「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

The N and P ground layer regions formed in the SOI layer are doped with N-type and P-type dopants to a high concentration level.例文帳に追加

ＳＯＩ層で形成されたＮおよびＰグラウンド層領域に高濃度レベルのＮ型およびＰ型ドーパントをドープする。 - 特許庁

To perform combining processing by real time to image data of N (N≥3) including distance data and opacity data in addition to e.g. color data.例文帳に追加

例えばカラーデータに加えて、距離データ及び不透明度データを含むＮ個（Ｎ≧３）の画像データを、実時間で合成処理する。 - 特許庁

Image data outputted from an imaging device 8 are divided into image blocks each comprising N pixels × N pixels, which are stored in a frame memory 3.例文帳に追加

撮像素子８から出力される画像データをＮ画素×Ｎ画素の画像ブロックに分割してフレームメモリ３に記憶する。 - 特許庁

The first parity bit location generator generates a position N (N is a positive integer) for inserting the parity bit in accordance with a predetermined rule.例文帳に追加

該第１パリティービット位置生成装置は所定の法則に依り該パリティービットの挿入位置Ｎ（Ｎは正の整数）を生成する。 - 特許庁

The tool holders 2, 3 are rotatable and have n (n is two or more in positive number) pieces of tool supports 6 supporting tools 10, 11.例文帳に追加

工具支持体２，３は回転自在とされ、ツール１０，１１を保持するツール支持部６をｎ個（ｎは２以上の整数）有する。 - 特許庁

WDM optical coupler 14-1 to 14-n are each arranged in front of the Er-doped optical amplifier fibers 12-1 to 12-n.例文帳に追加

各Ｅｒ添加光増幅ファイバ１２−１〜１２−ｎの前側にＷＤＭ光カップラ１４−１〜１４−ｎを配置する。 - 特許庁

Further, in the Mo target material, resistance is ≥1,200 N/mm^2, and absorbed energy is ≥1,000 N×mm.例文帳に追加

また、抗折力が１２００Ｎ／ｍｍ^２以上で、かつ吸収エネルギーが１０００Ｎ・ｍｍ以上のＭｏターゲット材である。 - 特許庁

The method of producing the N-(2-alkoxymethyl)triethylenediamine includes subjecting an N-(2-hydroxy-3-alkoxypropyl)piperazine to an intramolecular dehydration condensation reaction in the presence of an acid catalyst.例文帳に追加

Ｎ−（２−ヒドロキシ−３−アルコキシプロピル）ピペラジン類を酸触媒の存在下で分子内脱水縮合反応させる。 - 特許庁

The ferromagnetic elements 15(N), 16(S) and a plurality of ferromagnetic elements 26(N), 27(S) are respectively provided on a clutch substrate in a rectangular shape.例文帳に追加

強磁性体１５（Ｎ），１６（Ｓ）、強磁性体２６（Ｎ），２７（Ｓ）はそれぞれクラッチ基板上に短冊状に複数設ける。 - 特許庁

To allow as sharp and smooth carrier concentration profile with no drop in a transition region from an N+ silicon water to an N- silicon wafer.例文帳に追加

Ｎ^＋シリコンウェーハからＮ^−シリコンウェーハへの遷移領域のキャリア濃度プロファイルを、落ち込みがなく急峻かつスムーズにする。 - 特許庁

The method has an extensive application and provides a high yield and purity in the synthesis of the N,N'-diaryl quinacridone compounds.例文帳に追加

この方法は、用途が広く、Ｎ，Ｎ’−ジアリールキナクリドン化合物の合成に関して高い収率及び純度を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing an N,N'-carbonylbislactam by reacting phosgene with at least 1 kind of lactam in the presence of a tertiary amine.例文帳に追加

ホスゲンと少なくとも一種のラクタムとを第三アミンの存在下で反応させてＮ，Ｎ’−カルボニルビスラクタムを製造する方法。 - 特許庁

The modulators of dopamine neurotransmission are new 3-substituted 4-(phenyl-N-alkyl)-piperazine and 4-(phenyl-N-alkyl)-piperidine compounds as described in formula (1).例文帳に追加

式（１）で表される新規な３−置換４−（フェニル−Ｎ−アルキル）−ピペラジンおよび４−（フェニル−Ｎ−アルキル）−ピペリジン化合物。 - 特許庁

In this method, a carbodithioate aqueous solution of piperazine having a high piperazine-N,N'-bis-carbodithioate ratio can be produced.例文帳に追加

当該方法ではピペラジン−Ｎ，Ｎ’−ビスカルボジチオ酸塩比率の高いピペラジンのカルボジチオ酸塩水溶液を製造することができる。 - 特許庁

Since the divided clock has the unequal intervals, the number N in a dividing ratio 1/N can be set as the number other than an integer.例文帳に追加

分周クロックを不等間隔にすることにより、分周比１／ＮのＮの値を整数以外の値に設定することができる。 - 特許庁

In the method for detecting and discriminating the composite N-type sugar chain having three or more chains, Dokuyamadori lectin is used as a detection means.例文帳に追加

３本鎖以上の複合型N型糖鎖の検出および分別方法において、ドクヤマドリレクチンを検出手段とする。 - 特許庁

In the formula, it is formed that R1: CnH2n+1, n=1-14, R2: CnH2n, n=1-14, and R3-R6: an alkyl group or carbonyl group.例文帳に追加

（Ｉ）式 但し Ｒ_１：Ｃ_ｎＨ_２ｎ+１ 、ｎ＝１〜１４ Ｒ_２：Ｃ_ｎＨ_２ｎ 、ｎ＝１〜１４ Ｒ_３〜Ｒ_６：アルキル基又はカルボニル基 - 特許庁

The current in the thyristor flows a path: a n+ type floating emitter layer 24-channel region-n+ type cathode layers 28, 30, and 32.例文帳に追加

サイリスタを流れた電流は、ｎ^+型フローティングエミッタ層２４−チャネル領域−ｎ^+型カソード層２８、３０、３２の経路を流れる。 - 特許庁

The optical semiconductor element has the p-n junction structure in which a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer are laminated.例文帳に追加

この光半導体素子は、ｐ型半導体層およびｎ型半導体層が積層されたｐｎ接合構造を有している。 - 特許庁

An N^+-type diffusion layer 8 is formed in the N^--type semiconductor layer 2 adjacent to the P^--type diffusion layer 5.例文帳に追加

Ｐ−型の拡散層５に隣接したＮ−型の半導体層２の表面にはＮ＋型の拡散層８が形成されている。 - 特許庁

Thus, n-type impurity concentration of a capacitor electrode 23 in the n-type decoupling capacitor region 4 is low compared to a conventional case.例文帳に追加

これにより、従来と比較して、ｎ型デカップリングコンデンサ領域４のキャパシタ電極２３のｎ型不純物濃度が低い。 - 特許庁

In a high breakdown voltage diode 20, an N^- layer 2 is provided on an N^+ layer 1 and a silicon substrate 3 is provided as a cathode.例文帳に追加

高耐圧ダイオード２０では、Ｎ^＋層１上にＮ^−層２が設けられ、カソードとしてのシリコン基板３を有している。 - 特許庁

An n well 3a is formed in a front surface layer of a silicon substrate 3, and a dielectric layer 4 is formed on the n well.例文帳に追加

シリコン基板３の表層側にＮウェル３ａが構成されており、その上に誘電体層４が構成されている。 - 特許庁

To produce 4-N-(methylbenzoyl)amino-2-methylbenzoic acid in a good yield by a safe and simple method.例文帳に追加

本発明の課題は、安全且つ簡便な方法にて、収率良く4-N-(メチルベンゾイル)アミノ-2-メチル安息香酸を製造することにある。 - 特許庁

Then, an n--type epitaxial film 22 and a p-type epitaxial film 23 and an n+-type epitaxial film 24 are laminated in the trenches 8 and 9.例文帳に追加

そして、トレンチ８、９内にｎ^-型エピタキシャル膜２２、ｐ型エピタキシャル膜２３、ｎ^+型エピタキシャル膜２４を積層形成する。 - 特許庁

A genuine amorphous silicon P-I-N photo diode 7 is formed in the cavities 6, which produce an output signal denoting an incident light.例文帳に追加

空洞の中には、真性アモルファスシリコンP-I-Nフォトダイオード７が形成され、入射光を表わす出力信号を生成する。 - 特許庁

Antennas of an array antenna wherein the antennas are arranged in a regular hexagonal shape over N (N≥2) circulations are divided into three antenna groups.例文帳に追加

複数のアンテナをＮ周（Ｎ≧２）に亘って正六角形状に配置してなるアレイアンテナのアンテナを３つのアンテナグループに分ける。 - 特許庁

In this case, each of plural N memory modules is radially connected to the central switch by a correspondent memory modules bus.例文帳に追加

この場合、複数のN個のメモリモジュールのそれぞれは、対応するメモリモジュールバスにより中央スイッチに放射状に接続される。 - 特許庁

An N^+ embedded layer 2 and an N-type epitaxial layer 3 are formed in the main surface area of a P-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面領域中に、Ｎ^+ 埋め込み層２およびＮ型エピタキシャル層３が形成されている。 - 特許庁

The effect of obtaining the n bits in the output is the multiplication of the companion matrix of an N order by the present contents of a shift register.例文帳に追加

出力にＮビットを得る効果は、シフトレジスタの現在の内容にＮ次のコンパニオン行列を乗算することである。 - 特許庁

The gate electrode 13a consists of N type sections 131 in both end parts and a P type section 132 of a specified distance between the N type sections 131.例文帳に追加

ゲート電極１３ａは両端部がＮ型部分１３１かつその間の所定距離がＰ型部分１３２となっている。 - 特許庁

To provide intermediates which serve as a key in synthesis of amino substituted N, N'-bridged bisindolylmaleimides useful as a medicine.例文帳に追加

医薬として有用なアミノ置換Ｎ，Ｎ’−架橋ビスインドリルマレイミド化合物の合成において鍵となる中間体を提供する。 - 特許庁

The method uses an oxadiazine-based compound or pyrrole-based compound and DEET (N,N-diethyl-m-toluamide) in order to control pyrethroid-resistant insect pests.例文帳に追加

ピレスロイド耐性害虫の防除のために、オキサジアジン系化合物又はピロール系化合物、及びディートを使用する方法。 - 特許庁

To provide a method capable of producing a high purity iron S,S- ethylenediamine-N,N'-disuccinic alkali salt little in the content of a lactam ring compound.例文帳に追加

ラクタム環化合物の少ない高純度のＳ，Ｓ−エチレンジアミン−Ｎ，Ｎ’−ジコハク酸鉄アルカリ塩の製法を提供すること。 - 特許庁

The identity matrix of dimension N is a square matrix which contains ones along the diagonal and zeros in all other positions. 例文帳に追加

N次元の恒等行列は正方行列であり, それは1を対角線（面）に沿って, またゼロを他のすべての位置に持つものである. - コンピューター用語辞典

To provide a magnetic recording medium wherein electromagnetic conversion characteristics, especially a C/N ratio in a high-density recording area, are greatly improved.例文帳に追加

電磁変換特性、特に高密度記録領域でのC/N比が格段に改良された磁気記録媒体を提供すること。 - 特許庁

An image delivery server 10 accepts a watching request from clients 30-1, 30-2 to 30-n (n is the number of members in a group).例文帳に追加

映像配信サーバ１０はクライアント３０−１，３０−２，・・・，３０−ｎ（ｎはグループの人数），・・・から視聴要求を受け付ける。 - 特許庁

In the case that the number of planes (n) is the number of planes (m) or below, a paper feed schedule and a print schedule are decided based on the number of planes (n).例文帳に追加

面数ｎが面数ｍ以下の場合には、面数ｎに基づいて用紙フィードスケジュール、印字スケジュールを決定する。 - 特許庁

The device is provided with N signal lines for transmitting the signal in parallel for adjoining N pieces unit of the sensors arranged in the predetermined direction, and N memory areas corresponding to the signals; selects a corresponding memory area out of the N memory areas; and writes in a transmitting order of the signal.例文帳に追加

所定方向に隣り合うＮヶのセンサーユニット単位でパラレルに前記信号を送信するためのＮ本の信号線と、それに対応するＮヶの記憶領域を設け、Ｎヶの記憶領域のなかから対応する記憶領域を選択し、信号の送信順に書き込む。 - 特許庁

An evaluation function J corresponding to an error edq(n+2) between the prediction currents ide(n+2) and iqe(n+2) and command currents idr and iqr is computed in step S20, and a minimum evaluation function J is used in the voltage vector V(n+1) at the next time in steps S24 and 26.例文帳に追加

そして、ステップＳ２０において、予測電流ｉｄｅ（ｎ＋２），ｉｑｅ（ｎ＋２）と指令電流ｉｄｒ，ｉｑｒとの誤差ｅｄｑ（ｎ＋２）に応じた評価関数Ｊを算出し、ステップＳ２４，２６において、評価関数Ｊが最小となるものを次回の電圧ベクトルＶ（ｎ＋１）とする。 - 特許庁

A first N-type region 12b is formed in contact with the P-type region 7b of the channel region in a source region 14 which is a P-type, and a second N-type region 11a having a larger impurity density than the first N-type region 12b is formed in contact with the first N-type region 12b.例文帳に追加

Ｐ型であるソース領域１４において、第１のＮ型領域１２ｂをチャネル領域のＰ型領域７ｂに接して形成し、第１のＮ型領域１２ｂに接してそれよりも不純物密度の大きい第２のＮ型領域１１ａを形成する。 - 特許庁

A storage device is provided with (n+1) physical storage areas, in which m data storage areas are included in each physical storage area and the writing, reading, erasing, etc. of data can be collectively performed, rearranges a series of data inputted from a master host as writing data, separates and stores these series of data in n pysical storage areas.例文帳に追加

m個のデータ記憶エリアを有し、データの書き込み、読み出し、消去等が一括して行われる物理記憶領域をn+1個具備し、上位ホストから書き込みデータとして入力される一連のデータを並び替えて、それら一連のデータをn個の物理記憶領域に分離して格納する。 - 特許庁

Many punch needles N in a state in which the shank parts n_1 of the needles N are stuck to each other are inserted to the needle-inserting holes 15, and the many needles N are fixed by screwing set screws 17 engaged by screwing in the screw holes 16 to improve the implanting density of the punch needles N.例文帳に追加

針挿入孔１５に複数のパンチ針Ｎを各パンチ針Ｎのシャンク部ｎ_１ を互に密着させた状態で挿入し、その複数のパンチ針Ｎをねじ孔１６にねじ係合した止めねじ１７の締付けにより固定して、パンチ針Ｎの植設密度の向上を図る。 - 特許庁

A p^+-type diffusion layer 15 is not formed just under the n^+-type source 17E unlike an n^+-type source region 17 in a region A and a sheet resistor R1 in the n^+-type source region 17E is larger than a sheet resistor R2 in the n^+-type source 17 (R1>R2).例文帳に追加

ｎ＋型ソース領域１７Ｅの直下には、領域Ａのｎ＋型ソース領域１７と異なり、ｐ＋型拡散層１５は形成されておらず、ｎ＋型ソース領域１７Ｅのシート抵抗Ｒ１は、ｎ＋型ソース領域１７のシート抵抗Ｒ２よりも大きい（Ｒ１＞Ｒ２）。 - 特許庁

The low-order bit processing circuit divides pixels of each frame into n sets (n is an integer equal to or greater than 2), and stores in the frame memory the separated low-order bit portion only of the pixel data for corresponding one set of pixels among the divided n sets of pixels, in a period for receiving the pixel data in sequential n frames.例文帳に追加

下位ビット処理回路は、それぞれのフレームの画素をｎ組（ｎは２以上の整数）に分割し、連続するｎフレームの画素データを受信する期間に、分割したｎ組の画素のうちの対応する１つの組の画素の画素データのみの分離した下位ビット部分をフレームメモリに記憶する。 - 特許庁