「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(34ページ目) - Weblio英語例文検索

A plasma discharge tube (discharge tube) 11 is installed inside a reaction processing chamber 1, penetrating through the wall of the processing chamber 1.例文帳に追加

反応処理槽１内部に反応生成堆積物除去を目的としてプラズマ放電管（放電管）１１を壁面貫通設置する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus, that is capable of adsorbing a semiconductor wafer in a stable manner from the start of the processing of a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ処理開始時から、安定した半導体ウエハの吸着を得ることができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

In addition, a post-processing step (P5) for performing the plasma processing of the surface of the substrate S may be performed after the thin film deposition steps (P3, P4).例文帳に追加

さらに、薄膜形成工程（Ｐ３、Ｐ４）の後に、基板Ｓの表面をプラズマ処理する後処理工程（Ｐ５）を行ってもよい。 - 特許庁

The vacuum processing apparatus includes an extra-electrode 22 arranged between a processing object 7 and a plasma generating apparatus 10.例文帳に追加

本発明の真空処理装置は、処理対象物７とプラズマ生成装置１０の間に配置された補助電極２２を有している。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which endpoint detection can be conducted accurately even in short etching for processing a thin film by multiple conditions.例文帳に追加

薄膜を複数条件で処理する短いエッチングにおいても正確に終点検出を実施できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method capable of uniformly decomposing and removing organic matter present on a surface of a processing object substrate.例文帳に追加

被処理基板の表面にある有機物をプラズマによって、均一に分解、除去することができるプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To actualize plasma cleaning which can remove a deposited film formed on the internal wall of a vacuum processing vessel, in a short time during RIE processing.例文帳に追加

ＲＩＥ加工時に真空処理容器の内壁に形成された堆積膜を短時間で除去できるプラズマクリーニングを実現すること。 - 特許庁

A processing chamber can be configured as a thermal stack module within a wafer track cell for exposing a semiconductor wafer surface to a processing plasma.例文帳に追加

処理チャンバは、半導体ウェーハ表面を処理プラズマに曝すためのウェーハトラックセル内の熱スタックモジュールとして構成することができる。 - 特許庁

A showerhead electrode and wafer chuck assembly may be positioned within the processing chamber for effecting plasma-enhanced processing of the semiconductor wafer.例文帳に追加

シャワーヘッド電極及びウェーハチャックアセンブリを処理チャンバ内に位置決めし、半導体ウェーハのプラズマ強化処理を遂行させることができる。 - 特許庁

To alleviate an operator's effort required for maintenance work of processing head of an atmospheric pressure plasma processing device and suppress generation of particles.例文帳に追加

常圧プラズマ処理装置の処理ヘッドのメンテナンス作業に要する作業者の労力を軽減するとともに、パーティクルの発生を抑制する。 - 特許庁

An inductively coupled plasma processing apparatus is configured such that inductively coupled plasma is generated so as to have a doughnut shape under a dielectric window 52 close to an RF antenna 54 and the doughnut-shaped plasma is dispersed in a large processing space so as to level the plasma density near a susceptor 12 (namely, on a semiconductor wafer W).例文帳に追加

この誘導結合型プラズマ処理装置は、ＲＦアンテナ５４に近接する誘電体窓５２の下で誘導結合のプラズマをドーナツ状に生成し、このドーナツ状のプラズマを広い処理空間内で分散させて、サセプタ１２近傍（つまり半導体ウエハＷ上）でプラズマの密度を平均化するようにしている。 - 特許庁

There is provided plasma etching equipment in which a sprayed film is set to be a conductor, by attaching the sprayed film to the front surface of a wall with which plasma is in contact, such as the wall of a processing chamber and mixing a conductor with the material of the sprayed film in plasma processing equipment using a plasma process by use of halogen gas for manufacturing a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイスの作成に、ハロゲン系のガスによるプラズマプロセスを用いたプラズマ処理装置において、処理室内の壁等のプラズマが接触する壁の表面に溶射膜を付け、この溶射膜の材料に導体を混入することにより、溶射膜を導体としたことを特徴とするプラズマエッチング装置。 - 特許庁

The plasma processing method includes the steps of: preparing a silicon substrate where a silicon oxide film is formed; performing plasma processing by introducing nitrogen gas on the silicon oxide film to generate plasma; and nitrifying an upper part of the silicon oxide film with the plasma to change the upper part of the silicon oxide film into a silicon nitride film.例文帳に追加

シリコン酸化膜が形成された前記シリコン基板を準備する工程と、前記シリコン酸化膜上に窒素ガスを導入してプラズマを生成して該プラズマ処理する工程と、前記シリコン酸化膜の上部を前記プラズマにより窒化して、該シリコン酸化膜の上部をシリコン窒化膜に変化させる工程とを有する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and a plasma processing method by which plasma discharging can be maintained regardless of whether or not the process object body is facing an applying electrode and the surface of the process object body can be uniformly processed by plasma discharging regardless of the existence of a conductive pattern formed on the process object body.例文帳に追加

被処理体が印加電極に対面しているかいないかに関わらずプラズマ放電を持続できるとともに、被処理体上に形成されている導電性パターンの有無に関わらずプラズマ放電により被処理体の表面を均一に処理することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a treatment device capable of executing processing high in productivity such as processing efficiency and processing accuracy by executing a plasma treatment and blasting without changing the device.例文帳に追加

装置を変更することなくプラズマ処理とブラスト処理とを行い、加工効率、加工精度など生産性の高い加工が可能な処理装置を提供すること。 - 特許庁

To accurately detect influence of processing dispersion or damage associated with plasma processing including a solvent treatment after processing, in relation to a scribe corner monitor, a semiconductor wafer and a monitoring method.例文帳に追加

スクライブコーナモニタ、半導体ウェーハ及びモニタ方法に関し、処理後の溶剤処理を含めたプラズマ処理に伴う加工バラツキや、ダメージの影響を精度良く検出する。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for plasma processing where precision processing of fine pattern for a sample of large diameter is easy and the selective ratio in fine processing is improved.例文帳に追加

大口径の試料について微細パターンの精密な加工が容易で、また、微細加工時の選択比も向上させたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

Plasma processing is executed to make a processing amount of the plasma processing executed for increasing a lyophilic property before filling the ink into a bank, using an ink jet, after forming the bank on a substrate get low compared with a processing amount of the plasma processing executed for increasing the lyophilic property of the substrate after removing the defective portion caused by the found foreign matter or the like, after applying the ink.例文帳に追加

基板上にバンクが形成された後、バンク内にインクジェットを用いてインクを充填する前に、親液性を上げるために行なうプラズマ処理の処理量が、インク塗布後に、発見された異物などによる不良箇所をレーザにて取り除いた後に、親液性を上げるために行なわれるプラズマ処理の処理量に比べて少なくなるようにプラズマ処理を行なうものである。 - 特許庁

This particulate matter processing device is provided with a plasma processing device 10 for charging particulate matter in exhaust gas by atmospheric pressure plasma and a catalyst processing device 20 for inducing the charged particulate matter in the exhaust gas G2 fed into from the plasma processing device 10 into a catalyst layer 22 selectively by an applied electric field to decompose and process it by catalyst action in the catalyst layer 22.例文帳に追加

排ガス中の粒子状物質を大気圧プラズマにより荷電させるプラズマ処理装置１０と、プラズマ処理装置１０から送入される排ガスＧ２中の荷電した粒子状物質を、印加電界により選択的に触媒層２２に誘導して、触媒層２２の触媒作用によって分解処理する触媒処理装置２０を備える。 - 特許庁

The plasma processing device includes an upper electrode 2 for generating plasma 1, a stage 3 on which a base material 6 to be subjected to plasma processing is disposed, a power supply 4 which applies a voltage to the upper electrode 2, a moving mechanism 5 disposed on the upper electrode 2, and a control unit 120.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、プラズマ１を生成するための上部電極２、プラズマ処理の対象となる基材６を配置するステージ３、上部電極２に電圧を印加する電源４、上部電極２に設置された移動機構５、制御部１２０を含む。 - 特許庁

In the work conveying device, a plasma type surface treating device 56 equipped with a plasma gun 102 for ashing processing and a plasma gun 103 for liquid repellency imparting processing is arranged to remove a solvent left sticking on the bank part and make the bank part liquid-repellent again.例文帳に追加

ワーク搬送装置に、アッシング処理用のプラズマガン１０２と、撥液化処理用のプラズマガン１０３とを備えるプラズマ式表面処理装置５６を配置し、バンク部に付着残留する溶剤を除去すると共に、バンク部の撥液性を回復させるものである。 - 特許庁

A sterilization processing apparatus (workpiece processing apparatus) including a plasma generating unit PU to make plasma of a supplied processing gas and apply it as a plume includes a sterilization processing unit SU to apply the sterilization processing to the workpieces to be processed in a chamber 510 by applying the plume P, and a control unit CU to control the action of the sterilization processing unit SU.例文帳に追加

滅菌処理装置Ｓ（ワーク処理装置）は、供給される処理ガスをプラズマ化してプルームＰとして照射するプラズマ発生ユニットＰＵを含み、処理対象であるチャンバー５１０内のワークにプルームＰの照射による滅菌処理を施与する滅菌処理ユニットＳＵと、滅菌処理ユニットＳＵの動作を制御する制御ユニットＣＵとを備えている。 - 特許庁

The method for processing methane hydrate includes: a plasma generating step for supplying a high frequency wave to an electrode 32 for plasma, and irradiating an electromagnetic wave to the methane hydrate by the electrode 32 for plasma to generate plasma; and a hydrogen generating step for decomposing the methane hydrate with the plasma to generate hydrogen.例文帳に追加

本発明のメタンハイドレートの処理方法は、プラズマ用電極３２に高周波を供給し、プラズマ用電極３２によりメタンハイドレートに電磁波を照射してプラズマを発生させるプラズマ発生ステップと、プラズマによりメタンハイドレートを分解して水素を発生させる水素発生ステップと、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

A method of improving throughput in a semiconductor wafer deposition process in a high-density plasma processing chamber, comprises a step of processing a first wafer within the high-density plasma processing chamber using a process including high output sufficient for burning out fluorosilicate glass residue in the processing chamber.例文帳に追加

高密度プラズマ処理室内の半導体ウエハ堆積工程の処理量を改善する方法は、処理室内のフオロ珪酸塩ガラス残留物を焼き尽くすのに十分な高出力を含む工程を用いて、高密度プラズマ処理室内で第１のウエハを処理する工程を含む。 - 特許庁

To provide a parallel plate type plasma processing apparatus in which, when plasma processing is performed while adjusting an upper electrode 40 to the setting temperature by a temperature adjustment mechanism 47, deterioration in processing uniformity between substrates is suppressed which is caused by changes in the processing environmental atmosphere.例文帳に追加

平行平板型のプラズマ処理装置において、上部電極４０を温度調整機構４７により設定温度に調整しながらプラズマ処理を行うにあたり、処理の環境雰囲気が変わることに起因する基板間の処理の均一性の低下を抑えること。 - 特許庁

In a plasma processing chamber 152 of a reactor 150, plasma exposed surfaces of a plasma confinement ring (not shown), chamber wall 172, a chamber liner (not shown) and/or showerhead 154 can be provided with a plasma sprayed coating 160 with surface roughness characteristics that promote polymer adhesion.例文帳に追加

反応器１５０のプラズマ処理チャンバ１５２において、プラズマ閉じ込めリング（不図示）、チャンバ壁１７２、チャンバライナ（不図示）及び／又はシャワーヘッド１５４のプラズマ露出面は、ポリマーの付着を促進する表面粗さ特性を持つプラズマ溶射された被膜１６０を備え得る。 - 特許庁

To provide an electrode assembly for a plasma processor and the plasma processor, wherein a plasma density can be intended to make uniform without causing a generation of an abnormal discharge or a complication of an assembly and maintenance, and a plasma processing can be carried out with an excellent in-plane uniformity.例文帳に追加

異常放電の発生や、組み立て及びメンテナンスの煩雑さを招くことなく、プラズマ密度の均一化を図ることができ、面内均一性の良好なプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置用電極アッセンブリ及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method for generating a plasma by supplying a microwave from a plurality of waveguides, and for generating a plasma with high and uniform density in a larger scale.例文帳に追加

複数の導波管からマイクロ波を供給してプラズマを生成するプラズマ処理装置において、より広範囲に高い密度の均一なプラズマを電磁波源を破壊することなく生成させることができるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供すること。 - 特許庁

In a plasma processing apparatus in which a stage 11 having a placement plane 11a for placing a wafer W of the object of the plasma processing is provided, the placement plane 11a has a flatness with a difference of 100 μm or smaller in height after the stage 11 is deformed at a temperature at which the apparatus is used for the plasma processing and before the stage 11 is not deformed.例文帳に追加

プラズマ処理対象のウェハＷが載置される載置面１１ａを有するステージ１１を備えたプラズマ処理装置において、載置面１１ａは、プラズマ処理時の装置使用温度でステージ１１が変形した後とステージ１１が変形する前の高低差が１００μｍ以下の平坦度を有する。 - 特許庁

The plasma processing device further comprises a heater 10 for locally heating a periphery of the substrate on the holding tray or in the vicinity thereof.例文帳に追加

保持台またはその近傍に、基板の周辺部を局所的に加熱する加熱部１０を備える。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which allows a sample of an object to be treated, in a stable manner over a long time.例文帳に追加

長期間安定して被処理対象の試料を処理できるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The atmospheric pressure plasma processing apparatus M1 transports a plurality of setters carrying the substrates W by putting the setters in a row.例文帳に追加

プラズマ処理装置Ｍ１は、ガラス基材Ｗを載せた複数のセッタを一列に連ねて搬送する。 - 特許庁

METHOD FOR DETERMINING RUNNING STATE OF PLASMA PROCESSING APPARATUS, APPARATUS FOR DETERMINING RUNNING STATE, PROGRAM, AND STORAGE MEDIUM例文帳に追加

プラズマ処理装置の運転状態判定方法、運転状態判定装置、プログラム及び記憶媒体 - 特許庁

To conduct a substrate processing by the large diameter plasma of uniform density and to reduce the damage of a substrate due to charged particles.例文帳に追加

均一な密度の大口径プラズマによる基板処理と、荷電粒子による基板の損傷の軽減。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which the maintenance labor of an electrode itself for removing dust is reduced.例文帳に追加

ダスト除去用の電極自体のメンテナンス労力が低減されたプラズマプロセス装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and apparatus can maintain a deposition rate in a stable manner.例文帳に追加

成膜レートを安定に維持することができるプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus enabling stable processes, even if high electric power is input.例文帳に追加

大電力を投入しても安定した処理を行なうことができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The electrostatic chuck 21 of the plasma processing apparatus includes substrate placing parts 27A to 27F where a substrate 2 is placed.例文帳に追加

プラズマ処理装置の静電チャック２１は基板２が載置される基板載置部２７Ａ〜２７Ｆを備える。 - 特許庁

An overshoot voltage is applied to a lower electrode just before starting plasma processing to a wafer.例文帳に追加

ウェハに対するプラズマ処理が開始される直前に下部電極に対してオーバーシュート電圧が印加される。 - 特許庁

The plasma processing apparatus selectively nitrides the region to be processed occupying a part of the surface of the object to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、被処理物の表面の一部を占める被処理領域を選択的に窒化する。 - 特許庁

To downsize a structure in a plasma generator used for workpiece processing such as a substrate reformation or the like.例文帳に追加

基板の改質等、ワークの処理などに使用されるプラズマ発生装置において、構造を小型化する。 - 特許庁

To provide a plasma discharge processing system in which a thin film can be formed efficiently with high accuracy at low cost.例文帳に追加

薄膜を高精度で、効率よく、かつ、低コストで形成できるプラズマ放電処理装置を提供する。 - 特許庁

To manufacture a plasma display panel which enables a high aspect ratio and a pattern processing of high precision.例文帳に追加

高アスペクト比かつ高精度のパターン加工を可能にするプラズマディスプレイパネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

To detect the completion of a reaction in a plasma apparatus which is used for processing of semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハの処理に用いられるプラズマ装置の反応の終点を検出するようにすること。 - 特許庁

To provide a plasma treatment apparatus capable of easily coping with various requirement processing widths of an object to be processed.例文帳に追加

被処理物の種々の要求処理幅に容易に対応可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁