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n-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19373



例文

The delayed signal DQSd includes a plurality of delayed signals from S(-n) to S(0), S(0) to S(+n) mutually different in phase (timing).例文帳に追加

遅延信号DQSdは、位相(タイミング)が互いに異なる複数の遅延信号S(−n)〜S(0)〜S(+n)を含む。 - 特許庁

To provide a vector for preparing a one function type α-N- acetylglucosamine transferase participating in synthesis of heparin skeleton.例文帳に追加

ヘパリン骨格の合成に関与する単機能型のα-N-アセチルグルコサミン転移酵素を調製するためのベクターを提供する。 - 特許庁

In the P-diffusion layer 7, an N--diffusion layer 8b and an N+-diffusion layer 9b which serve as an emitter region are formed.例文帳に追加

そのp拡散層7にエミッタ領域としてのn^-拡散層8bおよびn^+拡散層9bが形成されている。 - 特許庁

In light-emitting device, index of refraction n, inner radius a, and outer radius r satisfy the relation of 0.4≤n(a/r)≤1.例文帳に追加

本発光素子では、ガラス層12の屈折率n,内半径a,外半径rが、0.4≦n(a/r)≦1を満たしている。 - 特許庁

例文

A trench MIS device is formed in a semiconductor die that contains a P-epitaxial layer that overlies an N^+ substrate and an N-epitaxial layer.例文帳に追加

トレンチMISデバイスは、N^+基板およびNエピタキシャル層を覆うPエピタキシャル層を含む半導体ダイに形成される。 - 特許庁


例文

The N-nitroso-N-phenylhydroxylamine aluminum salt in the form of crystal is provided, having a melting point of 168-174°C and being meltable clearly.例文帳に追加

融点が168〜174℃の範囲にあり澄明に融解するN−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンアルミニウム塩結晶。 - 特許庁

When frequency analysis is applied to the period signals of 2^n samples, amplitude is obtained only in the multiple index of 2^d.例文帳に追加

上記2^nサンプルの周期信号について周波数解析を行うと、2^dの倍数インデックスにのみ振幅が得られる。 - 特許庁

In the semiconductor device, a P-N junction between a p type semiconductor layer 11 and an n type semiconductor layer 12 forms a photodiode.例文帳に追加

p型半導体層11とn型半導体層12とのPN接合によってフォトダイオードが構成されている。 - 特許庁

The cleaning agent for selective permeable membrane comprises an enzyme belonging to endo-β-N-acetylglucosaminidase and contains the enzyme in a concentration of 0.001-10 mg/L.例文帳に追加

endo-β-N-acetylglucosaminidaseに属する酵素を含み、その濃度が0.001〜10mg/Lである選択性透過膜の洗浄剤。 - 特許庁

例文

In this semiconductor device, an N-type epitaxial layer 3 is formed on an N-type single crystal silicon substrate 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、N型の単結晶シリコン基板2上にN型のエピタキシャル層3が形成されている。 - 特許庁

例文

An address generating device 102 is configured to generate an address value with the N/2-bit width in addition to an address value with an N-bit width.例文帳に追加

アドレス生成装置102は、Nビット幅のアドレス値以外にN/2ビット幅のアドレス値も生成可能に構成される。 - 特許庁

The multi-function machine 10 permits a user to select N-kinds (N is an integer being two or greater) of filtering in order.例文帳に追加

多機能機10は、N種類(Nは2以上の整数)のフィルタ処理を順に選択することをユーザに許容する。 - 特許庁

A PC 52 performs a rent payment processing in cooperation with PCs 22_-1 to 22_-n, PCs 32_-1 to 32_-n, and PCs 42_-1 to 42_-4.例文帳に追加

PC52は、PC22_1〜22_n,32_1〜32_nおよびPC42_1〜42_4と連携して家賃支払い処理を行う。 - 特許庁

After that, a concrete 6 having compressive strength of below 60 N/mm^2 and more than 40 N/mm^2 is cast in the beam form 3.例文帳に追加

次いで、梁型枠3内に圧縮強度40N/mm^2以上60N/mm^2以下のコンクリート6を打設する。 - 特許庁

This liquid composition in which water is soluble at 20°C in an amount of 3-30 weight %, contains at least one kind of compound selected from a group comprising N-methyl-2-pyrroli-done, γ-butyrolactone, N,N- dimethylformamide, and N,N-dimethyl-acetamide, preferably, in an amount of 1-20 weight % and also contains water.例文帳に追加

液状組成物に対する摂氏20度における水の溶解度が3から30重量%である液状組成物とN−メチル−2−ピロリドン、γ−ブチロラクトン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれた1種以上の化合物および水を含む現像液組成物で解決できた。 - 特許庁

Moreover, the sampling frequency fs of the in-phase side A/D converter 24I and the quadrature side A/D converter 24Q is set to Δf or to Δf/(2^n) (where, (n) is a positive integer).例文帳に追加

しかも、同相側A/D変換器24Iおよび直交側A/D変換器24Qのサンプリング周波数fsを、ΔfまたはΔf/(2^n)(ただし、nは正の整数)とする。 - 特許庁

If there is no tray drawn out besides the one (N at S12), the motion control is made practicable for the motor-driven component in the tray at N-x(N>x=1, 2, 3, and so on)'th stage, (S14).例文帳に追加

他に引き出されたトレイがない場合は(S12;N)、N−x(N>x=1,2,3・・・)段目の給紙トレイ内の電動部品の動作制御を可能にする(S14)。 - 特許庁

In the first spindle 1a, a first machining A is performed for the n-th work W (n is an arbitrary natural number), and a second machining is performed for the (n+1)-th work W.例文帳に追加

第1の主軸1aではn(nは任意の自然数)番目のワークWに第1の加工Aを行い、n+1番目のワークWに第2の加工を行う。 - 特許庁

In the case of realizing the half toning screen 7 of an N×N pixel size, N sets of gamma conversion cells 10 to convert a value of one pixel into a dot signal are prepared.例文帳に追加

N×N画素サイズのハーフトーニング用スクリーン7を実現する場合、1個の画素の画素値をドット信号に変換するためのガン変換セル10をN個用意する。 - 特許庁

A buffer space S is formed between the (n-1) floor F_(n-1) and the n floor Fn, and a bidirectional shock absorber 40 is provided in this buffer space S.例文帳に追加

(n−1)階F(n−1)とn階Fnの間には緩衝空間Sが形成され、この緩衝空間Sに二方向緩衝装置40が設けられている。 - 特許庁

In the surface area of an N-type drain drift region 20, an N^+- type drain region 17 and a P-type well region 18 surrounding an N^+-type source region are formed.例文帳に追加

N形ドレインドリフト領域20の表面領域にN^+型のドレイン領域17と、N^+形のソース領域を包囲するP形のウェル領域18を形成する。 - 特許庁

Operation software 118 is configured of divided data 1 to n, and those divided data 1 to n are distributed and stored in each of n programmable controllers 100.例文帳に追加

運用ソフトウェア118は分割データ1〜nから構成されているが、n台のプログラマブルコントローラ100それぞれには、それら分割データ1〜nが分散格納されるようにした。 - 特許庁

In a secret sharing system of an embodiment, secret information is distributed into n pieces of first distributed information based on a (k, n) threshold secret sharing scheme (where 2≤k<n).例文帳に追加

実施形態の秘密分散装置においては、(k,n)しきい値秘密分散法(但し、2≦k<n)に基づいて、秘密情報をn個の第1分散情報に分散する。 - 特許庁

To supplement data of low order (m-n) bit length with a less conversion error by an easy processing in extending digital data of n-bit length to data of m-bit length (m>n).例文帳に追加

nビット長のデジタルデータをmビット長(m>n)のデータに拡張する際に、下位(m−n)ビット長のデータを、容易な処理によって少ない変換誤差で補填する。 - 特許庁

The collector part consists of: an N-type buffer region 14; a P^+ type collector region 15; and an N^+ type contact region 18 formed in the N-type buffer region 14.例文帳に追加

前記コレクタ部は、N型バッファ領域14と、N型バッファ領域14に形成されたP^+型コレクタ領域15及びN^+型コンタクト領域18とで構成されている。 - 特許庁

In the n-type DBR layer 12, a plurality of pairs of n-type InP layers 12a (second semiconductor layers) and n-type InGaAsP layers 12b (first semiconductor layers) are alternately laminated.例文帳に追加

n型DBR層12は、n型InP層12a(第2半導体層)とn型InGaAsP層12b(第1半導体層)を交互に複数ペア積層したものである。 - 特許庁

The read address moves each section, partitioned at the detected period points repeatedly, by N fold in the forward direction at a speed (N represents frequency conversion rate) at the N times of a write.例文帳に追加

読み出しアドレスは、書き込みのN倍の速度(Nは周波数変換率)で、検出された周期点で区切られる各区間を順方向にN回繰返しながら移動する。 - 特許庁

The n-bit counter generates a digital output signal for dividing the first time into 2^n (n is a natural number) sections in response to the count-up signal and the count-down signal.例文帳に追加

nビットカウンタは、カウントアップ信号とカウントダウン信号に応答して第1時間を2^n(nは自然数)区間に分けるためのデジタル出力信号を発生させる。 - 特許庁

To provide a structure-directing agent for zeolite production composed of an N, N, N-trimethyladamantane ammonium salt in which zeolite is obtained with good economical efficiency, and to provide a method for producing zeolite using the same.例文帳に追加

経済性良く得られるN,N,N−トリメチルアダマンタンアンモニウム塩からなるゼオライト製造用の構造指向剤、及びそれを用いたゼオライトの製造法を提供する - 特許庁

In the output period of a clock signal CK of M clocks (M: a positive integer), an enable signal EN1 having a period of N clocks (N: a positive integer, and N<M) is generated.例文帳に追加

Mクロック数分(M:正整数)のクロック信号CKの出力期間中に、Nクロック数分(N:正整数、但しN<M)の期間のイネーブル信号EN1を生成する。 - 特許庁

The ditch-like opening parts 4 are formed deeply up to the proximity of the boundary between the N+ type drain layer 7 and an N- type epitaxial layer 8, in the interior of the N+ type drain layer 7.例文帳に追加

堀状の開口部4はN+型ドレイン層7の内部の、N+型ドレイン層7とN−型エピ層8の境界近傍まで、深く形成されている。 - 特許庁

The p-type silicon nitride film 3 is formed in contact with the n-type silicon oxide film 2, and the n-type silicon oxide film 2 and p-type silicon nitride film 3 form a p-n junction.例文帳に追加

p型シリコン窒化膜3は、n型シリコン酸化膜2に接して形成され、n型シリコン酸化膜2およびp型シリコン窒化膜3は、p−n接合を形成する。 - 特許庁

A block recording circuit 119 generates N-sets of compression blocks as to i-frames and respectively records N-sets of the compression blocks while making correspondent to N-sets of recording blocks configured in M-sets of tracks.例文帳に追加

ブロック記録回路119はiフレームについてN個の圧縮ブロックを作成し、M個のトラック中に構成したN個の記録ブロックと対応させて各々記録する。 - 特許庁

n×νP>VR≥(n-1)×ν0+νL Wherein ν0; open circuit voltage νL; breakdown voltage νP; the minimum voltage in rated region of the fuel cell (νP>νL) n; the number of measured pitches.例文帳に追加

n×ν_P>V_R≧(n−1)×ν_O+ν_L 但し、ν_O;開回路電圧 ν_L;破壊電圧 ν_P;燃料電池セルの定格使用域での最低電圧(ν_P>ν_L) n;計測ピッチ数 - 特許庁

An n-type InP semiconductor board 201 is overlaid with a lightly doped n-type InGaAs light absorption layer 202 and a lightly doped n-type InP aperture layer 203 in this order.例文帳に追加

n型InP半導体基板201上に低濃度n型InGaAs光吸収層202及び低濃度n型InP窓層203が順次積層されている。 - 特許庁

In order to supply power to the loop part at N (N being an integer of 2 or larger) point, N power supply lines (131 to 134) are provided on the peripheral surface of the cylinder.例文帳に追加

ループ部へN(Nは2以上の整数)点で給電するために、筒体にその周面上に形成されたN本の給電線(131〜134)が設けられている。 - 特許庁

The gas detector 10 is constituted so that a sensor output value S(n) is acquired by using a detection circuit 11, and the rise and fall in the concentration of a reducible gas is detected by using the sensor output value S(n).例文帳に追加

ガス検出装置10は、検出回路11を用いてセンサ出力値S(n)を取得し、これを用いて還元性ガスの濃度昇降を検知する。 - 特許庁

An n-type etching stop layer 2 is provided on an n-type semiconductor substrate 1, and an n-type stripe-like ridge layer 3 is formed partly in the stop layer 2.例文帳に追加

n形の半導体基板1上にn形のエッチングストップ層2が設けられ、そのエッチングストップ層2上の一部にn形のストライプ状リッジ層3が形成されている。 - 特許庁

A diode 40 is structured by laminating in the order an n-type silicon carbide layer 14, an n-type silicon layer 16, and a p-type silicon layer 18 on an n+ silicon carbide substrate 12.例文帳に追加

ダイオード40は、n^+型シリコンカーバイド基板12上に、n型シリコンカーバイド層14、n型シリコン層16、p型シリコン層18が順に積層された構造をしている。 - 特許庁

The N-type semiconductor region 13 is formed simultaneously with the formation of an n^- impurity region and an n^+ impurity region of a transistor in an element-forming region 4.例文帳に追加

そのN型半導体領域13は、素子形成領域4にトランジスタのn-不純物領域およびn+不純物領域を形成する際に同時に形成されている。 - 特許庁

To provide a method capable of simply and easily producing an N,N,N-trialkyladamantane ammonium salt useful as a mold compound in industrially producing zeolite.例文帳に追加

工業的にゼオライトを製造する際の鋳型化合物として有用な、N,N,N−トリアルキルアダマンタンアンモニウム塩を、簡便かつ容易に製造することができる方法を提供する。 - 特許庁

n-Sets among N-sets of error correction encoding sections 134 apply error correction encoding to each of n-sets of the division blocks in units of blocks to output encoded blocks.例文帳に追加

N個の誤り訂正符号化部134の中のn個は、n個の分割ブロックのそれぞれに対してブロック単位で誤り訂正符号化を行い、符号ブロックを出力する。 - 特許庁

Wireless location information transmitters 10-1 to 10-n are provided in the areas 100-1 to 100-n and transmit location information IDs "10-1" to "10-n".例文帳に追加

無線位置情報発信機10−1〜10−nは、それぞれ、エリア100−1〜100−nに設けられ、位置情報ID“10−1”〜“10−n”を送信する。 - 特許庁

In the step S24, the voltage vector V(n+1) of one control period forward is decided by an evaluation function J using the prediction currents ide(n+2), iqe(n+2) as an input.例文帳に追加

そして、ステップS24において、これら予測電流ide(n+2),iqe(n+2)を入力とする評価関数Jによって、1制御周期先の電圧ベクトルV(n+1)を決定する。 - 特許庁

To improve the problem that when the content of a printing to be entered in one page of a paper is printed and is distributed to N persons, the printing for N sheets are required and accordingly, N sheets of printing paper become necessary.例文帳に追加

用紙1ページ分に入る印刷内容を印刷してN人に配布する場合、N枚分を印刷することになり、印刷用紙はN枚必要となる。 - 特許庁

The relative density of the superconductor is not less than 95%, when a current is carried to it without applying an external magnetic field in a refrigerant, a characteristic of current density J and an electric field E in a current region close to a critical current becomes E∝J^n; and an n-value in the formula is 20 or more.例文帳に追加

超電導体の相対密度が95%以上であり、冷媒中で外部磁界を加えずに電流を通電したとき、臨界電流近傍の電流域における電流密度Jと電界Eとの特性がE∝J^nとなり、その式中のn値が20以上である。 - 特許庁

A mantissa part is stored in an U bit at a higher order side of a bit field of N bit (N≥(U+L)) with a fixed point numeric value, and an exponent part is stored in an L bit at a lower order side with an integer, when a is the mantissa part and n is the exponent part in an actual number x represented by a*(2^n).例文帳に追加

実数xをa* (2^n)と表した時のaを仮数部、nを指数部としたときに、Nビット(N≧(U+L))のビットフィールドの上位側のUビットに仮数部を固定小数点数値で格納し、下位側のLビットに指数部を整数で格納する。 - 特許庁

The asymmetric factor g and the mean number of scattering times in transfer <n> are set so that the product g of the asymmetric factor g of the light-scattering particle 6 times the mean number of scattering times in transfer <n> in the light scattering area 5×<n> satisfies the condition: 2≤g×<n>≤40.例文帳に追加

上記光散乱粒子6の非対称性因子gと光散乱領域5の輸送平均散乱回数〈n〉との積g・〈n〉が、 2≦ g・〈n〉 ≦40の条件を満足するように、非対称性因子gと輸送平均散乱回数〈n〉を設定する。 - 特許庁

In the state of setting WB bracketing (negative decision in step S15), when the inequality of N≥n is not set up between the number N of remaining frames and the parameter (n) on the number of times of bracketing recording, the arithmetic circuit 101 prohibits the photographing operation (negative decision in step S17).例文帳に追加

演算回路101は、WBブラケティングが設定されている(ステップS15を否定判定)状態で、残コマ数Nとブラケティング記録回数パラメータnとの間にN≧nが成立しない場合に撮影動作を禁止(ステップS17を否定判定)する。 - 特許庁

例文

A digital watermark embedding device divides a moving image content into GOP units in a content division processing 11, generates watermark data N from the divided content N in a watermark data generation processing 12, and embeds the generated watermark data N into a divided content N+1 in a watermark data embedding processing 13.例文帳に追加

電子透かし埋込装置は、コンテンツ分割処理11で動画像コンテンツをGOP単位に分割し、透かしデータ生成処理12で分割コンテンツNから生成した透かしデータNを透かしデータ埋込処理13で分割コンテンツN+1に埋め込む。 - 特許庁




  
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