| 意味 | 例文 |
n-Inの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 19379件
In the variable delay circuit, N stages of selectors are connected in series using N pieces of variable logic circuits.例文帳に追加
可変遅延回路において、N個の可変論理回路を用いてN段のセレクタが直列接続される。 - 特許庁
To suppress a shock caused when switched to an R range in a short time during driving in a D range or an N range.例文帳に追加
DレンジあるいはNレンジで走行中、Rレンジに短時間で切り換えられた時のショックを抑制する。 - 特許庁
In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加
N^+型半導体領域5にN型不純物の他にP型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁
In the formula (I), n represents an integer of 0-10 and in the formula (II), n represents an integer of 0-14.例文帳に追加
((I)式中で、nは0〜10の整数を示す。)((II)式中で、nは0〜14の整数を示す。) - 特許庁
An N well 12 is formed in a P type silicon substrate 10 and a P well 14 is formed in the N well.例文帳に追加
P型シリコンの基板10にNウェル12が形成され、NウェルにPウェル14が形成される。 - 特許庁
Burst patterns A, B are recorded in tracks N, N+1, and dummy patterns A, B are recorded in the adjacent track.例文帳に追加
バーストパターンA、BをトラックN、N+1に記録し、その隣接トラックにダミーパターンA、Bを記録する。 - 特許庁
SOLUTION OF ETHOFENPROX IN DIPROPYLENE GLYCOL n-BUTYL ETHER例文帳に追加
エトフェンプロックスのジプロピレングリコールn−ブチルエーテル溶液 - 特許庁
In the end, I wasn't able to make eye contact with him even once.例文帳に追加
彼 結局n一度も目を合わせなかったな - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
In an alley on the northeast corner of ann and 10th street. i'm looking through traffic cams now.例文帳に追加
nと10番街の角だ 交通カメラを見てる - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
You mean that ryuta is involved in robberies?例文帳に追加
隆太が 窃盗事件にn関わってるっていうのか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
Do you think they could be in a situation where they cannot come out?例文帳に追加
出るに出られない事情があるnってことか? - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
The receipts in his purse were all from convenience stores.例文帳に追加
あの子の財布のレシートn全部コンビニのものでした - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
In an alley on the northeast corner of ann and 10th street. i'm looking through traffic cams now.例文帳に追加
Nと10番街の角だ 交通カメラを見てる - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
A foot protection part N is formed in approximately triangular profile in a longitudinal section.例文帳に追加
根固め部Nは縦断面略三角形形状とする。 - 特許庁
In a semiconductor laser, having a double heterostructure composed of an n-type clad layer 103, an MQW active layer 105, and a p-type clad layer 106, an n-type saturable absorption layer 104 having a compressive strain, is provided in the n-type clad layer 103.例文帳に追加
n型クラッド層(103)と、MQW活性層(105)と、p型クラッド層(106)とからなるダブルへテロ構造の半導体レーザにおいて、n型クラッド層(103)中に圧縮歪みを有するn型可飽和吸収層(104)を設ける。 - 特許庁
In an upper layer of the N-type region 5a, an N-type doped silicon film 11 having an impurity concentration higher than the N-type region 5a and equivalent to those of the N-type regions 6, 8 is formed in contact with the N-type region 5a.例文帳に追加
N型領域5aの上層には、不純物濃度がN型領域5aより高く、N型領域6,8と同程度のN型ドープトポリシリコン膜11がN型領域5aに接触して形成されている。 - 特許庁
A bolt 21b-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-n is inserted into the bolt hole 5b-(n+1), and a bolt 17a-(n+1) mounted in a diagonal bolt segment 1-(m+1) is inserted into the bolt hole 5a-(n+1).例文帳に追加
斜ボルトセグメント1−nに取り付けられたボルト21b−(n+1)をボルト用穴5b−(n+1)に、斜ボルトセグメント1−(m+1)に取り付けられたボルト17a−(n+1)をボルト用穴5a−(n+1)に挿入する。 - 特許庁
To produce furfural in good yield from furan, N,N-dimethylformamide and phosgene in a condition suppressed in scaling.例文帳に追加
スケーリングが抑制された条件で、フラン類、N,N−ジメチルホルムアミドおよびホスゲンからフルフラール類を収率良く製造すること。 - 特許庁
In the controller 202, a second reference signal x'(n) is generated by delaying the first reference signal x(n) by a time Z^-n by a delay filter 54, and a control signal y(n) is generated based on the first reference signal x(n) and the second reference signal x'(n).例文帳に追加
コントローラ202内では、遅延フィルタ54により第1基準信号x(n)を時間Z^-nだけ遅延させて第2基準信号x´(n)を生成し、第1基準信号x(n)と第2基準信号x´(n)とに基づいて制御信号y(n)を生成する。 - 特許庁
To provide a new N-oleyl-N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium salt higher in water resistance than N-oleyl-N, N-di(2-hydroxyethyl)-N-alkylammonium chloride, and useful as an antistatic agent for resins (e.g. an antistatic agent for self-adhesive use).例文帳に追加
N−オレイル−N,N−ジ(2−ヒドロキシエチル)−N−アルキルアンモニウム=クロリドに比べて耐水性が優れ、樹脂用帯電防止剤(例えば、粘着剤用帯電防止剤)として有用である新規なN−オレイル−N−ジ(ヒドロキシエチル)−N−アルキルアンモニウム塩を提供すること。 - 特許庁
Then, the retrieval result satisfying all of the N queries is arranged in the center circle, and the retrieval result satisfying only different (N-n) queries, of the N queries, is arranged each circular arc band constituting the n-th (0<n<N) circular ring from the center circle.例文帳に追加
そして、中心円にN個のクエリのすべてを満たす検索結果を配置するとともに、中心円からn(0<n<N)番目の円環を構成する円弧帯のそれぞれに、N個のクエリのうちの異なる(N−n)個のクエリだけを満たす検索結果を配置する。 - 特許庁
In an element isolation structure for semiconductor device, an n--type silicon layer 2, an n+-type silicon layer 3, and another n--type silicon layer 4 are formed on a p+-type silicon substrate 1.例文帳に追加
p^+ 型シリコン基板1の上に、n^- 型シリコン層2、n^+ 型シリコン層3、n^- 型シリコン層4が形成されている。 - 特許庁
An example of the method is the production of N-2-(1-phenyl)propyl-N-benzylamine from allylbenzene and benzylamine in the presence of n-BuLi.例文帳に追加
その一例は、アリルベンゼンとベンジルアミンからn−BuLiの存在下、N−2−(1−フエニル)プロピル−N−ベンジルアミンを製造する。 - 特許庁
In evaluation of the recommender system, items recommended by recommender systems 1 to n are kept as a recommendation result list 33 (1-n).例文帳に追加
リコメンダシステムの評価に際し、リコメンダシステム1,2,・・・,nにより推薦されたアイテムを推薦結果一覧33(1〜n)として保持する。 - 特許庁
When sound recording mode is selected, the sound is picked up by microphones MICh1, MICh2, MICh3, and sound data Shm1(n), Shm2(n), Shm3(n) are stored in a storage part 3.例文帳に追加
録音モードが選択されると、マイクロホンMICh1,MICh2,MICh3による収音が行われ、音声データShm1(n),Shm2(n),Shm3(n)が記憶部3に記憶される。 - 特許庁
A signal y"(n-1) from the selector 15 is added to an input signal x(n) in the multiplier 10 to generate y(n).例文帳に追加
セレクタ15からの信号y”(n−1)は加算器10において入力信号x(n)と加算されてy(n)とされる。 - 特許庁
In addition, the demodulation unit 3 measures received C/N data and outputs the measured received C/N data to a received C/N margin calculation unit 8 of the control unit 7.例文帳に追加
また、復調部3は受信C/Nデータを測定し、制御部7の受信C/Nマージン演算部8へ出力する。 - 特許庁
In a counting response message to be transferred from a node #5 to a node #1, a total count value n (n=2) and a node ID list (#5, #6) are registered.例文帳に追加
ノード#5からノード#1へ転送される計数応答メッセージには総計数値n=2およびノードIDリスト(#5,#6)が登録されている。 - 特許庁
The selection circuit 5 includes the period in which n row driving circuits are connected to n data lines one-to-one and a period in which n data lines are not connected to any of n pieces of row driving circuits.例文帳に追加
また、n個の列駆動回路をn本のデータ線に1対1に接続する期間と、n本のデータ線をn個の列駆動回路のいずれにも接続しない期間とを有する。 - 特許庁
A difference between the position of the image of the object included in the reduced image (Y) frame (n)' and the position of the image of the object in the reduced image (Y) frame (n+1)', that is another motion vector is generated as well.例文帳に追加
縮小画像(Y)フレーム(n)´に含まれる対象物の画像の位置と、対象物の画像の、縮小画像(Y)フレーム(n+1)´における位置との差分、即ち、別の動きベクトルをも生成する。 - 特許庁
In the case of failure in acquisition of position determining data (position/time) from a position detection unit (S510, S520-N, S630-N), a GPS shutoff mode is set, and the position determining data last acquired are stored as starting data (S640).例文帳に追加
位置検出ユニットからの測位データ(位置/時刻)の取得に失敗した場合(S510,S520-N,S630-N)、「GPS断モード」を設定し、最後に取得した測位データを開始データとして保存する(S640)。 - 特許庁
In the second addition part 40, the voltages outputted from M pixel parts P_1, n to P_M, n in each of columns are added for each of columns and a voltage corresponding to the added result is outputted.例文帳に追加
第2加算部40では、各列について、該列にあるM個の画素部P_1,n〜P_M,nから出力される電圧値が加算されて、その加算結果に応じた電圧値が出力される。 - 特許庁
A series-parallel converting circuit 10 converts an input data signal from an input terminal 101 into (n) signals in parallel and its output is temporarily stored in (n) temporary storage circuits 30a to 30n.例文帳に追加
直並列変換回路10により入力端子101からの入力データ信号をn本の並列変換し、その出力をn個の一時記憶回路30a〜30nに一時記憶する。 - 特許庁
If the frame date in each of the N frames is n bits and the memory space in the DDR-SDRAM chip is m, then P is an integer equal to or greater than N multiplied by (n/m).例文帳に追加
Nフレームの各フレームデータがnビットで、DDR−SDRAMチップ中のメモリスペースがmである場合、PはN×(n/m)より得られる値より大きいか等しい整数である。 - 特許庁
That is, it is detected that there are bifurcations a2, a3 in a structure information N of a phase N, but there is no corresponding bifurcation in the last phase N-1 and the next phase N+1.例文帳に追加
すなわち、フェーズNの構造情報Nでは、分岐a2,a3が存在するが、前のフェーズN−1および後のフェーズN+1には対応する分岐が存在しないことを検出する。 - 特許庁
In a typical example, n-type sidewalls 210 and the n-type silicon embedded layer 204 are combined to form an n-type silicon well, and the p-type silicon well 206 is formed in the n-type silicon well.例文帳に追加
典型例では、n型サイドウォール210とn型埋め込み層204を組み合わせてシリコンのn型ウェルが形成され、p型ウェル206がn型ウェル内に形成される。 - 特許庁
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