「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

When a voltage of positive polarity is applied to the collector of the transistor Q1 from the load in a state in which a voltage is not supplied from an AC power source, the emitter potential of a transistor Q3 becomes lower than the base potential, and the transistor Q3 is turned on.例文帳に追加

交流電源から電圧が供給されない状態で、負荷からトランジスタＱ１のコレクタに正極性の電圧が印加されると、トランジスタＱ３のエミッタの電位がベースの電位より低くなり、トランジスタＱ３はオンする。 - 特許庁

The holding capacitor Cs performs bootstrap operation so that the potential at the gate G follows up the potential of the source S to vary when the sampling transistor Tr1 turns off to disconnect the gate G of the driving transistor Trd from a signal line SL.例文帳に追加

保持容量Ｃｓは、サンプリングトランジスタＴｒ１がオフしてドライブトランジスタＴｒｄのゲートＧが信号線ＳＬから切り離された時、ソースＳの電位に追従してゲートＧの電位が変動するようにブードストラップ動作を行う。 - 特許庁

Data readout is performed in a manner that a readout control potential is supplied to a control signal line connected to one of a source electrode and a drain electrode of the readout transistor and then the potential change of a readout signal line is detected.例文帳に追加

情報の読み出しは、読み出し用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と接続された制御信号線に、読み出し制御電位を供給し、その後、読み出し信号線の電位変化を検出することで行う。 - 特許庁

A high-potential power supply line 50 for supplying the power source potential VEL to the light emitting element E includes an on-substrate part 50G and an on-flexible substrate part 50F, and the part 50G and the part 50F are alternately arranged.例文帳に追加

電源電位ＶELを発光素子Ｅに供給する高電位電源線５０は基板上の部分５０Ｇとフレキシブル基板上の部分５０Ｆとを有し、基板上の部分５０Ｇとフレキシブル基板上の部分５０Ｆとは交互に配置される。 - 特許庁

The difference between an output voltage (local potential) VL of a switching power source circuit 2 and a reference voltage Vref1 is detected with a local potential difference detection circuit 61, and is converted to a PWM control signal P1 by a PWM comparator 632.例文帳に追加

スイッチング電源回路部２の出力電圧（ローカル電位）ＶＬと基準電圧Ｖｒｅｆ１との差をローカル電位差検出回路６１により検出してＰＷＭコンパレータ６３２によりＰＷＭ制御信号Ｐ１に変換する。 - 特許庁

The current source D2 is connected to a resistor R10 and the potential of a node N3 is increased/decreased corresponding to the output voltage of the sample-and- hold circuit 39.例文帳に追加

電流源Ｄ２は抵抗素子Ｒ１０に接続されており、ノードＮ３の電位をサンプルホールド回路３９の出力電圧に応じて上下させる。 - 特許庁

To suppress a malfunction of an output buffer circuit or the generation of a through current even if a high potential side power source supplied to an internal circuit is not turned on.例文帳に追加

内部回路に供給される高電位側電源が未投入の場合でも、出力バッファ回路の誤動作や貫通電流の発生を抑制する。 - 特許庁

Thus, the voltage Vneg is applied to all of the control gate, source, drain, and the substrate (well) of all memory cells in the unselected block 1 and are made to be of the same potential.例文帳に追加

こうして、非選択ブロック１内の全メモリセルのコントロールゲート,ソース,ドレインおよび基板(ウェル)の総てに電圧Ｖnegを印加して同電位にする。 - 特許庁

When the potential of the source line SL0 is controlled to the first voltage, a cell current corresponding to an erasing state or a writing state flows into a memory cell.例文帳に追加

ソース線ＳＬ０の電位が第１の電圧に制御されたとき、メモリセルには、消去状態又は書込状態に応じたセル電流が流れる。 - 特許庁

The semiconductor device includes a power supply voltage control circuit for controlling the power supply voltage of a plurality of static type memory cells being a potential difference between a power supply line and a source line.例文帳に追加

電源線とソース線との電位差である複数のスタティック型メモリセルの電源電圧を制御する電源電圧制御回路を具備する。 - 特許庁

To suppress the capacity coupling of a capacitive element with other circuit components, by providing well regions of low impurity concentration between the source potential (VSS).例文帳に追加

ソース電位（ＶＳＳ）との間に低不純物濃度のウェル領域を具備することにより、容量素子と他の回路素子との容量結合を抑制する。 - 特許庁

During the time of read-out of data, for example, the source line SL is grounded by the read-out bias circuit 405 while keeping the bit line BL at the pre-charge potential Vp as it is.例文帳に追加

データ読み出し時には、例えばビット線ＢＬを前記プリチャージ電位Ｖｐのまま、ソース線ＳＬを読み出しバイアス回路４０５により接地する。 - 特許庁

When using the voltmeter having the high input impedance, a leakage current 3 flowing by imperfect insulation between the floating reference voltage source and the ground flows through the short circuit from the standard potential divider.例文帳に追加

電圧計（エ)として高入力インピーダンスなものを用いることと、図１(a)および(b)の２通りの結線により差電圧測定を行うことができる。 - 特許庁

As a resistance value of a resistance circuit 78 can be adjusted, an internal power source potential can be adjusted in wider range than a conventional circuit.例文帳に追加

抵抗回路７８の抵抗値を調整することができるので従来回路よりも広い範囲で内部電源電位を調整することが可能となる。 - 特許庁

To reduce a leak current flowing through an internal power source from an external circuit when a potential of an input signal from the external circuit is higher than a level of the internal circuit.例文帳に追加

外部回路からの入力信号の電位が内部電源よりも高いときに外部回路から内部電源に流れ込むリーク電流を低減する。 - 特許庁

The detection signal is constituted so as to be transmitted from the amplifier circuit 40 to a low-potential power source line V_ss via the capacitance detection circuit 31.例文帳に追加

検出信号は増幅回路（４０）から静電容量検出回路（３１）を経由して低電位電源線Ｖ_ｓｓに伝達するように構成されている。 - 特許庁

To obtain a semiconductor integrated circuit in which the potential of an internal power source can be measured accurately even if a contact resistance and stray capacity are added by a probe.例文帳に追加

プローブにより接触抵抗および浮遊容量が付加されても内部電源の電位を高精度に測定することができる半導体集積回路を得る。 - 特許庁

An auxiliary capacitance line 29 for supplying a prescribed potential to an auxiliary capacitor 28 and power source wiring 31 for digital memory 18 are shared.例文帳に追加

補助容量２８に所定の電位を供給する補助容量線２９と、ディジタルメモリ１８の電源配線３１とを共通化するようにした。 - 特許庁

The source potential of PMOS-transistors 22 and 23 functioning as an input end of a differential amplifier 20a is applied to a gate of the PMOS-transistor 34.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ３４のゲートには、差動増幅器２０ａの入力端として機能するＰＭＯＳトランジスタ２２および２３のソース電位が印加されている。 - 特許庁

Three electrodes 2b (anode electrodes) at grounding potential are located between electrodes 2a (cathode electrodes), where a voltage is supplied by a power source unit 1.例文帳に追加

電源部１により電圧が印加される電極２ａ（カソード電極）の間に、３つの接地電位にある電極２ｂ（アノード電極）が配置されている。 - 特許庁

A control part 21 inverts a potential of the first capacitance line SCL1, when a pixel transistor 11 is turned off after writing a source signal into a pixel.例文帳に追加

制御回路２１は、画素にソース信号を書き込みした後、画素トランジスタ１１がオフした時に、第１の容量線ＳＣＬ１の電位を反転させる。 - 特許庁

A capacitor Ceb for bypass is inserted between a low potential line Kb between an output end of the power source circuit 8, and the electrodeless discharge lamp 1.例文帳に追加

電源回路８の出力端と無電極放電灯１との間の低電位ラインＫｂと筐体との間にはバイパス用のコンデンサＣｅｂが挿入される。 - 特許庁

The electric circuit has a function capable of setting a potential difference at between both the electrodes of the capacitance element by the use of a constant-current source.例文帳に追加

そして本発明は、容量素子の両電極間の電位差を定電流源を用いて設定できる機能を有する電気回路を提供する。 - 特許庁

The reverse-conductive transistor has its gate and source connected to the common potential node ND and has its drain connected to the floating body area 30.例文帳に追加

この逆導電型のトランジスタは、そのゲートとソースが共通電位ノードＮＤに接続され、ドレインがフローティングボディ領域３０に接続されている。 - 特許庁

To provide a writing method for a nonvolatile semiconductor device the method of which reduces an electric potential difference between the source and the drain; to shorten the gate length of a memory cell.例文帳に追加

ソース−ドレイン間の電位差を小さくしてメモリセルのゲート長を短くすることができる不揮発性半導体記憶装置の書込方法を提供する。 - 特許庁

The resistance component R permits capacitance coupling to the gate electrode of the writing transistor 23 when a source potential of a driving transistor rises.例文帳に追加

そして、この抵抗成分Ｒは、駆動トランジスタのソース電位が立ち上がるときの書込みトランジスタ２３のゲート電極への容量カップリングを許容する。 - 特許庁

The inside of a vacuum chamber 1 is provided with: a target 2 composing a cathode; and a base material W applied with voltage from a bias power source 5 and biased to a negative potential.例文帳に追加

真空チャンバ１内にカソードを構成するターゲット２とバイアス電源５から電圧が印加されて負の電位にバイアスされた基材Ｗを設ける。 - 特許庁

The second electrode 27 is connected to a second power source 16 for applying the voltage of the negative potential to the second electrode, which is applied in a sputtering process.例文帳に追加

この第二電極２７は、負電位の電圧が印加するための第二電源１６に接続され、スパッタリング時に負電位の電圧が印加される。 - 特許庁

The switch 100 places the high potential terminal 1 and the negative input terminal of the comparator 13 into a short-circuit condition upon start up of a power source.例文帳に追加

そして、そのスイッチ１００により、電源の起動直後に高電位側端子１と比較器１３のマイナス入力端子とを短絡状態にさせる。 - 特許庁

The transistor device further comprises at least one highly-doped junction formed adjacent to the source region to measure the voltage potential of the substrate region.例文帳に追加

トランジスタ・デバイスはさらに、基板領域の電位を測定するためのソース領域に隣接して形成された少なくとも１つの高濃度ドープ接合を含む。 - 特許庁

In an active matrix type liquid crystal panel, gate voltage Vg is applied in the state in which the potential of a source electrode of a TFT is set to 0 V.例文帳に追加

アクティブマトリクス型液晶パネルにおいて、ＴＦＴのソース電極の電位を０Ｖとした状態で（符号Ｖｓ参照）、ゲート電圧Ｖｇを印加する。 - 特許庁

A unit shift register is provided with a transistor Q1 which activates an output signal G_k by supplying power source potential VDD1 to an output terminal OUT.例文帳に追加

単位シフトレジスタは、電源電位ＶＤＤ１を出力端子ＯＵＴに供給することで出力信号Ｇ_kを活性化させるトランジスタＱ１を備える。 - 特許庁

The output voltage level of the level shift circuit 16 is discharged to a second power supply V2 of the ground potential through an nMOSTr 27 (a second current source).例文帳に追加

レベルシフト回路１６の出力電圧レベルはｎＭＯＳＴｒ２７（第２の電流源）を介して接地電位の第２電源Ｖ２に放電される。 - 特許庁

A first voltage dividing circuit is connected between a feeder for feeding an internal circuit from an external power source and a fixed potential to divide a voltage of the feeder.例文帳に追加

第１分圧回路は、外部電源から内部回路に給電するための給電線と固定電位との間に接続され、給電線の電圧を分圧する。 - 特許庁

The microcomputer 12 sets potentials of the output ports Po4, Po5 at the high-potential power source Vcc in accordance with power failure detection signals from a power failure detection circuit 18.例文帳に追加

マイコン１２は、停電検出回路１８からの停電検出信号に応じて、出力ポートＰｏ４，Ｐｏ５の電位を高電位電源Ｖｃｃに設定する。 - 特許庁

When a signal for programming an anti-fuse 90 is inputted, an output voltage of a variable voltage generation part 10 is raised to source voltage potential.例文帳に追加

アンチヒューズ９０をプログラミングするための信号が入力されると、可変電圧発生部１０の出力電圧が電源電圧電位に上昇させられる。 - 特許庁

A back-gate bias deeper than a source potential is applied to each of field-effect transistors P1-P6 configuring the current-mirror circuit and the first to fourth current sources.例文帳に追加

カレントミラー回路および第１〜第４の電流源を構成するそれぞれの電界効果トランジスタＰ１〜Ｐ６にソース電位より深いバックゲートバイアスを与える。 - 特許庁

Each internal circuit reduces sub-threshold current by switching a level of a drive power source potential in accordance with corresponding control signals CKE1-CKE5.例文帳に追加

各内部回路は、対応する制御信号ＣＫＥ１〜ＣＫＥ５に応じて、駆動電源電位のレベルを切替えることによりサブスレッショルド電流の低減を図る。 - 特許庁

The cathode voltage Vk of the cathode power source 8 or a GND potential is selected by switching operation of the switch 7 and is supplied to the cathode electrode 5.例文帳に追加

スイッチ７の切り替え動作により、カソード電源８のカソード電圧Ｖｋ及びＧＮＤ電位のいずれかが選択されて、カソード電極５に供給される。 - 特許庁

The cathode potential of the free wheel diode FD is raised by a specified voltage Vp by a power source 74, and it is applied to the anode of a diode 70 for detection.例文帳に追加

フリーホイールダイオードＦＤのカソード電位は、電源７４にて電圧Ｖｐだけ上昇されて、検出用ダイオード７０のアノードに印加される。 - 特許庁

An electromagnetic wave generator 100 generates electromagnetic waves by using power supplied from a power source 104, causing induced potential to be generated at the gate electrode of a wafer 101.例文帳に追加

電源１０４から供給された電源により、電磁波発生器１００は電磁波を発生し、ウエハ１０１内のゲート電極に誘導電位が発生する。 - 特許庁

I see Africa as becoming a potential and reliable source of global economic growth forward, and thus a partner with the other regions of the world towards sustainable global growth. 例文帳に追加

助の対象ではなく、今後の世界経済の潜在的な牽引役として、世界の他地域とともに成長に向けて協力していくパートナーと考えます。 - 財務省

To provide a writing method for a nonvolatile semiconductor device which allows an electric potential difference between a source and a drain to be reduced to shorten the gate length of a memory cell.例文帳に追加

ソース−ドレイン間の電位差を小さくしてメモリセルのゲート長を短くすることができる不揮発性半導体記憶装置の書込方法を提供する。 - 特許庁

Further, an adverse effect on sense operation can be prevented by generating pre-charge potential without using power source voltage Viic for the core of a sense amplifier.例文帳に追加

さらに、センスアンプ用のコア用電源電圧Ｖiic を用いることなくプリチャージ電位を生成することにより、センス動作への悪影響も回避できるようにする。 - 特許庁

The neutral point n of a power source connected to the input of an inverter circuit 2 is grounded via the secondary winding of the transformer 11 of the potential compensator.例文帳に追加

インバータ回路２の入力に接続される直流電源の中性点ｎには、電位補正器のトランス１１の２次側巻線を介して接地される。 - 特許庁