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n-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19373



例文

To provide a semiconductor device, capable of preventing diffusion of In to the surface of an N-type ohmic electrode, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

N型オーミック電極の表面へのInの拡散を抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To obtain an echo signal having a high S/N ratio reduced in reverberation noise.例文帳に追加

残響ノイズが低減されたS/N比の高いエコー信号を得ること。 - 特許庁

In this case, this pattern has n-step shape more than two steps.例文帳に追加

この際、前記パターンは2より大きいn段のレベルのパターンを有する。 - 特許庁

Furthermore, all the N-side clad layers are 1 to 2 μm in thickness.例文帳に追加

さらにn側クラッド層の全体の膜厚を1μm〜2μmとする。 - 特許庁

例文

In clocks CK1 to CK4, phases are mutually subjected to 1/n cycle shift.例文帳に追加

クロックCK1〜CK4は、位相が互いに1/n周期シフトしている。 - 特許庁


例文

Consequently, the problem of decrease in charging rate of a pixel connected to the K(N+1)th scan line in N-line inversion can be solved.例文帳に追加

これによって、N−ライン反転時、K(N+1)番目スキャンラインと連結されたピクセルの充電率低下の問題点を解決することができる。 - 特許庁

After that, n switches are controlled to connect the n first capacitors to second capacitors in parallel to adjust a voltage stored in the second capacitors.例文帳に追加

その後、n個のスイッチを制御して、n個の第1コンデンサと第2コンデンサとを並列に接続して第2コンデンサに保持する電圧を調整する。 - 特許庁

A 2nd element is represented by (TiuNv), in which N means an element other than Ti.例文帳に追加

(Ti_u N_v )が第2の元素であり、NはTi以外の元素である。 - 特許庁

The storage number of the mode numbers in the table part and the selection number in the table selection function are extended to 2^N (where, N is an integer).例文帳に追加

テーブル部におけるモード番号格納数と、テーブル選択機能における選択数を2^N(たたし、Nは整数)に拡張するようにした。 - 特許庁

例文

Capacitors 211a to 211f that are 2^n (n is integers from 0 to 5 and is 6 in total) times of electrostatic capacity Ca are connected in parallel, and switches 212a to 212f are connected to the capacitors 211a to 211f in series, respectively.例文帳に追加

静電容量Caの2^n倍(nは0〜5までの整数)となっている計6個)のコンデンサ211a〜fが並列に接続され、それらコンデンサ211a〜fにはスイッチ212a〜fがそれぞれ直列に接続されている。 - 特許庁

例文

The wiring L_A, m electrically connects N pieces of photodiodes existing in the m-th row among photodiodes arranged two-dimensionally in M rows and N columns.例文帳に追加

配線L_A,mは、M行N列に2次元配列されたフォトダイオードのうち第m行にあるN個のフォトダイオードを電気的に接続する。 - 特許庁

In the formula, n is 1 or 2.例文帳に追加

−S−S−(CH_2)_nCOO− (I)(式(I)中、nは1又は2である。) - 特許庁

A coupled circuit 4 inserts M unprotected bits in every N protected bits.例文帳に追加

結合回路4にて保護ビットN個毎に非保護ビットM個挿入する。 - 特許庁

When visual information such as English words 4n, 4(n+1) is shown in spread left and right pages 2ns, 2(n-1) of the bound product 1, the visual information shown in the left page 2ns is inverted to that in the right page 2(n-1).例文帳に追加

装丁物1の見開き左右ページ2ns、2(n−1)に、英単語4n、4(n+1)などの視覚情報を表示する際、左右ページ2ns、2(n−1)で、視覚情報を反転させて表示する。 - 特許庁

For example, in processing N(1)t(2), since N(1)t(1) and x(0)y(2) can not follow, N(1)t(1)+x(0)y(2) is calculated in advance by t calculating section 40 other than the pipeline processing to obtain t(2) in advance.例文帳に追加

例えば、N(0)t(2)の実行にあたり、N(1)t(1)とx(0)y(2)が間に合わないから、パイプライン処理とは別のt計算部40でN(1)t(1)+x(0)y(2)を前倒しで計算し、t(2)を前倒しで求める。 - 特許庁

To achieve paper saving as a primary purpose in N-up printing.例文帳に追加

N−up印刷において本来の用紙節約の目的を果たすこと。 - 特許庁

To provide an N-digit addition and subtraction unit and an N-digit addition and subtraction module in which borrowing and carrying are not propagated in modules having basic digits.例文帳に追加

基本となる桁数のモジュール内では桁借り、桁上げが伝搬しないN桁加減算器ユニット及びN桁加減算器モジュールを提供する。 - 特許庁

When '1' is written in all N bits, at the time of next 'on' of the ignition key, cells of N bits in the main counter region CM are erased en bloc.例文帳に追加

Nビットのすべてに「1」が書き込まれると、次のイグニッションキーオン時には、メインカウンタ領域CM内のNビットのセルが一括消去される。 - 特許庁

The magnet 2Z is magnetized to have an N pole and an S pole in an axial direction.例文帳に追加

磁石2Zは、軸方向にN極およびS極に着磁される。 - 特許庁

In the case that the value dif1(2)[n] is smaller than the threshold Th1, it is discriminated that the picture is subjected to dissolving, an M value is changed and the picture is coded in a ST15.例文帳に追加

dif1^(2)[n]が閾値Th1より小さい場合はディゾルブ処理された画像であると判断し、ST15によりM値を変更して符号化処理する。 - 特許庁

Seventy-three to complain about the SNR on -hackers and -chat and unsubscribe in protest; 例文帳に追加

-hackers と -chat の S/N比に文句を言い、 抗議のため講読を取りやめるのに 73 人。 - FreeBSD

The two forms should not be mixed in the same format string, except that a string containing "%n$" specifications can include %% 例文帳に追加

これら 2つの形式を同じformat文字列に混ぜることはできない。 - JM

In addition, it is also preferable to use polyalkylene glycol as the surface modifying agent (N).例文帳に追加

また、表面改質剤(N)としては、ポリアルキレングリコールが好ましい。 - 特許庁

To form an N type region in a semiconductor substrate at a deeper position thereof.例文帳に追加

半導体基板中のより深い位置にN型領域を形成する。 - 特許庁

A register 114 stores data for n-1 bytes in the data of (n) bytes stored in the register 112 before one operating cycle.例文帳に追加

この時、レジスタ114には、1動作周期前にレジスタ112に格納されていたnバイトのデータのうち、n−1バイト分のデータが格納される。 - 特許庁

An emitter electrode 102 is in contact with the n^+-type emitter region 122.例文帳に追加

エミッタ電極102は、n^+型エミッタ領域122に接している。 - 特許庁

To provide a synthetic method by which an N-methylol compound is obtained in high yield.例文帳に追加

N−メチロール化合物を高収率で得る合成法を提供する。 - 特許庁

A pixel selecting part 120 selects n pixel values of corresponding pixel positions in n input images 110 photographed in time sequence.例文帳に追加

画素選択部120は時系列に撮像されたn枚の入力画像110において対応する画素位置のn個の画素値を選択する。 - 特許庁

The perfluorohydrocarbon in the inside of the micelle is, for example, perfluoro-n-pentane.例文帳に追加

ミセル内部のパーフルオロ炭化水素は、例えばパーフルオロノルマルペンタンである。 - 特許庁

NON-POLAR (A1, B, In, Ga)N QUANTUM WELL, HETEROSTRUCTURE MATERIAL, AND DEVICE例文帳に追加

非極性(Al,B,In,Ga)N量子井戸、ならびにヘテロ構造材料およびデバイス - 特許庁

This affects my daughters life. announce it at the next academic conference in yokohama.例文帳に追加

娘の人生がかかってるn次の横浜の学会で公表したまえ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

But since you've been included in this difficult research team例文帳に追加

お前 何だか 難しい研究チームにn組み込まれちまったみたいだから - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

About the random murder case that occurred last night in the amusement district of ikebukuro例文帳に追加

[テレビ]昨夜 池袋の繁華街で発生したn通り魔事件について - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

After failing to find a job, he stayed in his room all the time.例文帳に追加

就職に失敗してから ずっと部屋にn引きこもってたんですけど - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

In P-well regions 152 and 153 arranged in both sides of the N-well region 151, N-channel transistors 108 and 109 and the like are formed.例文帳に追加

Nウェル領域151の両側に配置されたPウェル領域152,153には、Nチャネルトランジスタ108,109等が形成されている。 - 特許庁

The PchLDMOS13 is formed in an N-type well region 25.例文帳に追加

PchLDMOS13はN型ウエル領域25内に形成されている。 - 特許庁

Area servers 3a to 3n are installed in respective areas a to n.例文帳に追加

エリアサーバ3a〜3nは、エリアa〜エリアnのそれぞれに設けられている。 - 特許庁

The control part 1 performs processing to calculate request degree data K(n), indicating the degree of a subjective request held in the character, based on at least one of the first characteristic data P(n) and the second characteristic data N(n), A(n).例文帳に追加

そして、第1特性データP(n)および第2特性データN(n),A(n)の少なくともいずれか一方のデータに基づいて、キャラクタが有する主観的な要求の程度を示す要求度データK(n)を算出する処理が、制御部1により実行される。 - 特許庁

When the SiC single crystal is grown, along with nitrogen (N) that serve as a donor element for achieving an n-type semiconductor, gallium (Ga) is added so that N (amount) and Ga (amount), which are amounts of N and Ga elements expressed in atm, respectively, satisfy the relation: N (amount)>Ga (amount).例文帳に追加

SiC単結晶を結晶成長する際に、n型半導体とするためのドナー元素である窒素(N)とともにガリウム(Ga)を、両元素のatm単位で表示して量であるN(量)およびGa(量)がN(量)>Ga(量)となるようにする。 - 特許庁

At least two P-N junction elements of the first P-N junction element, the second P-N junction element, the third P-N junction element and the fourth P-N junction element are connected between two different potential lines in forward bias to form an electrostatic protection circuit.例文帳に追加

第一のPN接合素子、第二のPN接合素子、第三のPN接合素子、および第四のPN接合素子のうちの少なくとも2つのPN接合素子を、異なる2つの電位配線間に順方向バイアスに接続して静電気保護回路とする。 - 特許庁

In the extra-low nitrogen range having ≤0.003 mass% N content, N excessively existing more than Ti equivalent and further, 0.0005 mass% N exists as a solid-soluble N, and the existence of this solid-soluble N causes unstability of the baking hardenability.例文帳に追加

N含有量0.003質量%以下の極低窒素領域においては、Ti当量より過剰に存在するNに加えて0.0005質量%のNが固溶Nとして存在し、この固溶Nの存在が、焼付硬化性の不安定性の原因となる。 - 特許庁

The method comprises forming an n^--type layer for forming a channel layer 6 in trenches 5, forming an n^+-type layer containing an n^--type impurity at a high concentration on the n^--type layer, and thermo-oxidating the n^+-type layer to form an oxide film 8 forming a gate oxide film.例文帳に追加

トレンチ5内にチャネル層6を構成するためのN−型層を形成したのち、このN−型層の上にN型不純物を高度度で含むN+型層を成膜し、このN+型層を熱酸化することでゲート酸化膜を構成する酸化膜8を形成する。 - 特許庁

Iof(n)=[k×Iof(n-1)+Iobi(n)]/(k+1), wherein (k) is a weight coefficient and this weight coefficient (k) is set in accordance with deflection between the target electric current value Iobj(n) and the previous target electric current value Iobj(n-1) at a weight coefficient setting part 17.例文帳に追加

Iof(n)={k・Iof(n−1)+Iobj(n)}/(k+1)ここで、kは重み係数であり、この重み係数kは、重み係数設定部17によって、目標電流値Iobj(n)と前回の目標電流値Iobj(n−1)との偏差に応じて設定される。 - 特許庁

This method for producing an amide compound such as ε- caprolactam from an oxime compound such as cyclohexanone oxime by a Beckmann rearrangement in a liquid phase is characterized by comprising reaction in the presence of a fluorine-free sulfonic acid anhydride (e.g. P- toluenesulfonic acid anhydride) and an N,N-disubstituted amide compound (e.g. N,N-dimethylformamide).例文帳に追加

シクロヘキサノンオキシム等のオキシム化合物を液相中でベックマン転位反応を行うことによりε−カプロラクタム等のアミド化合物を製造する方法において、非含フッ素スルホン酸無水物(例えば、p-トルエンスルホン酸無水物)およびN,N-二置換アミド化合物(例えば、N,N-ジメチルホルムアミド)の存在下で反応を行うことを特徴とするアミド化合物の製造方法。 - 特許庁

In the method, a detecting means automatically acquires information about workloads of the at least two digital signal processors 3.1 to 3.n, and a distributing means next distributes the digital task to the at least two digital signal processors 3.1 to 3.n in response to the detected workloads of the at least two digital signal processors 3.1 to 3.n.例文帳に追加

この方法では、検出手段により少なくとも2つのディジタル・シグナル・プロセッサ(3.1-3.n)の作業負荷についての情報を自動的に収得し、そして、その後分配手段により該少なくとも2つのディジタル・シグナル・プロセッサ(3.1-3.n)の検出された作業負荷に応答して該少なくとも2つのディジタル・シグナル・プロセッサ(3.1-3.n)に該ディジタルタスクが分配される。 - 特許庁

A processing unit 2 always communicates with programmable controllers n, n+1, etc., and device information from the programmable controllers n, n+1, etc., is recorded successively in unit of byte at a location corresponding to each device number in an object image 8.例文帳に追加

演算処理装置2は、常時、プログラマブルコントローラn,n+1…との間で通信を行い、プログラマブルコントローラn,n+1…からのデバイス情報は、オブジェクトイメージ8の、各デバイス番号に対応付けられた位置にバイト単位で逐次記録されていく。 - 特許庁

Then, an n-type semiconductor layer 35 is selectively formed in the recess 23 in a contact state with the n-type impurity region 19r, thus forming a photoelectric conversion unit which includes the n-type impurity region 19r and the n-type semiconductor layer 35.例文帳に追加

その後、凹部23内にn型不純物領域19rに接する状態で選択的にn型半導体層35を形成し、n型不純物領域19rとn型半導体層35とからなる光電変換部を形成する。 - 特許庁

A solid-state imaging apparatus (1A) has a light-receiving part (10A) having a rectangular light-receiving surface in which M times N pixels (where M<N and M and N are integers greater than one) are two-dimensionally arranged in M rows and N columns and the longitudinal direction of which is the row direction.例文帳に追加

固体撮像装置1Aは、M×N個(M<N、M及びNは2以上の整数)の画素がM行N列に2次元配列されて成り、行方向を長手方向とする長方形状の受光面を有する受光部10Aを有する。 - 特許庁

Namely, the image data are written in the order of 1st, 3rd, (N/2)th, ..., (N-1)th odd-numbered rows of a matrix of M columns by N rows and then reversely in the order of the remaining Nth, (N-2)th, ..., 2nd even-numbered rows.例文帳に追加

すなわち、M列N行のマトリクスにおいて、まず、奇数行である、第1行、第3行、第(N/2)行、…、第(N−1)行の順に書き込み、次いで、逆方向から、残りの偶数行である、第N行、第(N−2)行、…、第2行の順に書き込む。 - 特許庁

例文

A crystal defect due to donor appears in n-type AlGaAs grown by MOVPE but a similar crystal defect is not detected in n-type GaInP, n-type AlInP and n-type AlGaInP grown by the same method.例文帳に追加

MOVPE法で成長させたn型AlGaAsにはドナーに起因する結晶欠陥が発生するが、同様の方法で成長させたn型GaInP、n型AlInP、n型AlGaInPには同種の結晶欠陥は検出されない。 - 特許庁




  
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