「plasma etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

PLASMA ETCHING PROCESS OF Ir-Ta-O ELECTRODE AND CLEANING METHOD AFTER ETCHING例文帳に追加

Ｉｒ−Ｔａ−Ｏ電極のプラズマエッチングおよびエッチング後のクリーニングのための方法 - 特許庁

To realize a plasma processing method in which a selection can be made arbitrarily between etching process and deposition process during plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理中に任意にエッチング処理とデポジション処理とを選択できるプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

CONTROL METHOD OF PLASMA ETCHING PROCESS DEVICE AND TRIMMING AMOUNT CONTROL SYSTEM例文帳に追加

プラズマエッチング処理装置の制御方法およびトリミング量制御システム - 特許庁

A plasma etching apparatus 1 comprises a process chamber 2 and an evacuation system P which is connected to the process chamber 2.例文帳に追加

プラズマエッチング装置１は、処理室２と、処理室２に接続された排気装置Ｐとを備える。 - 特許庁

To provide a plasma etching method in which process control is facilitated and etching rate is highly uniform over the surface to be etched.例文帳に追加

プロセス制御が容易で、エッチングレートの面内均一性の優れたプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

The process gas of the supply source 2 of a normal pressure plasma etching apparatus M is converted to the plasma gas within a plasma discharge space 1a, and this plasma is blown to a processing object W.例文帳に追加

常圧プラズマエッチング装置Ｍの供給源２のプロセスガスをプラズマ放電空間１ａにてプラズマ化し、被処理物Ｗに吹付ける。 - 特許庁

To provide a process for controlling a substrate processing operation such as a plasma etching operation.例文帳に追加

プラズマエッチング動作などの基板処理動作を制御するプロセスを提供する。 - 特許庁

DEVICE FOR PREVENTING PLASMA FROM ETCHING WAFER CLAMP IN SEMICONDUCTOR PROCESS例文帳に追加

半導体工程においてプラズマのウエハークランプに対するエッチングを予防する装置 - 特許庁

In a process S108, plasma ashing for removing etching residues is started.例文帳に追加

工程Ｓ１０８では、エッチング残さを除去するためのプラズマアッシングを開始する。 - 特許庁

The pre-cleaning process includes a wet etching cleaning process, before reactive plasma treatment is performed.例文帳に追加

事前クリーニング工程には、反応性プラズマ処理が行われる前のウェットエッチング洗浄工程も含まれる。 - 特許庁

Next, the smear 8 is removed with the plasma dry etching process using CF_4 gas or the like.例文帳に追加

次に、ＣＦ_4ガス等を用いたプラズマドライエッチング処理により、スミア８を除去する。 - 特許庁

A gas, containing a halogen compound gas, is used as a process gas in plasma etching.例文帳に追加

プラズマエッチングの際、プロセスガスとしてハロゲン間化合物ガス等を含むガスを使用する。 - 特許庁

After the steam is added, the process gas is supplied to an atmospheric pressure plasma etching system 30.例文帳に追加

水蒸気添加後の処理ガスを常圧プラズマエッチング装置３０へ供給する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes an etching process stage of etching the low permittivity insulating film formed on a substrate, a CO_2 plasma process stage of exposing the substrate to the CO2 plasma after the etching process stage, and an ultraviolet process stage of irradiating the low permittivity insulating film with ultraviolet rays after the CO_2 plasma process stage.例文帳に追加

基板に形成された低誘電率絶縁膜をエッチングするエッチング処理工程と、当該エッチング処理工程の後に基板をＣＯ_2プラズマに晒すＣＯ_2プラズマ処理工程と、ＣＯ_2プラズマ処理工程の後に、低誘電率絶縁膜に紫外線を照射する紫外線処理工程とを有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In a first plasma etching process, just etching is carried out by a mixed gas of sulfur hexafluoride, chlorine, and methane bifluoride.例文帳に追加

第１プラズマエッチング工程では、六フッ素化硫黄と塩素と二フッ化メタンの混合ガスを用いてジャストエッチングを行なう。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an oxide thin film transistor element, wherein an etching process condition is optimized by using specific etching gas through a helicon plasma dry etching process and etching selectivity is improved.例文帳に追加

特定エッチングガスを使用してヘリコンプラズマ乾式エッチング工程を通じてエッチング工程条件を最適化し、エッチング選択性を向上させた酸化物薄膜トランジスタ素子の製造方法を提供すること。 - 特許庁

Plasma is generated in the etching area to convert the process gas into an etchant gas to realize the anisotropic etching process where etching rate is high, etching selection ratio of substrate vs. resist is high and micro-filling property is reduced.例文帳に追加

プラズマをエッチング領域に発生してプロセスガスをエッチングガスに変え、エッチング速度が高く、基板対レジストのエッチング選択率が高く、微小充填性を低減した異方性エッチング処理を実現した。 - 特許庁

To provide a plasma etching device capable of reducing particles generated during etching process in an inductive coupling type plasma etching device, and the cleaning method of the device.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマエッチング装置において、エッチング処理中に発生するパーティクルを低減することができるプラズマエッチング装置及び当該装置のクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a treatment method in which plasma etching treatment can be effectively performed at a high speed by using a simple device under an atmospheric condition in a plasma etching process in a semiconductor production process.例文帳に追加

半導体製造工程におけるプラズマエッチング工程において、大気圧条件で、簡便な装置を用いてプラズマエッチング処理を高速で効果的に行える処理方法の提供。 - 特許庁

The Si ring 16 is worn and deteriorated when the plasma discharge time is accumulated with the etching process.例文帳に追加

Ｓｉリング１６は、エッチング処理によりプラズマ放電時間が累積されると、摩耗劣化してくる。 - 特許庁

To provide a dry etching apparatus, with which information effective for an actual plasma etching process can be monitored more precisely and which is of high reliability.例文帳に追加

実際のプラズマエッチングプロセスに有効な情報をより正確にモニタリングできる高信頼性のドライエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma etching apparatus which can surely remove remaining chlorine adhered to the front surface of a substrate to be etched during an etching process.例文帳に追加

エッチング時に被エッチング基板の表面に付着した残留塩素を確実に除去できるプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma generator improving an in-plane uniformity while keeping a high etching rate when used for plasma etching in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加

半導体製造プロセスにおけるプラズマエッチングに使用したときに、エッチングレートを高く維持しながら、面内均一性を向上させることができるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a plasma etching method for forming a fine contact hole having reduced aperture by limiting spreading of top diameter in etching process, and a method for forming a contact hole employing the plasma etching method.例文帳に追加

エッチングの過程におけるトップ径の拡がりを抑制し、口径が縮小された微細コンタクトホールを形成することができるプラズマエッチング方法、およびこれを用いたコンタクトホール形成方法を提供する。 - 特許庁

Related to a process wherein a trench is formed by etching and then a surface of the trench is processed by plasma etching, before the plasma etching for the trench, the periphery of an opening of a mask is etched set back.例文帳に追加

エッチングによってトレンチ（溝）を形成した後にプラズマエッチングによって溝の表面を処理するプロセスにおいて、溝のプラズマエッチングの前にマスクの開口の周囲をエッチングして後退させておく。 - 特許庁

Grooves 4 are cut in an insulating base material 1 through a conductor layer 3 formed on the one surface of the insulating base material 1 as a mask through a laser process, a plasma etching process, or a wet etching process.例文帳に追加

絶縁べ−ス材１の一方面の導体層３をマスク層としてレ−ザ−加工、プラズマエッチング加工又はウエットエッチング加工で絶縁べ−ス材１に溝４を形成する。 - 特許庁

The control part 43 changes the chuck voltage according to each process of plasma processing composed of a plurality of processes including an etching process, and in the etching process, applies a high voltage to the electrode plate 25d.例文帳に追加

制御部４３は、エッチング工程を含む複数の工程からなるプラズマ処理の各工程に応じてチャック電圧を変更し、エッチング工程では高電圧を電極２５ｄに印加する。 - 特許庁

The etching method includes a process (a) of etching the material containing silicon using the gas plasma containing halogen atoms other than fluorine, a process (b) of dry cleaning the interior of the reaction chamber using the gas plasma containing fluorine after the above process (a), and a process (c) of generating oxygen plasma within the above reaction chamber and performing plasma treatment immediately after the above process (b).例文帳に追加

エッチング方法は、（ａ）反応室内で、シリコンを含む材料を弗素以外のハロゲン元素を含むガスプラズマを用いてエッチングする工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記反応室内を弗素を含むガスプラズマを用いてドライクリーニングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の直後に、前記反応室内で酸素プラズマを発生させ、プラズマ処理する工程とを含む。 - 特許庁

These composition and process are provided which are particularly suitable for the removal of polymeric residues from an electronic device after the plasma etching process.例文帳に追加

これらの組成物およびプロセスは、プラズマエッチングプロセスの後にポリマー性残滓を電子デバイスから除去するのに特に好適である。 - 特許庁

When etching gas plasma is formed on the boards 7, and the respective boards 7 are subjected to an etching process, the difference between the etching speed in the outer peripheral part of each board 7 and that at the center part thereof is reduced.例文帳に追加

基板７上にエッチングガスプラズマを形成し、各基板７をエッチング処理する際に、各基板７の外周部分と中央部分のエッチング速度の差が小さくなる。 - 特許庁

By conducting plasma-etching process, materials are removed from the substrate, at least at the apertures.例文帳に追加

プラズマ・エッチング・プロセスを実施することによって、少なくとも開口において、材料が基板から除去される。 - 特許庁

The etching speed to be provided under the same condition without using a dummy wafer is stably maintained by carrying out a plasma etching process by O_2 gas by using this inductively coupled plasma etching device before a main process.例文帳に追加

本発明による誘導結合型プラズマエッチング装置を用いてＯ_2ガスによるプラズマエッチング処理を本処理前におこなうことで、ダミーウェハを用いなくても同一条件下において得られるエッチング速度を安定的に維持するを可能にした。 - 特許庁

Then, the sealing process for plasma-etching (process 212) the device starts, when dimer powder is heated to a temperature of approximately 150°C to be vaporized into a gas (process 214).例文帳に追加

次いで、デバイスを、プラズマエッチングする２１２シーリング工程は、ダイマー粉末がガスへと気化する約１５０℃の温度まで加熱されるときに始まる２１４。 - 特許庁

To provide a silica glass plate for a fluid circulation and its manufacturing method, wherein in particular in a plasma etching device, a reaction efficiency of a plasma etching or the like is good, and it is intended to miniaturize an assembly device of the plasma etching device or the like, and also a perforation process is facilitated.例文帳に追加

特に、プラズマエッチング装置において、プラズマエッチング等の反応効率がよく、プラズマエッチング装置等の組込み装置の小型化が図れ、かつ、孔明け加工が容易な流体流通用シリカガラス板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A trench for wiring is micromachined in two stages; a process for selectively etching an organic-based embedded layer 35 at the initial stage of etching by introducing the etching gas into a plasma atmosphere by using the etching gas containing a nitrogen atom; and a process for micromachining the trench for wiring by introducing the etching gas into the plasma atmosphere using the etching gas containing fluorocarbon gas.例文帳に追加

窒素原子を含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入してエッチング初期に有機系の埋込層３５を選択的にエッチングする工程と、フロロカーボンガスを含むエッチングガスを用い、このエッチングガスをプラズマ雰囲気中で導入して配線用のトレンチを微細加工する工程との二段階で配線用のトレンチを微細加工する。 - 特許庁

In a method for detecting a dry etching endpoint, spectral analysis of plasma-emitted light is used in a dry etching process of a contact hole or the like.例文帳に追加

ドライエッチング終点検出方法であって、コンタクトホール等のドライエッチング工程において、プラズマ発光のスペクトル分析を利用するものである。 - 特許庁

To provide a technique capable of effecting a uniform etching process upon applying plasma processing or etching processing, for example, on a workpiece.例文帳に追加

被処理体に対してプラズマ処理例えばエッチング処理を行うにあたり、均一なエッチング処理を行うことができる技術を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method and a plasma etching device capable of reducing dust in the case of trigger discharge in an etching process for generating a high frequency plasma (RF plasma) by using a trigger discharging system.例文帳に追加

トリガー放電方式を用いて高周波プラズマ（ＲＦプラズマ）を発生させるエッチング工程において、トリガー放電の際の発塵を低減し得る半導体装置の製造方法及びプラズマエッチング装置を提供する。 - 特許庁

The flattening process by plasma etching used in this method is preferably carried out by downstream plasma etching, and the gas used is preferably a gas containing sulfur hexafluoride and hydrogen gas.例文帳に追加

ここにおいて用いられるプラズマエッチングによる平坦化工程は、ダウンストリームプラズマエッチングであることが好ましく、また、使用されるガスとしては六弗化硫黄と水素ガスを含むものが好ましい。 - 特許庁

To provide a plasma etching method capable of stably executing each process and precisely processing a base material to be processed when the base material to be processed by repeating alternately a deposition process and an etching process.例文帳に追加

デポジッション工程とエッチング工程とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングする場合、各工程を安定して実行でき、被加工基材を正確に加工できるプラズマエッチング法を提供する。 - 特許庁

The method comprises the step of supplying a cleaning plasma for removing the coating material from the patterning device by means of a plasma etching process.例文帳に追加

この方法は、パターニングデバイスからコーティング材料をプラズマエッチング処理により除去するための洗浄プラズマを供給する工程を含む。 - 特許庁

To provide a simple matching circuit for generating plasma, which can generate uniform plasma by high-frequency discharge by the high-frequency discharging current, can plasma process a dry etching as plasma etching or plasma CVD without sputtering.例文帳に追加

高周波電流による高周波放電によってプラズマを均一に発生させるとことができ、プラズマエッチングなどのドライエッチングやプラズマＣＶＤにおいて、スパッタを起こさずに、所定のプラズマ処理を行うことができ、しかも簡単な回路構成のプラズマ発生のためのマッチング回路を提供する。 - 特許庁

To provide wiring structure that can prevent charging damages in a plasma process such as reactive ion etching(RIE), etc.例文帳に追加

ＲＩＥ等のプラズマ工程におけるチャージングダメージを防止することが可能な配線構造を提供する。 - 特許庁

Temperature lowering of the heater board process is attempted by using plasma CVD SiN and SiON films as an etching stopping layer.例文帳に追加

エッチングストップ層として、プラズマＣＶＤのＳｉＮおよびＳｉＯＮ膜を用いて、ヒーターボードプロセスの低温化を図る。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device that realizes a slimming processing method by plasma etching that requires no removal of resist reaction product materials by enhancing accuracy of dimensions in an etching process.例文帳に追加

エッチング工程における寸法精度を向上させ、レジスト反応生成物の除去が必要でないプラズマエッチングによるスリミング処理方法を実現する。 - 特許庁