「plasma- processing」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

In a plasma reaction vessel for plasma processing provided with a Faraday shield arranged between an inductive coil and a dielectric, the Faraday shield and the dielectric are integrally formed.例文帳に追加

誘導コイルと誘電体との間にファラデーシールドが設けられたプラズマ処理用のプラズマ反応容器において、ファラデーシールドを誘電体と一体的に形成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a plasma reactor having a fan type electrode reciprocally arranging a ground side electrode and a high pressure side electrode in feather shape.例文帳に追加

接地側電極と高圧側電極とを交互に羽状に配置したファン型電極を有するプラズマリアクタを有するプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for plasma processing in which a tape-like substrate is stably and efficiently plasma-processed.例文帳に追加

テープ状基板を安定して効率よくプラズマ処理できるテープ状基板のプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The step of processing the object 10 may be conducted by dry etching using plasma containing oxygen since HSQ is hardly etched by oxygen plasma.例文帳に追加

ＨＳＱは酸素プラズマにエッチングされ難い為、被加工体１０を加工する工程は、酸素を含むプラズマを用いてドライエッチングする工程であってもよい。 - 特許庁

To provide a self-bias control device and a plasma processing device controlling a self-bias without giving influence on plasma density.例文帳に追加

本発明は、プラズマ密度に影響を与えることなくセルフバイアスの制御をすることができるセルフバイアス制御装置およびプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for suppressing the occurrence of plasma discharge in a gas introduction piping and a gas introduction hole, and for preventing contaminants from adhering thereto.例文帳に追加

ガス導入配管内部及びガス導入孔でのプラズマ放電の発生を抑制し、汚染物質の付着を防止するプラズマ処理装置を与える。 - 特許庁

The gas is processed by introducing the gas to be processed into the plasma processing chamber 1b in which plasma is generated by inducing the discharge between the electrodes.例文帳に追加

電極間に放電を誘起させてプラズマ処理室内にプラズマを生成した状態で、被処理ガスをプラズマ処理室内に導入して、ガスの処理を行う。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus in which plasma density distribution inside a vacuum vessel can be made uniform and etching of the inner wall surface of the vacuum vessel can be prevented.例文帳に追加

真空容器内のプラズマ密度分布の均一化を図り得ると共に、真空容器の内壁面のエッチングを防止し得るプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

The microwave plasma processing apparatus 10 excites gas by electric field energy of microwaves emitted from a radial line slot antenna 205 in order to perform plasma treatment of a substrate G.例文帳に追加

マイクロ波プラズマ処理装置１０は、ラジアルラインスロットアンテナ２０５から放出されたマイクロ波の電界エネルギーによりガスを励起させ、基板Ｇをプラズマ処理する。 - 特許庁

The first plasma creates a pre-coat residual film on surfaces in the plasma processing chamber, and the etch resistance of the substrate material is substantially maintained.例文帳に追加

そして、プラズマ処理チャンバ内で、第一プラズマが表面にプレコート残留膜を形成し、基材のエッチング耐性を実質的に維持することを特徴とする。 - 特許庁

The high frequency electrode 11 has been etched using plasma generated between the high frequency electrode 11 and the counter electrode in the equipment for plasma processing.例文帳に追加

高周波用電極１１は、プラズマ処理装置内で、高周波用電極１１と対向電極との間に生成したプラズマを用いて、エッチングされている。 - 特許庁

To freely and finely control plasma density distribution while sufficiently restraining a wavelength effect in an RF antenna of an inductively-coupled plasma processing device.例文帳に追加

誘導結合型のプラズマ処理装置におてＲＦアンテナ内の波長効果を十全に抑制しつつ、プラズマ密度分布を自在かつ精細に制御すること。 - 特許庁

Also, it is possible to prevent corrosion of the metal plug, by ashing the photoresist with oxygen plasma and then processing it with a pure steam plasma.例文帳に追加

また、酸素プラズマでフォトレジストのアッシングを行った後、純水蒸気プラズマ処理することによっても金属プラグの腐蝕を防止することができる。 - 特許庁

To provide an end point detecting method of plasma processing capable of exactly detecting the end point, in such a manner that the variations in plasma state is allowed, and to provide its apparatus.例文帳に追加

プラズマ状態の変動を許容して正確に終点検出を行えるプラズマ処理の終点検出方法およびその装置を提供する。 - 特許庁

This is a device for a neutral particle ray beam having a plasma chamber 1 for forming plasma and emitting ion beams, a capillary part 2 for neutralizing ion beams, and a processing chamber 3 for irradiating the beams passing the capillary part on the processed object.例文帳に追加

この中性化を、イオンビームの生成条件や加工条件とは独立に制御可能とし、品質の高い中性粒子ビームを得る。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the apparatus processes an object to be processed has a large area.例文帳に追加

大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can highly efficiently generate high-density plasma, even when the device processes an object to be processed has a large area.例文帳に追加

大面積の被処理体を処理する場合であっても、高効率で且つ高密度のプラズマを生成することが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method which can process a substrate uniformly over the entire substrate with a reduced variation of the quality among processed substrates, if processing a plurality of substrates continuously.例文帳に追加

複数枚の被処理基板を連続的に処理しても被処理基板間で品質のばらつきが小さく、しかも被処理基板の全体にわたって均一な処理をすることのできるプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a waste gas processing method for a semiconductor manufacturing device so as to inexpensively and easily remove harmful polyfluoride compound gas used for a cleaning or etching processing inside a processing chamber in a plasma CVD device and a plasma etching device.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置、プラズマエッチング装置における処理チャンバー内のクリーニングまたエッチング処理に使用される多フッ化化合物ガスに対し安価で容易な除害ができるように半導体製造装置の排ガス処理方法を提供する。 - 特許庁

The plasma flow P from the plasma generation part E is bent in the direction not confronting the plasma generation part and allowed to flow into the plasma processing part T, and the position confronting the plasma generation part E is made a droplet capturing part D to capture cathode material in the form of particulates (droplets) as biproduct from the cathode when plasma is generated.例文帳に追加

プラズマ発生部Ｅからのプラズマ流れＰを磁界によりプラズマ発生部と対面しない方向に屈曲させて前記プラズマ加工部Ｔに流入させるとともに、プラズマ発生部Ｅと対面する位置をプラズマの発生時に陰極から副生する陰極材料微粒子（ドロップレット）を捕集するドロップレット捕集部Ｄとする。 - 特許庁

This plasma CVD device has a hollow structure of plasma confinement electrode plate 5 for plasma isolation being provided with a plurality of holes, between a plasma generation region and a substrate processing region, and the plasma confinement electrode plate 5 is provided with a radical passage hole and a neutral gas passage hole, and plural sheets of gas diffusion plates 7 (11 and 12) having holes are provided inside the plasma confinement electrode plate.例文帳に追加

プラズマ生成領域と基板処理領域との間に、複数の孔が設けられたプラズマ分離用の中空構造のプラズマ閉込電極板５を有し、プラズマ閉込電極板５には、ラジカル通過孔と中性ガス通過孔が設けられ、プラズマ閉込電極板の内側には、孔を有するガス拡散板７（１１，１２）が複数枚設けられている。 - 特許庁

In the plasma processing apparatus 1, when the workpiece W is subject to plasma processing, the workpiece W is floated by the action of the floating gas GS, and the workpiece W is processed while not still being in contact.例文帳に追加

このプラズマ処理装置１では、被処理体Ｗをプラズマ処理するとき、被処理体Ｗを浮上用ガスＧＳの作用によって浮上させて、被処理体Ｗを非接触で処理する。 - 特許庁

To provide a color filter and a manufacturing method therefor such that a black matrix film less peels during a plasma processing stage and sufficient ink repellency can be obtained on the black matrix film in the plasma processing stage.例文帳に追加

プラズマ処理工程中のブラックマトリクス膜の剥がれが少なく、プラズマ処理工程でブラックマトリクス膜上に十分な撥インク性が得られるカラーフィルタおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of surely and inexpensively preventing adhesion of foreign matter to an inside wall surface or the like of a chamber, and thereby capable of efficiently executing excellent plasma processing to a workpiece.例文帳に追加

チャンバーの内壁面等に異物が付着するのを確実かつ低コストで抑制し、これにより、ワークに対する良好なプラズマ処理を効率よく行い得るプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that can prevent the stretching of a film by adjusting a tension generated during conveyance of the film to be used as a mask for plasma processing.例文帳に追加

プラズマ処理を行うときにマスクとして使用するフィルムを搬送する時に、これに生じる張力を調整することで、フィルムの延びを防止することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus which is superior in heating efficiency and cooling efficiency, has no risk that various characteristics of a workpiece are adversely affected after a plasma processing and has comparatively low manufacture cost.例文帳に追加

加熱効率および冷却効率に優れ、プラズマ処理後における被処理物の諸特性に悪影響が及ぶおそれがなく、製造コストも比較的少ないプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide an atmospheric pressure plasma processing device capable of preventing the atmosphere from being sucked through each side into a plasma processing space of an approximate atmospheric pressure, while securing flexibility in dimension configuration of each electrode unit.例文帳に追加

各電極ユニットの寸法構成の自由度を確保しながら略常圧のプラズマ処理空間内へ両側から雰囲気ガスが巻き込まれるのを防止できる常圧プラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processor and a plasma processing method which prevent the failure in feeding a processing object with the possibility of damaging by abnormal discharge to a post process.例文帳に追加

異常放電によるダメージを受けた可能性がある処理対象物が後工程に送られる不具合を防止することができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

And by adopting the plasma processing, in which a temperature rise of the shroud tube 18 is smaller as compared with heat-treatment by burner irradiation, cooling time required after the plasma processing can be short enough.例文帳に追加

しかも、バーナ照射による加熱処理に比してシュラウドチューブ１８の温度上昇が小さいプラズマ処理の採用により、プラズマ処理後に必要な冷却時間を十分に短いものとする。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of performing prescribed plasma processing to each part of a surface to be treated in a workpiece, when a gap is formed at an area to the placement section in the backside of the workpiece.例文帳に追加

ワークの裏面側に載置部との間に隙間が形成されている場合において、ワークの被処理面の各部位に対して、所定のプラズマ処理を行うことのできるプラズマ処理装置を提供すること。 - 特許庁

A wafer W is carried in a plasma processing apparatus and the surface of a silicon layer 501 of the wafer W is subjected to plasma oxidation processing to form a silicon oxide film 503 having a film thickness T_1 on the silicon layer 501.例文帳に追加

ウエハＷをプラズマ処理装置に搬入し、ウエハＷのシリコン層５０１の表面をプラズマ酸化処理してシリコン層５０１の上に膜厚Ｔ_１で酸化珪素膜５０３を形成する。 - 特許庁

The plasma processing device blows out process gas passed through a plasma discharge space 50 laid between electrodes 31, 32 from the blowoff nozzle 51, and makes the process gas contact a base material W arranged at a processing position located outside the space 50.例文帳に追加

プラズマ処理装置は、電極３１，３２間のプラズマ放電空間５０に通したプロセスガスを吹出し口５１から吹出し、空間５０の外部の処理位置に配置された基材Ｗに接触させる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus and a plasma processing method that can suppress an influence on an object to be processed and improve productivity when unnecessary matter is removed.例文帳に追加

不要物の除去を行う際に被処理物に与える影響を抑制することができるとともに生産性の向上を図ることができるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

In this constitution, the first vacuum pump 42 shuts off the vacuum processing chamber 12 from the plasma chamber 54, so that a decomposing operation carried out in the plasma chamber 54 never affects the vacuum processing chamber 12.例文帳に追加

この構成では、第１の真空ポンプが真空処理チャンバとプラズマチャンバとの間を遮断するため、プラズマチャンバ内での分解処理が真空処理チャンバに対して影響を与えることはない。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus for subjecting a small to large amount of powder to glow plasma processing at an atmospheric pressure uniformly to impart a useful functional group to a surface thereof.例文帳に追加

本発明は、少量から大量の粉体を均一に大気圧グロープラズマ処理して、その表面に有用な官能基を付与するプラズマ処理装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To attain uniform intra-surface distribution of active seed and by-product gas which contribute to plasma process even in the conventional plasma processing apparatus in which evacuation is conducted only from the periphery of the processing object.例文帳に追加

従来のプラズマ処理装置では、被処理体周辺部からのみ排気を行っているため、プラズマ処理に寄与する活性種や副生成ガスの面内分布が必ずしも均一にはならない。 - 特許庁

To reduce temperature rise of a substrate due to heat transmission from a tray after plasma processing is ended, in a plasma processing apparatus for arranging, on a substrate susceptor, the tray with the substrate housed in a substrate housing hole.例文帳に追加

基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、プラズマ処理終了後のトレイからの伝熱による基板の温度上昇を低減する。 - 特許庁

To provide a device for plasma-processing and a method of plasma-processing for improving both a thermal conductivity from a gas shower head or target to a high-frequency or DC electrode and a gas distribution below the gas shower head.例文帳に追加

ガスシャワーヘッドまたはターゲットから高周波または直流電極への熱伝導性とガスシャワーヘッド下方のガス分布とを改善できるプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。 - 特許庁

To widen a range of application of plasma processing by enabling to efficiently carry out the plasma processing by applying a pulse corona discharge, for example, by using a coaxial cylinder-shaped reactor having a linear electrode and a cylinder-shaped electrode.例文帳に追加

線状電極と筒状電極を有する例えば同軸円筒型のリアクタを用いたパルスコロナ放電によるプラズマ処理を効率よく行えるようにして、プラズマ処理の適用範囲を広げる。 - 特許庁

After that, this evaporated insulating film 2 is processed by at least one type selected from the group of hydrogen plasma processing and oxygen plasma processing by setting the temperature of the substrate 1 at 300 to 500°C.例文帳に追加

そして、この蒸着絶縁膜２に対して、基板１の温度を３００乃至５００℃にして、水素プラズマ処理及び酸素プラズマ処理からなる群から選択された少なくとも１種の処理を施す。 - 特許庁

To provide a surface layer detecting apparatus, a plasma processing apparatus, and a surface layer detecting method that quantitatively detect a layer formed on the surface of a body to be detected during processing using plasma.例文帳に追加

被検出物の表面にプラズマによる処理中に形成された層を定量的に検出することのできる表面層検出装置、プラズマ処理装置および表面層検出方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing device capable of suppressing the change of a film formation rate and a film quality in the plasma processing and also capable of preventing much time spent for conditioning as the preprocessing.例文帳に追加

プラズマ処理のおける成膜レートや膜質の変動を抑制し、且つその前処理としてのコンディショニングに多くの時間を費やすことを防ぐことが可能なプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing method and a plasma processing device which allow the suppression of leak of a cooling gas supplied to between an electrostatic chuck for electrostatically attracting an insulative substrate and the substrate.例文帳に追加

絶縁性基板を静電的に吸着する静電チャックと基板との間に供給される冷却ガスのリークを抑えることができるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus capable of suppressing the leakage of electromagnetic waves from inner space in which plasma processing is performed and stably carrying an object to be processed in the inner space.例文帳に追加

プラズマ処理を行なう内部空間からの電磁波の漏洩を抑制するとともに、その内部空間において被処理物を安定して搬送することができるプラズマ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate-mounting stand for plasma processing apparatus in which an upper surface of a base can be flattened, and the base can be fixed with an electrostatic chuck satisfactorily; to provide a plasma processing apparatus and; to provide a method of forming an insulating film.例文帳に追加

基台上面を平坦にでき、基台部と静電チャック部とを良好に固定できるプラズマ処理装置用基板載置台、プラズマ処理装置および絶縁皮膜の成膜方法を提供する。 - 特許庁