「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(19ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for synthesizing a high-purity N,N'-diarylquinacridone compound in a high yield, having a wide variety of usages.例文帳に追加

用途が広く、また収率および純度の高いＮ，Ｎ´−ジアリールキナクリドン化合物の合成法を提供する。 - 特許庁

The porous body image including the channel is divided into n in parallel with the ZX face so that n pieces of layers can be created.例文帳に追加

この流路を含む多孔体画像をＺＸ面に平行にｎ等分してｎ個の層を作成する。 - 特許庁

The n-type source region 120 and an n-type emitter region 210 are so formed as to be separated from each other in structure.例文帳に追加

ｎ型ソース領域１２０とｎ型エミッタ領域２１０とは、構造的に分離して形成されている。 - 特許庁

Colors are in SGR parameters: 0 = black, 1 = red, 2 = green, 3 = brown, 4 = blue, 5 = magenta, 6 = cyan, 7 = white. l l. 例文帳に追加

色は SGR パラメータで表現される: 0 = 黒, 1= 赤, 2 = 緑, 3 = 茶, 4 = 青, 5 = マゼンタ,6 = シアン, 7 = 白l l.ESC [ 1 ; n ] 下線の色をn にセットする。 - JM

In order to avoid the case 2 above, the programmer should make sure n is greater or equal to mbstowcs(NULL,src,0)+1. "RETURN VALUE" 例文帳に追加

上記の 2. の場合を避けるためにプログラマーは n がmbstowcs(NULL,src,0)+1 以上であることを保証すべきである。 返り値 - JM

If there is no null byte among the first n bytes of src, the string placed in dest will not be null terminated. 例文帳に追加

src の最初の n バイトの中にヌルバイトがない場合、dest に格納される文字列はヌルで終端されないことになる。 - JM

To create a custom Ant task in the IDE, press Ctrl-N and select the Custom Task template from the Ant Build Scripts folder. 例文帳に追加

IDE でカスタム Ant タスクを作成するには、Ctrl-N キーを押し、「Ant 構築スクリプト」フォルダから「カスタムタスク」テンプレートを選択します。 - NetBeans

Because they were at an advantage compared to the schools that were established later, they were called 'number schools' (from 'n school') in order to distinguish them from other schools. 例文帳に追加

後発の学校よりも優位にたったため、他との区別で、特に「ナンバースクール」（「n高」から）とよばれた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

METHOD FOR SELECTIVELY SEPARATING AND RECOVERING URANIUM (VI) EXISTING IN AQUEOUS SOLUTION BY BRANCHED N, N-DIALKYL MONOAMIDE例文帳に追加

水溶液中に存在するウラン（ＶＩ）を分枝Ｎ，Ｎ−ジアルキルモノアミドにより選択的に分離・回収する方法 - 特許庁

Tefin_fwd(N) is used as the actual correction temperature Tefin_AD(N) in a period Tp2 of the timing t1-t2.例文帳に追加

タイミングｔ１〜ｔ２のうち期間Ｔｐ２では、実際の補正温度Ｔｅｆｉｎ＿ＡＤ（Ｎ）としてＴｅｆｉｎ＿ｆｗｄ（Ｎ）を用いる。 - 特許庁

Interconnection in the logical cells and interconnection between the logical cells are constituted only of upper n interconnect layer (n<m).例文帳に追加

論理セル内の配線および論理セル間の配線を、上位ｎ層の配線層（ｎ＜ｍ）のみを用いて構成する。 - 特許庁

In the composition formula (1), (m), (x), (y) and (n) satisfy relationships of 3<m<5, 0<x<1, 0<y<2 and 0<n<10.例文帳に追加

組成式（１）中のｍ、ｘ、ｙ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜２、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。 - 特許庁

In an n-type semiconductor substrate 2, p-type regions 3a and 3b and n-type regions 4a and 4b are formed.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板２には、Ｐ型領域３ａ，３ｂおよび、Ｎ型領域４ａ，４ｂが設けられている。 - 特許庁

In an N well 206, a diode 207 is formed of a P+ diffusion layer 211 and an N+ diffusion layer 210.例文帳に追加

Ｎウェル２０６内には、Ｐ＋拡散層２１１とＮ＋拡散層２１０とでダイオード２０７が形成される。 - 特許庁

(In the formulas, R and R' are each a 1-4C alkyl group; and n and n' are each an integer of 0-4).例文帳に追加

（２）（３）（式中Ｒ，Ｒ´は、それぞれ炭素数１〜４のアルキル基、ｎ，ｎ´はそれぞれ０〜４の整数を表す。） - 特許庁

The element has an n-type GaN layer having 3 μm or less in the n-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

また、本発明の発光素子は、前記ｎ型窒化物半導体層は、３μｍ以下のｎ型ＧａＮ層を含む。 - 特許庁

An n+ emitter area 14, a p base area 16, and an n- channel area 15 are formed in a second epitaxial layer.例文帳に追加

第二エピタキシャル層にｎ^＋エミッタ領域１４、ｐベース領域１６、ｎ^−チャネル領域１５を形成する。 - 特許庁

The n-type source/drain region 4 is formed in such a manner as to pinch the n-channel region on the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

ｎ型ソース／ドレイン領域４は、半導体基板１上にｎチャネル領域を挟むように形成されている。 - 特許庁

In formula (1), n represents a number of 1 to 100; X^1 represents ammonia or formula (2); and p is a number satisfying 0<p≤n+2.例文帳に追加

式（１）中、ｎは１〜１００の数、Ｘ^1はアンモニア又は式（２）、ｐは０＜ｐ≦ｎ＋２を満たす数である。 - 特許庁

Near the center of a light-emitting element 50, an N electrode 7 is formed in contact with the N-type semiconductor layer 2.例文帳に追加

発光素子５０の中央付近には、Ｎ型半導体層２に接触してＮ電極７を形成してある。 - 特許庁

A trench 8 is also formed in a depth reaching the n^- type drift layer 6 from the surface of the n^+ type semiconductor layer 7.例文帳に追加

そして、Ｎ^+型半導体層７の表面からＮ^-型ドリフト層６に至る深さのトレンチ８を形成する。 - 特許庁

To rationally ensure redundancy of N+1 or N+2 in an air conditioning system constructed to have multiple stories.例文帳に追加

多層階に施工される空調システムにおいて、Ｎ＋１またはＮ＋２の冗長性を合理的に確保する。 - 特許庁

Also in compositional formula (1), m, x, y and n satisfy the relationships 3<m<5, 0<x<1, 0<y<9, and 0<n<10.例文帳に追加

また、組成式（１）中、ｍ、ｘ、ｙ、ｎは、３＜ｍ＜５、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜９、０＜ｎ＜１０なる関係を満たす。 - 特許庁

Four n^+ regions (electrode diffusion regions) 3, 4, 5, 6 are formed in the n-type epitaxial layer 2.例文帳に追加

Ｎ型エピタキシャル層２において４つのＮ^+領域（電極用拡散領域）３，４，５，６が形成されている。 - 特許庁

In the source and drain regions of the semiconductor layer 102, n-type SiC semiconductor regions 103 are formed.例文帳に追加

ｐ型SiC半導体層１０２のソースおよびドレイン領域にn型SiC半導体領域１０３が形成される。 - 特許庁

C, Si, Mn, S, P, Al, Nb, Ti, N and B are incorporated into a steel, and the relation among Ti, Nb or B, C and N are set in a prescribed range.例文帳に追加

Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓ，Ｐ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎ，Ｂを含有し、Ｔｉ，ＮｂまたはＢと、Ｃ，Ｎとの関係を所定の範囲に設定する。 - 特許庁

To provide a method for producing an amino acid-N-carboxy anhydride, by which the amino acid-N-carboxy anhydride can be produced in a high yield without using phosgene.例文帳に追加

ホスゲンを使用せず、高収率でアミノ酸−Ｎ−カルボキシ無水物を製造する方法の提供。 - 特許庁

An undoped GaN layer 102 and an n-type AlGaN layer 103 are formed on a sapphire substrate 101 in order through epitaxial growth.例文帳に追加

サファイア基板101上にアンドープGaN層102およびn型AlGaN層103がエピタキシャル成長により順に形成されている。 - 特許庁

He used to wear my old uniform n get into the school whichever class he liked..he would go n sit in that one!例文帳に追加

私の古い制服を着て 学校へ潜り込んだ 気に入ったクラスがあると 入り込んで席に座った! - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

The larger the n-value of the wire becomes, the smaller the generated voltage in a low-current region below Ic becomes, whereby heat generation is reduced.例文帳に追加

n値の大きい線材の方がIc以下の低電流域での発生電圧が小さく、発熱も小さくなる。 - 特許庁

When the slave device #n is in an unregistered state (S286: NO), the picto of the slave device #n is lit off (not displayed) (S290).例文帳に追加

子機＃ｎの状態が未登録状態であれば（Ｓ２８６：ＮＯ）、子機＃ｎのピクトを消灯（非表示）とする（Ｓ２９０）。 - 特許庁

To provide a method for producing N,N-dimethylaminobenzoic acid useful industrially in high purity and yield.例文帳に追加

高純度且つ高収率で、工業的にも有用なＮ，Ｎ−ジメチルアミノ安息香酸の製造方法を提供する。 - 特許庁

Least significant bits BIT0s of N pixels equivalent to one frame are stored in one area which is to be selected by addresses, ADD,...ADD+(N-1) and most significant bits BIT1s of N pixels equivalent to one frame are stored in another area which is to be selected by addresses, ADD+N,...ADD+(N-1)+ N.例文帳に追加

アドレスＡＤＤ，・・・ＡＤＤ＋（Ｎ−１）により選択される一の領域には、一フレーム分のＮ画素の最下位ビットＢＩＴ０が格納され、アドレスＡＤＤ＋Ｎ，・・・ＡＤＤ＋（Ｎ−１）＋Ｎにより選択される他の領域には、一フレーム分のＮ画素の最上位ビットＢＩＴ１が格納される。 - 特許庁

In the constitution of the processor of (n-1) input and 1 output, (n-1) memories out of n memories connected to the processor are connected to the (n-1) input of the processor and one memory is connected to one output.例文帳に追加

（ｎ−１）入力１出力のプロセッサの構成において、プロセッサに接続するｎ個のメモリのうち（ｎ−１）個をプロセッサの（ｎ−１）入力に接続し、１個のメモリを１出力に接続する。 - 特許庁

Finally, 0≤x≤2n-1 and 0≤y≤2n-1 are extracted as pattern images from pattern image areas 0≤x≤2n and 0≤y≤2n (S10) and a pattern is generated by repeatedly arranging the pattern images in the same direction or the like.例文帳に追加

最後に、模様画像領域の０≦ｘ≦２^n，０≦ｙ≦２^nから０≦ｘ≦２^n−１，０≦ｙ≦２^n−１を模様画像として抜き出し（Ｓ１０）、同一の向き等で繰り返し並べて模様を生成する。 - 特許庁

A complex signal converting circuit 102 for non-linear distortion compensation removes third-order distortion of the signal x(n) by using a coefficient a_3(n) for third-order distortion compensation generated in a coefficient updating circuit 105 for nonlinear distortion compensation.例文帳に追加

非線形歪補償用複素信号変換回路１０２は、非線形歪補償用係数更新回路１０５で生成される３次歪補償用係数a_3(n)を用いてx(n)の３次歪を除去する。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

This data comparator circuit detects whether the data value of n (n≤N) pieces of time slots in a main signal of a serial system making an N time slot a comparison unit length agrees with an expected value.例文帳に追加

本発明は、Ｎタイムスロットを比較単位長さとするシリアル系列の主信号中のｎ（ｎ≦Ｎ）個のタイムスロットのデータ値が期待値に一致するか否かを検出するデータ比較回路に関する。 - 特許庁

At that time, the radio transmission device 2-N communicates one by one with a ratio receiving devices 3-N installed in the parking lot and the communication history is managed by a management terminal 4 of a management center.例文帳に追加

この際、無線送信装置2-Nが次々に駐車場内に設置してある無線受信装置3-N等と通信を行うため、この通信履歴を管理センタ（甲）の管理端末４で管理しておく。 - 特許庁

After the second process, n^+ impurity regions 3 and 5 are formed at regions overlapped with the n-type impurity region by implanting ions into the n-type impurity region in the n^- epitaxial layer 2 (the third process).例文帳に追加

第２工程後、ｎ^-エピタキシャル層２におけるｎ型不純物領域にイオン注入し、ｎ型不純物領域と重なる領域にｎ^+不純物領域３および５を形成する（第３工程）。 - 特許庁

The copolymer has a weight-average molecular weight of 10,000-350,000 and is obtained by copolymerizing the vinyl pyrrolidone with the N,N-dimethylaminoethyl methacrylate or the diethylsulfate salt thereof in a molar ratio of 20/80-94/6.例文帳に追加

ここで、該共重合体は、重量平均分子量が１万〜３５万であり、共重合の際のビニルピロリドンと、N,N-ジメチルアミノエチルメタクリル酸またはそのジエチル硫酸塩とのモル比が２０／８０〜９４／６である。 - 特許庁

Since there are 2N possible combinations for selections of capacitors and there are also 2N possible combinations of total quantities of electric charges stored in the selected capacitors, N pieces of the binary data can be converted to 2N pieces of data.例文帳に追加

容量の選択の組合せは２^N とおりあり、選択された容量に蓄積された電荷の総量も２^N とおりあるため、Ｎ個の２値データから２^N 個のデータに変換することができる。 - 特許庁

Video coded data of I pictures (intra-coded) from a GOP (group of pictures) at the start of fast-forwarding reproduction, until a GOP #(N-1) being a one-preceding GOP to the final GOP and video coded data of all frames at the final GOP #N are stored in a stream buffer.例文帳に追加

早送り再生が開始されたGOPから最後の１つ前のGOP#(N-1)まではＩピクチャのビデオ符号化データが、最後のGOP#Nは全フレームのビデオ符号化データがストリームバッファに積み込まれる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an alloy thin band for an Sm-Fe-N-based rare-earth magnet, in which the alloy thin band for the Sm-Fe-N-based rare-earth magnet of a thickness within a range of 10 to 25 μm can stably be manufactured.例文帳に追加

厚みが１０〜２５μｍの範囲内のSm-Fe-N系希土類磁石用の合金薄帯を安定して製造することのできるSm-Fe-N系希土類磁石用の合金薄帯の製造方法を提供する。 - 特許庁

When n is defined as 1≤n≤2 and a, b, and k are defined as constant numbers, then the distance t is a function of the magnification ratio m: a×(1/m-k)^n+b, and the constant numbers a, b, and k are determined at the limit point of the zoom-in and zoom-out.例文帳に追加

また、１≦ｎ≦２として、ａ、ｂ、ｋを定数として、距離ｔは、ａ×（１／ｍ−ｋ）^n＋ｂとなる倍率ｍの関数とし、ズームイン、ズームアウトの限界点で定数a、ｂ、ｋを決める。 - 特許庁