「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

Ground potential wirings 3a, 3d and power source potential wirings 3c are provided between wirings 4a, 4b, 4c, 4d, 5a for interconnection of nodes in the circuit components and wirings 1b, 2d in the circuit components so as to approximately cover the circuit components.例文帳に追加

回路部品内節点の相互接続に使用される配線４a、４ｂ、4 c、4 d、５aと回路部品内配線１b、２ｄとの間に、接地電位配線３ａ、３ｄと電源電位配線３ｃの双方が、上記回路部品を概ね被覆するように設けられている。 - 特許庁

Thereby the potential difference Vsf between a source and a floating gate 15 is not reduced in the case that quantity of electrons accummulated in the floating gate 15 is reduced with the progress of erasing operation and floating gate potential Vf is increased, and erasing operation time is not increased.例文帳に追加

これにより、フローティングゲート１５に蓄積されている電子量が消去動作の進行と共に減少してフローティングゲート電位Ｖｆが大きくなっても、ソース−フローティングゲート間の電位差Ｖｓｆが小さくならず、消去動作時間が延びないようにできる。 - 特許庁

Based on potential V_OUT+ of a non-inverting output terminal N_OUT+ and potential V_OUT- of an inverting output terminal N_OUT- of BTL amplifier 2, an erroneous connection state that N_OUT+ or N_OUT- is short-circuited to a power source V_CC, etc. is detected.例文帳に追加

ＢＴＬ増幅器２の非反転出力端子Ｎ_ＯＵＴ＋の電位Ｖ_ＯＵＴ＋及び反転出力端子Ｎ_ＯＵＴ−の電位Ｖ_ＯＵＴ−に基づいて、Ｎ_ＯＵＴ＋又はＮ_ＯＵＴ−が電源Ｖ_ＣＣ等に短絡した誤接続状態を検出する。 - 特許庁

The control unit 4 performs generation of the pulse light P from the pulse light source 2 and raising of a potential difference between both terminals of the MCP respectively cyclically and opens the gate of the photoelectric plane within a period for raising the potential difference between both the terminals after the generation of the pulse light P.例文帳に追加

制御部４は、パルス光源２からのパルス光Ｐの発生およびＭＣＰの両端電位差の立ち上げをそれぞれ周期的に行うとともに、パルス光Ｐの発生後であって両端電位差の立ち上げ期間内に光電面のゲートを開放する。 - 特許庁

To prevent the potential of a backup power source input terminal from fluctuating even when an interruption switch for interrupting the supply of power for backup to a RAM backup power source input terminal provided in a microcomputer is erroneously operated during the operation of a game machine.例文帳に追加

マイコンに設けられたＲＡＭバックアップ電源入力端子に対するバックアップ用電力の供給を遮断する遮断スイッチが、遊技機の稼働中に誤って操作されてもバックアップ電源入力端子の電位が変動しないようにする。 - 特許庁

Next, the current flowing through an electric source line for supplying a driving electric source to the output buffer circuit for a certain time is measured under the condition that the test potential established on the signal terminal is maintained, while making the output buffer circuit inactivation state.例文帳に追加

次いで、出力バッファ回路を非作動状態とし、前記信号端子に設定されたテスト電位が保持される状況下で、一定時間の間に前期出力バッファ回路に駆動電源を供給する電源線を流れる電流を計測する。 - 特許庁

A pulse signal is delivered from the positive output of a pulse signal source 7 to the gate of a switching element 1 through an inductor 6 and a gate resistor 8, and the negative output of the pulse signal source 7 is connected with a reference potential VG.例文帳に追加

スイッチング素子１のゲートには、インダクタ６およびゲート抵抗８を介してパルス信号源７の正出力からパルス信号が与えられる構成となっており、パルス信号源７の負出力は、基準電位ＶＧに接続されている。 - 特許庁

Gates of the gate control transistors TA1-TE1 are imparted with predetermined voltages so that potential difference between a gate and a source rises to a threshold or higher when the source voltages of the gate control transistors TA1-TE1 are changed so as to be made conductive.例文帳に追加

ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のゲートは、ゲート制御用トランジスタＴＡ１〜ＴＥ１のソースの電圧が変化したときにゲート−ソース間の電位差が閾値電圧以上となって導通するよう、所定の電圧を与えられている。 - 特許庁

Connecting one FETQ4 source terminal of the differential amplification circuit to an FETQ3 source terminal via a diode-connected bipolar transistor Q7 enables the potential difference of the bipolar transistor Q7 to be used as an output voltage of an regulator.例文帳に追加

該差動増幅回路の一方のＦＥＴＱ４のソース端子を、ダイオード接続したバイポーラトランジスタＱ７を介して、ＦＥＴＱ３のソース端子と接続することで、バイポーラトランジスタＱ７の電位差をレギュレータの出力電圧とすることが可能となる。 - 特許庁

After the lapse of a predetermined time, the positive high-voltage internal power source VGH and the negative high-voltage internal power source VGL are switched to a fall time potential VLL, respectively after dropping voltages with a predetermined time interval by using internal power-off circuits 1, 2.例文帳に追加

所定時間経過後、正の高電圧内部電源ＶＧＨ及び負の高電圧内部電源ＶＧＬは、それぞれ内部電源立ち下げ回路１、２を用いて、所定時間ずらして降圧されそれぞれ立ち下げ時の電位ＶＬＬに切り替えられる。 - 特許庁

Power consumption in the case where the element is charged and discharged by passing through the ground potential being 0 volt is reduced to half as compared with the case where it is charged and discharged directly between the voltage +VM of a positive power source 31 and the voltage -VM of a negative power source 32.例文帳に追加

正極性電源３１の電圧を＋Ｖ_Mと負極性電源３２の電圧−Ｖ_Mとの間で直接充放電するよりも、一旦０Ｖの接地電位を経由した方が、消費電力を１／２に低減することができる。 - 特許庁

By arranging the protective means between the pixel electrode of a light emitting element and the source electrode or drain electrode of a transistor, the rapid fluctuation of the potential of the source electrode or drain electrode of the transistor by electric charges charged in the pixel electrode is mitigated.例文帳に追加

前記保護手段を発光素子の画素電極とトランジスタのソース電極又はドレイン電極との間に配置することで、該画素電極に帯電した電荷によるトランジスタのソース電極又はドレイン電極の電位の急激な変動を緩和する。 - 特許庁

The correcting means controls a current outputted from the current source 32 of the correction circuit 250 on the basis of the reference offset outputted from the control circuit, whereby the potential of a capacitor C2 or a capacitor Cd of the voltage source 230 is corrected.例文帳に追加

補正手段は制御回路から出力された基準オフセットに基づいて補正回路２５０の電流源３２から出力される電流を制御し、これにより電圧源２３０におけるコンデンサＣ２又はＣｄの電位を補正する。 - 特許庁

To provide a circuit for clamping a word-line voltage which can generate a pumping voltage of a potential being stable even for variation of power source voltage in a process in which power source voltage is pumped for not only a flash memory cell but an element driven by a high voltage.例文帳に追加

フラッシュメモリセルだけでなく、高電圧によって駆動される素子のために電源電圧をポンピングする過程において電源電圧の変化にも安定した電位のポンピング電圧を発生させ得るワードライン電圧クランピング回路を提供すること。 - 特許庁

In addition, since outputted current of the voltage controlled current source 13 is not operated in the emitting direction (the direction to raise the integrator output Vg), the voltage controlled current source 13 is operated as the integrator when the detected output Vd is higher than the inputted reference potential Vr.例文帳に追加

また、電圧制御電流源13の出力電流は、吐き出し方向（積分器出力Ｖ_gを上昇させる方向）には動作しないので、検波出力Ｖ_dが入力基準電位Ｖ_rより高い場合は積分器として動作する。 - 特許庁

To provide a fault detection system for detecting an unnecessary cable way between a reference electric potential and at least one of a floating power source (a), a first power conductor (b) connecting to a first terminal of the floating power source, and a second power conductor (c) connecting to a second terminal of the floating power source.例文帳に追加

基準電位と（ａ） 浮動電力源、（ｂ） 浮動電力源の第１の端子に結合する第１の電力導体、及び（ｃ） 浮動電力源の第２の端子に結合する第２の電力導体のうちの少なくとも１つとの間の不要な電路を検出する故障検出システムを提供する。 - 特許庁

In a P channel MOS transistor having a P+ type source diffusion layer 22 and an N well region 12 both having an identical potential, for example, the source diffusion layer 22 and an N+ type substrate diffusion layer 23 of a diffusion region different in type from the layer 22 are formed on a surface of the N well region 12 at a location corresponding to the source region.例文帳に追加

たとえば、Ｐ^+ 型ソース拡散層２２とＮウェル領域１２とが同電位になるＰチャネルＭＯＳトランジスタにおいては、Ｎウェル領域１２の表面部のソース領域に対応する部位に、ソース拡散層２２と、ソース拡散層２２とは異種拡散領域となるＮ^+ 型基板拡散層２３とを形成する。 - 特許庁

Threshold voltages of the Nch MOS transistors NMT11, NMT21, NMT31, NMT41, NMT51 provided on the side of low potential side power source (ground potential) are set larger than those of the Nch MOS transistor NMT12, NMT22, NMT32, NMT42, and NMT51.例文帳に追加

低電位側電源（接地電位）Ｖｓｓ側に設けられるＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１１、ＮＭＴ２１、ＮＭＴ３１、ＮＭＴ４１、及びＮＭＴ５１の閾値電圧はＮｃｈ ＭＯＳトランジスタＮＭＴ１２、ＮＭＴ２２、ＮＭＴ３２、ＮＭＴ４２、及びＮＭＴ５１の閾値電圧よりも大きく設定される。 - 特許庁

By this, the voltage drop of the resistor element 10, that is, a signal voltage can change to positive and negative sides from the constant intermediate potential output by the intermediate potential generator 13 and so the magnetic balance type current sensor can be functioned by the single power source 12.例文帳に追加

これにより、抵抗素子１０の電圧降下すなわち信号電圧は、中間電位発生部１３が出力する一定の中間電位を基準としてその正負両側に変化することができるため、単電源１２により磁気平衡式電流センサを作動させることができる。 - 特許庁

A drive circuit has 12 pieces of switching elements in which first switching elements for connecting or disconnecting a power source potential and second switching elements for connecting or disconnecting a ground potential are disposed at 6 pieces of coupling points of the annularly connected coil, and which are rotated at an electrical angle of 360° by 12 steps.例文帳に追加

駆動回路は、環状に接続されたコイルの６個の結合点のそれぞれに、電源電位に接続・切断するための第１のスイッチング素子と、接地電位に接続・切断するための第２のスイッチング素子とを配置した１２個のスイッチング素子を有し、１２ステップで電気角３６０°回転する。 - 特許庁

By using a frequency that resonates in series with the natural frequency f, the potential of a detection electrode pattern connected to the vibration power source circuit vibrates theoretically at an infinite amplitude relative to an input operation body of a constant potential, enabling the electrostatic capacitance to be readily detected even if it is infinitesimal relative to a finger.例文帳に追加

固有周波数ｆを直列共振する周波数とすることにより、定電位の入力操作体に対し振動電源回路に接続する検出電極パターンの電位は理論上無限大の振幅で振動し、指との静電容量が微小であっても容易に検出できる。 - 特許庁

To prevent a switching element S*p on a high potential side from being brought into an inappropriate driven state due to a drop in voltage of a capacitor C*(*=u,v,w) which is a power source of a drive unit DU on the high potential side when a prediction model control is employed in a system using a bootstrap circuit.例文帳に追加

ブートストラップ回路を用いたシステムにおいて、モデル予測制御を適用する場合、高電位側のドライブユニットＤＵの電源となるコンデンサＣ＊（＊＝ｕ，ｖ，ｗ）の電圧が低下することで、高電位側のスイッチング素子Ｓ＊ｐを適切に駆動することができなくなるおそれがあること。 - 特許庁

Meanwhile, the potential difference between the substrate 3 and negative electrode 4 is detected by a voltage detecting element 11, and the current source 6 is turned off by a control part 12 when the potential difference detected by the element 11 begins to decrease to finish the anodization.例文帳に追加

また、電圧検出部１１は、ｎ形単結晶シリコン基板３と負極４との間の電位差を検出し、制御部１２は、電圧検出部１１により検出した電位差が低下し始めた時点で電流源６をオフさせることにより陽極酸化を終了させる。 - 特許庁

A power source 21 controlled by a CPU is connected to the box-shaped electrode 18a and the rotating brush body 18b, and an oscillating bias potential on which a DC component and an AC component having potentials approximately equal to a surface potential of the photoreceptor 11 after toner image transfer to a recording medium are superposed is applied.例文帳に追加

箱型電極１８ａと回転ブラシ本体１８ｂにはＣＰＵで制御される電源２１が接続され、トナー像が記録媒体に転写された後の感光体１１の表面電位と略同一電位であるＤＣ成分とＡＣ成分を重畳した振動バイアス電位が印加される。 - 特許庁

The potential changing circuit C2 pulls down the potential of one end of the optical element 1 and applies a bias opposite to that at the time of performing light emission to the optical element 1 whilst the interval between the optical element 1 and the power source Vdd is interrupted by the interrupting circuit Tr3.例文帳に追加

電位変動回路Ｃ２は、遮断回路Ｔｒ３により光学素子ＯＬＥＤ１と電源Ｖｄｄとの間が遮断されている間に、光学素子ＯＬＥＤ１の一端の電位を引下げ、光学素子ＯＬＥＤ１に対して発光時とは逆のバイアスがかけられる。 - 特許庁

A wiring 4 for inspection to which a ground potential level or a power source potential level can be applied at an inspection process is provided between a bonding pad 1 and an active area 3 which is the closest to the bonding pad 1, so as net to be brought into contact with any bonding pad 1 or active area 3.例文帳に追加

ボンディングパッド１とそのボンディングパッド１に最も近い能動領域３との間に、検査工程時に接地電位レベルまたは電源電位レベルを印加され得る検査用配線４を、ボンディングパッド１および能動領域３の何れとも接触しないように設ける。 - 特許庁

The photodetecting TFT 18 flows current from the power source to one end of storage capacitor 12 according to emitted light intensity of an EL element 16, changes an amount of charges to be accumulated in the storage capacitor 12 and performs correction control of gate potential of the drive transistor 14 from potential according to a data signal.例文帳に追加

受光ＴＦＴ１８は、ＥＬ素子１６の発光光強度に応じて電源から保持容量１２の一端に電流を流し、保持容量１２に蓄積する電荷量を変化させ、駆動トランジスタ１４のゲート電位をデータ信号に応じた電位から補正制御する。 - 特許庁

When a negative potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a positive potential is applied to the source of the FET1, the second current path is conducted and the first current path is interrupted to drive the gate of the FET1 which is thereby conducted thus conducting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに負電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに正電位が印加されるとき、第２の電流路が導通されることにより、第１の電流路は遮断され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を導通させ整流電流路を導通する。 - 特許庁

A protection circuit 40 is disposed between a junction of the source terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) and an input terminal of the switch element, and the ground potential to lead a negative current flowing in from a drain terminal of the fourth n-channel MOSFET (Mn4) owing to electrostatic discharge to the ground potential.例文帳に追加

保護回路４０は、第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のソース端子と上記スイッチ素子の入力端子の接続点と、グラウンド電位との間に設けられ、静電気放電による第４ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ（Ｍｎ４）のドレイン端子から流入する負電流をグラウンド電位に流す。 - 特許庁

When a positive potential is applied to the drain of the FET1 and the collector of the transistor Q2 and a negative potential is applied to the source of the FET1, the second current path is interrupted and the first current path is conducted to drive the gate of the FET1 which is thereby interrupted thus interrupting the rectification current path.例文帳に追加

ＦＥＴ１のドレインとトランジスタＱ２のコレクタに正電位が印加され、ＦＥＴ１のソースに負電位が印加されるとき、第２の電流路が遮断されることにより、第１の電流路は導通され、ＦＥＴ１のゲートを駆動し、ＦＥＴ１を遮断させ整流電流路を遮断する。 - 特許庁

A resistance element with a fixed value and operation characteristics of the transistor represented as the source voltage which varies with time are represented while divided into a linear area wherein the current increases with variation of the gate potential and the saturation area wherein the gate potential is constant and the current gradually decreases.例文帳に追加

固定値の抵抗素子と、時間に対して変化する電源電電圧で表す前記トランジスタの動作特性を、ゲート電位の変化で電流が増加する直線領域とゲート電位一定で電流が漸減する飽和領域とに分けて表現するものである。 - 特許庁

A current Ids is passed in this state from driving potential wiring Vcr through a resistor R1 to the driving TFT: Q10 by a potential applied to an input terminal Pr and the gate-source voltage Vgs of the driving TFT: Q10 of this time is stored in the capacitor C3.例文帳に追加

この状態で入力端子Ｐｒに与えた電位により抵抗Ｒ１を介して駆動電位配線Ｖｃｒから駆動用ＴＦＴ：Ｑ１０に電流Ｉｄｓを流し、このときの駆動用ＴＦＴ：Ｑ１０のゲート・ソース間電圧ＶｇｓをコンデンサＣ３に記憶する。 - 特許庁

As a source voltage switching section which performs switching between a first potential Vcc_H and a second potential Vcc_L based on a power supply pulse DS from a power supply scanning line 105DS, a buffer circuit 530 with inverter constitution is provided between the power supply scanning line 105DS and a drain end D of the driving transistor.例文帳に追加

電源走査線１０５DSと駆動トランジスタ１２１のドレイン端Ｄとの間に、電源走査線１０５DSからの電源走査パルスDSに基づき第１電位Ｖcc_Hと第２電位Ｖcc_Lとを切り替える電源電圧切替部としてインバータ構成のバッファ回路５３０を設ける。 - 特許庁

Following relation is set among cell well voltage Vsub, gate voltage Vg, source voltage Vs, and drain voltage Vd; Vsub≥Vg>Vs>Vd, so that Vg-Vd becomes larger than a potential difference generated by the tunnel current between bands, and Vsub-Vd becomes equal to or larger than the barrier potential of a tunnel insulating film.例文帳に追加

セルウェル電圧Ｖｓｕｂ、ゲート電圧Ｖｇ、ソース電圧Ｖｓ、ドレイン電圧Ｖｄの関係をＶｓｕｂ≧Ｖｇ＞Ｖｓ＞Ｖｄとし、Ｖｇ−Ｖｄがバント間トンネル電流の発生電位差以上となり、且つ、Ｖｓｕｂ−Ｖｄがトンネル絶縁膜の障壁電位と比べてほぼ同等以上となるようにする。 - 特許庁

The track and hold circuit which includes an NMOS transistor switch 603 and a hold capacitor 4 is provided for changing input signals in an in-phase manner to make a bulk potential of the NMOS transistor switch 603 lower than or equal with either that of the input signals or a source potential.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタスイッチ６０３とホールドキャパシタ４とを含んでなり、ＮＭＯＳトランジスタスイッチ６０３のバルク電位を入力信号あるいはソース電位のいずれよりも低いか同じとなるように入力信号を同位相で変化させるトラックアンドホールド回路を提供する。 - 特許庁

In the display device, the source voltage Vs of a transistor TR2, which drives the light emitting element 8, is set to a predetermined potential, and the variation of light emission luminance is corrected by the variation of threshold voltage Vth of the transistor TR2 , then the predetermined potential is supplied from a signal line SIG side.例文帳に追加

本発明は、発光素子８を駆動するトランジスタＴＲ２のソース電圧Ｖｓを所定電位に設定して、このトランジスタＴＲ２のしきい値電圧Ｖｔｈのばらつきにより発光輝度のばらつきを補正するようにして、この所定電位を信号線ＳＩＧ側より供給する。 - 特許庁

A charging detection device causes a module D68 to compare a potential of a feedback signal input in a lamp lighting control IC 61 from a module B67 to a negative reference potential so as to detect overcurrent of a switching FET 53 for controlling the lighting of a light source lamp 11.例文帳に追加

本発明の帯電検知装置は、光源ランプ１１の点灯を制御するスイッチングＦＥＴ５３の過電流を検出するべくモジュールＢ６７からランプ点灯制御ＩＣ６１に入力されるフィードバック信号の電位と負の基準電位とをモジュールＤ６８が比較する。 - 特許庁

An adjusting circuit 32 obtains deviation between a potential of the neutral point B and an average potential of the potentials +HV, -HV, at both output ends of the single power source and adjusts a drive current to be supplied to the winding 30w of the phase W so as to reduce this deviation to zero by feeding back the deviation.例文帳に追加

調整回路３２は、中性点Ｂの電位と、単電源の両出力端の各電位＋ＨＶ，−ＨＶの平均電位との偏差を求め、この偏差をフィードバックして、この偏差が実質的にゼロとなるように、Ｗ相の巻線３０ｗに供給する駆動電流を調整する。 - 特許庁

Relating to a first package of the semiconductor device where a semiconductor chip and a spacer are mounted on a wiring board 2, a noise shielding layer 1 which is connected to a ground wiring different from a reference potential wiring that keeps a reference potential of a power source, is formed on the wiring board 2.例文帳に追加

本発明の半導体装置は、半導体チップとスペーサーとが配線基板２に実装された第１パッケージに関して、配線基板２には、電源の基準電位を保持する基準電位配線とは異なる接地配線に接続されたノイズ遮蔽層１が形成されている。 - 特許庁

To provide an estimation method of conductivity or a dielectric constant capable of estimating directly the conductivity or the dielectric constant only from measured data of an electric potential or an electric field in a concerned domain without generating an electric potential distribution artificially by an external voltage or a current source.例文帳に追加

外部電圧又は電流源により人工的に電位分布を生じさせることなく、また、関心領域内の電位又は電界の測定データのみから誘電率又は導電率を直接的に推定できる誘電率又は導電率推定方法を提供する。 - 特許庁

A drive transistor 3B receives the supply of the current from a power source line DSL101, and passes the driving current to a light emitting element 3D according to the signal potential held in a holding capacitor 3C.例文帳に追加

駆動用トランジスタ３Ｂは、電源線ＤＳＬ１０１から電流の供給を受け保持容量３ｃに保持された信号電位に応じて駆動電流を発光素子３Ｄに流す。 - 特許庁

To provide a power source wiring method for a semiconductor integrated circuit, that can ensure a noise suppression effect by verifying and correcting a connection error caused by the overlap of branched power supply wirings of the same electric potential.例文帳に追加

分岐させた同電位の電源配線が重なる接続エラーを検証および修正し、ノイズ抑制効果を確実にする半導体集積回路の電源配線方法を提供する。 - 特許庁

That is, by means of adjusting output resistance R of the bias power source V, potential in the transfer nip part N1 in consequence of the fixing bias is prevented from becoming the polarity equal to that of the toner.例文帳に追加

つまり定着バイアス電源Ｖの出力抵抗Ｒを調整することで、定着バイアスによる転写ニップ部Ｎ１での電位がトナーと同極性にならないようにする。 - 特許庁

In addition, the display device of this invention has a storage circuit which stores output of the imaging element and a compensation circuit which compensates a video signal and power source potential based on the output of the imaging element.例文帳に追加

また、本発明の表示装置は、撮像素子の出力を記憶する記憶回路と、撮像素子の出力に基づき映像信号と電源電位を補正回路とを有する。 - 特許庁

If the clock signal CK changes to 'H', the PMOSs 7 and 8 are turned off and on, respectively, the electric potential of the internal node NA is fluctuated by parasitic capacitance between the source and the substrate of the PMOS 6.例文帳に追加

クロック信号ＣＫが“Ｈ”に変化すると、ＰＭＯＳ７，８がそれぞれオフ、オンになり、内部ノードＮＡの電位はＰＭＯＳ６のソース・基板間の寄生容量Ｃｐによって変動する。 - 特許庁