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n-Inの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 19373



例文

In the evaluating method for evaluating the N-type silicon epitaxial wafer, at least a density of deep level due to metal impurities in the N-type silicon epitaxial wafer is measured by a DLTS method.例文帳に追加

また、N型シリコンエピタキシャルウエーハを評価する方法、製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The connector has a plurality (n pieces) of contact module assemblies 40-1 to 40-n arrayed in plane opposition in a housing.例文帳に追加

コネクタは、ハウジング内に複数(n個)のコンタクトモジュール組立体40−1〜40−nが面対向して並んでいる。 - 特許庁

To provide a method for synthesizing an N-acetylglucosamine-bound oligosaccharide contained in mother's milk, etc., in a manner efficient for production at a low cost.例文帳に追加

母乳などに含まれるN-アセチルグルコサミン結合オリゴ糖の安価であり、生産効率的な合成法を提供する。 - 特許庁

In a 2^n branch Huffman tree H1, a root is equivalent to the structure cell C(1, 1) of the node of a first hierarchy in Fig.1.例文帳に追加

2^n分枝ハフマン木H1において、根は図1の第1階層の節点の構造体セルC(1,1)に相当する。 - 特許庁

例文

The signal masks of respective threads 3-1 to 3-n and signal holding information are stored in a signal state table 8 in a user area.例文帳に追加

ユーザ領域中のシグナル状態表8には、各スレッド3-1 〜3-n のシグナルマスク及びシグナル保留情報が格納される。 - 特許庁


例文

A model storage part 32 stores a function which models an increase in the traffic amount T with respect to an increase in the number N of users.例文帳に追加

モデル記憶部32には、ユーザ数Nの増加に対するトラヒック量Tの伸びをモデル化した関数が記憶されている。 - 特許庁

The n-type semiconductor thin film (11) is in contact with the p-type semiconductor substrate (3) in p-n manner, thus forming a protective diode.例文帳に追加

n型半導体薄膜(11)はp型半導体基板(3)にpn接触して保護ダイオードを形成している。 - 特許庁

An average value of luminance values in an (n-1)th block is converted into a gray code and embedded in an n-th block as an electronic watermark.例文帳に追加

(n−1)番のブロックの輝度値の平均値をグレイ符号に変換してn番のブロックに電子透かしとして埋込む。 - 特許庁

The steel to be worked may be heated in an above temperature range at least during the cold-working in (n-1)th times.例文帳に追加

冷間加工の(n−1)回の少なくともいずれかの合間で被加工鋼材を上記温度域に昇温させてもよい。 - 特許庁

例文

The bus master 20-n sends the data in synchronism with a first clock ΦCLK1, and the memory device 60 operates in synchronism with a second clock ΦCLK2.例文帳に追加

バスマスタ20-nは、第1クロックΦCLK1に同期してデータを送信し、メモリ装置60は、第2クロックΦCLK2に同期して動作する。 - 特許庁

例文

In addition, Tefin_fwd(N) is used as the actual correction temperature Tefin_AD(N) in an off-period (t2-t3) of the compressor 2.例文帳に追加

これに加えて、コンプレッサ2のOFF期間(t2〜t3)では実際の補正温度Tefin_AD(N)としてTefin_fwd(N)を用いる。 - 特許庁

In this invention, first a symbol (d) received from an antenna is demodulated to generate demodulation symbols (x) expressed in N bits.例文帳に追加

本発明によれば、まず、アンテナからの受信シンボル(d)を復調してNビットで表現される復調シンボル(x)を生成する。 - 特許庁

N-pieces of buffers holding asynchronizing signals, a means which sequentially switches the asynchronizing signals in synchronizing with asynchronizing signals, holds them in N-pieces of buffers and holds the stable period of the asynchronizing signals to be long and a means outputting the asynchronizing signals held in N-pieces of buffers in a holding order in synchronizing with an output clock are installed.例文帳に追加

非同期信号を保持するN個のバッファと、非同期信号を前記N個あるバッファへ非同期信号に同期して順次切り替えて保持し、非同期信号の安定期間を長く保持する手段と、出力クロックに同期して、前記N個あるバッファで保持された非同期信号を保持した順に出力する手段とを設ける構成とする。 - 特許庁

The n^+-embedded layer 20 is in contact with the bottom face of the n-type dopant region 121 and is formed deeper than the n-type dopant region 121.例文帳に追加

n^+埋め込み層20は、n型不純物領域121の底面に接して、n型不純物領域121よりも深く形成されている。 - 特許庁

In reading data, a control circuit 5 receives the pulse signal RD of one shot and reads (n) bits data RDEN <n:0> from the bit cells 2.例文帳に追加

データ読み出し時には、制御回路5は、1ショットのパルス信号RDを受けて、ビットセル2からnビットのデータRDEN<n:0>を読み出す。 - 特許庁

An n-type buffer layer 2, an n^--type drift layer 3, and a p-type base layer 5 are laminated on an n^+-type 4H-SiC substrate 1 in this order.例文帳に追加

n^+型4H−SiC基板1の上に、n型バッファー層2と、n^-型ドリフト層3と、p型ベース層5とが、この順に積層されている。 - 特許庁

A liquid crystal display panel includes a plurality of pixels {P_n, m}, arranged in a matrix, (where n=1, 2, ..., N; m=1, 2, ..., M; and N and M are integers greater than 0).例文帳に追加

マトリクス状に配列される複数の画素{P_n,m}(ただしn=1,2,…,N、m=1,2,…,M、NおよびMは0より大きい整数である)を含む。 - 特許庁

In this formula, n and m satisfy an equality/inequality 1.05≥(n+m)/n≥1.00, and R means an alkylene group having three or more carbon.例文帳に追加

−(CH_2 −CH_2 −CO)n−(R−CO)m− ・・・(1) ここで、1.05≧(n+m)/n≧1.00、 Rは炭素数が3以上のアルキレン基である。 - 特許庁

The yoke 113 has n/m number of pole tooth 115 in an angle range θ of 360°/m where (m) is a divisor of (n) except 1 and (n).例文帳に追加

ヨーク113は、360°/m(mは1及びnを除くnの約数)の角度範囲θ内にぞれぞれn/m個の極歯115を有する。 - 特許庁

The excitation light P_i comprises n pieces of excitation light sources (1A to 1N) in which a period is T, and a pulse width is T/n (n is integer of 2 or over).例文帳に追加

また、励起光P_iが周期T、パルス幅T/n(nは2以上の整数)であるn個の励起光源(1A〜1N)で構成されている。 - 特許庁

As a result, the base electrode and the n-type emitter layer are formed away from the base electrode and the n-type emitter layer, and the base electrode and the n-type emitter layer do not come in contact with each other.例文帳に追加

その結果、ベース電極とn型エミッタ層とは離れて形成され、ベース電極とn型エミッタ層との接触は起こらない。 - 特許庁

The amount of precursor ions generated in this manner is sufficient for the MS^n (n>1) analysis, and structure-specific ions are generated with high reproducibility.例文帳に追加

このようにして生じたプリカーサーイオンは、MS^n(n>1)解析に十分量であり、再現性よく構造特異的なイオンを生成させる。 - 特許庁

An n-type silicon layer 12 is formed on an n^+ type silicon wafer 11w, and a plurality of trenches 13 are formed in the n-type silicon layer 12.例文帳に追加

n^+型のシリコンウェーハ11w上にn型シリコン層12を形成し、n型シリコン層12に複数本のトレンチ13を形成する。 - 特許庁

Namely, each collation means converts the input image to an image of 2-n (n=0, 1, 2, 3) resolution in accordance with each corresponding distance range.例文帳に追加

即ち、各照合手段では、対応する各距離レンジに応じて、入力画像をそれぞれ2^-n(n=0,1,2,3)の解像度の画像に変換する。 - 特許庁

The frame processing includes m pieces (1≤m≤n) of processing steps among n pieces (n: integer of ≥2) of processing steps in accordance with kinds of data frames.例文帳に追加

このフレーム処理は、データフレームの種類に応じて、n個(n:2以上の整数)の処理ステップのうちのm個(1≦m≦n)の処理ステップを含む。 - 特許庁

Each of the semiconductor devices can include an n-type semiconductor region, an n+ region in the n-type semiconductor region, a metal gate, and a gate insulator.例文帳に追加

各半導体装置は、n型半導体領域と、n型半導体領域におけるn+領域と、メタルゲートと、ゲート絶縁体とを有し得る。 - 特許庁

The value of N of an N×N type WGR element becomes maximum for an input signal channel having an equal interval in frequency or wavelength.例文帳に追加

N×N型WGR素子のNの値は、周波数または波長において等間隔な入力信号チャネルに対して最大となる。 - 特許庁

The N^--type drift layer 2, the P^+-type layer 3, the N^+-type layer 5, and the N^--type channel layer 8 are formed in self- aligning manner by this manufacture.例文帳に追加

このような製法によれば、N^-型ドリフト層2、P^+型層3およびN^+型層5とN^-型チャネル層8とが自己整合的に形成される。 - 特許庁

The soil improving bodies are arranged in n-rows and m-columns in a plane (both n and m are integers of 2 or more) or arranged zigzag in a plane.例文帳に追加

地盤改良体を平面n行m列(n・mとも2以上の整数)に配列するか、平面千鳥状に配列してなる。 - 特許庁

In over sampling, in the first A/D conversion processing, an N-bit digital value of an analog signal is found in N steps.例文帳に追加

オーバーサンプリングを行う際に、1回目のA/D変換処理では、N回のステップでアナログ信号についてNビットのデジタル値を求める。 - 特許庁

M×n characters of a character number necessary for the priority order are extracted from a character string analysis result by a kanji Index production process 106, and are two-dimensionally arranged in m rows n columns to produce the kanji Index.例文帳に追加

文字列解析結果から漢字Index生成プロセス106により優先順に必要な文字数m×n文字を抽出し,m行n列に2次元に配置して漢字Indexを作成する。 - 特許庁

When the object moves further, the object image is obtained from pixels in the m-th row and n+1-th column, m-th row and n+2-th column, m+1-th row and n+1-th column, and m+1-th row and n+2-th column.例文帳に追加

他方、被写体がさらに移動すると、被写体像は、m行n+1列、m行n+2列、m+1行n+1列、及びm+1行n+2列の画素から得られる。 - 特許庁

When the N-th row image data are written in the memory 15, the (N-2)-th image data are read from the memory 15 and inputted to the element 142 (diagram 2) through the interface 13.例文帳に追加

画像メモリ15にN行目の画像データが書き込まれると、画像メモリ15から(N-2)行目の画像データが読出され、画像メモリインターフェイス13を介して近傍演算器142(図2)に入力される。 - 特許庁

A tertiaty arylamine compound such as N,N-diphenyl-4-aminobiphenyl is prepared by reacting an aryl bromide such as 4-bromobiphenyl with an arylamine such as diphenylamine, preferably in the presence of a palladium binding catalyst.例文帳に追加

N,N-ジフェニル-4-アミノビフェニルのような第三アリールアミン化合物は、4-ブロモビフェニルのようなアリールブロミドとジフェニルアミンのようなアリールアミンを、好ましくはパラジウム結合触媒の存在下に反応させる。 - 特許庁

The DC motor is equipped with an iron core which has n (n≥5) pieces of slots at the periphery and n pieces of coils which are made by winding lead wires in a pair of slots out of n pieces of slots.例文帳に追加

直流モータは、外周面にn(n≧5)個のスロットを持つ鉄心と、n個のスロットのうち一対のスロットに導線が巻回されて形成されたn個のコイルと、を備えている。 - 特許庁

Further, the source of an N-channel MOS transistor M5 is connected to the gate of a P-channel MOS transistor M7 in the push-pull circuit 15, and the P-channel MOS transistor M7 is driven by an output from the source of the N-channel MOS transistor M5.例文帳に追加

また、NチャネルMOSトランジスタM5のソースは、プッシュプル回路15のPチャネルMOSトランジスタM7のゲートと接続され、NチャネルMOSトランジスタM5のソース出力によって、PチャネルMOSトランジスタM7が駆動される。 - 特許庁

In the n×n optical switch 2, n-sets of input ports and n-sets of output ports are optionally and selectively connected usually on the basis of a control signal from an optical path control means 4.例文帳に追加

n×n光スイッチ2では通常、光経路制御手段4からの制御信号に基づき、n個の入力ポートと、n個の出力ポートとを任意に、選択的に接続する。 - 特許庁

A DLL circuit 1 includes a control section 10 and n (n is an integer equal to or larger than 2) delay sections D(1) to D(n) connected in series between first and second nodes ND(0) and ND(n).例文帳に追加

DLL回路1は、制御部10と、第1および第2のノードND(0),ND(n)間に直列接続されたn個(nは2以上の整数)の遅延部D(1)〜D(n)とを含む。 - 特許庁

An air-conditioning control section 43 compares frequencies WC(n) and WC(n-1) of the occurrence of interrupted sleep in two continuous periods t2 and changes a control target temperature of an air conditioning means 10 according to the change.例文帳に追加

空調制御部(43)は、前後の期間t2における中途覚醒の発生頻度WC(n)及びWC(n-1)を比較し、これらの変化に応じて、空調手段(10)の制御目標温度を変化させる。 - 特許庁

In a coding method, a (2N-1)st original block of m bits is encoded as an A type weighted block of n bits and a 2Nth original block of m bits is encoded as a B type weighted block of n bits.例文帳に追加

符号化方法において、mビットの(2N−1)番目オリジナルブロックがnビットのAタイプ加重ブロックに符号化され、mビットの2N番目オリジナルブロックがnビットのBタイプ加重ブロックに符号化される。 - 特許庁

Symbol averaging parts 71-1, 71-2..., 71-n obtain an average vector by averaging the vectors of averaging the vectors of respective symbols in a symbol columns outputted from corresponding correlated devices 5-1, 5-2..., 5-n by each portion of the average number of symbols.例文帳に追加

シンボル平均部71-1,71-2…,71-nでは、対応する相関器5-1,5-2…,5-nから出力されるシンボル列中の各シンボルのベクトルを平均シンボル数分毎に平均して平均ベクトルを得る。 - 特許庁

In formula (1), m and n are integers satisfying m>0, n≥0, 2≤m+n≤1,000 and 0.05≤m/(m+n)≤1 and each of R_1 to R_4 is a hydrogen atom or a monovalent organic group.例文帳に追加

(但し、式中のmおよびnは、m>0、n≧0、2≦m+n≦1000、および0.05≦m/(m+n)≦1を満たす整数である。また、R_1〜R_4は、水素原子または一価の有機基である。) - 特許庁

An SiO2 film 20 is formed on these layers and the SiO2 film 20 in a stripe region with about 3 μm width is removed, and the n-GaAs cap layer 19 and the n-Alx4Ga1-x4As current constriction layer 18 are etched with as a mask of the SiO2 film 20.例文帳に追加

この上に、SiO_2膜20を形成し、3μm程度の幅のストライプ領域のSiO_2膜20を除去し、SiO_2膜20をマスクとしてn-GaAsキャップ層19およびn-Al_x4Ga_1_-x4As電流狭窄層18をエッチングする。 - 特許庁

An N+-distortion relaxation buffer layer 2, an N--InGaAs light absorbing layer 3, an N-InAsP window layer 4, and an N--InAsP window layer 5 are successively formed on an InP substrate 1 in this sequence for the formation of a photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードは、InP基板1上に、n^+−歪緩和バッファ層2、n^-−InGaAs光吸収層3、n−InAsP窓層4、及び、n^-−InAsP窓層5がこの順に形成される。 - 特許庁

In the second connection mode, the guide voice signal X_g(n) is input to the right-channel adaptive filter 16, which outputs a false guide voice signal g(n).例文帳に追加

第2の接続形態では、ガイド音声信号X_g(n)が右チャネル適応フィルタ16に入力し、右チャネル適応フィルタ16の出力が疑似ガイド音声信号g(n)として出力される。 - 特許庁

In an analysis setting accumulation part 204 registers an operation monitoring rule for analyzing operation information transmitted from monitored devices 100-1 to 100-n and monitoring the states of the devices 100-1 to 100-n.例文帳に追加

分析設定蓄積部204には、被監視装置100-1〜100-nから送られてきた動作情報を分析して、被監視装置100-1〜100-nの状態を監視するための運用監視ルールが登録されている。 - 特許庁

On the n-type layer B-N, the p-type substrate P-sub is present for prescribed thickness, and the p-type well region PWEL and an n-type well region NWEL are provided in equal depth.例文帳に追加

N型層B-N上にはP型基板P-subが所定厚さ存在し、P型のウェル領域PWEL、N型のウェル領域NWELが同等の深さで設けられる。 - 特許庁

Consequently, T×2^n(n is an integer) can be set as an oscillation basic period, and also the oscillation period can be set in the range of T×2^n to T×(2^n+1-1).例文帳に追加

このため、この発明では、発振基本周期としてT×2n (nは整数)が設定でき、かつ、T×2n 〜T×(2n+1 −1)の範囲で発振周期を設定できる。 - 特許庁

This monomer composition comprises at least one ethylenic unsaturated monomer and a combination of N,N-diethylhydroxylamine with N-nitroso-N-phenylhydroxylamine in a stabilizing amount.例文帳に追加

少なくとも1つのエチレン系不飽和モノマーおよびN,N−ジエチルヒドロキシルアミンとN−ニトロソ−N−フェニルヒドロキシルアミンとの組合せ物の安定作用する量を有する安定化されたモノマー組成物。 - 特許庁

例文

To provide a method for producing highly pure S,S-ethylenediamine-N, N'-disuccinic acid by an enzyme method while suppressing the formation of meso-ethylenediamine-N,N'-disuccinic acid inferior in the biodegradability.例文帳に追加

生分解性の劣るmeso−エチレンジアミン−N,N’−ジコハク酸の生成を抑制した酵素法高純度のS,S−エチレンジアミン−N,N’−ジコハク酸の製造法の提供。 - 特許庁




  
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