-type semiconductor substrate 10.例文帳に追加

高濃度N型半導体基板10の上に、低濃度N型エピタキシャル層11を積層する。 - 特許庁

By using the specified space frequency value N_Sf (a%), the motion picture quality of the display is evaluated.例文帳に追加

前記規格化された空間周波数の値N_Sf(a%)を用いて、ディスプレイの動画質を評価する。 - 特許庁

A basic target rear wheel steering angle δr0*(n) is calculated from a steering wheel steering angle θh (S401).例文帳に追加

ハンドル舵角θhから基本目標後輪転舵角δr0*(n)を算出する(S401)。 - 特許庁

The file number N(=t+n+1) of a file name of a scene to be recorded next is set (S5).例文帳に追加

次に記録するシーンのファイル名のファイル番号N(=t+n+1)をセットする(S5)。 - 特許庁

A diffused layer 2 in a memory cell is an n-type semiconductor memory, and the memory cell has an n-type region 4.例文帳に追加

メモリセルの拡散層2がn型である半導体メモリであって、n型領域4を有している。 - 特許庁

To realize a PR4 (1, 0, -1) equalizer providing a precise tap coefficient even where an S/N ratio is low.例文帳に追加

S/N比が低いところでも、精度の良いタップ係数値を得ることができるPR4 (1, 0, -1)等化器を実現する。 - 特許庁

A phase restriction correlation between the reference image M(h, k) and the image to be inspected N(h, k) after FFT is taken to acquire a function R(h, k) (S403).例文帳に追加

FFT後の基準画像M(h, k)と被検査画像N(h, k)の位相限定相関をとり、関数R(h, k)を得る(S403)。 - 特許庁

The nitramine compound contains a structural element of the general chemical structure formula R-N-NO_2, where R is a residual group.例文帳に追加

ニトラミン化合物は一般的な化学構造式:R-N-NO_2(式中、Rは残基である)の構造要素を含む。 - 特許庁

The memory cell MC stores two or more data with a threshold voltage of n values (n is a natural number of 1 or larger).例文帳に追加

メモリセルMCは、n値(nは1以上の自然数)の閾値電圧により複数のデータを記憶する。 - 特許庁

A second region 10B includes a partial region of the n-type layer 12 and an n-side electrode 22 is provided.例文帳に追加

第2領域10Bは、n型層12の一部領域を含み、n側電極22が設けられている。 - 特許庁

A battery pack 1 is constituted by the series connection of batteries BT_1-BT_n-1 to a battery BT_n.例文帳に追加

電池BT_1〜BT_n-1と電池BT_nの直列接続により組電池1が構成される。 - 特許庁

To provide an operation circuit for dividing a numeric figure X of ≥0 and ≤2^2n-2 (n is a natural number) by 2^n-1.例文帳に追加

0以上2^2n−2以下(nは自然数)の数値Xを2^n −1で除算する演算回路の提供。 - 特許庁

A reading pulse generation part 1033 generates reading pulses at a time interval of about T/N (N is the number of cylinders).例文帳に追加

読出パルス生成部1033は、約T/N(Nは気筒数)の時間間隔で読出パルスを生成する。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

N型ZnOとしてはAlをドープしたものを用いてPN接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

A page is created by stacking N (N≥2) sub-structures in a certain arrangement order.例文帳に追加

ページは、ある配列順序でN(N≧2)個の副構造をスタックすることによって生成する。 - 特許庁

An embedded n-type impurity region is provided in the vicinity of a boundary of a channel layer and an n^--type semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル層とn−型半導体層の境界付近に埋め込みn型不純物領域を設ける。 - 特許庁

The conductive layer contains a compound expressed by general formula of MO_3S-(CF_2)_n-SO_3M, (wherein M represents H, Na, K or NH_4; and n is a specified positive integer).例文帳に追加

一般式(1−a) MO_3S−(CF_2)_n−SO_3M〔M:H,Na,K,NH_4 n:特定の正の整数〕 - 特許庁

A rental company 120 is constructed of a plurality of affiliated shops 121_-0-121_-n.例文帳に追加

レンタル会社120は、チェーン化された複数の店舗121_-0〜121_-nからなっている。 - 特許庁

To provide a device capable of solving a problem that the accuracy of predicted current ide(n+2) and idq(n+2) by model prediction control is low.例文帳に追加

モデル予測制御による予測電流ide(n+2),idq(n+2)の精度が低いこと。 - 特許庁

An n--type drift layer and a p-type base region are laminated on an n+-type silicon carbide substrate, an n+-type source region is formed in a prescribed area in a surface layer part within a base region, and a gate trench is formed by a trench groove reaching the drift layer.例文帳に追加

本発明は、n+型炭化珪素基板上に、n-型ドリフト層とp型ベース領域を積層すると共に、ベース領域内の表層部における所定領域にn^+型ソース領域を形成し、かつ、前記ドリフト層に達するトレンチ溝によりゲートトレンチを形成する。 - 特許庁

A signal path is provided with a first entry for inputting the output of (n) bits from an ADC 19 and a second entry for inputting the expression of (k) bits showing a DC offset component correction value and on the condition of k=n+m, (m) is a number of bits expressing a value smaller than one LSB of n-bit expression.例文帳に追加

信号路は、ADC19のnビット出力を入力するための第1の入力と、DCオフセット成分補正値のkビット表現を入力するための第2の入力を有する合計ノード19Aを包含し、ここで、k=n+mであり、mは、前記nビット表現の最下位ビット(LSB)1個より小さい値を表すビット数である。 - 特許庁

If a lost-frame code B_n of the current frame indicates that "the n-th frame is a lost frame" and if a lost-frame code B_n+1 of the next frame indicates that "the n+1-th frame is a normal frame", a changeover switch (309) selects a vector output from the adder (308).例文帳に追加

切替スイッチ(309)は、現フレームのフレーム消失符号B_nが「第nフレームは消失フレームである」ことを示し、かつ、次フレームのフレーム消失符号B_n+1が「第n+1フレームは正常フレームである」ことを示す場合には、加算器(308)から出力されたベクトルを選択する。 - 特許庁

The negative ion A- is a fluorine complex ion represented by MFn- (M=B, n=4, or M=P, As or Sb, n=6).例文帳に追加

陰イオンA^- は、MF_n^-(M=B、n=4、またはM=P,As,Sb、n=6)で表されるフッ素錯イオンである。 - 特許庁

The gold material is changed to a gold carbonyl complex [Au(CO)_n]^+(n = 1 or 2) through a reaction that the surface absorbs carbon monoxide, which dissolves in the concentrated sulfuric acid.例文帳に追加

金材料は、その表面が一酸化炭素を吸収して金カルボニル錯体[Au(CO)_n]^+(n=1,2)となり、濃硫酸中に溶解する。 - 特許庁

例文

A distance Y between the n^- region 2b and the n^- region 2c is formed longer than a width X of the n^- region 2b.例文帳に追加

n^-領域2bの幅Xよりもn^-領域2bとn^-領域2cとの距離Yが長くなるように形成されている。 - 特許庁

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