「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The data processing section 104 generates a block A consisting of N×N pixels from the 1st picture and p-sets (p≥1) blocks in the unit of N×N pixels from the 2nd picture, applies orthogonal transform to the blocks and generates a block FK consisting of new N×N components by using the orthogonal transform coefficient.例文帳に追加

データ加工部１０２においては、１枚目の画像からＮ×Ｎ画素のブロックＡを作成し、２枚目の画像からＮ×Ｎ画素単位のｐ個（ｐ≧１）のブロックを作成し、これらのブロックをそれぞれ直交変換し、その直交変換係数を用いて新規なＮ×Ｎ個の成分からなるブロックＦ_K を作成する。 - 特許庁

The mass spectrometer considers a combination of peaks in an identical spectrum as a polymer candidate derived from an identical substance and having different association numbers; the mass-to-charge ratio of a first peak is nM-1 or nM or nM+1 and that of a second peak is (n+1)M-1 or (n+1)M or (n+1)M+1.例文帳に追加

本発明の質量分析装置では、同一スペクトル中のピークについて、１つめのピークの質量電荷比が、nM−1またはnMまたはnM+1 であり、かつ、2つめのピークの質量電荷比が、（n+1）M−1または（n+1）Mまたは（n+1）M+1である組み合わせを、同一物質由来で会合数の異なる多量体候補とする。 - 特許庁

This method for producing the N-ethyl-N-(2-methylphenyl)-2-butenamide is provided by treating the N-ethyl-N-(2-methylphenyl)-2-butenamide containing the hydrochloride adduct of N-ethyl-N-(2-methylphenyl)-2-butenamide with 18-28 w/w% aqueous alkaline solution at 40-80°C in the presence of a phase transfer catalyst.例文帳に追加

Ｎ−エチル−Ｎ−（２−メチルフェニル）−２−ブテナミドの塩化水素付加体を含むＮ−エチル−Ｎ−（２−メチルフェニル）−２−ブテナミドを、有機溶媒中で相間移動触媒の存在下、１８〜２８ｗ／ｗ％のアルカリ水溶液と４０〜８０℃で処理するＮ−エチル−Ｎ−（２−メチルフェニル）−２−ブテナミドの製造方法。 - 特許庁

The high purity iron S,S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic alkali salt little in the content of a lactam ring compound is produced by adding S,S-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid to an aqueous solution of an iron compound to form an acid type compound of iron S,S-ethylenediamine-N,N'- disuccinic acid and adding an alkali to the reaction product.例文帳に追加

鉄化合物水溶液にＳ，Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ'−ジコハク酸を添加してＳ,Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ,Ｎ'−ジコハク酸鉄の酸タイプ化合物を生成させ、これにアルカリを添加することにより、ラクタム環化合物含量の少ない高純度のＳ,Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ,Ｎ'−ジコハク酸鉄アルカリ塩を得る。 - 特許庁

The voice communication terminal 1 includes connecting terminals 14-1 to 14-N, 15-1 to 15-N for N of 1st to Nth 4W lines, PHSs(R) or mobile telephone terminals in addition to the 2W telephone lines and N changeover switches 11-1 to 11-N capable of selecting one communication line out of the N lines.例文帳に追加

音声通信端末１は２Ｗ電話回線に加え、第１から第ＮまでのＮ本の４Ｗ回線、ＰＨＳあるいは移動電話端末の接続端子１４−１〜１４−Ｎ，１５−１〜１５−Ｎと、Ｎ本の回線から一通信回線選択可能なＮ個の切替スイッチ１１−１〜１１−Ｎとを有する。 - 特許庁

The greater parts of B and N enter into solid solution into the metallic structure composing the steel material, and are present in the steel material in a state of Fe (B, N) based solid solution or Fe (C, B, N) based solid solution.例文帳に追加

ＢおよびＮの大部分は、鋼材料を構成する金属組織中に固溶されてＦｅ（Ｂ，Ｎ）系固溶体またはＦｅ（Ｃ，Ｂ，Ｎ）系固溶体の状態で鋼材料中に存在する。 - 特許庁

Further, the memory system 10 includes a control unit 12 which performs writing operation of N pages having different writing times, respectively, when writing N bits in each of the memory cells and switches the channels in each writing operation of N pages.例文帳に追加

さらに、メモリシステム１０は、メモリセルにＮビットを書き込む場合に書き込み時間が異なるＮページの書き込み動作を行い、かつＮページの書き込み動作毎にチャネルを切り替える制御部１２を含む。 - 特許庁

The defect level is determined by dividing the picture elements included in the inspection area into N×N of segments (N is the number of picture elements), and by using an average concentration of picture element concentrations included in the each segment as the defect level of the segment.例文帳に追加

欠陥レベルは、検査領域に含まれる画素をＮ×Ｎ（Ｎは画素数）のセグメントで分割し、各セグメントに含まれる画素濃度の平均濃度を当該セグメントの欠陥レベルとして決定される。 - 特許庁

The plurality of ballasts 15-1-15-n and high-pressure discharge lamps 16-1-16-n are connected in parallel, and a delay circuit 14-1-14-n is connected in series to each respectively.例文帳に追加

複数の安定器１５−１〜１５−ｎおよび高圧放電ランプ１６−１〜１６−ｎは並列接続されており、それぞれに遅延回路１４−１〜１４−ｎが直列に接続されている。 - 特許庁

In the key telephone apparatus comprising a master unit 1 and N-sets of key telephone sets 2-1 to 2-N accommodated in the master unit 1, at least one of the key telephone sets is provided with the abnormity sensing sensor.例文帳に追加

主装置１と、主装置１に収容されたＮ台のボタン電話機ボタン電話機2-1〜2-Nとからなるボタン電話装置において、少なくとも１台のボタン電話機は異常検出センサを備えている。 - 特許庁

An ink-jet recording head is provided with a nozzle array group consisting of N lines of high resolution arrays in which opening positions of nozzle openings 17 is shifted by a 1/N (N is a natural number of 4 or more) pitch in a direction of a nozzle array.例文帳に追加

ノズル列群を、ノズル開口１７の穿設位置をそれぞれ１／Ｎ（Ｎは４以上の自然数）ピッチずつノズル列方向にずらしたＮ条の高解像度ノズル列群によって構成する。 - 特許庁

A terminal M of external terminals P, M, N, U of a conventional module is formed into two terminals and the terminal array is formed in one linear shape in the order of M1, P, N, M2, or M1, N, P, M2, U.例文帳に追加

従来のモジュールの外部端子Ｐ，Ｍ，Ｎ，ＵのＭ端子を２端子とし、端子配列をＭ１、Ｐ，Ｎ、Ｍ２、Ｕの順序、又はＭ１、Ｎ，Ｐ、Ｍ２、Ｕの順序で、１直線状に配置する。 - 特許庁

At the time of renewal of output error accumulations Σi, j(n) in the optimal cycle control in the target heaters 8i, j, the interference operation amounts MVIi, j(n) are subtracted from the output error accumulations Σi, j(n).例文帳に追加

目標ヒータ８ｉ，ｊにおける最適サイクル制御内の出力誤差累積Σｉ，ｊ（ｎ）更新に際して、干渉操作量ＭＶＩｉ、ｊ（ｎ）を出力誤差累積Σｉ，ｊ（ｎ）から減算する。 - 特許庁

Moreover, an n-type impurity concentration at the lower side of the electrode in the light receiving surface side includes a high concentration n-type layer which is higher than the n-type impurity concentration of the lower side of the light receiving surface other than the electrode in the light receiving surface side.例文帳に追加

さらに、受光面側電極下部のｎ型不純物濃度が受光面側電極以外の受光面下部のｎ型不純物濃度より高い高濃度ｎ型層を有する太陽電池。 - 特許庁

In the region near the surface of the substrate of a photodiode, a high-concentration N-layer 32 of its light receiving portion is so formed by an ion implantation as to form a low-concentration N-type epitaxial layer 25 in a further deeper region than the N-layer 32 by an epitaxial growth.例文帳に追加

基板表面に近い領域にイオン注入で高濃度の受光部Ｎ層３２を形成し、さらに深い領域にエピタキシャル成長で低濃度Ｎ型エピタキシャル層２５を形成する。 - 特許庁

In a method, a template corresponding to the frame number (n-1) is applied to the image data of the frame number n in each frame whose image is successively taken, thereby detecting a tentative feature point position of the frame number n.例文帳に追加

連続的に撮像した各フレーム中、フレーム番号ｎの画像データに対して、フレーム番号（ｎ−１）に対応するテンプレートを適用し、フレーム番号ｎのフレーム暫定特徴点位置を検出する。 - 特許庁

The controller 25 displays the number N of fillings in a display part 26, and it displays a suitable alarm in the display part 26 when the number N of fillings reaches a predetermined threshold number #N of fillings.例文帳に追加

制御装置２５は、充填回数Ｎを表示部２６に表示させたり、充填回数Ｎが所定の閾充填回数＃Ｎに到達した場合に、適宜の警報を表示部２６に表示させる。 - 特許庁

A one shift circuit 220 calculates data after one shift in an internal state of an m stage flipflop 260, and an n shift circuit 230 calculates data after n shift (n≥2) in an internal state of the m stage flipflop 260.例文帳に追加

１シフト回路２２０は、ｍ段フリップフロップ２６０の内部状態の１シフト後のデータを算出し、ｎシフト回路２３０は、ｍ段フリップフロップ２６０の内部状態のｎシフト（ｎ≧２）後のデータを算出する。 - 特許庁

Thus, in a reverse directed bias, the potential barrier can be made high in the n- type epitaxial layer 2, and in a forward directed bias, the potential barrier can be lowered in the n- type layer 3.例文帳に追加

これにより、逆方向バイアスにおいてはｎ^- 型エピ層２にて電位障壁の高くでき、順方向バイアスにおいてはｎ^- 型層３にて電位障壁を低くすることができる。 - 特許庁

Moreover, in the (n+1)-th frame period, color irregularities in the panel is suppressed by displaying the image by line-sequentially driving in the order which is reverse to that in the n-th frame period.例文帳に追加

また、ｎ＋１番目のフレーム期間ではｎ番目のフレーム期間とは逆の順序で線順次駆動して画像を表示することにより、パネル面内での色ムラを抑制するようにする。 - 特許庁

In the method for producing the aromatic cyanocarboxamide, only one nitrile group in the aromatic dinitrile is hydrated in the solvent of a N,N-dimethylformaldehyde in the presence of a base.例文帳に追加

芳香族ジニトリルを塩基の存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド溶媒中で１個のニトリル基のみを水和反応させることを特徴とする芳香族シアノカルボン酸アミドの製造方法。 - 特許庁

Micromirrors 42 are arranged in M columns in horizontal direction and N lines in vertical direction to form a matrix on the DMD 40, and a single micromirror 44 is provided in the vicinity of M×N array.例文帳に追加

ＤＭＤ４０を、マイクロミラー４２を横方向にＭ個、縦方向にＮ個、マトリックス状に配列するとともに、そのＭ×Ｎの配列の近傍に単一のマイクロミラー４４を設ける。 - 特許庁

The actuators are arranged in n rows and two columns (n is a natural number of 2 or above) in electric circuit wherein the recording electrodes in each row and the scanning electrodes in each column have a continuity with each other.例文帳に追加

アクチュエータは、電気回路的にｎ行２列（ただし、ｎは２以上の自然数）設けられ、各行の記録電極同士及び各列の走査電極同士はそれぞれ導通されている。 - 特許庁

For the non-joined part 24, tensile strength in a waist direction is at least 8 N per width of 25 mm and tearing strength in the vertical direction is in the range of 0.1-12 N.例文帳に追加

非接合部位２４は、胴周り方向における引張強度が幅２５ｍｍ当り少なくとも８Ｎであり、上下方向における引裂強度が０．１〜１２Ｎの範囲にある。 - 特許庁

Then, a well layer 5 made of an n-type impurity region is formed between the body layer 2 and the n^- layer 6 in a region included in the body layer 2 in a plan view.例文帳に追加

そして、平面視においてボディ層２に含まれる領域内の、ボディ層２とＮ^-層６との間には、Ｎ型不純物領域からなるウエル層５が形成されている。 - 特許庁

A commodity storage part 11 has n (n is a positive integer ≥2) commodity storing routes 49 in which a plurality of commodities are stored in a state superposed in the vertical direction.例文帳に追加

商品収納部１１は、複数の商品が上下方向に重なった状態で収納されるｎ本（ｎは２以上の正の整数）の商品収納路４９を有する。 - 特許庁

When the card is discriminated as the cleaning card in the S4, the number of times of performing of cleaning (n) written in the cleaning card is compared with the cleanable number of times N in S6.例文帳に追加

Ｓ４においてクリーニングカードであると識別されると、Ｓ６においてクリーニングカードに書き込まれたクリーニングの実施回数ｎをクリーニング可能回数Ｎと比較する。 - 特許庁

As for the diode, it is possible to use, in addition to a typical p-n diode shown in Fig. 1, an equivalent diode shorted between a transistor base and collector as shown in Fig. 2. 例文帳に追加

このダイオードとしては、図に示す通常のp-nダイオードの他に、図に示されるようなトランジスタのベースとコレクタを短絡した等価ダイオードを用いることもできる。 - 特許庁

The device information inputted in an input part 1 is distributed to information processing parts 3-1 to 3-n in an analysis part 2 and stored in information storage parts 31-1 to 31-n.例文帳に追加

入力部１で入力した装置情報は、解析部２で情報処理部３−１〜ｎに振り分けられて、情報格納部３１−１〜ｎに格納される。 - 特許庁

When the impurity concentration in the crystal grains contained in the transistor is assumed N (m-3) and the trap concentration in the crystal grain boundaries is assumed Q (m-2), the width w (m) of the microscopic region is formed so that it is shown by the following formula: (N.w)/Q<; 0.1.例文帳に追加

結晶粒の不純物濃度をN(m^-3)、また、結晶粒界のトラップ濃度をQ(m^-2)とするとき、微小領域の幅w(m)が、次式で表わされるようにする。 - 特許庁

In performing photoelectric conversion, since lower well density can improve photoelectric conversion efficiency, the well density is set lower in the n^- well 112 than in the n well 111.例文帳に追加

光電変換を行う場合、ウェル濃度が低い方が光電変換効率が向上するので、ｎウェル１１１よりもｎ^-ウェル１１２の方がウェル濃度が低く設定される。 - 特許庁

A first pixel portion P_m, n including photo diodes separately formed in each pixel area a_m, n contained in the first group in each unit area A_i, j is composed.例文帳に追加

各単位領域Ａ_ｉ,ｊ内の第一群に含まれる各画素領域ａ_ｍ,ｎに個別に形成されたフォトダイオードを含む第一画素部Ｐ_ｍ,ｎが構成される。 - 特許庁

Furthermore, the corrected N-value processing signal Dout 1 is fed to an N-value error calculation section 6 for use in succeeding error diffusion processings.例文帳に追加

また、この補正済みのＮ値化信号Dout1をＮ値化誤差算出部６に供給し、以降の誤差拡散処理に使用する。 - 特許庁

The color code image is provided with the structure of a color cell 43 configured of the number of cells of n×m (n, m: 1, 2, and so on) in a two-dimensional rectangular region.例文帳に追加

カラーコード画像は、二次元矩形領域でｎ×ｍ（ｎ，ｍ：１，２，…）のセル数によるカラーセル４３の構造を有する。 - 特許庁

In the formula (1), R1 meets C_mF_2m+1(1≤m≤8); R2 meets C_nF_2n+1(1≤n≤8) and 5≤m+n≤16.例文帳に追加

［式（１）において、Ｒ１は、Ｃ_ｍＦ_２ｍ＋１（１≦ｍ≦８）、Ｒ２はＣ_ｎＦ_２ｎ＋１（１≦ｎ≦８）であり、５≦ｍ＋ｎ≦１６である。 - 特許庁

In a step S27, client codes and part numbers P/N are changed into a stylized form by specification of half/full of character size, deletes of '-', etc.例文帳に追加

ステップＳ２７においては、半角／全角の指定、「−」の削除等によって、取引先コードや、部品番号P/N が定型化される。 - 特許庁

In the breakdown- proof structure 120, an n-type high resistance layer 122 is formed on the main face of the second parallel p-n structure.例文帳に追加

耐圧構造部１２０のうち、第２の並列ｐｎ構造の主面側にはｎ型の高抵抗層１２２が形成されている。 - 特許庁

In cases where n HDDs are grouped as 6, 6, 4, 1 and the disks are driven for each group, the internal counter is set at n+Δn.例文帳に追加

ｎ個のＨＤＤを６、６、４、１にグループ分けしグループ別にディスクを駆動する場合、内部カウンタをｎ＋Δｎにする。 - 特許庁

Also, the number m2 of terminals on the same end face is in the relation of m2<n with respect to the number n of the variable capacitors.例文帳に追加

また、同一端面での端子数ｍ２が可変コンデンサ数ｎに対してｍ２＜ｎの関係となるように構成される。 - 特許庁

Peeling-off strength in a T-character test of the negative electrode 12 and the separator 23 is 70 N/m or more and 1,200 N/m or less.例文帳に追加

負極１２とセパレータ２３とのＴ字試験における剥離強度は７０Ｎ／ｍ以上１２００Ｎ／ｍ以下である。 - 特許庁

To provide a large scale N×N cross connect switch the number of components of which is minimized without substantial increase in loss and crosstalk.例文帳に追加

損失およびクロストークの実質的増大なしに、素子数を最小化した大規模なＮ×Ｎクロスコネクトスイッチを実現する。 - 特許庁

To provide a process for producing 5-methyl-2-furfural from 2-methylfuran, phosgene and N,N-dimethylformamide with good operability in good yield.例文帳に追加

２−メチルフラン、ホスゲン及びＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドから、操作性良く、良好な収率で、５−メチル−２−フルフラールを製造する。 - 特許庁

To provide an imaging apparatus of high S/N which copes with pixel addition and gain switching which are required in an X-ray FPD (flat panel detector) or the like.例文帳に追加

Ｘ線FPD(Flat Panel Detector)等で必要とされる画素加算やゲイン切り替えに対応した，高S/Nの撮像装置を提供する。 - 特許庁

After performing sampling N times (YES at S14), the outputs of the integral value in AD sampling of N times are averaged.例文帳に追加

Ｎ回のサンプリングを行った後（Ｓ１４において、ＹＥＳ）、Ｎ回のＡＤサンプリングにおける積分値の出力を平均する。 - 特許庁

A multicontext memory 20 stores n pieces of configuration data CONF_1 to CONF_n defining the n contexts in a non-volatile manner.例文帳に追加

マルチコンテキストメモリ２０は、ｎ個のコンテキストを定義するｎ個のコンフィギュレーションデータＣＯＮＦ_１〜ＣＯＮＦ_ｎを不揮発的に記憶する。 - 特許庁