「partial etching」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To provide a method of manufacturing a lead frame which does not require partial etching.例文帳に追加

部分的なエッチングを必要としないリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

Thickness of the partial etching part 22 is thinner than thickness of the island-shaped region 21.例文帳に追加

パーシャルエッチング部２２の厚さは島状領域２１の厚さよりも小さい。 - 特許庁

PARTIAL ETCHING FOR SURFACE MODIFICATION OR CONTROLLING OF DEPOSITION BY PULSE ION BEAM例文帳に追加

パルスイオンビームによる表面改質のための局所エッチングまたは堆積の制御 - 特許庁

The thickness of the beam part 31 of the suspension semi-product is reduced by partial etching.例文帳に追加

このサスペンション半製品のビーム部３１の厚さをパーシャルエッチングによって減少させる。 - 特許庁

To perform flat etching by preventing passing of a substrate layer (e.g. a gate oxide film 2) by generating an etching residue due to partial residue of a nature oxide film when etched or partially excess etching.例文帳に追加

エッチング時の自然酸化膜の部分的残存によるエッチング残渣の発生や部分的な過大エッチングによる下地層 (例、ゲート酸化膜２) の突抜けを防いで、平坦なエッチングを達成する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a partial etching glazed ceramic substrate that improves the print quality of a thermal printhead.例文帳に追加

サーマルプリントヘッドの印字画質を向上できる部分エッチンググレーズドセラミック基板の製造方法を提供すること。 - 特許庁

In step 104, flux of etching agent precursor gas is supplied to a partial portion of a substrate surface to be etched.例文帳に追加

ステップ１０４では、エッチングする基板表面の一部分に、エッチング剤前駆体ガスの流束を供給する。 - 特許庁

Thus, the quantity (partial pressure) of a fluorine radical increases in the hole and the speed of etching silicon is made high.例文帳に追加

そのためホール内においてエッチャントであるフッ素ラジカルの量（分圧）が増すことで、シリコンのエッチング速度が高くなる。 - 特許庁

To eliminate a partial etching residue of a metal film and a barrier film while a semiconductor film is left alone, by allowing a sample temperature to be a specified value when etching with plasma a metal film of a multi-layer film which comprises a metal film, a barrier film, and a semiconductor film.例文帳に追加

半導体素子の配線やゲート電極に用いられる金属と多結晶シリコンの多層膜を高精度、高選択に加工する方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electron-beam excitation dry etching technique using a reaction gas having low toxicity and corrosiveness in the partial etching of a metallic material required in a fine machining technique.例文帳に追加

微細加工技術で必要な金属材料の局所的エッチングを毒性、腐食性の低い反応ガスを用いた電子ビーム励起ドライエッチング技術を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor-manufacturing device that can prevent partial change in an etching rate due to difference in temperature.例文帳に追加

温度差によるエッチングレートの部分的な変化を防止することができる半導体製造装置の提供を目的とする。 - 特許庁

For the dry-etching with a lower-layer titanium film 2, the etchant is added with CHF3 whose aluminum etching rate is low, and Cl2, BCl3 and CHF3 are used for adjustment to a specified partial pressure ratio.例文帳に追加

下層のチタン膜２のドライエッチングは、上記のエッチャントに、アルミニウムのエッチングレートの低いＣＨＦ_3を加え、Ｃｌ_2、ＢＣｌ_3、及びＣＨＦ_3を用いて、所定の分圧比に調整して行う。 - 特許庁

The rear end 32 of the load beam 20 is also formed with a thin wall part 62 by partial etching in an area facing the flexure 23.例文帳に追加

ロードビーム２０の後端部３２のフレキシャ２３と対向する部位にもパーシャルエッチングによる薄肉部６２が形成されている。 - 特許庁

As a result, at partial etching, reaction products between the upper portion and lower portion change and detection can become easy due to the light emission.例文帳に追加

この結果、部分エッチングの際、上部分及び下部分間での反応生成物が変化し、発光により検出が容易になる。 - 特許庁

The hard mask film is partially etched by an etching process using a photoresist pattern formed by performing the exposure process, a damascene trench is formed by progressing the etching process with the hard mask film 104 as an etching mask to sequentially perform a partial etching on the trench oxide film 103, the etching preventive film 102, and the interlayer insulating film 101.例文帳に追加

露光工程を実施して形成されるフォトレジストパターンを用いたエッチング工程によって前記ハードマスク膜を部分エッチングし、ハードマスク膜１０４をエッチングマスクとして用いたエッチング工程を進行して、トレンチ酸化膜１０３、エッチング防止膜１０２および間絶縁膜１０１を順次部分エッチングしてダマシントレンチを形成する。 - 特許庁

A partial area other than the auxiliary metal parts T1 and T2 is removed by etching or cutting to make it a thinned area TNR.例文帳に追加

補助金属部Ｔ１，Ｔ２以外の一部領域はエッチング又は切削によって除去され、薄化領域ＴＮＲとされている。 - 特許庁

The method may includes one or more mask layer forming procedures, one or more pre-processing measurement procedures, one or more partial-etching (P-E) procedures, one or more final-etching (F-E) procedures and one or more post-processing measurement procedures.例文帳に追加

当該方法は、1つ以上のマスク層生成手順、1つ以上の前処理測定手順、1つ以上の部分エッチング(P-E)手順、1つ以上の最終エッチング(F-E)手順、及び1つ以上の後処理測定手順を有して良い。 - 特許庁

A front end 16a of the plate member 16 of the base part 17 is formed with a thin wall part 61 by partial etching in an area facing the flexure 23.例文帳に追加

ベース部１７のプレート部材１６の前端部１６ａには、フレキシャ２３と対向する部位にパーシャルエッチングによる薄肉部６１が形成されている。 - 特許庁

The load beam 11 is provided with an island-shaped region 21 including the laser weld zone 20 and a partial etching part 22 formed around the island-shaped region 21.例文帳に追加

ロードビーム１１は、レーザー溶接部２０を含む島状領域２１と、島状領域２１の周囲に形成されたパーシャルエッチング部２２とを具備している。 - 特許庁

A partial pressure of the CHF-based gas in the first etching gas of the first etching condition is set in such a range as an etching rate against the high carbon concentration insulating film 114 drops while that against the low carbon concentration insulating film 116 does not change, by adding the CHF-based gas with an etching rate relative to respective films when no CHF-based gas is added to the first etching gas as a reference.例文帳に追加

第１のエッチング条件の第１のエッチングガス中のＣＨＦ系ガスの分圧は、第１のエッチングガスに当該ＣＨＦ系ガスを添加していない場合の各膜へのエッチングレートを基準として、当該ＣＨＦ系ガスを添加することにより、高炭素濃度絶縁膜１１４に対するエッチングレートが低下するとともに、低炭素濃度絶縁膜１１６に対するエッチングレートを変化させない範囲に設定されている。 - 特許庁

The vacuum etching system has structure in which an opening 7 of the suction tube 4 is formed as a partial aperture, and the etchant sprayed from a nozzle onto the substrate forms a spiral flow 10.例文帳に追加

吸引管４の開口部７を部分的な開口とし、ノズルから基板上に吹き付けられたエッチング液がバイアス状の流れ１０を形成する構造とした。 - 特許庁

With the mask pattern as an etching mask, the semiconductor film is etched to form a recess, and the etching is stopped in such state that a first film is exposed in a partial region of the bottom surface of the recess with a residue of the semiconductor film left in the other region.例文帳に追加

マスクパターンをエッチングマスクとして、半導体膜をエッチングすることにより、凹部を形成するとともに、凹部の底面の一部の領域に第１の膜が露出し、他の領域には、半導体膜の残渣が残っている状態でエッチングを停止させる。 - 特許庁

To provide a chip scale package, wherein joint faults of wire bonding is prevented by allowing the thickness of an inner lead to be identical with that of an original lead frame, while a partial etching region is minimum.例文帳に追加

インナーリードの厚さが元リードフレームの厚さとなるようにすると共に、部分エッチング領域も最小化することで、ワイヤボンディングの接続不良を防止できるチップスケールパッケージを提供する。 - 特許庁

A metal foil laminated body 1 for etching is characterized in that a resist layer 3a is formed on partial areas or the whole surface of a metal foil 2 by a resist liquid containing a polyester resin and an isocyanate hardening agent.例文帳に追加

ポリエステル系樹脂及びイソシアネート系硬化剤を含むレジスト液によるレジスト層３ａが金属箔２の一部又は全部に形成されているエッチング用金属箔積層体１。 - 特許庁

In the method of rapid thermal processing (RTP) of a silicon substrate, a very low partial pressure of reactive gas is used to control etching and growth of oxides on the silicon surface.例文帳に追加

シリコン基板の高速昇降温処理（ＲＴＰ）の方法において、非常に低い分圧の反応性ガスを使用してシリコン表面上でのエッチングおよび酸化膜の成長を制御する。 - 特許庁

A ridge stripe structure formed by laminating a clad layer 8 and a contact layer 9 one by one and a contact electrode 11 are deposited in a partial region of the upper surface of the etching stop layer 7.例文帳に追加

エッチングストップ層７上面の一部領域上には、クラッド層８、コンタクト層９を順次積層して形成されるリッジストライプ構造と、コンタクト電極１１が堆積されている。 - 特許庁

A hole part is formed by etching respective partial parts of the active layer and the embedded oxide film through a window part formed on a part of a protective film covering the active layer, and thereafter amorphous silicon is deposited in the hole part.例文帳に追加

活性層を被う保護膜の一部に形成された窓部を通して、活性層と埋め込み酸化膜との各一部をエッチングして孔部を形成後、孔部にアモルファスシリコンを堆積させる。 - 特許庁

Thus, when the partial region of the laser 29 is removed by etching to expose the substrate 21, an impurity Zn is prevented from being vaporized from a P-type GaAs contact layer 28.例文帳に追加

こうして、ＡlＧaＡs系半導体レーザ２９の一部の領域をエッチング除去してｎ型基板２１を露出させた場合に、ｐ型ＧaＡsコンタクト層２８から不純物Ｚnが蒸発するのを防止する。 - 特許庁

An etching process using first and second patterns is performed; and a hard mask pattern (111) shown in Fig. 6 is formed with a partial region of an interlayer insulation film (103), which is a contact hole region to be formed in a subsequent process, exposed.例文帳に追加

第１，第２パターンを用いたエッチング工程を行い、後工程で形成されるコンタクトホール領域である層間絶縁膜(103)の一部領域を露出させてハードマスクパターン（図６参照：111）を形成する。 - 特許庁

Namely, the partial liquid replacement is performed based upon the treatment number of substrates W corresponding to the substrate W having thick-film large in degree of deterioration of a phosphoric acid solution, so the etching rate of the phosphoric acid solution is kept within the constant range.例文帳に追加

つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Ｗの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。 - 特許庁

The etching residue can be suppressed and the taper angle can be controlled by a plasma-etching a wiring formed on an active matrix substrate and having the titanium film, the aluminum film and the titanium nitride film using a gas formed by mixing argon gas with chlorine gas in the ratio of the partial pressure of the argon gas to the mixed gas formed by mixing argon gas with chlorine gas of 10/100 to 60/100.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板に形成された、チタン膜、アルミニウム膜及び窒化チタン膜を有する配線を塩素ガスにアルゴンガスを混合したガスを用い、アルゴンガスの分圧と、アルゴンガスに塩素ガスを混合した混合ガスの割合が、１０／１００以上６０／１００以下でプラズマエッチングを行なうことにより、エッチング残渣を抑制しテーパ角を制御することができる。 - 特許庁

After that, a mesa groove 8 is formed by etching the P-type semiconductor layer 3, a PN junction JC, the N-type semiconductor layer 2 and a partial thickness of the semiconductor substrate 1 so that a width of the mesa groove grows from a surface of the P-type semiconductor layer 3 toward the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

その後、Ｐ型半導体層３の表面から、ＰＮ接合部ＪＣ、Ｎ−型半導体層２、半導体基板１の厚さ方向の途中にかけてエッチングし、半導体基板１に近づくに従って幅が大きくなるメサ溝８を形成する。 - 特許庁

This suspension 17 is provided with a base part 30, a beam part 31 made of a material similar to that of the base part 30 and having a thickness reduced more than that of the base part 30 by partial etching, and a hinge member 32 for connecting the base part 30 and the beam part 31.例文帳に追加

サスペンション１７は、ベース部３０と、このベース部３０と同一の材料からなりかつパーシャルエッチングによってベース部３０よりも厚さを減少させたビーム部３１と、ベース部３０とビーム部３１とを互いに連結するヒンジ部材３２とを備えている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a partial plating lead frame that is free from plating burrs and also free from exposure of the surface of a metal plate material over a part necessary to be plated, in case when a lead frame is manufactured by etching after plating is applied on the surface of the metal plate in advance.例文帳に追加

金属板の表面に先にめっきを施した後、エッチング加工によりリードフレームを製造する場合に、めっきバリがなく、且つめっきが必要な部分に金属板素材表面の露出がない、部分めっきリードフレームの製造方法を提供する。 - 特許庁

After an oxide film is removed from the surface of a silicon, the surface thereof is exposed at a temperature and partial pressure of oxygen such that etching reaction and oxidizing reaction are progressed at the same time, thereby form micro projections and recessed parts on the surface thereof.例文帳に追加

本発明は、シリコン表面より酸化膜を除去した後、該シリコン表面でエッチング反応及び酸化反応が同時に進行する温度及び酸素分圧の条件下に該シリコン表面を暴露し、該シリコン表面に微細な凹凸を形成するシリコンの表面処理方法を提案する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and a high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micropattern and capable of preventing partial insolubilization in overexposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a radiation sensitive resin composition having high sensitivity, high resolution and high radiation transmittance, excellent in smoothness of a pattern surface in micro dimensions and capable of avoiding partial insolubilization in over-exposure without impairing basic solid state properties as a resist such as pattern shape, dry etching resistance and heat resistance.例文帳に追加

パターン形状、ドライエッチング耐性、耐熱性等のレジストとしての基本物性を損なわずに、高感度、高解像度で、放射線透過率が高く、微細寸法でのパターン表面の平滑性に優れ、かつ過露光時の部分不溶化を解消しうる感放射性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

A partial region on the surface of the aluminum foil is brought into contact with an acidic first liquid comprising hydrogen fluoride, and thereafter, the surface of the aluminum foil at least comprising the part is brought into contact with an acidic second liquid comprising hydrochloric acid, so that the aluminum foil is subjected to etching treatment.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面上で一部の領域にフッ化水素を含む酸性の第１の液を接触させた後、一部の領域を少なくとも含むアルミニウム箔の表面上に塩酸を含む酸性の第２の液を接触させることによってアルミニウム箔をエッチング処理する。 - 特許庁

(b) a complexing agent which stabilizes gold ions into a plating soln. but substantially does not dissolve nickel, cobalt or palladium and (c) a gold precipitation inhibitor capable of suppressing the partial and excessive etching of the base metal generated at the time of executing gold plating by substitution reaction with the base metal.例文帳に追加

（イ）水溶性金化合物、（ロ）めっき液中に金イオンを安定化するが、ニッケル、コバルト又はパラジウムを実質的に溶解しない錯化剤、及び（ハ）下地金属との置換反応によって金めっきを行なう際に生じる下地金属の部分的かつ過剰なエッチング又は浸食を抑制することのできる金析出抑制剤。 - 特許庁

During a manufacturing process of a membrane sheet for forming the probe card, respective surfaces of a polyimide film 41 covering a metallic film 21A, polyimide films 44A and 44B covering a wire 23, and a polyimide film 45 covering a wire 27 are subjected to flattening and thinning treatment by partial grinding or etching.例文帳に追加

プローブカードを形成する薄膜シートの製造工程において、金属膜２１Ａを覆うポリイミド膜４１、配線２３を覆うポリイミド膜４４Ａ、４４Ｂ、および配線２７を覆うポリイミド膜４５のそれぞれの表面に対し、部分的に研磨もしくはエッチングによる平坦化および薄型化処理を施す。 - 特許庁

When the interpolymer complex layer is formed on an upper resist pattern of a BLR using a coating composition containing a silicon contained substance such as a silicon alcoxide monomer, a silicon alcoxide oligomer, or partial hydrolysates of these, a micropattern is formed with an increased resistance property to dry etching by an increased silicon content.例文帳に追加

シリコンアルコキシドモノマー、シリコンアルコキシドオリゴマー、またはこれらの部分加水分解物などのシリコン含有物質を含むコーティング組成物を使ってＢＬＲの上部レジストパターンにインターポリマーコンプレックス層を形成すれば、増加したシリコン含量によって乾式エッチングに対して増加した耐性を有し、微細パターンを形成しうる。 - 特許庁

The unetched sections are left on the surface of aluminum foil on which an electrically insulating shielding member exists by installing the shielding member closely to the partial surface of the aluminum foil in an electrolytic solution, such as the hydrochloric acid, etc., containing chlorine ions at the time of etching the foil, by dipping the foil in the electrolytic solution and impressing an AC voltage upon the foil.例文帳に追加

アルミニウム箔を塩酸等の塩素イオンを含有する電解液中に浸漬し交流電流を印加してエッチング処理する際に電解液中でアルミニウム箔表面の一部に近接して電気絶縁性の遮蔽部材を設置してエッチングを行うことにより遮蔽部材が存在する表面に未エッチング部分を残存させる。 - 特許庁