「patterned layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereafter, the amorphous silicon semiconductor 16 patterned into the shape of a gate electrode layer is subjected to heat treatment, by which the amorphous silicon semiconductor 16 is turned polycrystalline, and thus a polycrystalline semiconductor film 18 is obtained.例文帳に追加

その後、熱処理を施すことにより、当該アモルファス半導体を多結晶化し、多結晶半導体膜１８とする。 - 特許庁

After depositing a metal layer for lower electrode, a plasma Si_3N_4 film, and a metal layer for upper electrode continuously, the metal layer for upper electrode is patterned, using a resist film as a mask, by RIE using an etching gas for the metal layer thus forming an upper electrode.例文帳に追加

下部電極用金属層、プラズマＳｉ_3Ｎ_4膜および上部電極用金属層を連続して堆積後、レジスト膜をマスクに上部電極用金属層を金属層用のエッチングガスを用いてＲＩＥによりパターニングして上部電極を形成する。 - 特許庁

A water absorption-resistant ring AHR is constituted of a polysilicon layer 152 patterned to surround at least the fuse 151, and a first-layer metal 182 connected to the polysilicon layer 152 through the opening area 172 of an interlayer insulating layer 16.例文帳に追加

防湿リングＡＨＲは少なくともヒューズ１５１周辺を取り囲むようにパターニングされたポリシリコン層１５２、及びこのポリシリコン層１５２に層間絶縁層１６の開口領域１７２を介して接続された第１層金属１８２で構成される。 - 特許庁

To provide a circuit transferring insulating sheet which has a fine and high-density wiring circuit layer, and does not cause disconnection of the wiring circuit layer even when a patterned wiring circuit layer is transferred to an insulating sheet, and moreover, can transfer the wiring circuit layer with a high yield.例文帳に追加

微細且つ高密度の配線回路層を備え、パターン化された配線回路層を絶縁シートに転写した場合においても、配線回路層の断線等がなく、歩留りよく配線回路層を転写できる回路転写用絶縁シートを得る。 - 特許庁

The polycrystalline silicon layer 104 is patterned and used as the seed crystal to obtain a laminated amorphous silicon layer 105, which is crystallized by laser annealing to obtain the semiconductor layer 108 having a crystal silicon layer 12.例文帳に追加

多結晶シリコン層１０４をパターニングし種結晶として用いて、積層された非晶質シリコン層１０５をレーザアニールにより結晶化し、結晶シリコン層１２を有する半導体装置１０８の製造方法を提供することが可能となる。 - 特許庁

The pattern formed body includes a photocatalyst containing layer on a substrate, a patterned metal layer which can have a metal oxide coating, above the photocatalyst containing layer, and a water-repellent thin film layer formed above the metal layer.例文帳に追加

本発明は、基材上に、光触媒含有層と、前記光触媒含有層の上層においてパターン化された、金属酸化物被膜を有していてもよい金属層と、前記金属層の上層に形成された撥水性薄膜層と、を有するパターン形成体を提供する。 - 特許庁

A first conductive layer is patterned in preparation for a subsequent patterning step which includes a step of patterning both the first conductive layer and the second conductive layer in both the NVM region and the capacitor region.例文帳に追加

第１導電体層は後のパターニングステップの準備にパターニングされ、これが、ＮＶＭ領域およびキャパシタ領域の両方に第１導電体層および第２導電体層の両方をパターニングするステップを含む。 - 特許庁

After applying a pigment layer material 3B on a whole inner face of a face panel 1, a phosphor layer material 4B containing ultraviolet curing resin is patterned at any given position on the pigment layer material.例文帳に追加

フェイスパネル１の内面全体に顔料層材料３Ｂを塗布した後、ディスペンサを用いて、顔料層材料３Ｂ上の任意の位置に、紫外線硬化性樹脂を含有する蛍光体層材料４Ｂをパターン形成する。 - 特許庁

To provide an optical device (10) including a first semiconductor layer (12) on which a dielectric layer that is patterned and etched to form dielectric strips (14) as a portion of a diffraction grating layer, is deposited.例文帳に追加

誘電体層を表面上に付着し、これにパターン化及びエッチングを施して回折格子層の部分として誘電体ストリップ（１４）を形成した第１半導体層（１２）を含む光学装置（１０）を提供する。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a semiconductor device in which a tunnel insulating layer formed below a charge storage layer is not damaged when the charge storage layer is patterned.例文帳に追加

本発明は、電荷貯蔵膜をパターニングする時に下部に形成されたトンネル絶縁膜が損傷するのを防止することができる半導体素子の製造方法を提供することを可能にすることを目的としている。 - 特許庁

The color filter layer 28B is patterned to form a B color filter layer 13B and a transparent film 14 on the semiconductor substrate 18 and also to form an area 18a where an R color filter layer 13R is formed.例文帳に追加

カラーフィルタ層２８Ｂをパターニングして、半導体基板１８上にＢ色カラーフィルタ層１３Ｂ、透明膜１４を形成するとともに、Ｒ色カラーフィルタ層１３Ｒを形成する領域１８ａを形成する。 - 特許庁

A resist layer 14 patterned on a surface of the insulating layer 12 is formed (1), and the insulating film 12 as well as an upper layer 6 of a non insulating silicon are anisotropically ectched along the pattern to form a trench reaching an interlayer 4 (2).例文帳に追加

絶縁膜１２の表面にパターニングされたレジスト層１４を形成し（１）、そのパターンに沿って絶縁膜１２と非絶縁性のシリコンの上層６を異方性エッチングし、中間層４に至るトレンチを形成する（２）。 - 特許庁

The absorber layer 200 is thereby laminated in the opening of the patterned reflective film layer 101 and protective film layer 102, and the thickness of the reflective film layer 101 and the protective film layer 102 is substantially equal to the total thickness of the absorber layer 200.例文帳に追加

このようにして、パターンが形成された反射膜層１０１、及び保護膜層１０２の開口部に吸収体層２００が積層され、反射膜層１０１、及び保護膜層１０２の厚さの合計吸収体層２００の厚さとが実質的に同じであることを特徴とする反射型マスクが形成される。 - 特許庁

The top electrode layer of the filter circuit that includes the thin film layer supported on the substrate serving as the medium layer for the capacitor formed between the top electrode layer and the bottom electrode layer formed above and below the thin film layer is patterned into microstrips for functioning as an inductor for the filter circuit.例文帳に追加

薄膜層の上下に形成した上部電極層と下部電極層との間に配列されたコンデンサーの媒体層として有用な、基板上にサポートされた薄膜層を含むフィルター回路の上部電極層は、マイクロストリップにパターン化されて、フィルター回路用のインダクターとして機能するように構成されている。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic electroluminescent light emitting device includes a process in which an organic EL element, a color conversion layer by a vapor depositing method and a barrier layer are formed on a supporting body, and a patterned high refractive index layer is formed on the barrier layer by a dry etching with the barrier layer as an etching-stop layer and is stuck to a color filter.例文帳に追加

支持体上に、有機ＥＬ素子、蒸着法による色変換層、およびバリア層を形成し、バリア層をエッチストップ層とするドライエッチングにより、バリア層上にパターン化高屈折率層を形成し、カラーフィルタと貼り合わせることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 特許庁

The EL element comprises a substrate, a first electrode layer patterned on a surface of the substrate, a porous membrane formed on the substrate on which the first electrode is patterned, insulated, and having communicating holes, an organic EL layer filled in the porous membrane, insulated, patterned, and having at least a light emitting layer, and a second electrode layer formed on the organic EL layer in the porous membrane.例文帳に追加

上記目的を達成するために、本発明は、基板と、基板表面上にパターン状に形成された第1電極層と、前記第1電極層が形成された基板上に形成され、絶縁性であり、連通孔を有する多孔性の多孔質膜と、前記多孔質膜内に充填されており、パターン状に形成され、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ層と、前記多孔質膜内に形成されている有機ＥＬ層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とするＥＬ素子を提供する。 - 特許庁

To provide an imaging device that a patterned resin layer is formed on the side of the anti-reflection (AR) coated surface of a panel body, and also to provide an electronic device provided therewith, and a manufacturing method of the imaging device forming a patterned resin layer on the side of the anti-reflection (AR) coated surface of the panel body.例文帳に追加

パネル本体のＡＲコート面側に模様が施された樹脂層が形成された撮像装置、それを備えた電子装置、及び、パネル本体のＡＲコート面側に模様が施された樹脂層を形成できる撮像装置の製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The manufacturing method comprises (A) a step of forming a patterned organic film on a substrate, (B) a step of forming the conductive layer on a surface of the patterned organic film by electroless plating and (C) a step of removing a part of the conductive layer by contacting the same with an etching gel composition.例文帳に追加

上記製造方法は、（Ａ）基板上にパターン化有機膜を形成する工程と、（Ｂ）無電解メッキにより前記パターン化有機膜表面に導電層を形成する工程と、（Ｃ）ゲル状エッチング組成物と接触させることにより前記導電層の一部を除去する工程と、を含んでなる。 - 特許庁

The substrate 110 has a first surface 110a, a second surface 110b, a first patterned metal layer 112 on the first surface and a second patterned metal layer 114 on the second surface, and is sandwiched between an upper mold chase 210 and a lower mold chase 220 of a package mold 200.例文帳に追加

基板１１０は、第１表面１１０ａ、第２表面１１０ｂ、第１表面上の第１のパターン化金属層１１２、及び第２表面上の第２のパターン化金属層１１４を有し、パッケージモールド２００の上側モールドチェイス２１０と下側モールドチェイス２２０の間に挟まれている。 - 特許庁

The R, G emission layers have a thickness obtained by subtracting the thickness of the B emission layer from that of the R, G emission layers requested by R, G colors, and includes a configuration patterned by the heat transfer system using a heat transfer element having a transfer layer in which the organic film is patterned.例文帳に追加

Ｒ、Ｇ発光層はＲ、Ｇカラーで要求されるＲ、Ｇ発光層の厚さからＢ発光層の厚さ分を差し引いた厚さで、有機膜がパターニングされた転写層を備える熱転写素子を用いた熱転写方式によってパターニングされる構成を含む。 - 特許庁

Therein, when the array part of the top gate type thin film transistor including the color filter 130 is formed, a source electrode 106, a drain electrode 108 and an impurity amorphous silicon layer are patterned at the same time, and a gate electrode 124, an active layer 120 and a gate insulating film are patterned and formed at the same time.例文帳に追加

この時、カラーフィルター１３０を含むトップゲート型薄膜トランジスタのアレイ部を形成する時、ソース電極１０６及びドレイン電極１０８と不純物非晶質シリコン層を同時にパターニングし、ゲート電極１２４、アクティブ層１２０、ゲート絶縁膜を同時にパターニングして形成する。 - 特許庁

In the multilayer interconnection structure, a dummy interconnection 4 is patterned so as to surround a periphery of the opposed electrode 3 of the capacitor in the first interconnection layer, while the dummy interconnection 7 is patterned so as to surround a periphery of the opposed electrode 6 of the capacitor in the second interconnection layer.例文帳に追加

多層配線構造での第１層目の配線層においてキャパシタの対向電極３の周辺を囲うようにダミー配線４がパターニングされるとともに第２層目の配線層においてキャパシタの対向電極６の周辺を囲うようにダミー配線７がパターニングされている。 - 特許庁

To provide a transflective liquid crystal display that exhibits satisfactory display performance without the formation of a laminated structure of a solidified liquid crystal layer and an organic insulating layer which are each patterned.例文帳に追加

各々がパターニングされた固体化液晶層と有機絶縁層との積層構造を形成することなしに、優れた表示性能を有する半透過型液晶表示装置を実現する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, and a fabrication method thereof, in which the elements can be patterned finely by connecting a gate electrode with a source diffusion layer or a drain diffusion layer, without using Al interconnections.例文帳に追加

Ａｌ配線を用いずにゲート電極をソース拡散層又はドレイン拡散層に接続することにより、素子の微細化が可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The n^--type gate silicon area 110 and n^+-gate silicon area 111 are etched away to obtain the n-type gate silicon layer 105 and p-type gate silicon layer 107 which have been patterned.例文帳に追加

Ｎ^-型ゲートシリコン領域１１０及びＮ^+型ゲートシリコン領域１１１をエッチング除去し、パターニングされたＮ型ゲートシリコン層１０５及びＰ型ゲートシリコン層１０７を得る。 - 特許庁

To provide an electromagnetic wave shielding material having good antireflection properties against outside light while a blackened layer hardly drops off, in an electromagnetic wave shielding material having a patterned conductive layer subjected to blackening treatment.例文帳に追加

黒化処理を施したパターン状の導電層を有する電磁波シールド材において、黒化層が脱落し難く、外光反射防止性が良好な電磁波シールド材を提供する。 - 特許庁

Subsequently the photosensitive material layer 3a on the plastic base 2 is exposed with an exposure device 15 according to a prescribed pattern, and the exposed photosensitive material layer 3a is developed and patterned.例文帳に追加

その後、プラスチック基材２上の感光性材料層３ａが露光装置１５により所定のパターンで露光され、露光された感光性材料層３ａが現像されてパターニングされる。 - 特許庁

Then the n^+ amorphous silicon film is etched through a second opening part 12b of the resist layer 12, and a source region 5b and a drain region 5c are patterned to form a semiconductor layer 5.例文帳に追加

その後、レジスト層１２の第２開口部１２ｂを介してｎ^+アモルファスシリコン膜をエッチングして、ソース領域５ｂ及びドレイン領域５ｃをパターニングして半導体層５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, an organic semiconductor layer 7 is evaporated and the organic semiconductor layer 7 is patterned to the insulating film 4 exposed after the photoresist pattern 8a is removed and is left at the area near such insulating film 4.例文帳に追加

その後、有機半導体層７を蒸着し、フォトレジストパターン８ａが除去されて露出された絶縁膜４及びその近傍に残るように有機半導体層７をパターニングする。 - 特許庁

After a connection hole exposing the shoulder of the electrode layer 14a is formed, doped polysilicon is deposited on an upper face of the substrate, and the deposited layer is patterned to form gate electrode layers 28A, 28B.例文帳に追加

電極層１４ａの肩部を露呈する接続孔を形成した後、基板上面にドープトポリシリコンを堆積し、その堆積層をパターニングしてゲート電極層２８Ａ，２８Ｂを形成する。 - 特許庁

The wiring layer is patterned to a metal layer that can be manufactured to uniform thickness regardless of the interlayer connection, and a finer pattern can be also formed with a high yield.例文帳に追加

配線層のパターニングが、この層間接続とは関係なく均一厚に製造可能である金属層に対して行われ、より微細なパターンも高歩留まりで形成可能となる。 - 特許庁

The planarizing layer and the ultrathin oxide film improve the growth homogeneity of the Co-alloy recording layer, so that the patterned disk with data islands shows significantly reduced SFD.例文帳に追加

平坦化層および極薄酸化膜により、Ｃｏ合金記録層の成長均一性が向上するので、データアイランドを有するパターン化ディスクではＳＦＤが大幅に減少する。 - 特許庁

Further, a second patterned spacer layer 116 that is positioned above a second counter/reference electrode layer 114 has a second sample-receiving chamber including first and second end openings.例文帳に追加

更に第二カウンター／参照電極層１１４の上に配置された第二パターンスペーサー層１１６が第一及び第二末端開口部を備えた第二試料受け取り室を有する。 - 特許庁

Subsequently, the P-type organic semiconductor layer 7 is formed on the whole surface and the resist 20 is dissolved in an alkaline developer solution and then the P-type organic semiconductor layer is patterned by means of lift off process.例文帳に追加

次いで、Ｐ型有機半導体層７が全面に形成された後、アルカリ現像液によってレジスト２０が溶解させられ、Ｐ型有機半導体層７がリフトオフによりパターン化される。 - 特許庁

To sufficiently remove polysilicon debris on the side wall of a stepped part while reserving the anisotropic shape of a polysilicon layer and the remaining underlying insulating film when the polysilicon layer covering the stepped part is patterned.例文帳に追加

段差を覆うポリシリコン層をパターニングする際にポリシリコン層の異方性形状と下地絶縁膜の残膜とを確保しつつ段差の側壁でポリシリコン残渣を十分に除去する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device by which a base layer can be patterned in high accuracy and any scratch and corrosion in the base layer can be prevented.例文帳に追加

下地層を高精度にパターニングすることができ、下地層にスクラッチおよび腐食が生じるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

Gas consisting of Cl_2 and He is used as etching gas and the titanium nitride layer 102 is etched with plasma through a mask layer 104 which is formed of photoresist and patterned in a specific shape.例文帳に追加

エッチングガスとしてＣｌ_2 ＋Ｈｅのガスを使用し、フォトレジストからなり所定形状にパターニングされたマスク層１０４を介して、プラズマエッチングにより、窒化チタン層１０２をエッチングする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic semiconductor element capable of obtaining an organic semiconductor element having an easily patterned organic semiconductor layer without decreasing a mobility of the organic semiconductor layer.例文帳に追加

有機半導体層の移動度を低下させることなく、容易に有機半導体層をパターニングした有機半導体素子を得ることができる有機半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

After coating a semiconductor substrate with a CMP cut-off layer, the CMP cut-off layer is patterned to form a CMP cut-off pattern in a shape having an opening for exposing a device separating region.例文帳に追加

半導体基板上にＣＭＰ遮断層を塗布した後にこれをパターニングして素子分離領域を露出させる窓を有する形状のＣＭＰ遮断パターンを形成する。 - 特許庁

In a transfer sheet 11 including a support substrate 1, a photocatalyst layer 7 on the support substrate 1, and organic material patterned traces 9r, 9g, 9b as transfer material patterned traces provided on the photocatalyst layer 7, a surface side of the photocatalyst layer 7 is composed of a hydrophilic area 7a that has become of hydrophilic nature by light irradiation to the photocatalyst layer 7 and a hydrophobic area 7b.例文帳に追加

支持基板１と、支持基板１上の光触媒層７と、光触媒層７上に設けられた転写材料パターンとしての有機材料パターン９ｒ，９ｇ，９ｂを備えた転写シート１１において、光触媒層７の表面側は、光触媒層７への光照射によって親水性となった親水性領域７ａと疎水性領域７ｂとで構成されている。 - 特許庁

The objective printed paper is such as to have two patterned layers and be designed to adjust the respective surface tensions of an aqueous ink coating film on the surface of the upper patterned layer and a melamine resin liquid within a specific range so as to repel the melamine resin liquid on the aqueous ink coating film.例文帳に追加

二層の図柄層を有し、上面の図柄層表面の水性インキ塗膜とメラミン樹脂液の表面張力の値を特定範囲に調節することによって、水性インキ塗膜上でメラミン樹脂液を弾かせること。 - 特許庁

A first pattern 1 is formed on a substrate 3, and a layer 2 made of a material to be patterned is formed in the opening 4 of the first pattern 1, and then the first pattern 1 is removed to form a second pattern made of a material to be patterned.例文帳に追加

基板３上に第一のパターン１を形成し、その第一のパターン１の開口部４に被パターン材料からなる層２を形成し、その後、第一のパターン１を除去して被パターン材料からなる第二のパターンを形成する。 - 特許庁

The mask for charged particle beam exposure includes: an upper wafer having a patterned membrane region; and a lower wafer having a patterned membrane region; and has a two-layer structure with the upper wafer and the lower wafer jointed to each other.例文帳に追加

パターニングされたメンブレン領域を有する上側ウエハと、パターニングされたメンブレン領域を有する下側ウエハと、上側ウエハと下側ウエハとが接合された２層構造であることを特徴とする荷電粒子線露光用マスク。 - 特許庁

The cholesteric liquid crystal display includes a substrate, a first patterned conductor disposed on the substrate and a layer containing a cholesteric liquid crystal material dispersed on the first patterned conductor and has a grays scale.例文帳に追加

基板と、基板の上に配置されたパターニングされた第１の導体と、第１のパターニングされた導体の上に分散されたコレステリック液晶材料を含む層とを含むグレースケールを有するコレステリック液晶ディスプレイが開示される。 - 特許庁

An opening 3 whose end part is tapered is patterned to the insulating film 2 formed on a silicon substrate 1 comprising an N-type diffusion layer 4.例文帳に追加

Ｎ型拡散層４を有するシリコン基板１の上に成膜した絶縁膜２に対し端部がテーパとなった開口部３をパターニングする。 - 特許庁