「plasma etching process」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

It is preferable that the doped quartz glass part is formed to constitute a part being exposed to a plasma gas in a dry etching process.例文帳に追加

前記ドープ石英ガラス部分が、ドライエッチング工程のプラズマガスに被曝する部分に構成されることが好ましい。 - 特許庁

To automatically prevent a semiconductor product from being damaged by abnormal discharge that occurs in a plasma etching process at the time of manufacturing the product.例文帳に追加

半導体製品製造時、プラズマエッチング工程で発生する異常放電による被害を自動的に防止する。 - 特許庁

To enable plasma to be quickly stabilized in a process of etching an Si film layer with use of Cl2.例文帳に追加

Ｃｌ_2でＳｉ膜層をエッチングするプロセスで，迅速にプラズマを安定させることが可能なプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

A contact hole 105 is formed in a silicon oxide film 102 by the plasma etching process, with the amorphous carbon film 103 as a mask.例文帳に追加

このアモルファスカーボン膜１０３をマスクとして、プラズマエッチングにより、シリコン酸化膜１０２にコンタクトホール１０５を形成する。 - 特許庁

To suppress the generation of powder generated under a high-speed processing condition in the plasma processing process of film formation and etching, etc., in the manufacturing process of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおける成膜やエッチング等のプラズマ処理工程において、高速処理条件下で生じるパウダーの発生を抑制する。 - 特許庁

Anisotropic etching of the polysilicon layer is effected through plasma etching process, by employing an etching gas containing chlorine, oxygen and fluorine while utilizing the resist layers 16a-16c as masks to obtain a plurality of polysilicon layers 14a-14c.例文帳に追加

塩素、酸素及びフッ素を含むエッチングガスを用い且つレジスト層１６ａ〜１６ｃをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層を異方性エッチングして複数のポリシリコン層１４ａ〜１４ｃとする。 - 特許庁

To provide a plasma treating apparatus applicable to the more fine forming and an etching method which is applicable to the more fine forming and enables to perform etching process with higher selectivity.例文帳に追加

より微細化に対応可能なプラズマ処理装置およびより微細化に対応可能でかつより選択性の高いエッチングが可能なエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Then, an etching process with a high frequency inert gas plasma of Ar, etc. is performed in the same processing apparatus for maintaining, for example, a vacuum state in this dry etching.例文帳に追加

次に、例えばこのドライエッチング工程における真空の状態が維持される同一処理装置内で、Ａｒ等の高周波不活性ガスプラズマによるエッチング処理を行う。 - 特許庁

In the inside of the chamber 1 of an etching apparatus, a first step of performing H2O plasma processing and following the first step, and a second step of performing Cl2 plasma processing, are executed after executing an Al dry etching process.例文帳に追加

プラズマエッチング装置のチャンバー内部１において、Ａｌドライエッチング工程を行った後、Ｈ_2Ｏプラズマ処理を行う第１工程と、第１工程に続いて、Ｃｌ_2プラズマ処理を行う第２工程とを実施する。 - 特許庁

Respective layers of a multi-layer magnetic stack with are etched, using process sequence including plasma-etching steps 108, 112, 116 and plasma-treatment steps 110, 114, 118, followed by those.例文帳に追加

複数層磁性スタックの各層は、プラズマエッチングステップ１０８,１１２,１１６、それに続くプラズマ処置ステップ１１０,１１４,１１８を含むプロセスシーケンスを使用してエッチングされる。 - 特許庁

In the etching process, the negative electrode 21 is used as a mask, and the planarization film 4, exposed from the negative electrode 21, is etched by plasma.例文帳に追加

エッチング工程では、陰極２１がマスクとなり、陰極２１から露出した平坦化膜４がプラズマによりエッチングされる。 - 特許庁

MULTI-STEP DEP-ETCH-DEP (DEPOSITION-ETCHING-DEPOSITION) HIGH-DENSITY PLASMA CHEMICAL VAPOR DEPOSITION PROCESS FOR FILLING DIELECTRIC GAP例文帳に追加

誘電ギャップ充填用のマルチステップ堆積・エッチング・堆積（ＤＥＰ−ＥＴＣＨ−ＤＥＰ）高密度プラズマ化学気相堆積プロセス - 特許庁

IPC SOURCE FOR IPVD FOR UNIFORM PLASMA IN COMBINATION OF HIGH PRESSURE DEPOSITION AND LOW PRESSURE ETCHING PROCESS例文帳に追加

高圧力蒸着及び低圧力エッチング処理の組み合わせにおける均一プラズマのためのＩＰＶＤのためのＩＣＰ源 - 特許庁

To provide an apparatus equipped with a practical constitution, which is capable of preventing plasma from being diffused, and carry out a pre-etching process.例文帳に追加

プラズマの拡散を防止し、前工程エッチングのような処理を行うのに実用的な構成を備えた装置を提供する。 - 特許庁

A process for applying plasma etching treatment to the hydrogen storage alloy powder is provided during processes for producing the hydrogen storage alloy electrode.例文帳に追加

水素吸蔵合金電極の製造工程中に、水素吸蔵合金粉末にプラズマによるエッチング処理を施す工程を設ける。 - 特許庁

To provide a dry etching device exhaust electrode which makes uniform formation of plasma on a wafer and reduces a volume occupied by a process chamber, and the process chamber of a semiconductor device manufacturing dry etching device.例文帳に追加

ウェーハ上でのプラズマの形成を均一にし、また工程チャンバーが占める体積を減らす乾式エッチング装置用排気エレクトロード及び半導体装置製造用乾式エッチング装置の工程チャンバーを提供する。 - 特許庁

A dry etching step of a phase shifter film in a phase shift mask essentially comprises predicting an etching rate in the next process substrate by using a correlation between an average phase difference in a plasma current-voltage and the etching rate of the phase shifter film observed during the etching process and using changes in the phase difference output with time, and then setting an optimum etching time to carry out the etching process.例文帳に追加

位相シフトマスクに於ける位相シフター膜のドライエッチング工程に於いて、エッチング処理中に観測されるプラズマ電流−電圧間の位相差の平均値と位相シフター膜のエッチング速度の相関関係と位相差出力の経時変化とを用いて次回処理基板に於けるエッチング速度を予測し、然る後、最適エッチング時間を設定してエッチング処理を行なう過程が含まれてなることを基本とする。 - 特許庁

To provide a remote plasma CVD device eliminating an etching product from a member for shielding an ion seed generated at a CNT growth process and to provide the CNT growth process.例文帳に追加

ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。 - 特許庁

To provide an electromagnetic induction accelerator capable of easily adjusting the velocity of plasma ion and excellent in anisotropy, selectivity, film homogeneity and process reproducibility, and usable for an etching process.例文帳に追加

プラズマイオンの速度を容易に調節でき、異方性、選択性、膜均質度及び工程再現性に優れるエッチング工程に利用可能な電磁気誘導加速器を提供する。 - 特許庁

The surface-roughened alignment mark is formed in the process of roughening an LED 10 surface on which the wafer alignment mark resides by plasma etching.例文帳に追加

粗面化アライメントマークは、ウエハアライメントマークが位置するＬＥＤ１０の表面をプラズマエッチングによって粗面化する際に形成される。 - 特許庁

In the opening process, the end point of the etching of the protective film 4 is detected based on plasma light emission of the elements which are not common to both of them.例文帳に追加

開口工程において、両方に共通しない元素のプラズマ発光に基づき保護膜４のエッチングの終点を検出する。 - 特許庁

A plurality of wavelengths reflected by the surface of the wafer to be etched are measured by a spectrometer during a plasma etching process.例文帳に追加

プラズマエッチングプロセス中、エッチングされるウェハの表面から反射される放射の複数の波長が分光計によって測定される。 - 特許庁

The polysilicon layer is patterned according to a plasma etching process using the resist layer 18A as a mask to obtain a polysilicon layer 16A for an electrode.例文帳に追加

レジスト層１８Ａをマスクとするプラズマエッチング処理によりポリシリコン層をパターニングしてゲート電極用ポリシリコン層１６Ａを得る。 - 特許庁

In an etching process for etching an etching ground on a Si film by bringing SF_6 gas into the plasma state, this process comprises two steps: a large-quantity supplying step for supplying a large quantity of SF_6 gas; and a small-quantity supplying step for supplying a small quantity of SF_6 gas.例文帳に追加

ＳＦ_６ガスをプラズマ化してＳｉ膜上のエッチンググランドをエッチングするエッチング工程において、これを、多量のＳＦ_６ガスを供給する多量供給工程と、少量のＳＦ_６ガスを供給する少量供給工程との二工程から構成する。 - 特許庁

To provide a method and device for plasma etching capable of preventing sticking of reactive products over the entire dielectric wall facing a work during an etching process.例文帳に追加

被加工体に対向する誘電体壁の全体に渡って、エッチング処理中に、反応生成物が付着することを防止できるプラズマエッチング装置、及びプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

MEASUREMENT OF PRESSURE IN PLASMA ETCHING CHAMBER IN SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING PROCESS AND SYNCHRONOUS MEASUREMENT OF BOTH OF PRESSURE THEREIN AND EFFICIENCY OF ETCHING例文帳に追加

半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバ—の圧力の測定方法と半導体装置製造プロセスにおけるプラズマエッチングチャンバ—の圧力とエッチング効率との両者の同期測定方法 - 特許庁

To eliminate the corrosion of a facility due to chlorine remaining on a semiconductor substrate after an etching process employing chlorine based etching gas and high density plasma, and to eliminate the resulting adhesion of particles.例文帳に追加

塩素系エッチングガス，高密度プラズマを用いるエッチングプロセスの後に半導体基板上に残留する残留塩素による設備の腐食、それに起因するパーティクル付着をなくす。 - 特許庁

A process for making oxidizing gas, containing oxygen into plasma and exposing a silicon material in the plasma gas, is provided as another process different from an etching process or a protective film depositing process; and then, a method wherein these processes are repeated sequentially is adopted, whereby an etching arriving surface can be very much smoothed, even when a complex silicon form having level differences is etched.例文帳に追加

酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加

ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁

A process for radiating oxygen plasma of high frequency to a reaction product (4) covering a metal wiring film (2) and a photoresist film (3) after the microwave plasma etching is newly provided.例文帳に追加

マイクロ波プラズマエッチングの後、金属配線膜（２）及びホトレジスト膜（３）を被覆する反応生成物（４）に対して高周波を伴う酸素プラズマを照射する工程を新たに設けた。 - 特許庁

With respect to an etching process in which a polycrystalline silicon layer 12 formed on a semiconductor silicon wafer 10 is patterned in accordance with a resist pattern 13, plasma of a mixed gas containing SF_6 for isotropic etching and HBr for anisotropic etching is utilized for an etching gas species.例文帳に追加

半導体シリコンウェハ１０上の多結晶シリコン層１２をレジストパターン１３に従ってパターニングするエッチング工程に関し、エッチング用のガス種に、等方性エッチング用としてのＳＦ_6と、異方性エッチング用としてのＨＢｒとを含む混合ガスのプラズマを利用する。 - 特許庁

Before being sent back to a load lock chamber 13, a silicon substrate 11 completed in an etching process in an etching chamber 16 is carried to a post-processing chamber 20 provided independently from the etching chamber 16 and subjected to plasma treatment thus removing chlorine remaining on each silicon substrate 11 after ending the etching process.例文帳に追加

エッチングチャンバ１６でエッチングプロセスを終了したシリコン基板１１をロードロックチャンバ１３に返送するに先だって、エッチングチャンバ１６とは別途に設けた後処理用チャンバ２０に搬送してプラズマ処理することにより、エッチングプロセス終了後の各シリコン基板１１上に残留した残留塩素を除去する。 - 特許庁

The plasma etching method is to etch the base material to be processed by repeating alternately the deposition step S09 by a deposition gas and the etching step S11 by an etching gas, and intervenes an exhaust process providing exhaust steps S10, S13 for exhausting a process gas once when the process gas is switched.例文帳に追加

このプラズマエッチング法は、デポジッションガスによるデポジッション工程Ｓ０９とエッチングガスによるエッチング工程Ｓ１１とを交互に繰り返すことで被加工基材をエッチングするものであり、プロセスガスを切り替える際に一旦そのプロセスガスを排気する排気工程Ｓ１０，Ｓ１３を設けた排気工程を介在させた。 - 特許庁

When performing the differential operation, in a process S110, the etching equipment determines the differential value to detect the end point of plasma treatment.例文帳に追加

微分演算を行う場合には、工程Ｓ１１０では、エッチング装置では、プラズマ処理の終点を検知するために、この微分値の判定を行う。 - 特許庁

To provide a ceramic tool used for semiconductor manufacture and suitable for a plasma etching process, a method of manufacturing the same and a joining agent for ceramic.例文帳に追加

半導体製造に用いられかつプラズマエッチング工程に好適なセラミックス治具、その製造方法及びセラミックス用接合剤を提供する。 - 特許庁

Preferably, at least either of alkali treatment and acid treatment processes is provided as a pretreatment process for the plasma etching treatment.例文帳に追加

好ましくは、前記プラズマによるエッチング処理の前処理工程として、アルカリ処理および酸処理の少なくとも一方の処理工程を設ける。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, after dry etching, the inside of a process chamber 11 is treated with the plasma of an inert gas 25, such as He or the like.例文帳に追加

ドライエッチング後に、プロセスチャンバー１１内をＨｅ等の不活性ガス２５のプラズマによって処理する、半導体装置の製造方法。 - 特許庁

Since the conductive film is formed on the whole surface of the substrate, the damage given to the element by the plasma process can be reduced, because the density of electric charges accumulated in a gate electrode during the course of the plasma process of anisotropic etching etc., can be reduced.例文帳に追加

導電性膜が全面に形成されていることにより、異方性エッチング等のプラズマによる処理（プラズマプロセス）においてゲート電極に蓄積される電荷密度を低減でき、プラズマプロセスによる損傷を低減できる。 - 特許庁

In the plasma etching, a process gas is used at least containing an unsaturated first carbon fluoride gas, a straight chain saturated second carbon fluoride gas expressed as C_mF_2m+2 (m=5, 6), and an oxygen gas, and plasma is generated from the process gas.例文帳に追加

プラズマエッチングには、少なくとも、不飽和型である第１のフッ化炭素ガスと、直鎖飽和型であってＣ_mＦ_2m+2（ｍ＝５，６）で表される第２のフッ化炭素ガスと、酸素ガスとを含む処理ガスを使用し、この処理ガスからプラズマを生成する。 - 特許庁

Etching rate can be stabilized by providing a process for cleaning the interior of a reaction chamber by the plasma of an inert gas, and a process for cleaning the interior of the reaction chamber by the plasma of gas containing halogen atoms.例文帳に追加

不活性ガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有すること、または、ハロゲン原子を含むガスのプラズマにより反応室内をクリーニングする工程を有することにより、エッチング速度を安定にすることができる。 - 特許庁

To provide an accurate plasma etching method suppressing a damage on a device by developing a plasma treatment method using a non-greenhouse effect gas to achieve global environmental protection and improvement of performance of a plasma process.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing device that makes the unevenness of electric field distribution on a surface of an electrode small so that etching rate distribution is uniform in a plasma process using a high density plasma that can correspond to further fining.例文帳に追加

より微細化に対応可能な高密度プラズマを用いたプラズマ処理において、電極表面における電界分布の不均一を小さくすることが可能であり、エッチングレート分布が均一なプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma etching method which inhibits a damage to a device, and has high accuracy, which is attained by development of a plasma treatment method using a gas free of a greenhouse effect in order to realize the global environmental preservation, and the plasma process of high performance.例文帳に追加

地球環境保全およびプラズマプロセスの高性能化を実現するため、非温室効果ガスを用いたプラズマ処理方法を開発し、デバイスへの損傷を抑制することができる高精度のプラズマエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

After completing the etching, a control part 8 introduces cleaning gas by the gas introducing system 3, forms the plasma by the plasma forming means 4 and removes films deposited on exposed surfaces in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

A control unit 8 introduces gas for cleaning by the gas introduction system 3 after completion of etching, forms plasma by the means 4 for plasma formation, and removes a film deposited on an exposure surface in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部８は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系３により導入し、プラズマ形成用手段４によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー１内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁