「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

The freshness-keeping agent is obtained by arranging extra-pure water in an electric field to make a nitrogen compound such as NO_3-N, NO_2-N or NH_4^+-N dissolve in water.例文帳に追加

また、前記電場中に超純水を配置し水中にＮＯ３?Ｎ、ＮＯ２--Ｎ、ＮＨ4+-Ｎ等の窒素化合物を水に溶存せしめ、生鮮物の鮮度保持剤とする。 - 特許庁

In such a case, the image is reproduced at the frequency of 1/n of the irregular frequency, and (n) pieces of images divided into (n) in the vertical direction are reproduced on the same screen.例文帳に追加

この場合は、規定外周波数の１／ｎの周波数でその画像が再生され、縦方向にｎ分割されたｎ個の画像が同一画面に再生され得る。 - 特許庁

An N++ layer 24 is formed in the adjoining surface S3 opposing the P layer 22, and an N+ layer 25 is formed in contact with the N++ layer 24 and the surface S3.例文帳に追加

Ｐ層２２に対向する付近の表面Ｓ３内にＮ^++層２４が形成されており、当該Ｎ^++層２４及び表面Ｓ３に接してＮ^+層２５が形成されている。 - 特許庁

The number N is determined in a range of 0<R.cos (180°/N)≤23 in the relation with a radius R (mm) of a virtual circle circumscribing the regular N-sided polygon.例文帳に追加

その角数Ｎは、当該正Ｎ角形に外接する仮想円の半径Ｒ（ｍｍ）との関係において０＜Ｒ・ｃｏｓ（１８０°／Ｎ）≦２３となる範囲で決定される。 - 特許庁

In particular, the bandwidth of the monitor may be increased N-fold by utilizing a plurality of N gratings (assuming no overlap in wavelength between gratings).例文帳に追加

特に、複数のＮ個のグレーティングを使用することにより、モニタの帯域幅は、（グレーティング間の波長のオーバラップがないと仮定して）増大されたＮフォールド（N-fold）でありうる。 - 特許庁

In a memory cell array 1, a plurality of memory cells, which store n values (where n is a natural number ≥2) made by first, second and to n-th states, is arranged in matrix.例文帳に追加

メモリセルアレイ１は、第１、第２乃至第ｎの状態からなるｎ値（ｎは２以上の自然数）を記憶する複数のメモリセルがマトリックス状に配置されている。 - 特許庁

Thus, the binding density of In and N becomes more than the binding density of Ga and N, thereby promoting binding of N atoms and In atoms.例文帳に追加

これにより、ＩｎとＮとの結合の密度が、ＧａとＮとの結合の密度よりも多くなってＮ原子とIｎ原子との結合が促進されていることがわかった。 - 特許庁

Image data after preprocessing is subjected to format processing before JPEG compression in a block processing circuit which performs signal processing in an n×m (N>n and M>m) block unit.例文帳に追加

前処理後の画像データに対しては、ｎ×ｍ（Ｎ＞ｎ，Ｍ＞ｍ）のブロック単位で信号処理するブロック処理回路２００でＪＰＥＧ圧縮前のフォーマット処理が施される。 - 特許庁

N-SOURCE IN-KERNEL CACHE FOR HIGH PERFORMANCE IN COMPUTER OPERATING SYSTEM例文帳に追加

コンピュータ・オペレーティング・システム内の高性能のためのＮソース・カーネル内キャッシュ - 特許庁

The rate of content of N in the mixture layer is in the range of 1-20 wt.%.例文帳に追加

混在層中におけるＮの含有率は、１〜２０ｗｔ％である。 - 特許庁

The mouse or progenies thereof in which genome is modified so as to have decreased or deleted activity of an enzyme relating to modification of a sugar chain in which the 1-position of fucose is bound to the 6-position of N-acetylglucosamine in the reducing end through alpha-bond in a complex N-glycoside-linked complex sugar chain.例文帳に追加

N-グリコシド結合複合型糖鎖還元末端の、N-アセチルグルコサミンの６位にフコースの１位がα結合する糖鎖修飾に関与する酵素の活性が、低下または欠失するようにゲノムが改変された、マウスまたはその子孫。 - 特許庁

The picture decoding method including decoding the quantized DCT coefficient, inverse quantizing of the decoded quantized DCT coefficient and the N×N two-dimensional inverse DCT uses an inverse quantizing-inverse DCT method, such that the output of an inverse quantizing process takes a DCT coefficient multiplied by N, and rules are defined for restoring a DCT coefficient at a specified accuracy from the DCT coefficient multiplied by N in the reserve DCT process.例文帳に追加

また、量子化DCT係数の復号と、復号量子化DCT係数の逆量子化と、N×Nの２次元逆DCTとを含む画像復号方法において、逆量子化処理の出力がN倍のDCT係数であり、逆DCT処理にてN倍のDCT係数を規定精度のDCT係数に復元する規則が定義されていることを特徴とする逆量子化・逆DCT方法を用いる。 - 特許庁

Measuring lines 8-1, 8-2...8-n on which sample contacts tr-1, tr-2...tr-n operated in association with the relay contacts r-1, r-2...r-n in the contact input signal processing circuits 7-1, 7-2...7-n are provided are connected in parallel to a measuring power line 10.例文帳に追加

接点入力信号処理回路７_1 ，７_2 …７_n のリレー接点ｒ_1 ，ｒ_2 …ｒ_n と連動して動作する供試接点ｔｒ_1 ，ｔｒ_2 …ｔｒ_n を設けた測定用ライン８_1 ，８_2 …８_n を、測定用電源ライン１０に並列接続する。 - 特許庁

In this compound semiconductor device, a III-V compound semiconductor layer is provided with a laminated structure, in which a second compound semiconductor layer which does not containing In but contains N is laminated on a first compound semiconductor layer which does not contain N but contains In, and the laminated structure is constituted by forming an intermediate layer, containing neither In or N between the first compound semiconductor layer and the second compound semiconductor layer.例文帳に追加

化合物半導体装置において、III−V族化合物半導体層が、Inを含みNを含まない第１の化合物半導体層上にInを含まずNを含む第２の化合物半導体層が積層された積層構造を含み、前記積層構造は、前記第１の化合物半導体層と前記第２の化合物半導体層との間に、InおよびNを含まない中間層が形成されてなることを特徴とする。 - 特許庁

A voltage vector V(n) is output in step S10, and prediction currents ide(n+2) and idq(n+2) are computed assuming that the number of phases in changing over the switching state from a voltage vector V(n) at this time is "1" or less for the voltage vector V(n+1) at the next time in step S14.例文帳に追加

ステップＳ１０において電圧ベクトルＶ（ｎ）を出力した後、ステップＳ１４において、次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）を、今回の電圧ベクトルＶ（ｎ）からのスイッチング状態の切り替えられる相数が「１」以下のものとして、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｄｑ（ｎ＋２）を算出する。 - 特許庁

The light-emitting device is provided with: n (wherein n is an integer of ≥2) semiconductor elements T1 to Tn which are connected to one another in parallel; n switching elements S1 to Sn in series; and n resistive elements R1 to Rn in parallel with the n switching elements S1 to Sn.例文帳に追加

互いに並列接続されたｎ個（ｎは２以上の整数）の半導体レーザ素子Ｔ１〜Ｔｎとそれぞれ直列にｎ個のスイッチング素子Ｓ１〜Ｓｎが設けられ、ｎ個のスイッチング素子Ｓ１〜Ｓｎとそれぞれ並列にｎ個の抵抗素子Ｒ１〜Ｒｎが設けられる。 - 特許庁

A first encoding table in which 2^m code words selected from 2^n of n bit code words are associated with 2^m of m bit data words, and a second encoding table in which 2^m of code words not duplicated with code words in the first encoding table in the 2^n of n bit code words are associated with 2^m of m bit data words are prepared.例文帳に追加

２^m個のｍビットデータ語に対し、２^n個のｎビット符号語から選出した２^m個の符号語を対応づけた第１の符号化テーブルと、２^m個のｍビットデータ語に対し２^n個のｎビット符号語のうち上記第１の符号化テーブル内の符号語と重複しない２^m個の符号語を対応づけた第２の符号化テーブルとを用意する。 - 特許庁

Print data Dc(i-1, n), Dm(i-1, n) and Dy(i-1, n) of a previous line is stored in a previous memory buffer 20 and data ΔTs(i-1, n) accumulated up to the previous line is stored in an accumulation memory buffer 21.例文帳に追加

前メモリバッファ２０に前ラインの印刷データＤｃ（ｉ−１，ｎ），Ｄｍ（ｉ−１，ｎ），Ｄｙ（ｉ−１，ｎ）が格納され、累積メモリバッファ２１には前ラインまでの累積データΔＴｓ（ｉ−１，ｎ）が格納されている。 - 特許庁

A control section 105 writes N pieces of 0th to (N-1)th received data in a storage section 101 and writes following (M-1) pieces of N-th to (N+M-2)th received data in a storage section 102.例文帳に追加

制御部１０５は、記憶部１０１に０番目から（Ｎ−１）番目までのＮ個の受信データを書込み、これに続くＮ番目から（Ｎ＋Ｍ−２）番目までの（Ｍ−１）個の受信データを記憶部１０２に書き込む。 - 特許庁

For example, surface tension of the first releasable resin is in a range of ≥0.01 N/m and ≤0.025 N/m, and surface tension of the second releasable resin is in the range of ≥0.026 N/m and ≤0.05 N/m.例文帳に追加

例えば、第１の剥離性樹脂は、その表面張力が０．０１Ｎ／ｍ以上０．０２５Ｎ／ｍ以下であり、第２の剥離性樹脂は、その表面張力が０．０２６Ｎ／ｍ以上０．０５Ｎ／ｍ以下である。 - 特許庁

The selection circuit 5 includes a period in which n pieces of row driving circuits are connected to n data lines one-to-one and a period in which each of n data lines is connected to two of n row driving circuits.例文帳に追加

そして、選択回路５がｎ個の列駆動回路をｎ本のデータ線に１対１に接続する期間と、ｎ本のデータ線の各々をｎ個の列駆動回路のうちの２つに接続する期間とを有する。 - 特許庁

In an output buffer circuit 31, the source of a P-channel MOS transistor M4 is connected to the gate of an N-channel MOS transistor M6 in a push-pull circuit 15, and the N-channel MOS transistor M6 is driven by an output from the source of the P-channel MOS transistor M4.例文帳に追加

出力バッファ回路３１において、PチャネルMOSトランジスタM4のソースは、プッシュプル回路１５のNチャネルMOSトランジスタM6のゲートと接続され、PチャネルMOSトランジスタM4のソース出力によって、NチャネルMOSトランジスタM6が駆動される。 - 特許庁

In IGBTs, an n buffer layer 23 is formed under an n^- high resistance layer 21, in which a MOS gate structure is formed, and an n^+ buffer layer 31 is formed between the n buffer layer 23 and a p^+ drain layer.例文帳に追加

ＩＧＢＴにおいて、ＭＯＳゲート構造が形成されたｎ^−高抵抗層２１の下にｎバッファ層２３が形成され、このｎバッファ層２３とｐ^＋ドレイン層との相互間にｎ^＋バッファ層３１が形成されている。 - 特許庁

In the communication system, a multi-functional machine 10 transmits the information in which N items of file names corresponding to N items of image data 32 are correlated with N items of thumbnail data 34 corresponding to the N items of image data 32, to an image processing server 50.例文帳に追加

多機能機１０は、Ｎ個の画像データ３２に対応するＮ個のファイル名と、Ｎ個の画像データ３２に対応するＮ個のサムネイルデータ３４と、が関連づけられた情報を画像処理サーバ５０に送信する。 - 特許庁

The laser amplification medium 61 has axiality in the direction of a second axis crossing orthogonally a first axis, and includes N crystals (N: integer of 2 or higher) in line with the first axis.例文帳に追加

本発明の一実施形態に係るレーザ増幅媒体は、第１の軸線に直交する第２の軸線方向に軸性を有すると共に、該第１の軸線に沿って並ぶN個の結晶体（Nは２以上の整数）を備えている。 - 特許庁

N digital images, where N is equal to or greater than 2, the image content in the overlapped region of contiguous images is the same, and the end edge of a screen nearest to an X-ray source is present in both contiguous images, are provided.例文帳に追加

連続した画像の重複領域部分の画像内容は同一であってＸ線源に最も近いスクリーンの端縁が両隣の連続した画像内に存在するN(N≧２)のデジタル画像を供給する。 - 特許庁

In the case of a sound pressure A=126 [N/m2], an operation section 6 outputs an acoustic emission force F=5.9×10-6 [N], and in the case of the sound pressure A=1260 [N/m2], the acoustic emission force F is obtained as F=5.9×10-8 [N].例文帳に追加

演算部６は、音圧Ａ＝１２６［Ｎ／ｍ^2］のときは音響放射力Ｆ＝５．９×１０^-6［Ｎ］を算出し、音圧Ａ＝１２６０［Ｎ／ｍ^2］のときは音響放射力Ｆ＝５．９×１０‐^8［Ｎ］を算出する。 - 特許庁

Since the bit rate c(t) is decided to take any of predetermined discrete values c[n] (n=0, 1, 2, ...), the controller 32 selects a maximum bit rate c[n*] not in excess of the c(t) in the values c[n], and the reception terminal informs the server 1 about the bit rate via a network 2.例文帳に追加

ｃ（ｔ）は、予め決定された離散的な値ｃ［ｎ］（ｎ＝０，１，２，・・・）を取るように決められているから、ｃ［ｎ］の中で、ｃ（ｔ）を越えない最大のビットレートｃ［ｎ^＊］を選択され、網２を介して、サーバ１に通知される。 - 特許庁

In transmission circuits 21-1 to 21-n corresponding to a plurality of channels respectively, a waveform data output part 21a outputs waveform data indicating a basic signal having a same waveform in either of the transmission circuits 21-1 to 21-n.例文帳に追加

複数のチャネルのそれぞれに対応する送信回路21-1〜21-nにおいて、波形データ出力部２１ａは、いずれの送信回路21-1〜21-nでも同一の波形の基本信号を示した波形データを出力する。 - 特許庁

In a transmission power control part 3, the C/N is detected from a reception signal by a C/N detection circuit 7, a comparison operation is performed to the detected C/N and a C/N reference value by a C/N comparison operation circuit 8 to calculate a change amount.例文帳に追加

送信電力制御部３において、Ｃ／Ｎ検出回路７により受信信号からＣ／Ｎを検出し、検出したＣ／ＮとＣ／Ｎ基準値とをＣ／Ｎ比較演算回路８により比較演算して変化量を求める。 - 特許庁

On the basis of ionic strength expressed by a peak to the mass-to-charge ratio of ions in results of MS^n, mass spectrometry at the n-th stage, control contents of the next analysis of MS^n are determined for every ion to be analyzed.例文帳に追加

ｎ段階目の質量分析であるＭＳ^n結果で、イオンの質量対電荷比に対するピークで表されたイオン強度に基づき、ＭＳ^nの次の分析の制御内容を分析対象イオン毎に判定するデータ処理する。 - 特許庁

An N-type layer 5a composed of an N-type epitaxial layer 5 in which, for example, an N+-type drain layer 13 is formed is surrounded by a P-type drain isolation layer 6 extending from a surface of the N-type epitaxial layer 5 to an N+-type buried layer 2.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層１３等が形成されたＮ型エピタキシャル層５からなるＮ型層５ａを、Ｎ型エピタキシャル層５の表面からＮ＋型埋め込み層２まで延在するＰ型ドレイン分離層６で取り囲む。 - 特許庁

In this hetero-junction bipolar transistor, an n+-type AlGaAs emitter layer 5, a p+-type GaAs base layer 6, an n-type GaAs collector layer 7, an n+-type GaAs collector cap layer 8, and a collector electrode 11 made of an alloy of AuGe and Ni sequentially formed on an n+-type GaAs substrate 1.例文帳に追加

本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタは、n^+型GaAs基板１上にｎ^+型AlGaAsエミッタ層５、ｐ^+型GaAsベース層６、ｎ型GaAsコレクタ層７、ｎ^^+型GaAsコレクタキャップ層８、AuGeとNiの合金から成るコレクタ電極１１を順次形成している。 - 特許庁

A comparator CMP compares ones of (n) input data 1 with one another only once for the first time so as to select (i) (n>=i) input data in the descending order of values, and one-bit comparison results, i.e. comparison results of (n-1) bits are found.例文帳に追加

ｎ個の入力データのうち、値の大きいほうからi（n>=i）個選択するために、データ１個毎に、最初の１回だけ各データの大小の比較を比較器CMPで行い、それぞれ１ビットの比較結果、合計（n-1）ビットの比較結果を求める。 - 特許庁

This method for producing the N,N,N-trialkyladamantane ammonium salt is provided by reacting an N,N-dialkyl-1-aminoadamantane expressed by general formula (1) with a dialkyl carbonate compound under the condition of presence or absence of solvent by making <10 wt.% water content in a system at the reaction time based on the amount of the N,N-dialkylaminoadamantane.例文帳に追加

下記一般式（１）で表されるＮ，Ｎ−ジアルキル−１−アミノアダマンタンと、炭酸ジアルキル化合物とを、溶媒存在下又は無溶媒条件下、反応時における系内の含水量をＮ，Ｎ−ジアルキルアミノアダマンタンの１０重量％未満にして反応させるＮ，Ｎ，Ｎ−トリアルキルアダマンタンアンモニウム塩の製造方法。 - 特許庁

Thus, the n type buffer layer 3 is spatially separated from an SJ structure 4, and the concentration of the n type impurity at a connection part 14 between the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5 is made lower than the concentration of the n type impurity in the n type buffer layer 3 and the n type pillar region 5.例文帳に追加

これにより、ｎ型バッファー層３とＳＪ構造４とが空間的に分離され、ｎ型バッファー層３とｎ型ピラー領域５との間の接続部１４におけるｎ型不純物の濃度が、ｎ型バッファー層３及びｎ型ピラー領域５におけるｎ型不純物の濃度よりも低くなる。 - 特許庁

The voice communication terminal 1 has connection terminals 14-1-14-N, 15-1-15-N for N-sets of 4W lines from 1st to N-th, a PHS or mobile phone terminal in addition to the 2W telephone line and N-sets of changeover switches 11-1-11-N capable of selecting one communication line among the N lines.例文帳に追加

音声通信端末１は２Ｗ電話回線に加え、第１から第ＮまでのＮ本の４Ｗ回線、ＰＨＳあるいは移動電話端末の接続端子１４−１〜１４−Ｎ，１５−１〜１５−Ｎと、Ｎ本の回線から一通信回線選択可能なＮ個の切替スイッチ１１−１〜１１−Ｎとを有する。 - 特許庁

An expectation value data holding device 16 stores m expectation values of n-bit length, and a data comparison device 14 compares part of n-bit length from among packet data with the first to n-th expectation values of n-bit length in the period from output of packet data to the secondary storage part to storage of the following packet data in the storage part.例文帳に追加

期待値データ保持装置１６は、nビット長の期待値をm個記憶し、データ比較装置１４は、パケットデータが第２格納部に出力されてから、後続するパケットデータが格納部に蓄積されるまでの期間において、前記パケットデータのうちnビット長の部分を、第１番目から第m番目までのnビット長の期待値との比較を行う。 - 特許庁

The requested parent refers to a site n present in a reservation list (S102).例文帳に追加

依頼された親は、保留リストにあるサイトｎを参照する(S102)。 - 特許庁

A depletion layer is generated only in the N-InAsP window layer 4.例文帳に追加

空乏層は、ｎ−ＩnＡsＰ窓層４内のみに発生する。 - 特許庁

In the bearing steel, the contents of Ti and N in molten steel are respectively controlled to, by weight, [Ti]: ≤7 ppm, and [N]: ≤70 ppm.例文帳に追加

軸受鋼における溶鋼中のＴｉ，Ｎをそれぞれ重量基準で［Ｔｉ］：≦７ｐｐｍ，［Ｎ］：≦７０ｐｐｍに規制する。 - 特許庁

An N-type CCD channel region 3 is provided in the P-type well region 2 and divided in a vertical direction by P+-type channel blocking regions 12.例文帳に追加

p型ウェル領域2に、n型CCDチャネル領域3が設けられ、p^+型チャネル阻止領域12で垂直方向に分割されている。 - 特許庁

In a semiconductor device, an N-InP buffer layer 2 0.5 to 2 μm in thickness is grown on an N-InP substrate 1 through a MOVPE method.例文帳に追加

ｎ−ＩｎＰ基板１上に，ｎ−ＩｎＰバッファ層２（厚さ０．５〜２μｍ）をＭＯＶＰＥ法によって成長させる。 - 特許庁

To provide a method for producing isobutene from n-butane in hish selectivity and yield in one step by dehydrogenation and isomerization.例文帳に追加

n-ブタンから、脱水素・異性化により一段でイソブテンを高められた選択率及び収率で製造する方法を提供する。 - 特許庁

An n+ base layer 15 has a line pattern extending in the X direction.例文帳に追加

ｎ^＋ベース層１５をＸ方向に延びるラインパターンとする。 - 特許庁