「phosphide」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

In addition, it is preferable in obtaining the LED with a stable light emitting wavelength to constitute the boron-phosphide-based semiconductor layer 106 as an undoped layer.例文帳に追加

また、リン化硼素系半導体層１０６は、アンドープ層であるのが、発光波長の安定したＬＥＤを得る上で好ましい。 - 特許庁

This resin composition is constituted of the polyacetal resin, at least one flame-retardant selected from a (hypo)phosphite [a metal (hypo)phosphite, or the like] and a phosphide (a metal phosphide, or the like), and at least one flame-retardant auxiliary selected from an aromatic compound and a basic nitrogen-containing compound.例文帳に追加

樹脂組成物を、ポリアセタール樹脂と、（次）亜リン酸塩（（次）亜リン酸金属塩など）及びリン化物（リン化金属など）から選択された少なくとも１種の難燃剤と、芳香族化合物及び塩基性窒素含有化合物から選択された少なくとも１種の難燃助剤とで構成する。 - 特許庁

This conductive film expresses superior corrosion-resistant conductivity and is formed easily at a low cost since it is composed of the phosphide particle coating.例文帳に追加

この導電膜は優れた耐食導電性を発現すると共に、リン化物粒子塗膜からなるため低コストで容易に形成され得る。 - 特許庁

The titanium phosphide coating film is inexpensive compared with a conventional coating film using noble metal, and exhibits very excellent corrosion resistance or conductivity.例文帳に追加

リン化チタン皮膜は、貴金属を使用した従来の皮膜よりも安価であると共に非常に優れた耐食性または導電性を示す。 - 特許庁

This ternary alloy has an alloy structure of a three-phase structure which comprises an L1_0-FePt phase, a P_2Pt phase in which Fe does not dissolve, and an iron phosphide phase.例文帳に追加

その合金組織がL１_0-FePt相、Feが固溶していないP_2Pｔ相およびリン化鉄相からなる３相組織であることを特徴とする。 - 特許庁

A first loop circuit is implemented using CMOS gates, and a second loop circuit and the tuning circuit are implemented using indium phosphide gates.例文帳に追加

第１ループ回路は、ＣＭＯＳゲートを用いて実施され、第２ループ回路およびチューニング回路は、燐化インジウム・ゲートを用いて実施されている。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor element equipped with a reflecting mirror in simple structure which can efficiently reflect emitted light to an external visual field.例文帳に追加

発光を外部の視野方向へ効率的に反射できる簡易な構造からなる反射鏡を備えたリン化硼素系半導体素子を提供する。 - 特許庁

In addition, a second barrier layer to be provided on the evaporation preventing layer is made of an undoped boron phosphide semiconductor to which no impurities are intentionally added.例文帳に追加

さらに蒸発防止層上に形成する第２の障壁層を、不純物を故意に添加していないアンドープのリン化硼素系半導体から構成する。 - 特許庁

To provide a container for safely transporting undecomposed fumigant residue remained after fumigation treatment using a fumigant including hydrogen phosphide.例文帳に追加

りん化水素を含有するくん蒸剤を用いたくん蒸処理の後に残る未分解くん蒸剤残渣を安全に運搬するための容器を提供すること。 - 特許庁

To provide a vapor phase growth method for obtaining a boron phosphide based semiconductor layer having superior continuity on a crystalline substrate having a large degree of lattice mismatching.例文帳に追加

格子ミスマッチ度が大きな結晶基板上に、連続性に優れるリン化硼素系半導体層を得るための気相成長方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the method further comprises a step of adding a plurality of p-type impurities together with the n-type impurity at the time of vapor phase growing, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

好ましくは、気相成長時にｎ形不純物と共に、複数のｐ形不純物を添加してｐ形リン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

The anode 11 consists of a porous sintered body formed by sintering niobium phosphide particles together with niobium particles and niobium alloy particles.例文帳に追加

陽極１１は、ニオブ粒子やニオブ合金粒子とともにリン化ニオブ粒子を焼結することにより形成された多孔質焼結体から構成されている。 - 特許庁

In particular, the heterojunction of the mission layer and a III-V compound semiconductor layer containing boron having a forbidden band which is not narrower than that of gallium arsenide phosphide emission layer is utilized.例文帳に追加

特に、砒化リン化ガリウム発光層以上の禁止帯幅を有する含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を発光層にヘテロ接合させる。 - 特許庁

To enable the stable formation of a p-type ohmic electrode having a sufficiently low contact resistance on a boron phosphide based semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層上に接触抵抗の充分に低いｐ形オーミック電極を安定して形成することができるようにする。 - 特許庁

To obtain an indium phosphide single crystal in a high yield with good reproducibility by a liquid encapsulating Czochralski method, a vertical boat method, or a horizontal boat method.例文帳に追加

液体封止引上法、縦型ボート法又は横型ボート法により、再現性良く、且つ高収率で燐化インジウム単結晶を得ることを可能にする。 - 特許庁

The boron phosphide semiconductor light emitting element having the high light emitting intensity of a wide light emitting region is obtained by avoiding the short circuiting flow of the element drive current to a light emitting layer by selectively disposing the boron phosphide semiconductor noncrystal layer which can constitute a pn junction with a high resistance or substrate layer of a pedestal electrode under the pedestal electrode.例文帳に追加

台座電極を高抵抗または下地層とｐｎ接合を構成できるリン化硼素系半導体非晶層を台座電極の下に選択的に配置して、素子駆動電流の発光層への短絡的な流通を回避して、発光領域の広い高発光強度のリン化硼素系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a boron phosphide semiconductor light emitting element in which a boron phosphide semiconductor layer is provided as a barrier layer and which has a surface electrode for supplying an operating current over a wide range to a light emitting unit of a region convenient to output a light.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層を障壁層として備えたリン化硼素系半導体発光素子にあって、動作電流を、表面電極の直下の領域よりむしろその領域以外の、発光を取り出すに好都合な領域の発光部へ広範囲に流通させられる構成の表面電極を備えた発光素子を提供する。 - 特許庁

The cast alloy can comprise 0.05 to 0.3% zirconium, gallium phosphide and/or indium phosphide in an amount equal to 1 to 250 ppm of phosphorus, and/or titanium and boron added by an aluminum master alloy comprising 1 to 2% Ti and 1 to 2% B for refining crystal grains.例文帳に追加

０．０５〜０．３重量％のジルコニウム、および結晶粒微細化のための、１〜２５０ｐｐｍのリンに相当する量のガリウム燐化物および／またはインジウム燐化物、および／または１〜２重量％のＴｉおよび１〜２重量％のＢを有するアルミニウム母合金によって加えられるチタンおよび硼素を含んでもよい。 - 特許庁

A boron phosphide based semiconductor device 10 (11) comprises at least a p-type boron phosphide system semiconductor layer 104 and a p-type ohmic electrode 105 formed thereon, wherein the p-type ohmic electrode 105 is formed of an alloy of nickel and boron.例文帳に追加

この発明のリン化硼素系半導体発光素子１０（１１）は、少なくともｐ形リン化硼素系半導体層１０４とその上に形成したｐ形オーミック電極１０５と備えるリン化硼素系半導体素子であって、ｐ形オーミック電極１０５を、ニッケルと硼素との合金から構成した、ことを特徴としている。 - 特許庁

To form a boron phosphide-based semiconductor layer having an excellently flat and continuous surface on the surface of a single-crystal silicon substrate, by suppressing discharge of a material that inhibits formation of the boron phosphide-based semiconductor layer on the surface of the single- crystal silicon substrate from a decomposition product adhering to the internal wall of a vapor phase growth furnace.例文帳に追加

珪素単結晶基板表面上へのリン化硼素系半導体層の形成を阻害する、気相成長炉の内壁に被着した分解生成物からの物質の放出を抑制し、珪素単結晶基板表面上に表面の平坦性及び連続性に優れるリン化硼素系半導体層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the laminated structure comprises the steps of adding both an n-type impurity and a p-type impurity in the case of vapor phase growing the boron phosphide semiconductor layer, and adding the p-type impurity so as to generate holes exceeding an electron concentration in the layer due to adding of the n-type impurity, thereby obtaining the p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層の気相成長の際に、ｎ形不純物とｐ形不純物の双方を添加し、かつｎ形不純物の添加に依る層内の電子濃度を上回る正孔を生成する様にｐ形不純物を添加して、ｐ形のリン化硼素系半導体層を得る。 - 特許庁

First the raw material gas for c-BP (cubic system boron phosphide) is supplied to the surface of the substrate to form the c-BP layer on the surface of the substrate by epitaxial growth.例文帳に追加

まず基板の表面にｃ−ＢＰ（立方晶リン化ホウ素）成長用原料ガスを流して、基板の表面にｃ−ＢＰ層をエピタキシャル成長により形成する。 - 特許庁

To provide a compound semiconductor luminous element having a high emission intensity by providing a p-type ohmic electrode having a low contact resistance with respect to a p-type boron phosphide semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層について低い接触抵抗のｐ形オーミック電極を設けて、高発光強度の化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The p-type ohmic electrode is constituted such that the bottom-face that contacts the surface of the p-type boron-phosphide-based semiconductor layer is made of a film of a lanthanoide element or its alloy.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層の表面に接触する底面部をランタノイド元素またはその合金の膜としてｐ形オーミック電極を構成する。 - 特許庁

In particular, the diode is constituted using the (111) boron-phosphide-based semiconductor layer 106 which is excellent in matching with the (0001) surface of the Group III nitride semiconductor thin-film layer 105.例文帳に追加

特に、ＩＩＩ族窒化物半導体薄膜層１０５の（０００１）面とのマッチングに優れる（１１１）リン化硼素系半導体層１０６を利用して構成する。 - 特許庁

To provide a compound-semiconductor light-emitting element of high light-emission intensity by furnishing a p-type ohmic electrode of a low contact resistance on a p-type boron-phosphide-based semiconductor layer.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層について低い接触抵抗のｐ形オーミック電極を設けて、高発光強度の化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The catalyst for a fuel cell is formed by converting a compound selected from a group comprising tungsten boride, tungsten nitride, tungsten sulfide, tungsten phosphide and tungsten silicide into tungsten carbide.例文帳に追加

ホウ化タングステン、窒化タングステン、硫化タングステン、リン化タングステン及びケイ化タングステンからなる群から選ばれる化合物を、炭化タングステンに転化させてなる燃料電池用触媒。 - 特許庁

To provide a technique of obtaining a large diameter gallium phosphide single crystal by the liquid encapsulation Czochralski method (LEC) while preventing the occurrence of crack and polycrystallization.例文帳に追加

液体封止引上げ法（ＬＥＣ）により、割れおよび多結晶化の発生を防止して大口径のリンカガリウム単結晶を得る技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide indium phosphide nanowires each covered with a chemically inert carbon film, which are useful as a material for a high-speed electronic device or an optical device, and a method for producing the same.例文帳に追加

高速電子デバイスや光学デバイス用材料として有用な化学的に不活性な、炭素膜で被覆されたリン化インジウムナノワイヤー及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

After formation of an amorphous buffer layer, it is inverted to crystal gradually and a light- emitting element is constituted by keeping lattice matching to a gallium nitride phosphide light emission part.例文帳に追加

非晶質緩衝層を形成した後、これを徐々に結晶質に転化して、窒化リン化ガリウム系の発光部と格子整合を保って発光素子を構成する。 - 特許庁

A bottom face contacting with a surface of the p-type boron phosphide semiconductor layer is constituted as a film of a platinum group metal element or its alloy to configure a p-type ohmic electrode structure.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素半導体層の表面に接触する底面部を白金族金属元素またはその合金の膜としてｐ形オーミック電極構造を構成する。 - 特許庁

A light-emitting element is constituted, utilizing a heterojunction structure of gallium arsenide phosphide (GaAs_1-XPX: 0≤X≤1) and a III-V compound semiconductor layer containing boron.例文帳に追加

砒化リン化ガリウム（ＧａＡｓ_1-XＰ_X：０≦Ｘ≦１）発光層に含硼素ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を接合させたヘテロ接合構造を利用して発光素子を構成する。 - 特許庁

The manufacturing method of the active material obtains the ferrous diphosphide by sintering a mixture of ferrous phosphide obtained by reducing a phosphorus compound with hydrogen, and phosphorus.例文帳に追加

活物質の製造方法を、リン化合物を水素で還元して得られたリン化一鉄と、リンとの混合物を焼成して二リン化一鉄を得る、製造方法とする。 - 特許庁

A wide-band gap semiconductor is formed on the Si substrate through the intermediary of a buffer layer to form the Schottky barrier diode, and the buffer layer is a cubic boron phosphide layer.例文帳に追加

Ｓｉ基板上にバッファー層を介してワイドバンドギャップ半導体が形成されているショットキーバリアダイオードであって、バッファー層は、立方晶リン化ホウ素層である。 - 特許庁

To provide a heteronanowire structure the application of which in an optoelectronics field is anticipated and which has a zinc sulfide nanowire in a branch-shaped part and a zinc phosphide nanoribbon in a trunk part, and to provide a method for producing the heteronanowire structure.例文帳に追加

オプトエレクトロニクス分野に応用が期待される枝状部に硫化亜鉛ナノワイヤーを有し、幹部がリン化亜鉛ナノリボンからなるヘテロナノ構造物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

This DMFC employs a catalyst containing a tungsten carbide obtained, by transforming a compound selected from a group comprising tungsten boride, tungsten nitride, tungsten sulfide, tungsten phosphide and tungsten silicide.例文帳に追加

ホウ化タングステン、窒化タングステン、硫化タングステン、リン化タングステン及びケイ化タングステンからなる群から選ばれる化合物から転化させて得られた炭化タングステンを含有する触媒を用いたＤＭＦＣ。 - 特許庁

To provide a semiconductor light element on an InP (indium phosphide) substrate having an active layer constituted of an Al series material reduced in oxidization of an Al containing layer while improving heat dissipating property.例文帳に追加

放熱性を改善しつつＡｌ含有層の酸化が低減された、Ａｌ系材料で構成された活性層を有するＩｎＰ基板上の半導体光素子を提供すること。 - 特許庁

To obtain a III nitride semiconductor light-emitting element of high brightness by avoiding mismatching of crystalline lattice to substrate crystal and using a gallium nitride phosphide light emitting structure which is excellent in crystallinity.例文帳に追加

基板結晶との結晶格子の不整合性を回避し、結晶性に優れた窒化リン化ガリウム系発光構造を使用して高輝度の III族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

The end face of the resonator of the nitride series semiconductor laser element and the end face of the resonator of the gallium phosphide semiconductor laser element are jointed with the end faces shifted in an extending direction of the resonator.例文帳に追加

窒化物系半導体レーザ素子の共振器端面とガリウム燐系半導体レーザ素子の共振器端面とは、共振器の延在方向にズレた状態で接合されている。 - 特許庁

To provide a pn-junction compound semiconductor light emitting diode including a p-type boron-phosphide-based semiconductor layer by which an LED with a lower forward voltage is stably provided.例文帳に追加

ｐ形リン化硼素系半導体層を備えてなるｐｎ接合型化合物半導体発光ダイオードにあって、順方向電圧の低いＬＥＤを安定して提供できる様にする。 - 特許庁

Also, the substrate is configured of not only GaAs but also at least one type of aluminum arsenide (AlAs), indium phosphide (InP), gallium antimonide (GaP) and antimonide (GaSb).例文帳に追加

なお、基板は、ＧａＡｓの他に、砒化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、燐化インジウム（ＩｎＰ）、燐化ガリウム（ＧａＰ）およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）のうちの少なくとも１種を含む混晶により構成する。 - 特許庁

An end face of a resonator having a nitride series semiconductor laser structure is formed by an etching before a joining step for joining an LD1 wafer, comprising the nitride series semiconductor laser structure formed on a GaN substrate 101; an LD1 wafer comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on a GaAs substrate 201, and an LD2 wafer, comprising a gallium phosphide series semiconductor laser structure formed on the GaAs substrate 201.例文帳に追加

GaN基板１０１に形成された窒化物系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD１ウェハとGaAs基板２０１に形成されたガリウム燐系半導体レーザ構造からなるLD２ウェハとを接合する接合工程に先立ち、窒化物系半導体レーザ構造の共振器端面をエッチング加工で形成する。 - 特許庁

Thereafter, the p-type boron phosphide semiconductor layer 103 is formed on the heat-treated amorphous layer 102 at a temperature of 750-1,200°C by adjusting the ratio to a second ratio higher than the first ratio.例文帳に追加

その後、熱処理を施した非晶質層１０２上に、７５０℃以上で１２００℃以下の温度で、第１の比率より大きな第２の比率で、ｐ形リン化硼素半導体層１０３を形成する。 - 特許庁

A first cobalt tungsten phosphide film 107 is formed on copper 106 formed on wiring groove 103 or formed on a portion of copper alloy area by means of an electroless plating method without catalyst metal.例文帳に追加

配線溝１０３に形成された銅１０６もしくは銅合金上の一部の領域に、触媒金属を用いない無電解めっき法によって第一のコバルトタングステンリン膜１０７を形成する。 - 特許庁

To solve the problem that an environment-proof semiconductor device utilizing boron phosphide (BP) and BP based mixed crystal cannot be provided because a process for forming a BP crystal layer having a band gap around 3 eV is not disclosed.例文帳に追加

３ｅＶ前後の禁止帯幅をもたらすＢＰ結晶層の形成方法が開示されていないため、リン化硼素（ＢＰ）及びＢＰ系混晶を利用した耐環境型半導体素子を提供できない問題を解決する。 - 特許庁