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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > potential sourceに関連した英語例文

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potential sourceの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 1660



例文

To provide an optical DVI (digital visual interface) cable which does not cause a destruction of an input output device even if there arises a potential difference between an internal power source and an external power source in a combination type of the internal power feed type and an external power feed type.例文帳に追加

内部給電方式と外部給電方式の兼用タイプにおいて、内部電源と外部電源との間で電位差が生じることがあっても、入出力装置の破壊を招かない光DVIケーブルを得る。 - 特許庁

In a region divided in the left side of figure by a gate electrode 107, a first source region 103a, a body potential extraction region 105, and a second source region 103b are formed in this order along the vertical direction of the figure.例文帳に追加

ゲート電極107によって図1の左側に区分された領域には、図1の上下方向に沿って順に第1のソース領域103a、ボディ電位取り出し領域105、第2のソース領域103bが形成される。 - 特許庁

A conductive plate 26 is brought to a floating potential in a DC, and a trench plate 24 is formed between a source electrode 28 and the buried oxide film 21, thus connecting the conductive plate 26 on the source electrode 28 side through the trench plate 24.例文帳に追加

導電プレート26を直流的にフローティング電位にし、ソース電極28と埋込み酸化膜21との間にトレンチプレート24を設けることにより、トレンチプレート24を介して導電プレート26をソース電極28側に接続する。 - 特許庁

The DC-DC converter comprises a coupling capacitance between a power supply voltage VB and the source of a high side nch transistor FET1, and has a switch part connected between the source of a high side nch transistor FET2 and a ground potential.例文帳に追加

DC−DCコンバータは、電源電圧VBとハイサイドnchトランジスタFET1のソースとの間にカップリング容量を備え、ハイサイドnchトランジスタFET2のソースおよび接地電位の間にスイッチ部が接続される。 - 特許庁

例文

At the writing, source line potential is made to change by a designated sequence, and a current is set to flow only in one direction in the source line to which a plurality of selection memory cells are connected in common in each stage of the sequence for operation.例文帳に追加

書込時において、ソース線電位を所定のシーケンスで変化させ、複数の選択メモリセルが共通に接続するソース線には、動作シーケンスの各段階において一方方向にのみ電流が流れるように設定する。 - 特許庁


例文

The method is also constituted so that the pressure is measured by applying a potential capable of detecting only ions generated from the ion source to the cylindrical electrode of the energy analyzer in order to remove the influence by ions generated outside the ion source.例文帳に追加

また、イオン源外部で生成されたイオンの影響を取り除くために、エネルギーアナライザーの円筒形電極にイオン源で生成されたイオンのみ検出できる電位を印加して圧力測定を行うように構成される。 - 特許庁

The control apparatus 17 is connected to a coating material supply source 6, a shaping air source 9, and a high voltage generation apparatus 13 to move the outside electrodes 12 back and forth corresponding to the amount of the coating material to be sprayed, the pressure of shaping air to be sprayed, and the potential of the high voltage.例文帳に追加

また、制御装置17は、塗料供給源6、シェーピングエア源9、高電圧発生装置13に接続され、塗料の吐出量、シェーピングエアの吐出圧、高電圧の電位に応じて外部電極12を進退させる。 - 特許庁

The current sources 1 and 2 cause a reference current Iref to flow to a side of a low-potential side power source VSS on the basis of a reference voltage supplied from a band gap reference circuit 4.例文帳に追加

電流源1及び2はバンドギャップリファレンス回路4から供給される基準電圧に基づいて基準電流Irefを低電位側電源VSS側に流す。 - 特許庁

Relating to a first current source, its one end is connected to a first potential, while the other end is connected to one end of the first and second transistors, for outputting a constant current.例文帳に追加

第1の電流源は、第1の電位に一端が接続され、前記第1および第2のトランジスタの一端に他端が接続され、定電流を出力する。 - 特許庁

例文

When a constant current source circuit 58L is turned off in a differential input section 44L, the potential of an output terminal (a node) NL is increased to an approximate level of a power supply voltage Vdd.例文帳に追加

差動入力部44Lでは、定電流源回路58Lがオフすることで、出力端子(ノード)NLの電位がほぼ電源電圧Vddのレベルまで上昇する。 - 特許庁

例文

Each charge potential on the photosensitive drum of each image forming section is calculated based on the temporal transfer voltage and the transfer voltage (Vtall) to be applied to the power source (S7).例文帳に追加

各画像形成部の感光ドラムの帯電電位を、上述の仮の転写電圧と電源に印加する転写電圧(Vtall)とからそれぞれ算出する(S7)。 - 特許庁

To provide a measurement device which easily and stably measures a source voltage and a current of an impressed-current protection apparatus, and an electric potential between a reinforcing bar and a reference electrode.例文帳に追加

外部電源式電気防食装置の電源電圧、電流及び鉄筋と照合電極との間の電位の安定した測定を容易に行うことを可能にする。 - 特許庁

To simplify a potential-fixing structure of an electron source supporter, while keeping uniformity of the distribution of electron beam amount in the long direction of filaments to be at the same level as that of the conventional examples.例文帳に追加

フィラメントの長さ方向における電子線量分布の均一性を従来例と同程度に維持しつつ、電子源支持体の電位固定構造を簡素化する。 - 特許庁

VBTSEL is inputted to a Nch gate and a Pch gate of a transfer gate 7, a higher potential is connected always to the power source terminal 10 of the VBB generating circuit 3.例文帳に追加

トランスファーゲート7のNchゲート、Pchゲートには、VBTSELが入力し、高い方の電位が常にVBB発生回路3の電源端子10に接続される。 - 特許庁

To prevent various kinds of accidents by detecting a leak current generated in a connector part which is the output terminal of a high voltage power source in a power unit for potential therapeutic instrument.例文帳に追加

電位治療器の電源装置における高圧電源の出力端子であるコネクタ部に発生するリーク電流を検出して、各種の事故を未然に防止する。 - 特許庁

To provide a low cost timer device using a constant exciting relay instead of using a latch relay as an output relay for a timer device that uses capacitor potential divider power source.例文帳に追加

コンデンサ分圧電源を使用したタイマー装置の出力用リレーとしてラッチリレーを使用していたが常時励磁式リレーを使用し安価なタイマ装置を実現する。 - 特許庁

The module is located and designed, and in the crossing part of the same potential between the band-shaped portion of the module in the other expression and power source wiring for bump array attachment, an inter-layer contact hole is designed.例文帳に追加

モジュールを配置設計し、該他の表現形態のモジュールの該帯状部分と該バンプアレイ付着用電源配線との同電位交差部に層間コンタクトホールを設計する。 - 特許庁

An oscillation circuit 10 is provided with a control circuit 200 for controlling the source potential of an MOSFET 18 comprising a signal inverting amplifier 14 while utilizing a substrate bias effect.例文帳に追加

発振回路10は、信号反転増幅器14を構成するMOSFET18のソース電位を、基板バイアス効果を利用して制御する制御回路200を含む。 - 特許庁

In the electroluminescent display, the pixel driving circuit is coupled between a ground potential terminal and a negative voltage terminal of a power source to drive the operation of a light-emitting device.例文帳に追加

エレクトロルミネセントディスプレイにおいて、画素駆動ユニットは、電源を成す接地電位端と負電圧端との間に接続されて、発光素子を駆動するように構成されている。 - 特許庁

The sense amplifier SA adjusts the reference voltage Vrefb of a constant current source 80 to set nodes N1 and N2 to high potential levels, e.g., 0.6V or more.例文帳に追加

本願構成のセンスアンプSAは、定電流源80の基準電圧Vrefbを調整してノードN1,N2を高い電位レベルたとえば0.6V以上に設定する。 - 特許庁

A power source 211 applies DC voltage between a second electrifying member 21 and a photoreceptive drum 1, so that the photoreceptive drum 1 is electrified to a certain level of potential.例文帳に追加

電源211は第二帯電部材21と感光体ドラム1との間に直流電圧を印加し、これによって、感光体ドラム1はある程度の電位に帯電する。 - 特許庁

Because nMOS transistors 141 to 143 are turned off when all the test signals, TCLK, TWE, and TRE are in low level, the electric potential of pads 134 is pulled-up to the constant current source 144.例文帳に追加

試験用信号TCLK,TWE,TREがすべてローレベルのときには、nMOSトランジスタ141〜143がオフしているので、パッド134の電位は定電流源144にプルアップされている。 - 特許庁

To obtain the power-on reset circuit which can surely generate a reset pulse, even for both cases where a source potential Vdd rises quickly or slowly.例文帳に追加

電源電位Vddが急峻に上昇した場合でも、緩やかに上昇した場合でも確実にリセットパルスを形成することができるパワーオンリセット回路を提供する。 - 特許庁

The floating of a source line potential is prevented, a memory cell current is accurately generated according to stored data, and data are read at a high speed.例文帳に追加

ソース線電位の浮き上がりを防止することができ、正確に記憶データに応じたメモリセル電流を生じさせることができ、高速でデータの読出を行うことができる。 - 特許庁

An internal power voltage-down circuit VDC1 is placed to set the voltage of the main power supply L1 higher than a normal operation power source voltage of the higher potential side.例文帳に追加

内部電源電圧降圧回路VDC1aを配置し、メイン電源線L1の電圧を通常の高電位側の動作電源電圧より高く設定する。 - 特許庁

The potential of a photodiode 10 is detected with amplifying transistor 30 by a source follower and oupt to an A/D converter 80 for converting an analog signal into a digital signal.例文帳に追加

フォトダイオード10の電位をソースフォロアによる増幅トランジスタ30で検出し、A/D変換器80に出力し、アナログ信号からデジタル信号に変換する。 - 特許庁

The base of the switching element Tr2 is maintained at a positive potential by a power source Vcc, so that the element Tr2 performs on/off control synchronously with the on/off operation of the switching element Tr1.例文帳に追加

スイッチング素子Tr2のベースは、電源Vccにより正の電位に保たれているため、スイッチング素子Tr1のON/OFF動作に同期してON/OFF制御する。 - 特許庁

The positive side of a DC bias power source 48 is connected to the discharging electrode 40, and a DC bias voltage whose polarity is opposite to that of the electrostatic potential of the photoreceptor 14 is applied on the electrode 40.例文帳に追加

放電電極40は直流バイアス電源48のプラス側が接続され、感光体14の帯電電位と逆極性の直流バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

To realize an electric charge transfer type amplifier of a 1/2 Vcc pre-charge system, in which a bit line is pre-charged with a potential that is a half of the power source voltage to prevent increasing circuit scale.例文帳に追加

回路規模の増大を防止して電源電圧の1/2の電位でビット線をプリチャージする1/2Vccプリチャージ方式の電荷転送型アンプを実現する。 - 特許庁

A capacitor C2 is connected in parallel to a resistance R5a which connects the base to a voltage source (Va) in order to fix potential in the base and the emitter of the transistor Tr2.例文帳に追加

またトランジスタTr2のベースとエミッタの電位を固定するためにベースと電圧源(Va)を接続する抵抗R5にコンデンサC2を並列接続している。 - 特許庁

In reading from a memory cell array 10, a plate line PL is charged to a power source potential VDD before drive of a corresponding word line WL by a drive control circuit 50.例文帳に追加

メモリセルアレイ10に対する読み出し時、駆動制御回路50によって該当するワード線WLの駆動前にプレート線PLを電源電位VDDに充電する。 - 特許庁

The pen 7 detects change in electric potential of an amplitude proportional to a distance (a y-coordinate) from the source driving circuit 3, which is caused to all signal wirings generally simultaneously via capacitor.例文帳に追加

ペン7は、容量を介して全信号配線に略同時に発生するソース駆動回路3側からの距離(y座標)に比例した振幅の電位変化を検出する。 - 特許庁

A switching transistor Tr3 is turned on in response to a control signal AZ1 supplied from a scanning line AZ1 and sets the source S of the driving transistor to a potential Vini.例文帳に追加

スイッチングトランジスタTr3は、走査線AZ1から供給される制御信号AZ1に応じオンして駆動トランジスタのソースSを電位Viniに設定する。 - 特許庁

A reference circuit with a current source 70, a transistor 60, and a resistor R connected thereon in series sequentially from the high-potential VCC side is provided in parallel with a fuse line.例文帳に追加

高電位VCC側から順番に電流源70、トランジスタ60及び抵抗器Rが直列に接続された基準回路をヒューズラインと並列に設ける。 - 特許庁

Thereby, insufficient Vth correction caused by an excessive increase of a source potential Vs in the drive transistor Tr2 can be avoided without using a three-valued voltage.例文帳に追加

3値の電圧を用いることなく、駆動トランジスタTr2におけるソース電位Vsの過大な上昇に起因した不十分なVth補正動作を回避することができる。 - 特許庁

Plasma source gas is supplied from a tank 150 at grounding potential to the plasma chamber 102 through a regulator 152, a control valve 156 and a flow restrictor 158.例文帳に追加

プラズマ源ガスは接地電位にあるタンク150からレギュレータ152、調整弁156、および流量制限器158を介してプラズマ室102に供給される。 - 特許庁

Formation of a mask can be facilitated by employing an identical pattern in the diffusion layer constituting the source potential connection transistor and in the diffusion layer of a memory cell transistor.例文帳に追加

また、ソース電位接続トランジスタを構成する拡散層の形状をメモリセルトランジスタの拡散層の形状と同一パターンにすることで、マスク作成の容易化を実現できる。 - 特許庁

A conductivity type is applied to the semiconductor layer overlapped with the lower electrode by an electric potential (electric field) of the lower electrode, and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位(電界)により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。 - 特許庁

To perform high quality display by reducing signal noise such as noise in power source potential caused by a phase difference correction circuit in an electrooptical apparatus such as a liquid crystal display.例文帳に追加

液晶装置等の電気光学装置において、位相差補正回路に起因した、電源電位におけるノイズ等の信号ノイズを低減し、高品位な表示を行う。 - 特許庁

A fourth source-drain diffusion layer 22B is electrically connected to a second diffusion layer 27 and has the same potential as that of the second well 52 and that of the second diffusion layer 27.例文帳に追加

第4のソース・ドレイン拡散層22Bは、第2の拡散層27と電気的に接続され且つ第2のウェル52及び第2の拡散層27と同電位である。 - 特許庁

This is based on that the three-phase voltage as the instructed voltage V* applied to the three-phase coil is controlled taking the potential Vb of the DC power source 32 as the center.例文帳に追加

これは、三相コイルに印加する指令電圧V*としての三相交流は直流電源32の電位Vbを中心として制御されることに基づいている。 - 特許庁

Parasitic capacity between the other terminals B and source potential (VSS) can be reduced, because the region 12 and region 11 are to become a low concentration P-N juction.例文帳に追加

N型ウェル領域12とP型ウェル領域11とが低濃度PN接合となるので、他方の端子Bとソース電位(VSS)間の寄生容量を低減できる。 - 特許庁

When the surface potential of the photosensitive body reaches 1000V to exceed the output voltage, the source voltage is made higher than the gate voltage to turn on the FET 301.例文帳に追加

一方、感光体表面電位が1000Vとなり出力電圧を越えた場合、ゲート電圧がよりもソース電圧が高くなりFET301がONする。 - 特許庁

An intermediate potential is used as an operation voltage via a source follower consisting of the non-doped n-channel transistors for drain load resistors R1-R4 of a first stage, thereby realizing low power supply voltage.例文帳に追加

初段のドレイン負荷抵抗R1〜R4に対して、ノン・ドープNchトランジスタからなるソース・フォロアを介した中間電位を動作電圧とすることにより低電源電圧化する。 - 特許庁

Signal charges transferred from a charge transfer part are accumulated in a floating diffused layer 12, and change of potential of the floating diffused layer is amplified with a two-stage source follower circuit and outputted.例文帳に追加

電荷転送部を転送されてきた信号電荷を浮遊拡散層12に蓄え、浮遊拡散層の電位変動を2段ソースフォロア回路で増幅して出力する。 - 特許庁

An adjusting circuit (50) adjusts the drive voltage (Vgx) to be applied by each of the lower arm side drive circuits (40) in response to variation in potential of a source terminal of each of the lower arm side switching elements (20).例文帳に追加

そして、調整回路(50)によって、下アーム側スイッチング素子(20)のソース端子の電位変動に応じ、下アーム側ドライブ回路(40)が印加する駆動電圧(Vgx)を調整する。 - 特許庁

At the time of read-out operation, a ground potential GND is applied to a bit line SBL5 connected to a source region of one memory cell transistor MC04 being object of read-out.例文帳に追加

読み出し動作時に、読み出し対象となった一のメモリセルトランジスタMC04のソース領域につながるビット線SBL5に接地電位GNDを印加する。 - 特許庁

To enable realizing block erasure by cutting off a memory cell current of a defective bit line after redundancy replacing and suppressing reduction of a source line potential in block erasure.例文帳に追加

冗長置き換え後の不良ビット線下のメモリセル電流をカットオフすることにより、ブロック消去時のソース線電位の低下を抑制し、ブロック消去を実現可能とする。 - 特許庁

Moreover, a resistance is added between the source and ground terminal of a pair of RF signal input MOS transistors so that any influence of the pulsation of the potential of the ground terminal can be reduced.例文帳に追加

さらにRF信号入力MOSトランジスタ対のソースと接地端子間に抵抗を追加することによって、接地端子の電位の脈動の影響を低減する。 - 特許庁

例文

To provide a semiconductor device which can suppress generation of a leakage current between a well and a source/drain region, while keeping a substantial level of well potential.例文帳に追加

ウェル電位を十分な高さに保ちつつ、ウェルとソース・ドレイン領域との間におけるリーク電流の発生を抑えることのできる半導体装置を提供する。 - 特許庁




  
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