「plasma diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a complex plasma surface reforming process by which the surface hardness is enhanced without deteriorating corrosion resistance of austenitic stainless steel and the wear resistance is improved by making a hardened layer deeper; and a process for successively performing the penetration-diffusion of each of carbon and nitrogen by using plasma.例文帳に追加

オーステナト系ステンレス鋼の耐食性を損なわずに表面硬さを高くし、かつ硬化層を深くして耐摩耗性を向上させる複合プラズマ表面改質法および連続的にプラズマにより炭素および窒素の浸透拡散を行う方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus in which nuclear species of short diffusion length related to photodegradation of an amorphous silicon thin film can be removed furthermore, and a large area film can be produced.例文帳に追加

アモルファスシリコン薄膜の光劣化と関連する拡散長の短い核種をより一層排除することができ、また、大面積製膜も可能なプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a solar cell capable of suppressing a plasma from damaging a wafer light-receiving surface and suppressing a scraping amount of a diffusion layer by reducing etching more than necessary.例文帳に追加

必要以上のエッチングを減少させることで、プラズマが与えるウェハ受光の面損傷の抑制、拡散層の削り量の抑制が可能な太陽電池の製造方法を得る。 - 特許庁

To prevent the reduction of concentration on the surface of a silicon substrate or the surface of a polysilicon electrode due to the external diffusion of impurity, even when simultaneously executing plasma doping and activating annealing.例文帳に追加

プラズマドーピングと活性化アニールを同時に実施する場合にも、不純物の外方拡散によるシリコン基板表面、またはポリシリコン電極表面の濃度低下を防止する。 - 特許庁

This method includes plasma nitriding the surface of the steel material, and then implanting nitrogen ions in the surface, to make the nitrogen concentration of the surface to be 30 atom% or higher, for diffusion treatment causing little film- peeling.例文帳に追加

鉄鋼材料表面を剥離の恐れがない拡散処理として、プラズマ窒化処理し、その後に窒素イオンを注入し、表面の窒素濃度を３０原子％以上にする。 - 特許庁

To form a diffusion layer of oxygen and carbon on the surface of a titanium-based material without forming a layer of titanium oxide, by a single operation, without using a plasma vacuum furnace.例文帳に追加

プラズマ真空炉を使用することなく、単一の操作により、チタン系材料の表面に、チタン酸化物の層を形成することなく、酸素及び炭素の拡散層を形成する。 - 特許庁

Consequently, many gas particles such as oxygen radicals can be entered into the fine gap for plasma treatment by increasing a gas diffusion coefficient at the time of plasma discharge, and a good surface improvement can be efficiently performed even in the deep part of the fine gap.例文帳に追加

これにより、プラズマ放電時においてガスの拡散係数を増大させて酸素ラジカルなどのガス粒子をプラズマ処理対象の微小隙間内に多数進入させることができ、微少隙間の奥部においても良好な表面改質を効率よく行うことが出来る。 - 特許庁

The method is for manufacturing the semiconductor device for forming a diffusion layer by diffusing the phosphorus atom on the surface of the silicon substrate with a resist coated, and has steps of forming the diffusion layer, keeping the temperature of the silicon substrate lower than the alteration temperature of the resist, and forming an oxide film by supplying a plasma excitation gas on the surface of the formed diffusion layer.例文帳に追加

レジストが塗布されたシリコン基板の表面にリン原子を拡散させて拡散層を形成する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板の温度をレジストの変質温度よりも低く保ちながら拡散層を形成する拡散層形成工程と、形成した拡散層の表面にプラズマ励起ガスを供給して酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、を有する。 - 特許庁

The diffusion preventive layers 9 are each formed of a discharge plasma sintered body of a powder of an alloy which contains 28 to 83 wt.% Ni and 17 to 72 wt.% Ti, the total amount of Ni and Ti being 100 wt.%.例文帳に追加

散防止層９は、Ｎｉ２８〜８３wt％およびＴｉ１７〜７２wt％を含有し、かつＮｉとＴｉとの合計量が１００wt％である合金の粉末の放電プラズマ焼結体からなる。 - 特許庁

A male screw part 30 screwed in and contacting a high-pressure gas container 20 is plasma-nitrided in the high-pressure gas container valve 10 constituted by this manner, and a nitrogen diffusion layer is formed thereby on a surface thereof.例文帳に追加

以上のように構成された高圧ガス容器弁１０において、高圧ガス容器２０と螺合して接触する雄ネジ部３０をプラズマ窒化処理して、窒素の拡散層をその表面に形成する。 - 特許庁

The plasma silicon nitride film used for a Cu diffusion protection film left as a part of the interlayer films 1, 4 between the upper and lower interconnections 2, 5 when the plasma silicon nitride film is deposited on the Cu film which is formed as the interconnection part 2 of the semiconductor device prevent an increase in interconnection capacitance caused by high permittivity of the plasma silicon nitride film to realize decrease in the wiring capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体装置の配線部２として形成されるＣｕ膜の上にプラズマシリコン窒化膜を堆積する場合、Ｃｕの拡散防止膜として用いられるプラズマシリコン窒化膜が上下配線２，５間の層間膜１，４の一部に残ることで、プラズマシリコン窒化膜の高誘電率に起因する配線容量の増加を防止し、配線容量の低減を達成することができる。 - 特許庁

To prevent flickers and faulty displays caused by writing discharge errors from becoming prominent, when using a display method, such as dither method and error diffusion method, in a plasma display panel used in image display.例文帳に追加

画像表示に使用されるプラズマディスプレイパネルにおいて、ディザ法や誤差拡散法といった表示方法を用いたときに、書き込み放電のミスによるちらつきや不良表示を目立ちにくくすることを目的とする。 - 特許庁

The diffusion prevention layer 9 consists of the discharge plasma sintered material of the mixed powder which consists of the Ti powder and/or the Ti alloy powder and the Al powder, and in which the content of the Al powder is 10-20 wt.%.例文帳に追加

拡散防止層９は、Ｔｉ粉末および／またはＴｉ合金粉末とＡｌ粉末とからなり、かつＡｌ粉末の含有量が１０〜２０wt％である混合粉末の放電プラズマ焼結体からなる。 - 特許庁

Two or more kinds of metal foils comprising Al, Ti or the like are bonded by discharge plasma diffusion bonding or the like to form the composite material having a fine layered structure wherein two or more kinds of metal seeds are repeated regularly.例文帳に追加

ＡｌとＴｉ等の２種類以上の金属箔を、放電プラズマ接合等により拡散接合して、２種類以上の金属種が規則的に繰返された微細層状構造の複合材を形成する。 - 特許庁

Plasma oxidation with high oxidation rate is performed by changing to higher RF electric power from a point when ashing of the resist 301 is completed, and the plasma oxidation silica film 401 as an outside diffusion prevention film of dopant is formed on surfaces of an n-type wiring 103 and a p-type wiring 104 which are composed of polysilicon.例文帳に追加

レジスト３０１の灰化が終了した時点から高めのＲＦ電力に切り替えることで酸化レートの高いプラズマ酸化を行い、ポリシリコンからなるＮ型配線部１０３、Ｐ型配線部１０４の表面に不純物の外方拡散防止膜としてのプラズマ酸化珪素膜４０１を形成する。 - 特許庁

To improve plasma density and to increase a film forming speed by preventing the plasma radial direction diffusion generated in the space formed with facing electrodes having a cusp shape magnetic field arranged near the outer peripheral part of a discharge space in a sputter deposition apparatus to form a film on a substrate by a sputtering method.例文帳に追加

基板面上にスパッタリング法により成膜するスパッタデポジション装置において、放電空間の外周部近傍に設けたカスプ状磁場によって、対向した電極で形成される空間内に生成させるプラズマの径方向拡散を防止して、プラズマ密度の向上と成膜速度の向上を目的とする。 - 特許庁

In this way, the functional layer FL is cooled and then Cl (base), contained in reaction gas made into a plasma, reacts with PZT (lead zirconate titanate), forming the piezoelectric substance layer and suppresses the speed of diffusion in the piezoelectric substance layer low.例文帳に追加

このように、機能層ＦＬを冷却することで、プラズマ化した反応ガスに含まれるＣｌ（塩基）が圧電体層を構成するＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）と反応して圧電体層に拡散する速度を抑制することができる。 - 特許庁

To provide a low resistance wiring layer structure that is not only high in adhesion with respect to a base substrate of a semiconductor substrate or a glass substrate, but is also superior in diffusion barrier characteristics to the base substrate, as well as, in resistance to hydrogen plasma, and to provide a process for manufacture thereof.例文帳に追加

半導体基板又はガラス基板の下地基板に対する密着性が高く、下地基板への拡散バリア性に優れ、かつ水素プラズマ耐性に優れた低抵抗な配線層構造、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Plasma conditions (diffusion distance or pressure) and a mask shape (opening width) are set so as to avoid a region of the amount of hydrogen plasma, where etching markedly increase in the surface unevenness on the surface and generation of polymer occur at the same time; and thereby, shapes which differ in etching depths within the same surface can be readily processed, while suppressing surface unevenness.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

By setting a plasma condition (a diffusion distance or a pressure) and a mask shape (the opening width) so as to avoid a region with a hydrogen plasma amount in which etching and polymer generation that drastically increase the unevenness occur simultaneously on its surface, a shape with different etching depths can be processed in the same plane while suppressing the unevenness on the surface.例文帳に追加

表面で凹凸を著しく増加させるようなエッチングとポリマーの生成が同時に起きるような水素プラズマ量の領域を避けるように、プラズマ条件（拡散距離または圧力）とマスク形状（開口部幅）を設定することにより、表面の凹凸を抑制して同一面内でエッチング深さが異なる形状を加工することができる。 - 特許庁

Since rare earth oxide particles and a tungsten carbide are finely dispersed into a tungsten cathode material used as the discharge cathode material in TIG, plasma spray coating, plasma cutting, discharge processing, an electric discharge lamp, and the like, reduction and diffusion of the rare earth oxide are accelerated, and discharge characteristics are enhanced by ensuring supply of the rare earth element to the cathode surface.例文帳に追加

ＴＩＧ、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。 - 特許庁

In this method of manufacturing a thin film transistor, the surface of the semiconductor layer of a channel section 19 is formed in a predetermined recessed and projecting surface at the time of performing channel etching for removing a prescribed ohmic layer 14 and its diffusion layer by plasma etching.例文帳に追加

本発明の薄膜トランジスタの製造方法は、所定のオーミック層１４およびその拡散層をプラズマエッチングにより除去するチャンネルエッチングを行うとき、チャネル部１９の半導体層表面を予め定めた凹凸にすることとした。 - 特許庁

The capacitor is manufactured by forming a contact hole filled with a doped polysilicon layer and then a diffusion-blocking film, forming a silicate glass film having a concave hole for the capacitor into the top of the contact hole, forming the RU lower electrode in the concave hole, and continuously executing an NH3-plasma treatment and an N2O-plasma treatment to form a BST dielectric film upper electrode.例文帳に追加

本発明のキャパシタはドープポリシリコン層、オミック層及び拡散防止膜が、順次的に埋め込められたコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの上部にキャパシタ用コンケーブホールを持つシリゲートガラス膜を形成し、キャパシタ用コンケーブホール内にRU下部電極を形成した後、NH_3-プラズマ処理及びN_2Ｏ-プラズマ処理を連続的に実施し、BST誘電体膜上部電極を形成してなる。 - 特許庁

A layer can be formed by exposing the low-dielectric-constant layer to the plasma of an inert gas to densify the low-dielectric-constant layer, by exposing the low-dielectric-constant layer to nitrating plasma to form a passivation nitride surface 236 on the layer 234 or by depositing a thin passivation layer 236 on the low-dielectric-constant layer to reduce oxygen diffusion therein.例文帳に追加

層は、低誘電率の層を不活性ガスのプラズマに暴露して低誘電率の層を高密度化するか、低誘電率の層を硝化プラズマに暴露して層２３４上にパッシベーション窒化物表面２３６を形成するか、或いは低誘電率層２３４上に薄いパッシベーション層２３６を堆積してその中の酸素拡散を低減することにより、形成可能である。 - 特許庁

After a transistor composed of a gate electrode 10, a heavily doped diffusion layer 12 and the like is formed on a silicon substrate 1, second wiring 22 electrically connected with the transistor is formed and then a plasma nitride film 23 is formed on the silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１上に、ゲート電極１０及び高濃度不純物拡散層１２等から構成されるトランジスタを形成した後、該トランジスタと電気的に接続する第２の配線２２を形成し、その後、シリコン基板１の上にプラズマ窒化膜２３を形成する。 - 特許庁

Then, a photoresist film is formed on at least one of the plurality of diffusion layer regions; and while a ground potential is supplied to the back side of the semiconductor substrate, plasma ashing processing is applied to the photoresist film so that the photoresist film can be removed.例文帳に追加

次いで、当該複数の拡散層領域のうちの少なくとも１つの拡散層領域上にフォトレジスト膜を形成し、半導体基板の裏面側に接地電位を供給しつつ、プラズマアッシング処理を当該フォトレジスト膜に施すことによってこれを除去する。 - 特許庁

To provide a film deposition system in which the diffusion of a magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited is suppressed to secure a prescribed magnetic field in the vicinity of the surface of the object to be film-deposited, and the amount of plasma particles arrived at the vicinity of the surface is increased to improve a film deposition rate.例文帳に追加

被成膜物の表面近傍での磁場の拡散を抑制し被成膜物の表面近傍に所定の磁場を確保し、表面近傍に到達するプラズマ粒子量を増加させることによって成膜速度を向上させる成膜装置を提供する。 - 特許庁

When the semiconductor substrate is exposed to the high-density plasma, a temperature becomes high only on the extreme surface of the substrate and quickly drops along the thickness of the substrate, so that this property is used to repair a spot defect with heat generated on the surface without advancing diffusion.例文帳に追加

高密度プラズマに半導体基板をさらした場合、基板の極表面のみが高温になり基板の厚み方向では急速に温度が低下するので、この性質を利用すれば、拡散を進めることなく、表面に発生した熱により点欠陥を修復することができる。 - 特許庁

As for the electrodes 3, 4 for the solid polymer fuel cell, after the gas diffusion layers 3a, 4a and the catalyst layers 3b, 4b are jointed, plasma treatments are applied thereto, and proton deviation groups 22 are introduced to catalysts 21 on surfaces of the catalyst layers 3b, 4b and around surfaces of the catalyst layers 3b, 4b.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池用電極３，４では、ガス拡散層３ａ，４ａと触媒層３ｂ，４ｂとを接合した後にプラズマ処理が施されて、触媒層３ｂ，４ｂ表面および触媒層３ｂ，４ｂ表面付近の触媒２１にプロトン乖離基２２が導入されている。 - 特許庁

By a plasma CVD film formation method, silicon dioxide insulating films 6, 8, 32 and a silicon nitride insulating film as a diffusion preventive film in the interface between the films and copper wiring 7, 31, oxynitride silicon insulating films B, B2, B5, silicon nitride films B1, B3 or a copper silicide film B4 are formed continuously.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ成膜法により、二酸化シリコン絶縁膜６，８，３２、および、この膜と銅配線７，３１との界面における拡散等防止膜としての窒化シリコン絶縁膜、酸化シリコン窒化物絶縁膜Ｂ，Ｂ２，Ｂ５、窒化シリコン膜Ｂ１，Ｂ３または、銅シリサイド膜Ｂ４を連続して成膜する。 - 特許庁

The method for carburizing workpieces having edge parts includes: a plasma carburizing treatment (a carburizing treatment step) of storing workpieces having edge parts into a vacuum furnace, feeding a carburizing gas into the vacuum furnace and performing glow discharge; and the subsequent step (a diffusion step) of diffusing carbon in the surface layers of the workpieces into the workpieces by a neutral or reducing gas plasma treatment including an inert gas represented by argon.例文帳に追加

真空炉内に、エッジ部を有するワークを収容し、該真空炉内に浸炭性ガスを供給してグロー放電するプラズマ浸炭処理（浸炭処理工程）を施した後、引き続きアルゴンに代表される不活性ガスを含む中性あるいは還元性のガスプラズマ処理によりワーク表面層の炭素をワーク内部に拡散させる工程（拡散工程）を有することを特徴とする、エッジ部を有するワークの浸炭方法。 - 特許庁

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁

Then, the energy of the millimeter waves (or the discharge plasma) locally acts on the surface oxide part where the soft magnetic powder exhibits a high electric resistivity and locally heats the surface of the soft magnetic powder to a temperature near the melting temperature to accelerate the surface oxidation (oxide film formation) of the soft magnetic powder and sintering (diffusion and joint of oxide films).例文帳に追加

これにより、ミリ波（又は放電プラズマ）のエネルギが軟磁性粉末の電気抵抗値の大きい表面酸化部分に局所的に作用して、軟磁性粉末の表面が局所的に融点温度近傍に加熱され、軟磁性粉末の表面酸化（酸化膜の形成）や焼結（酸化膜どうしの拡散接合）が促進される。 - 特許庁

The exhaust manifold coupling structure 1 has a structure wherein an exhaust manifold 7 and a supercharger housing 15 each formed as a heat resistant alloy casting are coupled together by a communicating pipe 5 which has a circumferential coupling portion 10 formed therein by either TIG welding, laser welding, electron-beam welding, plasma welding, or diffusion bonding.例文帳に追加

排気マニホールド接続構造１はそれぞれ耐熱合金鋳物として構成される排気マニホールド７と過給機のハウジング１５とが連通管５により結合した構造を有し、連通管５は、ＴＩＧ溶接、レーザ溶接、電子ビーム溶接、プラズマ溶接、拡散接合のいずれかにより周方向の接続部１０が形成される。 - 特許庁

To provide a Cu alloy sputtering target for obtaining a base film or the like excellent in close contact with a glass substrate and an Si film, having a high diffusion barrier property in Si and Cu, hardly generating blistering of a film and film separation even when exposed to a hydrogen plasma atmosphere, and to provide a method of manufacturing a Cu wiring film of a semiconductor device.例文帳に追加

ガラス基板やＳｉ系膜との密着性に優れ、ＳｉとＣｕとにおける高い拡散バリア性を有し、尚且つ水素プラズマ雰囲気に曝されても膜の膨れや膜剥がれが発生し難い、下地膜等を得るためのＣｕ合金スパッタリングターゲットおよび半導体装置のＣｕ配線膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of holding a picture quality disturbance level always constant without worsening it due to a cyclic pattern noise appearing when dither processing or error diffusion processing is carried out even if an average picture signal level (APL) continuously varies in an image display device which performs digitally limited half-tone display like a plasma display panel (PDP) display device.例文帳に追加

プラズマ・ディスプレイ・パネル（ＰＤＰ）表示装置等のデジタル的に限られた中間調表示を行う画像表示装置に関して、平均映像信号レベル（ＡＰＬ）の変化によって、ディザ処理や誤差拡散処理特有の周期的パターンノイズの発生による画質妨害を減少させるようにする。 - 特許庁

To provide a formation method of a copper metal wiring of a semiconductor element which can improve burying of copper, by maximizing the suction site of chemical reinforcing agent on the surface of a diffusion barrier layer by carrying out a plasma treatment after chemical reinforcing agent deposition when a copper metal wiring is formed by using a CECVD method.例文帳に追加

ＣＥＣＶＤ法を用いて銅金属配線を形成する場合、化学的強化剤蒸着後プラズマ処理を行うことにより、拡散障壁層の表面に化学的強化剤の吸着サイトを極大化させ、これにより銅の埋込み特性を向上させることができる半導体素子の銅金属配線形成方法を提供すること。 - 特許庁

In a discharge plasma sintering system, an Fe base material and an Fe-20%Si powder material having sulfuric acid corrosion resistance are held at high temperature under high pressure and are subjected to diffusion joining, thereby producing the structural material in which a gradient composite structure is formed on the joined boundary between the Fe base material and the Fe-Si corrosion resistant material.例文帳に追加

Ｆｅ基材と耐硫酸腐食性を有するＦｅ−２０％Ｓｉ粉末材料を放電プラズマ焼結装置において、高温、高圧下に保持して拡散接合を行うことを特徴とする、Ｆｅ基材とＦｅ−Ｓｉ耐食材との接合界面において傾斜複合組織が形成された構造材料を作製する方法。 - 特許庁

To provide a coextrusion-laminated polyester film excellent in transparency which can suitably be used as a film substrate for the transparent conductive film of a touch panel preventing the occurrence of interference fringes even when contacted with another transparent member, the diffusion plate of a back light unit, a reflector, a prism sheet, the electromagnetic wave shielding film of a plasma display, or the like.例文帳に追加

他の透明部材と密着しても干渉縞が発生しない、例えばタッチパネルの透明導電性フィルム、バックライトユニットの拡散板、反射板やプリズムシート、さらにプラズマディスプレーの電磁波遮蔽性フィルムなどのフィルム基材として好適に使用することのできる、透明性に優れた共押出積層ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁

The diffusion prevention film forms an oxide of metallic materials contained in a conductive film by exposing the conductive film to a plasma generated from a mixed gas of an oxidizing gas and a halogen-based gas, and forms a conductive film in which the oxide of the metallic materials is formed by fluidizing the conductive film by exposing it to an atmosphere containing water and by solidifying the fluidized conductive film.例文帳に追加

拡散防止膜は、導電膜を酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成されるプラズマに暴露して該導電膜に含まれる金属材料の酸化物を形成し、金属材料の酸化物が形成された導電膜を、水を含む雰囲気に暴露して導電膜を流動化させ、流動化した導電膜を固化することで形成する。 - 特許庁

To provide an image display device equipped with a PDP (Plasma Display Panel) module capable of preventing a phenomenon of a regular pattern light emission inside a window shape image by influence of error diffusion processing and dither processing performed in an image signal processing section in the PDP module, when a low to intermediate gradation image of the window shape is displayed with dark background.例文帳に追加

この発明は、背景が黒で、低階調〜中間階調のウィンドゥ状の映像が表示される際に、ＰＤＰモジュール内の映像信号処理部内で行なわれる誤差拡散処理やディザ処理の影響により、ウィンドゥ状の映像内部が規則的な模様状に発光するといった現象が発生するのを回避することができるＰＤＰモジュールを備えた映像表示機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

A first oxide layer 4 is provided on a substrate 1, a capacitor having a metal oxide containing capacitor material layer 32 separated on a downside electrode and upside electrodes 31, 33 is formed thereon, and the first oxide layer 4 is doped prior to forming the capacitor, and a barrier substance forming a hydrogen diffusion barrier 7A is doped in the first oxide layer under the use of a plasma doping method.例文帳に追加

サブストレート１の上に第一の酸化物層４を設け、その上に下側電極及び上側電極３１、３３及びこれらの間に析出した金属酸化物含有コンデンサー材料層３２を有するコンデンサーを形成させ、コンデンサーの形成の前に、第一の酸化物層４を、プラズマドープ法の使用下に、第一の酸化物層中で水素拡散バリア７Ａを形成するバリア物質をドープする。 - 特許庁