「n-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

In the first region AA, a P-type MOS 22, an N-type MOS 32 and a P-type MOS 42 are formed, and in the second region BB, an N-type MOS 52 is formed.例文帳に追加

第１領域ＡＡにはＰ型ＭＯＳ２２、Ｎ型ＭＯＳ３２、Ｐ型ＭＯＳ４２が形成され、第２領域ＢＢにはＮ型ＭＯＳ５２が形成される。 - 特許庁

The P-type fiber and the N-type fiber in one pair of transmission lines are preferably colored differently than the P-type fiber and the N-type fiber in other pairs.例文帳に追加

伝送回線の或る対の中のＰ型ファイバとＮ型ファイバは他の対のＰ型ファイバとＮ型ファイバとは異なって着色されることが好ましい。 - 特許庁

The first and second structures 21 and 22 are divided into n pieces in the traveling direction, and separated only by τ/n+mτ in regard to a magnetic pole pitch of the stator 1.例文帳に追加

第１および第２の構造体２１、２２は、進行方向にｎ分割され、固定子１の磁極ピッチτに対して、τ／ｎ＋ｍ・τだけ離間配置される。 - 特許庁

An image signal read by a CCD is analog/digital converted into digital data with N+n (8 in this case) bit gradation, and the result is given to a data line replacement circuit in Figure 3.例文帳に追加

ＣＣＤで読取った画像信号をＮ＋ｎ（ここでは８）bit階調のデジタルデータにＡ／Ｄ変換し、図３のデータライン入替回路に入力する。 - 特許庁

To achieve a high gain to obtain a desired S/N ratio in an imaging device.例文帳に追加

イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。 - 特許庁

In a DVD disk, a linking area is inserted in the boundary part between an ECC block (n - 1) of a data A and an ECC block (n) of a data B.例文帳に追加

ＤＶＤディスクにおいて、データＡのＥＣＣブロック（ｎ−１）とデータＢのＥＣＣブロック（ｎ）の境界部にリンキング領域が挿入されている。 - 特許庁

The distribution line 5 is sectioned by zone switches 4 in the number of n, while CTs (current transformers) 2 in the number of n are provided corresponding to the individual zone switches 4.例文帳に追加

配電線５は、ｎ個の区分開閉器４により区分されており、また、各区分開閉器４に対応して、ｎ個のＣＴ（変流器）２が設けられている。 - 特許庁

To achieve a required S/N ratio by obtaining a high gain in an imaging device.例文帳に追加

イメージング装置において高い利得を実現し、所望のＳ／Ｎ比を得る。 - 特許庁

A pitch calculation unit and a pitch cycle correction unit calculate a multiple of N as the number of samples in a pitch cycle of the audio signal, in which N is an integer equal to or greater than 1.例文帳に追加

ピッチ算出部とピッチ周期補正部は、オーディオ信号のピッチ周期のサンプル数として、１以上の整数であるＮの倍数を算出する。 - 特許庁

To obtain a magnetic recording medium having high coercive force and satisfactory in an S/N ratio.例文帳に追加

高保磁力を有し、Ｓ／Ｎ比も良好な磁気記録媒体を得る。 - 特許庁

In such a case, the impurity ion is prevented from being implanted into the N^+ layer 8.例文帳に追加

この際、不純物イオンがＮ^＋層８に注入されないようにする。 - 特許庁

A source electrode 17 is in ohmic contact with the n^+-type GaN layer 6.例文帳に追加

ｎ^＋型ＧａＮ層６には、ソース電極１７がオーミック接触している。 - 特許庁

A signal processing section 14 outputs an addition returning signal in (n+m) bits.例文帳に追加

信号処理部１４は、（ｎ＋ｍ）ビットの足し戻し信号を出力する。 - 特許庁

In that case, a GET command is issued while describing "Pragma: Thumb=N (N= any one of 1-3) in the request header of the HTTP request (S365-S375).例文帳に追加

そこで、その場合は、ＨＴＴＰリクエスト中のリクエストヘッダに「Ｐｒａｇｍａ：Ｔｈｕｍｂ＝Ｎ（ただし、Ｎは１〜３のいずれか）」を記述してＧＥＴコマンドを発行する（Ｓ３６５〜Ｓ３７５）。 - 特許庁

CATALYST BASED ON MOLYBDENUM AND ITS USE IN ISOMERIZATION OF n-PARAFFIN例文帳に追加

モリブデンをベ—スとする触媒、及びｎ—パラフィンの異性化への該触媒の使用 - 特許庁

In a charge pump circuit, a P-type transistor MP2 and an N-type transistor MN2, which are turned off at all the time, are provided in parallel with a P-type transistor MP1 and an N-type transistor MN1.例文帳に追加

Ｐ型トランジスタＭＰ１及びＮ型トランジスタＭＮ１と並列に常にオフにしたＰ型トランジスタＭＰ２及びＮ型トランジスタＭＮ２を設ける。 - 特許庁

FREE-STANDING (AL, GA, IN)N AND PARTING METHOD FOR FORMING THE SAME例文帳に追加

独立（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎおよびそれを形成するための分割方法 - 特許庁

A first conductor film 7 is provided on the bottom face of the opening 6 in such a way that the film 7 covers the n-type area 2 while the film 7 is in contact with the n-type are 2.例文帳に追加

第１の導体膜７は、開口部６の底面のｎ型領域２に接するとともに、ｎ型領域２を覆うように設けられる。 - 特許庁

In the case of m=2, the monitoring data is prepared from the sampling data at n × 2.例文帳に追加

ｍ＝２のときはｎ×２のサンプリングデータから監視用データを作成する。 - 特許庁

In an N mode, the piece P2 and the hub H are connected to each other by the sleeve S1.例文帳に追加

Ｎモードでは、スリーブＳ１によりハブＨとピースＰ２が連結される。 - 特許庁

A write-in transistor 401-n-m and a boot-up transistor 406-n-m are included in a pixel circuit, and drive voltage is made higher by a bootstrap.例文帳に追加

画素回路内に書込みトランジスター４０１−ｎ−ｍとブートアップトランジスター４０６−ｎ−ｍを備え、ブートストラップによって駆動電圧を高める。 - 特許庁

To extend a dynamic range maintaining a signal output level and an S/N characteristic in the time of dark (low illuminance) without performing complicated signal processing in a CMOS image sensor.例文帳に追加

CMOSイメージセンサにおいて、複雑な信号処理を行うことなく、暗時（低照度時）の信号出力レベルおよびS/N 特性を維持してダイナミックレンジを大きくする。 - 特許庁

Thereafter, the parent device 1b compares the variational dif(n) calculated in step S05 with the second threshold c2(n), set in step S06 (step S07).例文帳に追加

次に、親装置１ｂはステップＳ０５で算出した変化量ｄｉｆ（ｎ）とステップＳ０６で設定した第２閾値ｃ２（ｎ）とを比較する（ステップＳ０７）。 - 特許庁

A controller 15 instructs the DRAM 11 in the transmitter to divide data into N pieces of frames, and to transmit the data in the order of first to N-th frames.例文帳に追加

制御装置１５は、送信装置内ＤＲＡＭ１１に対し、データをＮ個のフレームに分割して１〜Ｎ番目のフレームの順番で送信するように命令する。 - 特許庁

A p-well 111 to be a channel region of a MOSFET is formed in one side of an n^- layer 110, and an n^+ drain region 118 is formed in the other side.例文帳に追加

ｎ^-層１１０の一側にはＭＯＳＦＥＴのチャネル領域となるｐウェル１１１が、他側にはｎ^+ドレイン領域１１８が形成される。 - 特許庁

The guard interval length information is determined from the level of a correlative value between N sampled in the end of the guard interval and N sampled in the end of a valid symbol part.例文帳に追加

前記ガードインターバル長情報は、ガードインターバルの最後尾のＮサンプルと有効シンボル部の最後尾のＮサンプルの相関値の大きさにより決定する。 - 特許庁

Consequently, formation of a depletion layer can be accelerated in an n^- epitaxial layer 2.例文帳に追加

これにより、ｎ^-エピタキシャル層２の空乏層化を促進することができる。 - 特許庁

To provide a color image forming apparatus with high image quality that is low cost and compact and in which color shift in a sub-scanning direction is (n-1)/n pixels or less at maximum.例文帳に追加

低コスト、コンパクト、かつ、副走査方向の色ズレが最大でも（ｎ−１）／ｎ画素以下となる高画質のカラー画像形成装置が提供される。 - 特許庁

A first contact plug 34 in conduction with the N-type source region 16 and a second contact plug 36 in conduction with the N-type drain region 16 are made.例文帳に追加

Ｎ型ソース領域１６と導通する第１のコンタクトプラグ３４と、Ｎ型ドレイン領域１８と導通する第２のコンタクトプラグ３６とを設ける。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

The number N of prints (N=0 at the time of replacement) is written in an RF tag 15a of another new loaded toner unit 15 by replacement, in the same manner.例文帳に追加

交換により、新規に装着されたトナーユニット１５のＲＦタグ１５ａに対しても同様に、プリント枚数Ｎ（交換時にＮ＝０）を書き込む。 - 特許庁

An N^+-type impurity doped region 4 is formed in the upper face 3 of the N^--type silicon substrate 1 in the portion exposing itself from the silicon oxide film 2.例文帳に追加

シリコン酸化膜２から露出している部分のＮ^-形シリコン基板１の上面３内には、Ｎ^+形不純物導入領域４が形成されている。 - 特許庁

N channel input optical wiring 12 is formed in one face of a wiring board 17; and N channel output optical wiring 13 is formed in the other face thereof.例文帳に追加

基板１７の一方の面にＮチャンネル入力光配線１２を形成し、他方の面にＮチャンネル出力光配線１３を形成する。 - 特許庁

A drift N^--region 3 is laminated in a semiconductor substrate 1 via a buried oxide film 2 and a high breakdown strength device is formed in the drift N^--region 3.例文帳に追加

ドリフトＮ^−領域３が埋め込み酸化膜２を介して半導体基板１に貼り合わされ、高耐圧デバイスがドリフトＮ^−領域３に形成されている。 - 特許庁

The MEMS switch array (12) is electrically connected in an (M×N) array.例文帳に追加

ＭＥＭＳスイッチアレイ（１２）は（Ｍ×Ｎ）アレイをなして電気的に接続される。 - 特許庁

S/N DETERIORATION MEANS BUILT-IN RADIO COMMUNICATION EQUIPMENT, AND ITS RADIO COMMUNICATION METHOD例文帳に追加

Ｓ／Ｎ劣化手段内蔵無線通信装置及びその無線通信方法 - 特許庁

A new object are made appear in a (n+D)th frame or later of the virtual world B when event occurs in the (n)th frame of the virtual world A.例文帳に追加

仮想世界Ａの（ｎ）番目のフレームでイベントが発生した場合、仮想世界Ｂの（ｎ＋Ｄ）番目以降のフレームで新規オブジェクトを登場させる。 - 特許庁

(In the expression, R indicates a substituent, and n indicates an integer of 1 or 2).例文帳に追加

（式中、Ｒは置換基を表し、ｎは１又は２の整数を表す。） - 特許庁

An FDM synthesis circuit 5 modulates N pieces of data in the FDM method.例文帳に追加

ＦＤＭ合成回路５はＮ個のデータをＦＤＭ方式で変調する。 - 特許庁

(In the formula, R_1 and R_2 each represent an alkyl group or the like, and n represents an integer of 1-3).例文帳に追加

（式中、Ｒ_１〜Ｒ２はアルキル基等ｎは１〜３の整数を示す。） - 特許庁

In a pixel array part 111 of an EL panel 101, M×N pixels from 121-(1, 1) to 121-(N, M) are disposed in matrix.例文帳に追加

ELパネル１０１の画素アレイ部１１１には、Ｎ×Ｍ個の画素１２１−（１，１）乃至１２１−（Ｎ，Ｍ）が行列状に配置されて構成されている。 - 特許庁

In an epitaxial structure 1, a lower n-type semiconductor layer 19, a group III-V compound semiconductor layer 21, and an upper n-type semiconductor layer 23 are laminated in this order.例文帳に追加

エピ構造１では、下部ｎ型半導体層１９、III−Ｖ族化合物半導体層２１、上部ｎ型半導体層２３の順に積層されている。 - 特許庁

Formula (1) NC-(CH_2)_n-CN (In the formula, n represents an integer of 1 or more.)例文帳に追加

式（１） ＮＣ−（ＣＨ_2）_n−ＣＮ（式中、ｎは１以上の整数である。） - 特許庁

A difference value between the n-multiplied value of an output in the first resolver having the m-pieces of counter electrodes and the m-multiplied value of an output in the second resolver having the n-pieces of counter electrodes is found (S16).例文帳に追加

対極数ｍの第１レゾルバの出力のｎ倍と対極数ｎの第２レゾルバの出力のｍ倍との差分値を求める（Ｓ１６）。 - 特許庁

By the control of a CPU 9, an electromagnetic field En and Hn in an arbitrary time, step are temporarily replaced by another parameter and stored in a memory 10.例文帳に追加

ＣＰＵ９の制御により、任意のタイム・ステップにおける電磁界のＥ^n およびＨ^n を別のパラメータで一時的に置き換えてメモリ１０に格納しておく。 - 特許庁