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plasma diffusionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 97



例文

GAS DIFFUSION BOARD FOR PLASMA PROCESSING DEVICE AND PLASMA PROCESSING DEVICE例文帳に追加

プラズマ処理装置用ガス拡散板及びプラズマ処理装置 - 特許庁

ERROR DIFFUSION PROCESSING CIRCUIT AND METHOD, AND PLASMA DISPLAY DEVICE例文帳に追加

誤差拡散処理回路、方法及びプラズマディスプレイ装置 - 特許庁

In the ON period, discharge plasma is generated and high energy of the plasma is fast diffused in the sintering material 14 by thermal diffusion and electric field diffusion.例文帳に追加

ON周期のとき放電プラズマが発生し、プラズマの高エネルギーが熱拡散と電界拡散によって高速で焼結材料14中を拡散する。 - 特許庁

A plasma shield 72 which suppresses a diffusion of the plasma P to an area other than the plasma forming area is shaped in cylinder which surrounds the plasma forming area with its surface contacting the plasma P formed of an insulator.例文帳に追加

プラズマ形成領域以外の場所にプラズマPが拡散するのを規制するプラズマシールド72は、プラズマ形成領域を取り囲む筒状であってプラズマPに接する表面は絶縁体である。 - 特許庁

例文

DESIGN OF GAS DIFFUSION SHOWER HEAD FOR LARGE-AREA PLASMA-ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加

大面積プラズマ増強化学気相堆積のためのガス拡散シャワーヘッド設計 - 特許庁


例文

A container 17 to adjust the uniformity of the plasma density is installed in a diffusion region of plasma generated in a line state.例文帳に追加

ライン状に発生させたプラズマの拡散領域にプラズマ密度の均一性を調整する容器17が設けられる。 - 特許庁

The chromium is converted into the diffusion barrier 22 containing chromium nitride using a nitrogen-containing plasma.例文帳に追加

クロムは、窒素含有プラズマを用いて窒化クロム含有拡散バリア22に変質される。 - 特許庁

The gas diffusion plate 7 can be provided, being isolated from the plasma confinement electrode plate 5.例文帳に追加

ガス拡散板7は、プラズマ閉込電極板5から離隔させて設けることができる。 - 特許庁

A diffusion suppressing means 12 is provided extending from the jetting port 21b in the jetting direction so as to suppress the diffusion of the plasma jet.例文帳に追加

拡散抑制手段12がプラズマジェットの拡散を抑制するよう噴射口21bから噴射方向に伸びて設けられている。 - 特許庁

例文

To retain the quality of an article to be treated at a constant by preventing an influence relating to plasma treatment on the article to be treated before plasma treatment or on the article to be treated after plasma treatment by preventing diffusion of the plasma produced by the plasma treatment, a charged particle and dust in a plasma treatment device.例文帳に追加

プラズマ処理装置において、プラズマ処理によって生成されるプラズマ、荷電粒子、およびダストなどの拡散を防止することで、プラズマ処理前の被処理物あるいはプラズマ処理後の被処理物へのプラズマ処理に係る影響を防止し、被処理物の品質を一定に保つようにする。 - 特許庁

例文

Using an SiN film deposited by plasma CVD is employed as a passivation film for diffusion, zinc is diffused from an opening to form a diffusion area.例文帳に追加

プラズマCVDによるSiN膜を拡散用のパシベーション膜として用い、開口部より亜鉛を拡散して拡散領域を形成した。 - 特許庁

To improve oxygen plasma resistance, mechanical strength, heat diffusion efficiency, hygroscopicity/moisture permeability, heat resistance and barrier effects with respect to impurity diffusion.例文帳に追加

酸素プラズマ耐性、力学的強度、熱拡散効率、吸湿性・透湿性、耐熱性、不純物拡散に対するバリア効果を向上させること。 - 特許庁

To provide a plasma generating device that allows uniform diffusion of radicals, and to provide a cleaning/purifying device, and a small electric appliance, using the plasma generating device.例文帳に追加

ラジカルを均一に拡散させることのできるプラズマ発生装置、当該プラズマ発生装置を用いた洗浄浄化装置および小型電器機器を得る。 - 特許庁

By inserting the dielectrics 7, impediment of plasma diffusion caused by a recess of the microwave introduction window is prevented, resulting in generation of uniform plasma.例文帳に追加

誘電体7を挿入することによって、マイクロ波導入窓の窪みによるプラズマ拡散の阻害を失くし、均一なプラズマを生成することができる。 - 特許庁

To provide a technique to form an excellent diffusion barrier film on Cu wiring by plasma CVD method.例文帳に追加

プラズマCVD法を用いてCu配線上に良好な拡散バリア膜を形成する技術を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a plasma display panel which prevents diffusion of electrode materials into dielectric in simultaneous baking of electrodes and the dielectric.例文帳に追加

電極と誘電体の同時焼成において電極材料が誘電体中に拡散することを防ぐ。 - 特許庁

Plasma of a treatment gas containing oxygen and Ar oxidizes the p-type diffusion region 103 and the n-type diffusion region 105 at different oxidation rates.例文帳に追加

酸素およびArを含有する処理ガスのプラズマにより、p型拡散領域103とn型拡散領域105とを、それぞれ異なる酸化レートで酸化処理する。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing silicon nanocrystals using ICP (inductively coupled plasma) which can minimize plasma diffusion phenomena, thereby improving the particle size characteristics and qualities of the silicon nanocrystals.例文帳に追加

プラズマ拡散現象を最小化してシリコンナノ粒子の粒度及び品質を向上させることができるICPを用いたシリコンナノ粒子製造装置を提供する。 - 特許庁

A method for etching the LSI device includes a step of etching a diffusion preventive film (SiC) 17 with a plasma for the low dielectric constant film (SiOC) 18 of a wafer 4 installed on a support base 5 of a plasma treating apparatus.例文帳に追加

プラズマ処理装置の支持台5に載置されているウエハ4の低誘電率膜(SiOC)18に対して、拡散防止膜(SiC)17をプラズマでエッチングする。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板5を有し、プラズマ閉込電極板5には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板7(11,12)が複数枚設けられている。 - 特許庁

INTERLAYER INSULATING FILM, DIFFUSION PREVENTING FILM AND SOURCE MATERIAL THEREOF, FILM FORMING METHOD AND PLASMA CVD DEVICE FOR FORMING FILM例文帳に追加

層間絶縁膜及び拡散防止膜とこれらのソース材料、膜形成方法、膜形成用プラズマCVD装置 - 特許庁

METHOD AND INSTRUMENT FOR MEASURING VISCOSITY OF SERUM OR BLOOD PLASMA ON BASIS OF CHANGE IN DIFFUSION COEFFICIENT OF BROWNIAN MOVEMENT OF ALBUMIN MOLECULE例文帳に追加

アルブミン分子のブラウン運動の拡散係数変化に基づく血清または血漿粘度測定方法及び装置 - 特許庁

The diffusion zone 31 comprises a first diffusion zone 32 formed by using a means of the curved surface printing, or the like, and a second diffusion zone 33 formed on the outer circumferential side thereof by performing the plasma thermal spraying of a ceramic material.例文帳に追加

そして、拡散層31は、曲面印刷等の手段を用いて形成された第1拡散層32と、その外周側にセラミックス材料をプラズマ溶射することにより形成された第2拡散層33とから構成する。 - 特許庁

An error diffusion processing circuit 3 performs the error diffusion of lower bits of 12-bit R, G, B signals to make the signals to be signals equivalent to 12 bits or 11 bits and inputs them to a PDP(plasma display panel) 4.例文帳に追加

誤差拡散処理回路3は、12ビットのR,G,B信号の下位ビットを誤差拡散して、12ビットもしくは11ビット相当の信号としてPDP4に入力する。 - 特許庁

A laminate film consisting of metal nitride and an elemental substance of noble metal is used as the oxygen diffusion preventive layer, and a plasma CVD oxide film is used as the interlayer insulation film 7 on the oxygen diffusion preventive layer.例文帳に追加

酸素拡散防止層に、金属の窒化物と貴金属の単体との積層膜を用い、酸素拡散防止層上の層間絶縁膜7としてプラズマCVD酸化膜を用いる。 - 特許庁

Further, a magnetic field shield 8 for preventing diffusion of the plasma produced at the plasma irradiation part 6, the charged particle and the charged dust is provided between the plasma irradiation part 6 and the unwinding device 4 and the winding device 5 at both sides of the part 6.例文帳に追加

そして、プラズマ照射部6とその両側の巻出装置4及び巻取装置5との間にプラズマ照射部6にて生成したプラズマや荷電粒子や帯電したダストなどの拡散を防止する磁場シールド8を設けている。 - 特許庁

To provide a shower head and a plasma processing apparatus, which can efficiently execute uniform plasma processing by preventing diffusion of the plasma, even when employing a structure which supplies a gas from the shower head and discharges it from the shower head.例文帳に追加

シャワーヘッドからガスを供給し、シャワーヘッドから排気する構成の場合であっても、プラズマの拡散を防止することができ、効率良く均一なプラズマ処理を行うことのできるシャワーヘッド及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In plasma welding, a shield gas 5 is jetted and supplied to a workpiece 1 from positions oppositely facing across the center axis of a plasma torch, regulating diffusion on the workpiece 1 of a plasma gas 4 supplied from a welding electrode side to the workpiece 1.例文帳に追加

プラズマ溶接時、プラズマトーチの中心軸を挟んで対峙する位置から、ワーク1に向けてシールドガス5を噴射供給し、溶接電極の側からワーク1に向けて供給されたプラズマガス4のワーク1上での拡散を規制する。 - 特許庁

The radical ejector has: first to fourth diffusion chambers 11-41 in which plasma of treatment gas from the treatment gas supply source 8 is respectively supplied, and their atmospheres are isolated from each other; and a plasma forming chamber 51 for mixing the plasma of the treatment gas diffused in the first to fourth diffusion chambers 11-41.例文帳に追加

ラジカル放出器10は、処理ガス供給源8から処理ガスのプラズマがそれぞれ供給され且つ互いの雰囲気が隔離された第1〜第4の拡散室11〜41と、第1〜第4の拡散室11〜41にて拡散された処理ガスのプラズマを混合するプラズマ形成室51とを有する。 - 特許庁

In the plasma processing equipment having the porous plate 4 installed between a plasma generator 8 and 7 and the substrate 2 to be treated, the shape and arrangement of pores of the porous plate is determined from the calculation of active species distribution and diffusion in the plasma generator, so that the plasma active species may have a desired density and distribution near the substrate.例文帳に追加

プラズマ発生部8、7と被処理基板2との間に多孔板4を設けたプラズマ処理装置において、前記多孔板の孔の形と配置を、基板近傍のプラズマ活性種を所望の密度と分布とするように、プラズマ発生部の活性種分布と拡散計算から決定する。 - 特許庁

An electrode 8 is provided to drift diffused electron into the opening 720 for preventing the diffusion of the plasma P through an opening 720 of the plasma shield 72.例文帳に追加

プラズマシールド72が有する開口720を通してプラズマPが拡散しないよう、開口720に向かって拡散する電子が流れ込むようにして拡散防止用電極8が設けられている。 - 特許庁

To provide a normal pressure plasma apparatus capable of preventing diffusion of a gas used into the atmosphere and mixing of external air with a simple apparatus.例文帳に追加

簡便な装置で、使用ガスの周囲への拡散防止や外部空気の混入防止が可能な常圧プラズマ装置の提供。 - 特許庁

Thereafter, plasma stopped from being formed as the material gas is kept being supplied as is, so as to stop the fluorine diffusion inhibiting film 10 from growing.例文帳に追加

その後、材料ガスを供給したまま、プラズマの形成を停止して、フッ素拡散抑制膜10の成長を停止する。 - 特許庁

The number of holes of the plural gas diffusion plates 11 and 12 is larger on the side of the substrate processing region more than on the side of the plasma generation region.例文帳に追加

複数のガス拡散板11,12の孔の数は、プラズマ生成領域側よりも前記基板処理領域側の方が多い。 - 特許庁

To provide a multi-split anode wall plasma generating device capable of preventing the short circuit between a cathode and an anode by the peeling off of deposits adhering to and depositing on an inner wall of the anode by diffusion plasma, and to provide a plasma treating device using the same.例文帳に追加

拡散プラズマにより陽極内壁に付着、堆積した堆積物が剥落して陰極と陽極間を短絡することを防止することができる陽極壁多分割型プラズマ発生装置及びそれを用いたプラズマ処理装置を提供することである。 - 特許庁

A gas extraction port may be provided near the plasma formation portion to restrain diffusion of the fuel debris and contamination toward the collector mirror.例文帳に追加

ガス抽出口は、集光ミラーに向かう燃料デブリ及び汚染の拡散を抑制するためにプラズマ形成部位付近に設けられてよい。 - 特許庁

At this time, since the heat insulating property of the plasma prevents the diffusion of heat generated by burning the hydrogen, high heat of 1000°C or higher is instantaneously produced.例文帳に追加

このとき、プラズマの断熱性で水素燃焼により生じた熱が拡散しないので、瞬時に1000℃以上の高熱が得られる。 - 特許庁

To reduce granular noise corresponding to a minimum display level generated when gradations of a PDP(Plasma Display Panel) is increased by error diffusion processing.例文帳に追加

誤差拡散処理によってPDPの階調を増加させた際に生じる表示最小レベル値に相当する粒状ノイズを低減する。 - 特許庁

This method for plasma treatment is constituted by respectively applying pulse-modulated electric power to a plasma-generating power source and to a substrate-bias power source, wherein a pulse modulation is based on the diffusion time of gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加するように構成される。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which the yellow discoloration caused by diffusion of silver ions is prevented to improve color temperature of white ray and image quality, and also to provide a method of manufacturing the same, and material for partitions of the plasma display panel.例文帳に追加

銀イオンの拡散による黄変現象を防止することで、白色光の色温度を向上し、かつ、パネルの画質を改善できるプラズマディスプレイパネル、その製造方法及び隔壁材料を提供する。 - 特許庁

To prevent increase in capacitance resulted from high permittivity of a plasma silicon nitride film used for preventing a diffusion of Cu on the interconnection in the lower layer Cu.例文帳に追加

下層Cuの配線上にCuの拡散防止のために用いているプラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止する。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、RLSAプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

Simultaneously, a part of the diffusion-regulated plasma gas 4 is released along the weld advancing direction orthogonal to the oppositely feeding direction of the shield gas 5.例文帳に追加

同時に、その拡散を規制されたプラズマガス4の一部を、シールドガス5の対峙供給方向と直交する溶接進行方向に沿って逃がすようにする。 - 特許庁

The apparatus for the plasma treatment is furnished with a modulation means for applying the pulse-modulated electric power to the plasma-generating part and one to the substrate electrode, respectively in the plasma-generating power source and in the substrate bias power source, wherein the pulse modulation is based on the diffusion time of the gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

また、本発明のプラズマ処理装置は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ生成部及び基板電極に相互に印加する変調手段をプラズマ発生電源及び基板バイアス電源に設けられる。 - 特許庁

Furthermore, a natural oxide film left on the diffusion layer is removed through a reverse sputtering method by the use of helium plasma before a silicifying process is carried out, by which the surface of a diffusion layer can be flattened, and a junction leakage current can be also restrained.例文帳に追加

さらに、シリサイド化工程の前に拡散層の上に残存する自然酸化膜をヘリウムプラズマによる逆スパッタによって除去することにより、拡散層の表面を平坦にでき、接合リークを抑制することができる。 - 特許庁

To provide a high quality, high performance semiconductor manufacturing apparatus which avoids the generation of dust and the degradation of durability by mitigating ion bombardment, and at the same time, is excellent in the uniformity control of plasma density by suppressing plasma diffusion.例文帳に追加

イオン衝撃を緩和してダストの発生及び耐久性の低下を回避すると同時に、プラズマの拡散を抑制してプラズマ密度の均一性制御に優れた、高品質・高性能の半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Then, a material gas is introduced into the plasma vapor deposition system leaving the substrate 101 in it, and a fluorine diffusion inhibiting film 10 is grown on the fluorine-doped silicon oxide film 2 by the use of the plasma.例文帳に追加

次いで、プラズマ気相成長装置内に基板101を設置したまま材料ガスをプラズマ気相成長装置内に供給し、プラズマを用いてフッ素ドープシリコン酸化膜2上にフッ素拡散抑制膜10を成長させる。 - 特許庁

For example, when a via groove 27a and a wiring groove 27b are formed in a laminate structure of a UDC diffusion barrier film 22, a porous silica film 23, a UDC middle stopper film 24, a porous silica film 25, and a UDC diffusion barrier film 26, surfaces of the UDC diffusion barrier film 22, UDC middle stopper film 24, and a UDC diffusion barrier film 26 which are exposed inside are irradiated with hydrogen plasma.例文帳に追加

例えば、UDC拡散バリア膜22、ポーラスシリカ膜23、UDCミドルストッパ膜24、ポーラスシリカ膜25およびUDC拡散バリア膜26の積層構造にビア溝27aと配線溝27bを形成したときに、内部に露出するUDC拡散バリア膜22、UDCミドルストッパ膜24、UDC拡散バリア膜26の表面に対し、水素プラズマを照射する。 - 特許庁

The plasma-duct 3, the evaporated particle separating part 4, the particle mixing part 5 and the particle diffusion part 6 contain a magnetic field generating device respectively, and function by utilizing the magnetic field.例文帳に追加

プラズマダクト3、蒸発粒子分離部4、粒子混合部5、粒子拡散部6は、それぞれ磁界発生装置を含み、磁界を利用してそれぞれ機能する。 - 特許庁

例文

Since the plasma CVD method conducts processes at about 200-300°C, it does not destroy the barrier metal layer in the first contact holes and does not activate the diffusion of connection wirings of W, etc.例文帳に追加

プラズマCVD法は200〜300℃程度で処理するので、第1のコンタクト孔内のバリアメタル層を破壊せず、Wなどの接続配線の拡散を活性化しない。 - 特許庁




  
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