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patterned layerの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1139件
An oxide layer 306 is then formed on the substrate and is patterned to form openings 308 to expose the substrate.例文帳に追加
それから酸化層306を基板上に形成して、開口部308を形成するためにパターン化し、基板を露出させる。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a patterned media for surely filling a pore of a porous layer with a magnetic material.例文帳に追加
多孔質層の細孔内への磁性体の充填を確実に行うことができる、パターンドメディアの製造方法を提供する。 - 特許庁
The patterned dielectric layer has second recesses and a second through hole that exposes a portion of the active device.例文帳に追加
パターンニングした誘電体層は第二凹部と第二貫通孔を備え、前記第二貫通孔は能動素子の一部を露出させる。 - 特許庁
The upper layer re-wiring 16 wherein a metal plate is patterned is arranged on a prescribed position of the upper surface of the insulating film 15.例文帳に追加
絶縁膜15の上面の所定の箇所には、金属板をパターニングしてなる上層再配線16が設けられている。 - 特許庁
A gate oxide film and a gate electrode material are sequentially formed over a semiconductor layer of an SOI substrate and gate electrodes are patterned.例文帳に追加
SOI基板の半導体層の上にゲート酸化膜、ゲート電極材料を順次形成し、ゲート電極のパターニングを行う。 - 特許庁
The photoresist layer is patterned such that the plurality of metal contacts are exposed and then touched to a conductive solution.例文帳に追加
複数の金属接点が露出され、その後それらが導電性溶液と接触させられるように、フォトレジスト層がパターン化される。 - 特許庁
On the polyparaxylylene layer 7b of the gate insulating film 7, a source electrode 9s and a drain electrode 9d are patterned and formed.例文帳に追加
ゲート絶縁膜7のポリパラキシリレン層7b上にはソース電極9sおよびドレイン電極9dがパターン形成されている。 - 特許庁
An insulation layer patterned to expose the end parts of the heating elements and address electrodes is attached onto the lower substrate.例文帳に追加
下部基板の上には、加熱素子及びアドレス電極の末端部を露出させるようにパターニングされた絶縁層が付着される。 - 特許庁
To precisely form a catalyst layer into an arbitrary pattern without using a resist so that the patterned surface can be electroless-plated.例文帳に追加
無電解めっき方法を可能とするための触媒層を、レジストを用いることなく正確に任意のパターンに形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device having a patterned layer with a high refractive index in which an emitted light from the organic EL layer can be discharged efficiently outside.例文帳に追加
有機EL層からの発光を効率よく外部へと放出するためのパターン化された高屈折率層を有する有機EL発光装置の製造方法の提供。 - 特許庁
To provide a patterned aluminum sheet in which any upper layer is not left on an exposed portion of a lower layer of a clad sheet, and a high productivity can be achieved, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加
クラッド板の下層露出部に上層の残存する虞がなく、かつ、高い生産性を達成できる模様付アルミニウム板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent light-emitting device having a patterned layer with a high refractive index in which emitted light from the organic EL layer can be efficiently discharged outside.例文帳に追加
有機EL層からの発光を効率よく外部へと放出するためのパターン化された高屈折率層を有する有機EL発光装置の製造方法の提供。 - 特許庁
Next, the first transparent conductive layer 21 and the first metal layer 22 are patterned to form a first transparent conductive body 13 and a first extraction conductive body 14.例文帳に追加
次に、第1透明導電層21および第1金属層22をパターニングして、第1透明導電体13および第1取出導電体14を形成する。 - 特許庁
On the secondary surface of the patterned metallic layer 202, a layer including a region suitable for installing an IC chip 206 is formed on the tertiary part of the insulator.例文帳に追加
パターン化金属層202の第2面上において、集積回路チップ206の取り付けに適した領域を含む層を絶縁材の第3部分で形成する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress shape defects when a p-type silicon layer and an n-type silicon layer of a dual-gate structure are patterned.例文帳に追加
デュアルゲート構造のP型シリコン層とN型シリコン層とをパターニングする際に、形状不良の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
First and second underlying oxide films 14 and 15 are formed on an active layer 12, and the underlying oxide films 14 and 15 are so patterned as to expose the active layer 12 (Fig.2(b)).例文帳に追加
活性層12の上に第1、第2下地酸化膜14、15を形成し、活性層12が露出するように各下地酸化膜14、15をパターニングする(図2(b))。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a thin film transistor by which a conductive layer is rapidly and easily patterned on an organic semiconductor layer and stable performance can be achieved.例文帳に追加
有機半導体層の上で導電層を迅速かつ容易にパターニングすると共に安定な性能を得ることが可能な薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁
The liquid crystal display device is provided with an organic protective layer 24 and a gate insulation layer 22 which are patterned so as to make a sealant 11 be directly in contact with a substrate.例文帳に追加
本発明による液晶表示装置はシーリング剤が基板と直接接するようにパタニングされた有機保護膜とゲート絶縁膜とを具備することを特徴とする。 - 特許庁
The finely patterned mask is formed by selectively etching the coating layer, and the workpiece is etched through the mask to form the nano-structure layer.例文帳に追加
この被覆層を、選択的エッチングすることにより微細パターン化されたマスクを形成し、そのマスクを介して加工対象物をエッチングすることによりナノ構造層を形成する。 - 特許庁
First impurity layers 810 are formed in the substrate using the control gate layer as an ion implantation mask and the control gate layer is patterned to form a gate on the peripheral circuit part.例文帳に追加
コントロールゲート層をイオン注入マスクとして半導体基板に第1不純物層810を形成し、コントロールゲート層をパタニングして周辺回路部にゲートを形成する。 - 特許庁
Subsequently, a second photoresist layer 34 is formed so as to cover the alignment mark 33 and, thereafter, the second photoresist layer 34 is patterned on the basis of the alignment mark 33.例文帳に追加
次に、アライメントマーク33を覆うように第2のフォトレジスト層34を形成した後、アライメントマーク33を基準として第2のフォトレジスト層34をパターニングする。 - 特許庁
To provide a method for etching features in an etch layer, and a conditioning for a patterned pseudo-hardmask of amorphous carbon or polysilicon disposed over the etch layer.例文帳に追加
エッチング層内に特徴をエッチングするための方法であって、エッチング層の上に配されたアモルファスカーボン又はポリシリコンのパターン化疑似ハードマスクに対するコンディショニングを提供する。 - 特許庁
A semiconductor layer 13 having high resistance and a semiconductor layer 12 having low resistance are laminated on a substrate 11 having a pixel electrode 18 and are patterned in the shape of a transistor.例文帳に追加
画素電極18を有する基板11上に、高抵抗半導体層13と低抵抗半導体層12を積層してトランジスタ形状にパターニングする。 - 特許庁
Source and drain electrodes 143a and 143b, a semiconductor layer 139 in which impurities are doped and a semiconductor layer 137 in which the impurities are not doped are patterned in the same step.例文帳に追加
特に、ソース、ドレイン電極143a,143b、不純物がドープされた半導体層139、及び不純物がドープされない半導体層137を同時にパターニングする。 - 特許庁
Then the resist layer 4 is peeled while a reflection layer 2 is patterned by wet etching using an alkali solution such as 4 to 5% concentration potassium hydroxide aqueous solution.例文帳に追加
次に、アルカリ溶液、例えば、濃度4〜5%の水酸化カリウム水溶液を用いたウエットエッチングにより、レジスト層4を剥離すると同時に反射層2をパターニングする。 - 特許庁
To restore semiconductor characteristics deteriorated in a process after a patterned organic semiconductor layer is formed in an organic semiconductor device having the organic semiconductor layer.例文帳に追加
パターニングされた有機半導体層を有する有機半導体素子において、有機半導体層の製膜後のプロセスによる劣化に対して、劣化した半導体特性を回復させる。 - 特許庁
The organic light-emitting element includes: a substrate; a first electrode layer regularly patterned on the substrate; a low-refraction conductive layer arranged on the first electrode layer and including a conductive material with a refractive index smaller than that of an organic layer; the organic layer arranged on the low-refraction conductive layer; and a second electrode layer formed on the organic layer.例文帳に追加
基板と、基板上に規則的にパターニングされた第1電極層と、前記第1電極層上に配置され、有機層よりも屈折率が小さい導電性物質を含む低屈折導電層と、前記低屈折導電層上に配置される有機層と、前記有機層上に形成される第2電極層と、を備える有機発光素子。 - 特許庁
A thermally crosslinked positive photosensitive material layer (first positive photosensitive material layer) and a second positive photosensitive material layer are formed on a substrate and then the second positive photosensitive material layer is patterned followed by patterning of the first positive photosensitive material layer.例文帳に追加
基板上に、熱架橋したポジ型感光性材料層(第1のポジ型感光材料層)と第2のポジ型感光性材料層を形成し、まず、第2のポジ型感光性材料層にパターンを形成した後、第1のポジ型感光性材料層にパターンを形成する。 - 特許庁
A patterned magnetic recording medium with high surface flatness without resist residue is obtained by applying a resist, injecting ions, removing a usual resist mask layer 6 as well as a release layer 5a between the resist mask layer 6 and the magnetic recording layer 4 together with the resist residue 6a, and depositing a protective layer 5b on the magnetic recording layer 4 where an exposed magnetic recording area and a non-recording area are patterned.例文帳に追加
レジスト塗布し、イオン注入後、通常のレジストマスク層6除去だけでなく、レジストマスク層6と磁気記録層4の間にある剥離層5aをレジスト残り6aとともに除去し、露出した磁気記録領域と非記録領域がパターン化された磁気記録層4に保護層5bを成膜することにより、レジスト残りを皆無にした、高表面平坦度のパターンド磁気記録媒体を得ることができる。 - 特許庁
For the manufacturing method of the organic EL display element comprising a positive electrode, a negative electrode and at least one layer of patterned organic layer laid between those electrodes, the organic layer is flattened and a patterning error is corrected after forming the patterned organic layer by coating a solvent capable of dissolving the organic layer on the organic layer by spray coating and redissolving the organic layer.例文帳に追加
陽極と陰極とを有し、これらの電極の間に挟まれた少なくとも1層の有機層を有し、かつこの有機層がパターニングされている有機EL表示素子の製造方法であって、パターニングされている有機層を形成した後、前記有機層が可溶な溶媒を、前記有機層にスプレーコーティングにより塗布し、前記有機層を再溶解させて、前記有機層の平坦化およびパターニングエラーの補正を行う有機EL表示素子の製造方法。 - 特許庁
Furthermore, the display includes a second patterned conductor disposed on the layer containing the cholesteric liquid crystal and a control means by which an electric filed applied to the cholesteric liquid crystal layer part directly changes its reflectance value into a plurality of reflectance values by applying voltage to a specified part of the first patterned conductor and the second patterned conductor.例文帳に追加
ディスプレイは更に、コレステリック液晶を含む層の上に配置されたパターニングされた第2の導体と、パターニングされた第1及び第2の導体の特定の部分に亘って電圧を印加することによりコレステリック液晶層の部分への電界がその反射率を複数の反射率へ直接的に変化させるようにする制御手段とを含む。 - 特許庁
The shield material includes: a transparent substrate 10; a first adhesive layer 12 formed on the transparent substrate 10; a resin layer 14 formed on the first adhesive layer 12; a patterned metal layer 16a formed on the resin layer 14; and an antireflective layer 20 formed on the pattern 16a on the metal layer and the resin layer 14 via a third adhesive layer 12b.例文帳に追加
透明基材10と、透明基材10上に形成された第1の粘着層12と、第1の粘着層12上に形成された樹脂層14と、樹脂層14上にパターン化されて形成された金属層16aと、金属層のパターン16a及び樹脂層14の上に、第3の粘着層12bを介して形成された反射防止層20とを含む。 - 特許庁
In another embodiment, the present invention performs O_2 plasma pretreatment prior to halogen-free amorphous carbon etching to form an oxidized silicon region on a patterned photoresist layer to increase the selectivity of amorphous carbon etching relative to a patterned photoresist layer containing unoxidized silicon.例文帳に追加
他の実施形態において、本発明は、ハロゲンフリーのアモルファスカーボンエッチングの前に、O_2プラズマ前処理を用いて、パターン化フォトレジスト層に酸化ケイ素領域を形成して、未酸化ケイ素を含有するパターン化フォトレジスト層に対するアモルファスカーボンエッチングの選択性を増大する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a laminate having a patterned metal film capable of easily performing plasma etching treatment of a plated layer and obtaining a laminate excellent in insulation properties between patterned metal films.例文帳に追加
被めっき層のプラズマエッチング処理を容易に実施することができ、パターン状金属膜間の絶縁性に優れた積層体を得ることができる、パターン状金属膜を有する積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
A photosensitive resin layer formed on the surface of a polyimide film is irradiated with UV through a photomask and developed to form a patterned resin layer mask, irradiation with UV is carried out again in such a way that only the surface of the patterned resin layer mask is cured and the polyimide film is etched with an alkaline solution.例文帳に追加
ポリイミドフィルム面上に形成された感光性樹脂層に、フォトマスクを用いて紫外線を照射し、かつ、現像して樹脂層パターンマスクを形成した後、引き続いて前記樹脂層パターンマスクの表面のみを硬化せしめるように再度の紫外線照射を行った上で、アルカリ性液でエッチングする。 - 特許庁
The laminated layer SL is patterned to have a shape of flat surface corresponding to the shape of flat surface of the first side wall film 201.例文帳に追加
第1の側壁膜201の平面形状に対応する平面形状を有するように、積層された層SLがパターニングされる。 - 特許庁
A second conductive layer 39 is deposited on the second terminal 36 and then patterned, by which the second terminal contact of the semiconductor device is specified.例文帳に追加
第2端子上において第2導電層(39)を堆積し、パターニングすることにより、半導体素子の第2端子コンタクトを規定する。 - 特許庁
To provide a formation method of a double-layer patterned coat which can simply form an identical design to the one by a "Tsugaru" lacquering technique as a traditional technical art.例文帳に追加
伝統工芸である津軽塗りと同様のデザインを簡便に形成できる複層模様塗膜形成方法を提供すること。 - 特許庁
A resist film is patterned by the backside exposure, and an impurity ion is implanted in the active silicon layer 40 to form a source- drain region using the resist pattern as a mask.例文帳に追加
次に、このレジストパターンをマスクとしてアクティブシリコン層40に不純物イオンを注入し、ソース・ドレイン領域を形成する。 - 特許庁
To rapidly separate a surface of an imprint template from a patterned layer on a substrate formed by imprint lithography.例文帳に追加
インプリントテンプレートの表面と、インプリントリソグラフィによって形成された基板上のパターン形成された層との迅速な分離を可能にする。 - 特許庁
To provide a transparent conductive film in which a transparent conductive layer is patterned and which looks good, and its manufacturing method.例文帳に追加
透明導電体層がパターン化されており、かつ、見栄えの良好な透明導電性フィルムおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
To reduce crosstalk of a stereoscopic image display device equipped with an optically anisotropic element having a finely patterned optically anisotropic layer.例文帳に追加
微細なパターンを有するパターン光学異方性層を有する光学異方性素子を備える立体画像表示装置のクロストークの軽減。 - 特許庁
Then, the laminated resist pattern 110 is used for patterning the film to be patterned before the plane area of the upper-layer resist pattern 112 is increased.例文帳に追加
次に、積層レジストパターン110を用いて被パターニング膜をパターニングした後、上層レジストパターン112の平面積を増大させる。 - 特許庁
A photoresist layer (24) is deposited on the transparent material (14) and patterned to form opening parts (26) and expose the transparent material (14).例文帳に追加
フォトレジスト層(24)を透過材料上に堆積し、パターニングすることによって、開口部(26)を形成して透過材料を露出する。 - 特許庁
The nonadhesive material layer is patterned and has at least one trench for exposing at least a part of the conduction structure.例文帳に追加
前記粘着材料は、パターン化され、前記伝導構造の少なくとも1部分を露出する、少なくとも1つのトレンチを有する。 - 特許庁
To form a fine pattern eliminating a residue of a resist layer when imprinting by a nanoimprint device and to manufacture a bit patterned medium of a high density.例文帳に追加
ナノインプリント装置におけるインプリント時のレジスト層の残渣を無くして、微細なパターンの形成、高密度なビットパターンド媒体を製作する。 - 特許庁
A ridge protective layer 10 patterned into stripe is provided on the opposite sides of a ridge waveguide 11 through a space region.例文帳に追加
リッジ状の導波路11の両側には空間領域を挟んでストライプ状にパターニングされたリッジ保護層10が設けられている。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium (DTR medium and BPM) of which land/groove ratio of a magnetic recording layer is larger.例文帳に追加
磁気記録層のランド/グルーブ比がより大きなパターンド磁気記録媒体(DTR媒体およびBPM)の製造方法を提供する。 - 特許庁
Consequently, the wiring layer 13 thicker than the conventional one can be patterned even if the thickness of photoresist 17a is similar to the conventional one.例文帳に追加
このため、フォトレジスト17aの厚さが従来と同程度であっても、従来より厚い配線層13をパタニングすることができる。 - 特許庁
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