「p-v」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

The point P' is placed on a lightness plane V equal to that of the point P.例文帳に追加

点Ｐ’は、点Ｐと等しい明度平面Ｖ上にある。 - 特許庁

The maximum voltage V(P) of the short pulse P (based on voltage V0) is higher than the maximum voltage V(TP) of the tailing pulse TP (based on voltage V0).例文帳に追加

短パルスＰの最大電圧V(P)（電圧V0を基準とする）は、テーリングパルスＴＰの最大電圧V(TP)（電圧V0を基準とする）より高くなっている。 - 特許庁

In step (2), a slide face temperature T is estimated from Vc, a slide face pressure P, a slide linear velocity V, a low resin flow temperature Tm and an ambient temperature Tr by Equation (i): T=(V/Vc)×(Tm-23)+Tr.例文帳に追加

(２)Vc、摺動面圧P、滑り線速度V、低樹脂流動温度Tm、雰囲気温度Trから、摺動面温度Tを式（ｉ）：T＝(V/Vc)×(Tm-23)+Trにより推算する。 - 特許庁

The surface roughness R_P-V at the recessed and projected surface is favorably 0.01-50 μm.例文帳に追加

ここで、凹凸表面における表面粗さＲ_P-Vは０．０１μｍ〜５０μｍであることが好ましい。 - 特許庁

Resistivity p (Ω.cm) of a voltage base layer of a longitudinal semiconductor with a dielectric strength V_br (V) lies in the range such that -5.34+0.0316 V_bf<ρ<-1.86+0.0509 V_br.例文帳に追加

耐圧Ｖ_br（V ）の縦型半導体装置の電圧支持層の抵抗率ρ（Ω・cm）を、 -5.34 ＋0.0316Ｖ_br＜ρ＜-1.86 ＋0.0509Ｖ_br で定まる範囲とする。 - 特許庁

The potential V_MID is determined so as to satisfy V_DIM-V_p<V_MID≤V_DIM, where V_DIM is the potential of the signal electrode converged by causing the constant current to flow, and V_p is the light emission start voltage.例文帳に追加

定電流を流して電位が収束した信号電極の電位をＶ_ＤＩＭとし、発光開始電圧をＶ_ｐとしたときに、Ｖ_ＤＩＭ−Ｖ_ｐ＜Ｖ_ＭＩＤ≦Ｖ_ＤＩＭが成立するように電位Ｖ_ＭＩＤを定める。 - 特許庁

A conveying speed of transfer paper P is represented by V.例文帳に追加

転写紙Ｐの搬送速度をＶとする。 - 特許庁

The measuring of the transfer unevenness of the transfer brush 1 is performed by using the equation I=V*Ip/(V-Rp*Ip) when an application voltage at the time of measuring resistance unevenness and the resistance value of a protective resistance 4 and partial current flowing at that time are defined respectively as V, Rp and Ip.例文帳に追加

この転写ブラシ１の転写ムラ測定は、抵抗ムラを測定する際の印加電圧Ｖ、保護抵抗４の抵抗値Ｒ（保）、その時に流れる部分電流Ｉ_pのときに、Ｉ＝Ｖ＊Ｉ_p／（Ｖ−Ｒ_p＊Ｉ_p）として行う。 - 特許庁

The material of the electrode 20 is an ohmic metal to a p-type group III-V compound semiconductors.例文帳に追加

裏面電極２０の材料は、ｐ型のIII−V族化合物半導体に対するオーミック金属である。 - 特許庁

Thus, the voltage division circuit 61 sets an optimum threshold voltage V_T to the comparison voltage V_P.例文帳に追加

これにより、分圧回路６１では、比較電圧Ｖ_Ｐに対して、最適な閾値電圧Ｖ_Ｔが設定される。 - 特許庁

As the V group atom substituting for N, P (phosphorus), As (arsenide), Sb (animony), and Bi (bismuth) are used.例文帳に追加

Nに置換するＶ族原子としては、P（燐）、As（砒素）、Sb（アンチモン）、Bi（ビスマス）を用いることができる。 - 特許庁

To prevent missing of P when growth on a group III-V compound semiconductor layer containing P is carried out again.例文帳に追加

Ｐを含むIII‐Ｖ族化合物半導体層上に再成長を行う際のＰ抜けを防止する。 - 特許庁

The point P' is a point at which a color difference Δ E from the point P is minimized on the equi-lightness plane V.例文帳に追加

そして、等明度平面Ｖ上において、点Ｐとの色差ΔＥが最小となる点である。 - 特許庁

An input voltage V_p-p to the optical modulator is 1.0 to 1.99 time as high as a half-wave voltage V_π of the optical modulator.例文帳に追加

光変調器の入力電圧Ｖ_ｐ−ｐが光変調器の半波長電圧Ｖ_πの１．０倍以上、１．９９倍以下である。 - 特許庁

Each of the first and second electrode layers 11 and 13 includes IV or III-V semiconductor groups doped with a p-type carrier or an n-type carrier.例文帳に追加

第１及び第２の電極層１１，１３は、P型或いはn型キャリアーがドープされたIV族或いはIII-V族の半導体から構成される。 - 特許庁

The oscillation (rocking) condition in the horizontal (H) direction and the oscillation (rocking) condition in the vertical (V) direction of the micro mirror 1 are revised according to P temp.例文帳に追加

P tempによって、微小ミラー１の水平（H）方向の振動（揺動）条件、垂直（V）方向の振動（揺動）条件が変更される。 - 特許庁

Conditions of air (raw material air) to be raw material for forming ozone of a discharge reactor 26 (in concrete, flow fate V_real, temperature T_air, pressure P_air, humidity H_air) are acquired.例文帳に追加

放電反応器２６のオゾン生成の原料となるエア（原料エア）の状態（具体的には、流量V_real、温度T_air、圧力P_air、湿度H_air）を取得する。 - 特許庁

A divider 68 of the DC-DC converter controller 40 uses a load power value P and V_L as the input voltage of the DC-DC converter body 20 as inputs and computes P/V_L=I_B.例文帳に追加

ＤＣＤＣコンバータ制御部４０の除算器６８は負荷電力値ＰとＶ_Lとを入力としＰ／Ｖ_L＝Ｉ_Bを算出する。 - 特許庁

And then, a caustification rection is carried out under a given addition rate of the green solution and temperature while stirring the stirrer with the stirring power of 0.1 kw/m^3 or more of P/V value during the reaction.例文帳に追加

つづいて反応中のP/V値が0.1 kw/m^3以上となる攪拌力で攪拌しながら所定の緑液添加速度、温度で苛性化反応を行う。 - 特許庁

In the high-level period T4 of the initial VC, a signal line driving circuit 103 outputs black display voltage V_p in a horizontal direction, and in the high-level period T4 of the succeeding VC, image display voltage V_p is supplied.例文帳に追加

最初のＶＣがハイレベル期間Ｔ４で、信号線駆動回路１０３は黒表示電圧Ｖｐを水平方向に出力する。 - 特許庁

The formula (1): Quantity F of impairment of production = quantity j(v) of production caused by breakage of plate × probability p(v) of breakage + quantity k(v) of impairment of production caused by deceleration.例文帳に追加

生産阻害量Ｆ＝板破断による生産阻害量ｊ（ｖ）×破断確率ｐ（ｖ）＋減速による生産阻害量ｋ（ｖ） ・・・（１） - 特許庁

In a coordinate system (U, V) on the screen P2, the P is used for the origin and a V-axis is projection of the v-axis on the image forming plane P1.例文帳に追加

また、スクリーンＰ２上の座標系（Ｕ，Ｖ）は、Ｐを原点とし、Ｖ軸は作像面Ｐ１上のｖ軸を投影した方向にとる。 - 特許庁

III-V COMPOUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING P-N JUNCTION例文帳に追加

ｐｎ接合を有するＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体装置 - 特許庁

In a second embodiment, the P-transition layer is an arbitrary Group III-V semiconductor.例文帳に追加

第２実施形態では、Ｐ型遷移層は、任意のIII-Ｖ族半導体である。 - 特許庁

A beat point detection section 52 detects the beat point P from the musical sound signal V.例文帳に追加

拍点検出部５２は、楽音信号Ｖから拍点Ｐを検出する。 - 特許庁

A frequency error operation section 13 obtains the first estimate of the frequency error from the autocorrelation sum.例文帳に追加

平均部１２１は、複数であるP個の既知シンボル系列それぞれについて求められた周波数誤差の第１の推定値v_1,v_2,・・・,v_Pを、式v=(v_1+v_2+・・・+v_P)/Pにしたがって平均化することにより、周波数誤差の補正に用いられる、周波数誤差の第２の推定値vを求める。 - 特許庁

In the area V, the number of the bands on the area other than the Y-axis is defined as P.例文帳に追加

エリアＶでＹ軸上を除く範囲に位置するバンド数をＰとする。 - 特許庁

The color image pattern for position detection is detected in such a manner that a predetermined ratio of a peak value V_P of sensor output V_S of an optical sensor 8' is set as a threshold TH, and trailing edges of the color image patterns for position detection are detected when the sensor output V_S reaches the threshold TH.例文帳に追加

位置検出用色画像パターンの検出を光学的センサ８’のセンサ出力V_Sのピーク値V_Pの一定割合をしきい値THとし、センサ出力V_Sがしきい値THに到達したときに位置検出用色画像パターンの後縁を検出するようにした。 - 特許庁

To provide a p-type oxide semiconductor of group II to V useful as a light emitting element or a light receiving element material or a photocatalyst and to provide a method for manufacturing the p-type oxide semiconductor.例文帳に追加

発光素子や受光素子材料、あるいは光触媒として有用なIIないしV族の p型酸化物半導体と、そのような p型酸化物半導体の得られる製造方法とを提供する。 - 特許庁

The tailing pulse TP has a wave form which tails after the short pulse P, and in which voltage V gradually drops over a longer time than the applying time Δt(P) of the short pulse P.例文帳に追加

テーリングパルスＴＰは、短パルスＰの尾を引くような、短パルスＰの印加時間Δt(P)よりも長時間に渡って電圧Vが漸次低下する波形を有している。 - 特許庁

The mass ratio (P)/(P+V) is distributed from a base material film 11 side to a thermal adhesion layer 15 surface side to decrease within a range of P/(P+V)=90-50 mass %.例文帳に追加

質量割合（Ｐ）／（Ｐ＋Ｖ）は基材フィルム１１側から熱接着層１５表面側へ向かって、Ｐ／（Ｐ＋Ｖ）＝９０〜５０質量％の範囲内で減少するように傾斜して分布する。 - 特許庁

The number of teeth is set to 2n×P (n; the number n of phases of an external power source, P; the number P of magnetic poles of the V-shaped permanent magnets).例文帳に追加

ティース数は、２×外部電源の相数ｎ×Ｖ字永久磁石の磁極数Ｐに設定される。 - 特許庁

The potential of the segment electrode of a pixel in an on-display state when the erase period starts is alternately set to V_p and -V_p once each and then set to the ground potential V_GND.例文帳に追加

消去期間開始時に、オン表示としていた画素のセグメント電極の電位をＶ_ｐ、−Ｖ_ｐに交互に一回ずつ設定し、その後接地電位Ｖ_ＧＮＤに設定する。 - 特許庁

Each opening 6a is formed so that its volume V_O is larger than the sum of a volume V_P of the connection electrode 14 disposed in the opening space 6a and a volume V_L of the low-melting point metal film 16.例文帳に追加

各開口６ａは、その容積Ｖ_Oが、その開口６ａ内に配置される接続電極１４の体積Ｖ_Pと低融点金属膜１６の体積Ｖ_Lとの和より大きいように形成されている。 - 特許庁

Assuming that output voltages of the Hall elements 1-n are V_1-V_n, and that output voltages of the Hall elements 1'-n' are V'_1-V'_n, the position P' of the magnet 9 for the Hall element is determined from equation: P'=F(V_1-V'_1, V_2-V'_2, etc, V_n-V'_n).例文帳に追加

ホール素子用磁石９の位置Ｐ’は、ホール素子１〜ｎの出力電圧Ｖ_１〜Ｖ_ｎ、ホール素子１’〜ｎ’の出力電圧をＶ’_１〜Ｖ’_ｎとすると、Ｐ’＝Ｆ（Ｖ_１−Ｖ’_１，Ｖ_２−Ｖ’_２，・・・，Ｖ_ｎ−Ｖ’_ｎ）より求まる。 - 特許庁

The second group III-V compound semiconductor layer is functioned as a light absorption layer, an energy gap of the second group III-V compound semiconductor layer is smaller than that of the first group III-V compound semiconductor layer, and Be or C is used as a p-type dopant in the respective semiconductor layers.例文帳に追加

第２のIII−V族化合物半導体層が光吸収層として機能し、第２のIII−V族化合物半導体層のエネルギーギャップは、第１のIII−V族化合物半導体層のそれより小さく、各半導体層におけるｐ型のドーパントとしては、Ｂｅ又はＣが用いられる。 - 特許庁

Light receiving elements 17B arranged by a predetermined number between the pixel P_0-pixel P_n detect emitted light of two adjacent pixel P_i-1 and pixel P_i, and output a light receiving signal 17A (voltage V_si-1' and V_si) of two adjacent pixel P_i-1 and pixel P_i.例文帳に追加

画素Ｐ_0〜画素Ｐ_nの間に所定の数ずつ配置された各受光素子１７Ｂにおいて、隣接する２つの画素Ｐ_i-1，Ｐ_iの発光光が検知され、隣接する２つの画素Ｐ_i-1，Ｐ_iの受光信号１７Ａ（電圧Ｖ_si-1’，Ｖ_si）が出力される。 - 特許庁

In the case of a PAL system, a counter 2 for delay and a flip-flop circuit 3 obtain a pseudo-vertical synchronizing signal PV(P)' obtained by delaying the rear edge of a vertical synchronizing signal PV(P) of the system and the signal PV(P)' is supplied to the counter 1 through the PAL terminal of the circuit 4.例文帳に追加

ＰＡＬ方式の場合、遅延用カウンタ２及びフリップ・フロップ回路３により、該方式の垂直同期信号Ｐ_V(P)の後縁が遅延された疑似垂直同期信号Ｐ_V(P)’が得られ、切換回路４のＰＡＬ端子を介してカウンタ１に供給される。 - 特許庁

Then, even if the outside diameter of the pole P is different, the peripheral face of the pole P abuts on the V-shaped groove 4a, and the V-shaped groove 4a and the catching part 5a can catch the pole P.例文帳に追加

これにより、ポールＰの外径が異なっても、Ｖ字溝４ａにポールＰの外周面が当り、Ｖ字溝４ａと挟持部５ａとでポールＰを挟持できる。 - 特許庁

Moreover, the first group III-V compound semiconductor layer and the second group III-V compound semiconductor layer may contain at least one or more among (In, Ga, Al) and (As, P, N), respectively.例文帳に追加

また、第１のIII−V族化合物半導体層と第２のIII−V族化合物半導体層は（Ｉｎ，Ｇａ，Ａｌ）と（Ａｓ，Ｐ，Ｎ）のうち少なくともそれぞれ一つ以上含んでいても良い。 - 特許庁

The windmill parameter is constituted only of three functions of an output set value P(V), a revolution speed set value N(V), and a pitch angle set value θ(V) which are described by the wind velocity (V).例文帳に追加

風車パラメータは、風速（Ｖ）により記述される出力設定値Ｐ（Ｖ）と回転数設定値Ｎ（Ｖ）とピッチ角設定値θ（Ｖ）の３変数のみから形成される。 - 特許庁

The comparator circuit 23 compares the comparison voltage V_P with the threshold voltage V_T to provide an output of an output signal representing the presence/absence of the pachinko ball.例文帳に追加

比較回路２３は、比較電圧Ｖ_Ｐと閾値電圧Ｖ_Ｔとを比較することにより、パチンコ球の有無を表す出力信号を出力する。 - 特許庁

The junction region 19 comprises an n-type III-V compound semiconductor layer 25 and a p-type III-V compound semiconductor layer 27.例文帳に追加

接合領域１９は、ｎ型III−Ｖ化合物半導体層２５およびｐ型III−Ｖ化合物半導体層２７からなる。 - 特許庁

A tunnel junction TJ is formed with the p-type III-V group compound semiconductor layer 18 and the n-type III-V group compound semiconductor 20.例文帳に追加

ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１８とｎ型III−Ｖ族化合物半導体層２０とによってトンネル接合ＴＪが形成されている。 - 特許庁

Concretely, the development potential in the development of a P sensor pattern is changed from 300 V of timer to 380 V.例文帳に追加

具体的にはＰセンサパターンを現像する時の現像ポテンシャルを計時の３００Ｖから３８０Ｖに変更する。 - 特許庁