「p-Al」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The structure of the semiconductor switch comprises Al electrode/p-type single crystal silicon carbide layer, gradient composition layer/n-type single crystal silicon substrate/Al electrode (Al/p-SiC/GCL/n-Si/Al) while the gradient composition layer is a buffer layer between p-SiC and n-Si.例文帳に追加

前記半導体スイッチの構造は、Ａｌ電極／ｐ型単結晶炭化シリコン層／勾配組成物層／ｎ型単結晶シリコン基板／Ａｌ電極（Ａｌ/ｐ−ＳｉＣ／ＧＣＬ／ｎ−Ｓｉ／Ａｌ）を含み、前記勾配組成物層はｐ−ＳｉＣとｎ−Ｓｉの間の緩衝層である。 - 特許庁

As for the metal with Cu as a major component, metal containing Ni, P, Sn, Al, Si or the like to such a degree that the plating bath is not contaminated can be used for increasing their hardness compared with a Cu simple substance.例文帳に追加

本発明のCuを主成分とする金属としては、硬度をCu単体よりも高めるために、めっき浴を汚染しない程度のNi、P、Sn、Al、Si等を含有したものでもよい。 - 特許庁

The magnetic material comprises an Fe alloy magnetic material (containing Fe as a primary component and Si, Al (or Cr), etc. added thereto), such as an Fe-Si-Al-based or Fe-Si-Cr-based material, and phosphorous of 0.2 to 0.5 wt.% added to the Fe alloy magnetic material.例文帳に追加

本発明の一実施の形態に係る磁性材は、Fe-Si-Al系、またはFe-Si-Cr系等の、（Feを主成分として、Si、Al（またはCr）等を添加した）Ｆｅ系合金磁性材に、P（リン）が０．２〜０．５w％添加されて構成される。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁

This alloy casting has a composition containing 3.5 to 4.3% Cu, 5.0 to 7.5% Si, 0.10 to 0.25% Mg, ≤0.2% Fe and ≤0.0003% P, and the balance Al with inevitable impurities.例文帳に追加

Cu：3.5〜4.3％,Si:5.0〜7.5％,Mg:0.10〜0.25％,Fe≦0.2％、Ｐ≦0.0003％を含有し、残部がAl及び不可避不純物とからなる事を特徴とする。 - 特許庁

A region (high Al composition region 123) where the value of p is set to 1 (p=1) (AlN) is formed between the substrate connection region and active layer connection region.例文帳に追加

これらの領域間には、ｐ＝１（ＡｌＮ）となっている領域（高Ａｌ組成領域１２３）が設けられている。 - 特許庁

The composition thereof comprises, by mass, 0.08 to 0.20% C, 0.2 to 1.0% Si, 0.5 to 2.5% Mn, ≤0.04% P, ≤0.005% S, ≤0.05% Al, 0.07 to 0.20% Ti and 0.20 to 0.80% V, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

成分組成は、mass%で、C：0.08%以上0.20%以下、Si：0.2%以上1.0%以下、Mn：0.5%以上2.5%以下、P：0.04%以下、S：0.005%以下、Al：0.05%以下、Ti：0.07%以上0.20%以下、V：0.20%以上0.80%以下を含有し、残部がFeおよび不可避的不純物からなる。 - 特許庁

The n-type absorption reducing layer 4 has a larger Al composition ratio than the n-type clad layer 5, and the p-type absorption reducing layer 12 has a larger Al composition ratio than the p-type second clad layer 11.例文帳に追加

ｎ型吸収低減層４はｎ型クラッド層５よりもＡｌ組成比が大きく、ｐ型吸収低減層１２はｐ型第２クラッド層１１よりもＡｌ組成比が大きい。 - 特許庁

The Mg-based ferrite material includes Li, Na, K, Pb, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, or their combinations, wherein the saturation magnetization is 30 to 80 emu/g and the dielectric breakdown voltage is 1.5 to 5.0 kV.例文帳に追加

本発明のMg系フェライト材料は、Li, Na, K, Rb, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Al, Ga, Si, Ge, P, Sb, Bi, またはそれらの組み合わせを含み、飽和磁化が30〜80emu/gであり、絶縁破壊電圧が1.5〜5.0 kVである。 - 特許庁

The conductor has a structure that contains at least phosphoric acid hydrogen aluminum and silica, has a P/Al mole ratio (P/AL) to 2-5, and has a content of Si to 2-45 mole%.例文帳に追加

本発明のプロトン導電体は、リン酸水素アルミニウムとシリカを少なくとも含有し、ＰとＡｌのモル比（Ｐ／Ａｌ）が２〜５であり、Ｓｉの含有量が２〜４５モル％である構成とする。 - 特許庁

Al contained in the P-AlInAs layer is oxidized into an Al oxide layer 29 which is formed on each side of a ridge stripe of P-AlInAs layer to serve as a current constriction structure, and the N-AlInAs layer 22 is turned into an Al oxide layer 30 where Al contained in all the layer 22 is all oxidized.例文帳に追加

リッジストライプを構成するｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側部は、ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌが酸化されたＡｌ酸化層２９となって電流狭窄構造を構成し、ｎ−ＡｌＩｎＡｓ層２２は、全層にわたりＡｌが酸化されたＡｌ酸化層３０になっている。 - 特許庁

The second p-type layer contacts the light-emitting part, between the first p-type layer and the light-emitting part, contains Al, and contains the p-type impurity at a second concentration lower than the first concentration.例文帳に追加

第２ｐ形層は第１ｐ形層と発光部との間において発光部に接し、Ａｌを含み第１濃度よりも低い第２濃度でｐ形不純物を含む。 - 特許庁

On both sides of the p-AlInAs layer, an Al-oxide layer 28, which is formed by selectively oxidizing Al in the p-AlInAs layer, extends in a width of 3.5 μm from the edges of the p-AlInAs layer up to the sides of the ridge.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の両側には、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層中のＡｌを選択的に酸化してなるＡｌ酸化層２８が、ｐ−ＡｌＩｎＡｓ層の縁からリッジ側面まで３．５μｍの幅で延在している。 - 特許庁

To prevent the occurrence of iridescence by dispersing a specified amount of P, Al or B in a coating comprising a mixed oxide not containing P, Al and B.例文帳に追加

移動している基体の上に、真珠光現象の発生を防止すべく被覆−基体間の屈折率の差が最少限に抑えられた金属酸化物の被覆を形成する化学的蒸着法を提供する。 - 特許庁

As the soft magnetic thin band, the one expressed by compositional formula: Fe_100-x-yCu_xX_y (wherein, X denotes one or more kinds of elements selected from B, Si, S, C, P, Al, Ge, Ga and Be and, by atom%, 0≤x≤5 and 10≤y≤24 are satisfied) is preferably used.例文帳に追加

軟磁性薄帯は、組成式：Ｆｅ_100-ｘ-ｙCu_ｘX_ｙ（但し、XはB,Si，S，C，P，Al，Ge，Ga，Beから選ばれた少なくとも一種以上の元素）で表され、原子%で、0≦ｘ≦5、10≦ｙ≦24により表されるものが好ましい。 - 特許庁

The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加

リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁

For an N-type ZnO, Al doped is used to form a p-n junction, thus obtaining a light-emitting element.例文帳に追加

Ｎ型ＺｎＯとしてはＡｌをドープしたものを用いてＰＮ接合を形成し発光素子を得る。 - 特許庁

An aluminum-phosphorus alloy (Al-P alloy) can be used instead of the aluminum single powder.例文帳に追加

アルミニウム単体金属粉末の代わりにアルミニウム−リン合金（Ａｌ−Ｐ合金）粉末を用いてもよい。 - 特許庁

The zero-shrinkage cement contains cement (C), a pressurized fluidized bed combustion (PFBC) ash (P) and aluminum powder (Al).例文帳に追加

本発明に係る無収縮セメントは、セメント（Ｃ）と、ＰＦＢＣ灰（Ｐ）と、アルミニウム粉末（Ａｌ）とを含む。 - 特許庁

After that, heat treatment is performed at temperature exceeding a fusion point of Al, the Al-Ti alloy 11 reacts with the P-type SiC layer 10 to be alloyed, and an ohmic contact of an electrode and the P-type SiC layer 10 is obtained.例文帳に追加

その後、Ａｌの融点を超える温度の熱処理を行い、Ａｌ−Ｔｉ合金１１をＰ型ＳｉＣ層１０と反応させて合金化し、電極とＰ型ＳｉＣ層１０とのオーミックコンタクトを得る。 - 特許庁

A semiconductor substrate is prepared wherein a 2nd Al film 54 and a P-SiN film 55 are formed, in this order on its uppermost part, and an opening 55a is formed on the upper part of the 2nd Al film 54 in the P-SiN film 55.例文帳に追加

最上部に、２ｎｄＡｌ膜５４と、Ｐ−ＳｉＮ膜５５とが順に形成され、Ｐ−ＳｉＮ膜５５のうち、２ｎｄＡｌ膜５４の上方部分に開口部５５ａが形成されている半導体基板を用意する。 - 特許庁

Of the laminated structure, the Al oxide layer, p-InP protective layer, p-InP second clad layer, and a contact layer are formed as a stripe-like ridge 37.例文帳に追加

積層構造のうち、Ａｌ酸化層、ｐ−ＩｎＰ保護層、ｐ−ＩｎＰ第二クラッド層、及びコンタクト層は、ストライプ状リッジ３７として形成されている。 - 特許庁

The cubic silicon nitride semiconductor, to which n-type or p-type conductivity is imparted, is manufactured by introducing P, O and Al of dopant materials into a cubic silicon nitride.例文帳に追加

立方晶窒化ケイ素にドーパント物質Ｐ、Ｏ、Ａｌが導入されてｎ型あるいはｐ型の伝導性を付与された立方晶窒化ケイ素半導体とする。 - 特許庁

An Al composition x in the n-type clad layer 13, an Al composition y in the p-type clad layer 19, and an Al composition z in the n-type reflection retarding layer 12 satisfy a relationship of x<z and y<z.例文帳に追加

ｎ型クラッド層１３におけるＡｌ組成ｘ、ｐ型クラッド層１９におけるＡｌ組成ｙ及びｎ型反射抑制層１２におけるＡｌ組成ｚは、ｘ＜ｚで且つｙ＜ｚの関係を満たす。 - 特許庁

The austenitic stainless steel has a composition comprising 0.04 to 0.15% C, 1.5 to 3.0% Si, ≤2.0%例文帳に追加

C:0.04〜0.15%、Si:1.5〜3.0%、Mn:2.0%以下、P:0.04%以下、S:0.03%以下、Cr:15〜30%、Ni:8〜15%、Al:0.05〜0.20%、B:0.001〜0.010%、N:0.15〜0.30%、Ca及び/又はREM:0.01〜0.10%、残部Fe及び不純物からなり、(1)式により規定されるNi(bal)が-1.0〜+2.0であり、Al及びNが(2)式を満足するオーステナイト系ステンレス鋼である。 - 特許庁

The ZnMgSSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＺｎＭｇＳＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

The BeMgZnSe clad layer is doped with Al, Ga, or In as an n-type dopant together with nitrogen as a p-type dopant, wherein the ratio of Al, Ga, or In to N is set at 0.01 to 0.8:1.例文帳に追加

ＢｅＭｇＺｎＳｅクラッド層に、ｐ型ドーパントである窒素とともに、ｎ型ドーパントのＡｌ、Ｇａ又はＩｎを０．０１〜０．８の割合で共ドープする。 - 特許庁

A composition ratio of Al atoms of the semiconductor forming the impurity diffusion controlling region 13 is larger than that of Al atoms of the p^+-type semiconductor region 14.例文帳に追加

不純物拡散抑制領域１３を構成する半導体のＡｌ原子の組成比は、ｐ^＋型の半導体領域１４のＡｌ原子の組成比よりも大きい - 特許庁

To provide a p-type thermoelectric conversion material that is high in output factor by using an Fe-V-Al-based compound.例文帳に追加

Ｆｅ−Ｖ−Ａｌ系の化合物を用いて出力因子の高いｐ型熱電変換材料を提供する。 - 特許庁

This chromium steel contains C, Si, Mn, P, Cr, Al and Nb, and the balance Fe with inevitable impurity elements.例文帳に追加

Ｃ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｐ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｎｂ、を含有し、残部Ｆｅ並びに不可避的不純物元素からなるクロム鋼。 - 特許庁

C, Si, Mn, S, P, Al, Nb, Ti, N and B are incorporated into a steel, and the relation among Ti, Nb or B, C and N are set in a prescribed range.例文帳に追加

Ｃ，Ｓｉ，Ｍｎ，Ｓ，Ｐ，Ａｌ，Ｎｂ，Ｔｉ，Ｎ，Ｂを含有し、Ｔｉ，ＮｂまたはＢと、Ｃ，Ｎとの関係を所定の範囲に設定する。 - 特許庁

In the semiconductor laser element of AlGaInP constitution, the Al composition ratio x of a p-type etching stop layer 5 is specified so as to be a<x, b<x and c<x with respect to respective Al composition ratios a, b, c of an n-type clad layer 2, a first p-type clad layer 4 and a second p-type clad layer 6.例文帳に追加

ＡｌＧａＩｎＰ系の半導体レーザ素子において、ｐ型エッチングストップ層５のＡｌ組成比ｘを、ｎ型クラッド層２，第１のｐ型クラッド層４，及び第２のｐ型クラッド層６それぞれのＡｌ組成比ａ，ｂ，ｃに対して、ａ＜ｘ，ｂ＜ｘ，及びｃ＜ｘとする。 - 特許庁

This Pb-free solder alloy may contain at least one of Al, Sn and P, wherein, 0.02 mass% or more in the case of Al, 0.3 mass% or more in Sn, and 0.001 mass% or more in P.例文帳に追加

このＰｂフリーはんだ合金は、Ａｌ、ＳｎおよびＰのうちの１種以上が、Ａｌの場合は０.０２質量％以上、Ｓｎの場合は０.３質量％以上、Ｐの場合は０.００１質量％以上含まれていてもよい。 - 特許庁

The p-type oxide semiconductor consists of oxide of group X(=II, III, IV, V) and metal-nitrogen bond composed of at least one among group Y(≤X) nitrides, for instance, Li-N, Be-N, Mg-N, Al-N, Ga-N is introduced into the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

X ( =II 、III 、IV 、V ) 族酸化物からなるｐ型酸化物半導体であって、前記ｐ型酸化物半導体中にY ( ≦X ）族窒化物のなかの少なくとも1 つ、例えばLi-N、Be-N、Mg-N、Al-N、Ga-N Aなど、からなる金属−窒素結合を導入する。 - 特許庁

Disclosed is the copper powder for the conductive paste containing 0.07 to 10 atomic% Al inside particles, and preferably, the copper powder for the conductive paste, containing 0.01 to 0.3 atomic% P (phosphorus) inside particles.例文帳に追加

粒子内部にＡｌを０．０７原子％〜１０原子％含有する導電性ペースト用銅粉。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining an Al-rich group III nitride semiconductor having excellent P-type conductivity.例文帳に追加

良好なＰ型の導電性を有するＡｌリッチなIII族窒化物半導体を得ることができる方法を提供する。 - 特許庁

In the expressions, Me is at least one element selected from among elements belonging to groups 2A, 7A, 8, 1B and 2B; x, y, z, and w mean the molar ratios of Me, Al, P, and Si, respectively.例文帳に追加

また、ｘ，ｙ，ｚ，ｗは、Ｍｅ、Ａｌ、Ｐ及びＳｉの合計に対する、Ｍｅ，Ａｌ，Ｐ，Ｓｉそれぞれのモル比を示す。 - 特許庁

The ratio of Al in the p-type AlGaInP upper cladding layer 40 is higher than the ratio of Al of AlGaInP that is a material of the barrier layer and the guide layer of an active layer 38.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＩｎＰ上クラッド層４０のＡｌ組成比は、活性層３８のバリア層及びガイド層の構成材料であるＡｌＧａＩｎＰのＡｌ組成比よりも高い。 - 特許庁

The steel has componential composition containing, by mass, ≤0.20% C, >0.05 to 2.0% Si, ≤0.03% Mn, ≤0.20% P, ≤0.02% S, 0.005 to 0.10% Al and 0.002 to 0.50% Sb, and the balance Fe with inevitable impurities.例文帳に追加

質量％で、Ｃ：0.20％以下、 Si：0.05超え〜2.0 ％、Mn：0.30％以下、 Ｐ：0.20％以下、Ｓ：0.02％以下、 Al：0.005 〜0.10％、Sb：0.002 〜0.50％を含有し、残部はFeおよび不可避的不純物からなる成分組成とする。 - 特許庁

The underlayer 3 consists of a p-type poly-Si, the (p) layer 4 consists of p-type a-Si:H, the (i) layer 5 consists of i-type a-Si:H, the (n) layer 6 consists of n-type a-Si:H, and the electrode 7 consists of Al.例文帳に追加

下地層３は、ｐ型ｐｏｌｙ−Ｓｉからなり、ｐ層４は、ｐ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｉ層５は、ｉ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、ｎ層６は、ｎ型ａ−Ｓｉ：Ｈからなり、電極７は、Ａｌからなる。 - 特許庁

A ridge 28 is formed by selectively etching the p-type InGaAsP contact layer 26 and the second p-type InP clad layer 24 by using the p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 as an etching stopper layer.例文帳に追加

そして、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２をエッチングストッパ層として、ｐ型ＩｎＧａＡｓＰコンタクト層２６及び第２のｐ型ＩｎＰクラッド層２４が選択エッチングされてリッジ２８が形成されている。 - 特許庁

The Al composition ratio of the p-type AlGaAs intermediate layer 7 is made smaller than that of the p-type AlGaAs upper clad layer 5b, and made larger than that of the p-type GaAs contact layer 8.例文帳に追加

ｐ型ＡｌＧａＡｓ中間層７のＡｌ組成比は、ｐ型ＡｌＧａＡｓ上部クラッド層５ｂのＡｌ組成比よりも小さく、かつ、ｐ型ＧａＡｓコンタクト層８のＡｌ組成比よりも大きくなっている。 - 特許庁

The molten metal of an aluminum alloy comprising, by mass, 15 to 20% Si, 1 to 4% Fe, 0.004 to 0.02% P, 0.15 to 0.4% Ti, 0.15 to 0.55% Cr and 0.4 to 2.4% Mn, and the balance Al with inevitable impurities is irradiated with ultrasonic vibration at a liquidus temperature or above.例文帳に追加

Si：15〜20質量％，Fe：1〜4質量％、P：0.004〜0.02質量％、Ti：0.15〜0.4質量％、Cr：0.15〜0.55質量％、Mn：0.4〜2.4質量％を含み、残部がAlと不可避的不純物からなるアルミニウム合金溶湯に、液相線温度以上で超音波振動を照射する。 - 特許庁

The aluminum-containing silicon alloy target for sputtering has a composition comprising 0.1-15 mass% Al, 10-50,000 ppm P, the balance Si with unavoidable impurities, and an atom ratio adjusted so as to be P/Al≤1.例文帳に追加

Ａｌ：０.１〜１５質量％、Ｐ：１０〜５００００ｐｐｍを含有し、残部がＳｉおよび不可避不純物からなり、かつ原子比でＰ／Ａｌ≦１であるように調整された成分組成を有するスパッタリング用アルミニウム含有シリコン合金ターゲット。 - 特許庁

The additive contains one or more elements selected from Si, Al, P, Mg, Mn, Y, V, Mo, Co, Nb, Fe, and Cr.例文帳に追加

この添加物は、Ｓｉ、Ａｌ、Ｐ、Ｍｇ、Ｍｎ、Ｙ、Ｖ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、ＦｅおよびＣｒのうち一つ以上の元素を含んでいる。 - 特許庁