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n-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19373



例文

The number of N pieces of patterns is determined in response to the number of variables in the simultaneous equations.例文帳に追加

Nパターンの数は、連立方程式中の変数の数に応じて決定する。 - 特許庁

To provide an optical modulator large in optical modulation amplitude and high in S/N.例文帳に追加

光変調振幅が大きくかつS/Nが高い光変調器を提供する。 - 特許庁

To provide a sound volume controller excellent in S/N characteristic and reduced in waveform distortion.例文帳に追加

S/N特性に優れ、波形歪みの少ない音量制御装置を提供する。 - 特許庁

The binarizing pattern 12a is composed of a plurality of pixels sequentially lighted up and arranged in a form of a matrix as a patten, and the first to the n×n-th (wherein n is an optional natural number) pixels sequentially lighted up are arranged in a form of a square ofn.例文帳に追加

ここで、2値化用パターン12aは、順次点灯される複数の画素をマトリクス状に配列したパターンとして構成されており、順次点灯される第1番目から第n×n番目(但しnは任意の自然数)までの画素はn個×n個の正方形状に配列されている。 - 特許庁

例文

Further, an n-type buffer layer 3 is selectively formed on the lower main surface of a silicon substrate 1, and an n-type cathode area 6 constituted of n-type semiconductor containing n-type impurity in a comparatively high concentration is selectively formed in the surface of the n-type buffer layer 3.例文帳に追加

また、シリコン基板1の下主面表面内には、n型バッファ層3が選択的に形成され、n型バッファ層3の表面内にはn型不純物を比較的高濃度に含んだn型半導体層で構成されたn型カソード領域6が選択的に形成されている。 - 特許庁


例文

In the element 1, areas A_n (n=1 to N) in which refractive index modulation is formed and areas B_n (n=1 to N-1) in which refractive index modulation is not formed are alternately formed in both of the core area 11 and the inner clad area 12 along the longitudinal direction of the optical fiber 10.例文帳に追加

この光導波路型回折格子素子1では、コア領域11および内クラッド領域12の双方に屈折率変調が形成された領域A_n(n=1〜N)と、屈折率変調が形成されていない領域B_n(n=1〜N−1)とが、長手方向に沿って交互に存在している。 - 特許庁

In a source region 14, which is P-type, a first N-type region 12b is formed in contact with the P-type region 7b in the channel region, and a second N-type region 11a having a larger impurity density than that of the first N-type region 12b is formed in contact with the first N-type region 12b.例文帳に追加

P型であるソース領域14において、第1のN型領域12bをチャネル領域のP型領域7bに接して形成し、第1のN型領域12bに接してそれよりも不純物密度の大きい第2のN型領域11aを形成する。 - 特許庁

In forward shift operation, a unit register circuit in an (n+4)th-stage corresponding to a tail stage of the bidirectional shift register outputs a pulse G(n+4) in synchronism with a clock pulse V(n+4) input to the unit register circuit in the (n+4)th stage when a reference point N1 is at H level.例文帳に追加

順シフト動作において、双方向シフトレジスタの後尾段に当たる第(n+4)段の単位レジスタ回路は、基準点N1がHレベルのとき、第(n+4)段の単位レジスタ回路に入力されるクロックパルスV(n+4)に同期してパルスG(n+4)を出力する。 - 特許庁

The reaction is carried out in a polar aprotic solvent selected from pyridine, lutidine, collidine, dimethyl sulfoxide, N-methylpyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide and acetonitrile when reacting the glutamine with a phthaloylation agent to provide N-phthaloylglutamine (IV), and adding a condensation agent to the product to directly convert the N-phthaloylglutamine into the thalidomide (I).例文帳に追加

グルタミンをフタロイル化剤と反応させ、N−フタロイルグルタミン(VI)を得、次いで、縮合剤を添加し、N−フタロイルグルタミンをサリドマイド(I)へ直接転換するに際し、反応を、ピリジン、ルチジン、コリジン、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミドおよびアセトニトリルから選択される極性非プロトン性溶媒中で実施する。 - 特許庁

例文

Clocks that are shifted by one bit each in a light input data signal with a frequency being 1/n of a bit rate of the signal received by the photodiode 11 are fed to clock input terminals 7(1)-7(n) of the mobiles 6(1)-6(n) to separate and extract multi-channel low speed electric signals from the light input data signal of one channel.例文帳に追加

フォトダイオード11に入力する光入力データ信号のビットレートの1/nの周波数で同光入力データ信号の1ビットずつずれたクロックを、各モービル6(1)〜6(n)のクロック入力端子7(1)〜7(n)に印加して、1チャネルの光入力データ信号から多チャネルの低速化した電気信号を各出力端子8(1)〜8(n)より分離抽出する。 - 特許庁

例文

When a human body is detected by the human body sensor at a time T, this sensor reaction is taken as a trigger to transmit images n-1 and n captured before the time T and images n+1 and n+2 captured after the time T, out of images n-4, n-3, ..., n+3 stored in the image memory 23 to the server device.例文帳に追加

時刻Tにおいて人体センサにより人体が検出されると、そのセンサ反応をトリガとして、画像メモリ23に記憶されている画像n−4,n−3,・・・,n+3のうち、時刻Tの前にキャプチャされた画像n−1と画像n、及び時刻Tの後にキャプチャされた画像n+1と画像n+2をサーバ装置に送信する。 - 特許庁

A case in which (n) seconds have passed from a mouse button-up is listed as an example of the operation state of an information processing terminal.例文帳に追加

情報処理端末の操作状態の例として操作端末のマウスボタンアップからn秒経過した場合などである。 - 特許庁

The connecting members are formed as a flexible conductor in some area to make 1:n-branches (n=2, 3, etc.).例文帳に追加

接続部材は領域によってはフレキシブルな導体として形成されていて、1:n分岐(n=2、3など)であり得る。 - 特許庁

The frequency divider 16 converts the frequency of an oscillation output from the VCO 15 into 1/N in accordance with the frequency division ratio N.例文帳に追加

分周器16は、VCO15の発振出力の周波数を分周比Nに応じて1/Nに変換する。 - 特許庁

The location and size of the baffle plate 7 is set to: 0.4S≤L≤0.7S, 0.9L×n≤C≤1.1L×n, 0.3D≤H≤0.6D in the figure.例文帳に追加

バッフル板7の位置、大きさは0.4S≦L≦0.7S、0.9L・n≦C≦1.1L・n、0.3D≦H≦0.6Dとなっている。 - 特許庁

After the scaling calculation, in matching with the output bits, an n-bit output circuit returns it to the n-bit to output to a printer.例文帳に追加

変倍計算後出力ビット数に合わせて、nビット出力回路で再びnビットにしプリンタに出力する。 - 特許庁

Bus bars 82 and 84 connect the N terminal of the inverter 40 and the N terminal of the smoothing capacitor 40 in parallel.例文帳に追加

バスバー82およびバスバー84は、インバータ50のN端子と平滑コンデンサ40のN端子との間を並列接続する。 - 特許庁

Accordingly, the concentration of the N^+-type impurity in the N^+-type embedded diffusion layer 11 can be freely controlled.例文帳に追加

これにより、N^+型埋め込み拡散層11におけるN^+型不純物の濃度を自在に制御することができる。 - 特許庁

In the expressions, C, N, Ni, Cu, Mn, Cr, Si, Al, Mo, and Ti each denote the content (mass%) of each element.例文帳に追加

γmax=420C+470N+23Ni+9Cu+7Mn-11.5Cr-11.5Si-52Al+189…式1γpot =700C+800N+10(Mn+Cu)+20Ni-9.3Si-6.2Cr-9.3Mo-74.4Ti-37.2Al+63.2…式2ここで、C、N、Ni、Cu、Mn、Cr、Si、Al、Mo、Tiは、それぞれの元素の含有量(質量%)を示す。 - 特許庁

The anchoring force of the coated optical fiber 3 is in the range of from 30 N/300 mm to 310 N/300 mm.例文帳に追加

しかも、前記光ファイバ心線3の引留力が30N/300mm〜310N/300mmの範囲である。 - 特許庁

In the plurality of P-type body layers 6, an N^+-type first source layer 7 and an N^+-type second source layer 9 are alternately formed.例文帳に追加

複数のP型ボディ層6にはN+型第1ソース層7とN+型第2ソース層9を交互に形成する。 - 特許庁

METHOD FOR CREATING MEMBRANE PROTEIN WITH LABELLED N-TERMINAL END, AND CELL HAVING MEMBRANE PROTEIN WITH LABELLED N-TERMINAL END IN ITS OUTER LAYER例文帳に追加

N末端標識膜蛋白質の作製方法、及びN末端標識膜蛋白質を表層に有する細胞 - 特許庁

In the top face of the p well 131, an n^+-type drain region 137 and an n^+-type source region 133 are formed.例文帳に追加

pウェル131の上面内に、n^+型ドレイン領域137及びn^+型ソース領域133が形成されている。 - 特許庁

A CPU 22 extracts a profile line (S1-S3) from each needle location point PN (N=1, 2, ..., n) memorized in embroidery data.例文帳に追加

CPU22は、刺繍データに記憶された各針落ち点PN(N=1,2,…,n)から輪郭線を抽出する(S1〜S3)。 - 特許庁

In case of an oriented ceramic, a degree of orientation is within a range of 50-100%, and a piezoelectric constant is within a range of 10-5,000 pC/N.例文帳に追加

また、配向セラミックスである場合は、配高度が50〜100%の範囲内にあり、圧電定数が10〜5000pC/Nの範囲内にある。 - 特許庁

In 1/n frequency divider circuit, the output signal is obtained by dividing the frequency by the pre-determined ratio (1/n).例文帳に追加

1/n分周回路では、分周信号を予め定められた分周比(1/n)で分周して出力信号を得る。 - 特許庁

A net increase N in medals is computed (step 131), and whether N is equal to or more than 201 is determined (step 132).例文帳に追加

続いて、メダルの純増枚数Nが算出され(ステップ131)、Nが201以上か否かが判断される(ステップ132)。 - 特許庁

A heavily doped n-type impurity region is arranged in such a part under a gate pad that is an invalid are as an element area.例文帳に追加

素子領域としては無効領域となるゲートパッド下方の一部に高濃度のn型不純物領域を配置する。 - 特許庁

In the p^- substrate 200, an n^+-embedded layer 20 which is more highly doped than the n-type dopant region 121 is formed.例文帳に追加

p^-基板200内には、n型不純物領域121よりも高濃度のn^+埋め込み層20が形成されている。 - 特許庁

A mesh-like deep n-type well 113 is provided in contact with undersurfaces of the p-type well 107 and the n-type well 109.例文帳に追加

P型ウェル107、N型ウェル109の下面に接して、メッシュ状のディープN型ウェル113が設けられている。 - 特許庁

A mesh-like deep n-type well 111 is provided in contact with undersurfaces of the p-type well 103 and the n-type well 105.例文帳に追加

P型ウェル103、N型ウェル105の下面に接して、メッシュ状のディープN型ウェル111が設けられている。 - 特許庁

In the image management system 100, M×N sheets of documents 5 composed of N copies of M sheets are set to a scanner.例文帳に追加

画像管理システム100では,1部がM枚でありN部で構成される原稿(M×N枚)5をスキャナ部にセットする。 - 特許庁

In the n-type current confinement layer 8, the concentration of the n-type impurity is higher than that of the p-type impurity.例文帳に追加

n型電流狭窄層8においては、n型不純物の濃度はp型不純物の濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

In the cylinder tube 2, N-piece pieces of oil ports 12 are formed which are provided for each of the N-pieces of sub liquid chambers.例文帳に追加

シリンダチューブ2には、それぞれがN個のサブ液体室ごとに設けられたN個の油口12が形成される。 - 特許庁

P-well regions 3 and n^+ source regions 4 are selectively provided in a surface layer of an n^- drift region 2.例文帳に追加

n^-ドリフト領域2の表面層には、pウェル領域3およびn^+ソース領域4が選択的に設けられている。 - 特許庁

The lower resistor RL is divided into N (N is an integer of 2 or above) subresistors RS connected in series.例文帳に追加

下側抵抗RLは、直列に接続されたN(Nは2以上の整数)個のサブ抵抗RSに分割されている。 - 特許庁

When the M-bit data is read out of a memory cell, a readout operation is performed in units of n-bit (M>n) data.例文帳に追加

また、メモリセルからMビットのデータの読み出しを行う際には、nビット(M>n)のデータの単位で読み出し動作を行う。 - 特許庁

To shorten a time required for reading out data from a memory cell in which data of (n) levels (n is integer of 4 or more) is stored.例文帳に追加

n値(nは4以上の整数)のデータを記憶するメモリセルからのデータ読み出しに要する時間を短くすること。 - 特許庁

A third N^+-type semiconductor region 9 is provided, where the third N^+-semiconductor region has a plurality of island-like sections 9' in a sectional shape.例文帳に追加

断面形状において複数の島状部分9´を有するN^+形の第3の半導体領域9を設ける。 - 特許庁

(4) Aluminum killed steel contains Ti and N, and in which the product between the Ti and N contents (mass %) is 2×10-4 or less.例文帳に追加

(4)アルミキルド鋼がTiとNを含有し、TiとN含有量(質量%)の積が2×10^-4以下である。 - 特許庁

In the formula, R denotes 1C-5C alkyl group, and m and n are integers of 0 to 3, respectively, satisfying: 0≤m+n≤5.例文帳に追加

(式中、Rは炭素数1〜5のアルキル基を表し、m及びnはそれぞれ0〜3の整数で、0≦m+n≦5である。) - 特許庁

The magnets 22 are arranged in such a manner that each of N poles is faced and approached to each of other N poles or each of S poles is faced and approached to each of other S poles.例文帳に追加

この各磁石22…は、互いにN極どうしまたはS極どうしが対向されかつ接近される。 - 特許庁

An N+ region 37 is formed as the contact of the N-diffused layer 35 in a partial region of the P-region 21a.例文帳に追加

P領域21aの一部の領域にN拡散層35のコンタクトとしてN^+領域37が形成されている。 - 特許庁

The hard protective film for a working tool is a composite film in which a nitride phase made of Cr-Al-N and a BN phase are three-dimensionally mixed.例文帳に追加

Cr-Al-Nからなる窒化物相とBN相とが三次元的に混じり合う複合膜である加工工具用硬質保護膜。 - 特許庁

In other words, the present invention provides the enhancer for hyaluronic acid production which is characterized by containing the N-acetylglucosamine.例文帳に追加

すなわち、本発明は、N-アセチルグルコサミンを含有することを特徴とする、ヒアルロン酸産生増強剤を提供する。 - 特許庁

A frequency detection unit 62 specifies candidates frequencies Fc(1) to Fc(N) in every unit section Tu of a sound signal x.例文帳に追加

周波数検出部62は、音響信号xの単位区間Tu毎に候補周波数Fc(1)〜Fc(N)を特定する。 - 特許庁

There are two different kinds of entries:Call-in ports are named /dev/ttyd N where N is the port number, starting from zero. 例文帳に追加

2種類の異なったエン トリがあります。 着信用のポートの名前は、 /dev/ttydx ( xは0から始まるポート番号) となっています。 - FreeBSD

n may be a process ID or a job specification; if a job spec is given, all processes in that job's pipeline are waited for. 例文帳に追加

nはプロセス ID またはジョブ指定です。 ジョブ指定を与えた場合、そのジョブのパイプラインに含まれる全てのプロセスを wait します。 - JM

In order to avoid the case 2 above, the programmer should make sure n is greater or equal to wcstombs(NULL,src,0)+1. "RETURN VALUE" 例文帳に追加

上記の 2. の場合を避けるために、プログラマーは n がwcstombs(NULL,src,0)+1 以上であることを保証しなければならない。 返り値 - JM

例文

To enhance the detection sensitivity in a mass analyzer of a sugar compound having N-glycosylamine originating from sugar protein or the like.例文帳に追加

糖タンパク質などに由来する、N-グリコシルアミンを有する糖化合物の質量分析計における検出感度を高める。 - 特許庁




  
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この対訳コーパスは独立行政法人情報通信研究機構の研究成果であり、Creative Commons Attribution-Share Alike 3.0 Unportedでライセンスされています。
  
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