「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(33ページ目) - Weblio英語例文検索

Information is written by turning on the writing transistor so that a potential of the bit line is supplied to a node where one of a source electrode and a drain electrode of the writing transistor and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected, and then turning off the writing transistor so that a predetermined amount of charge is held in the node.例文帳に追加

情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極が電気的に接続されたノードにビット線の電位を供給し、その後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させる。 - 特許庁

When the node α is in the floating state, a capacitive coupling between the gate and the source of the TFT 203 by the capacity 205 is used to make a potential of the node α higher than VDD, so that an output signal having an amplitude between VDD and GND can be normally obtained without amplitude attenuation due to a threshold of the TFT.例文帳に追加

ノードαが浮遊状態のとき、容量２０５によるＴＦＴ２０３のゲート−ソース間の容量結合を利用してノードαの電位をＶＤＤよりも高い電位とし、これによって、ＴＦＴのしきい値に起因する振幅減衰が生ずることなく、正常にＶＤＤ−ＧＮＤ間の振幅を持った出力信号を得ることが出来る。 - 特許庁

The start of the drive transistor threshold detection operation for boostrap is determined by off of the first detecting transistor T1 and the end of the threshold detection operation is determined by off of the switching transistor T3 connecting the drain of the drive transistor and a power source potential, thereby averting the sharpness defect caused by the current that the drive transistor flows after the threshold detection operation.例文帳に追加

そしてブートストラップ用ドライブトランジスタ閾値検出動作の開始を、第１の検知トランジスタＴ１のオフで決定し、また閾値検出動作の終了をドライブトランジスタのドレインと電源電位を接続しているスイッチトランジスタＴ３のオフで決定することにより、閾値検出動作後にドライブトランジスタが流す電流によって生じる画質不良を回避する。 - 特許庁

This image forming device has a voltage impression member 8 in the vicinity of a downstream along a transfer body moving direction in a transfer nip, and an electric power source part 81 for impressing a voltage to the voltage impression member 8, and the voltage impression member 8 outputs a voltage having the polarity same to that of toner and proportional to information of a toner layer potential on a transfer body.例文帳に追加

転写ニップの転写体移動方向下流側近傍に電圧印加部材８と、電圧印加部材８に電圧を印加する電源部８１と、を有し、電源部８１は、トナーと同極性で、かつ、転写体上のトナー層電位の情報に比例した電圧を出力することを特徴とする画像形成装置とする。 - 特許庁

Writing to the memory cell is performed by: supplying potential to a node, at which a source electrode of the write transistor, one of electrodes of the capacitative element, and a gate electrode of the read transistor are electrically connected, by turning on the write transistor; and then making the node retain a predetermined amount of electric charge by turning off the write transistor.例文帳に追加

メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態として、書き込み用トランジスタのソース電極と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態として、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

To disclose technology capable of easily adjusting an operating speed and a tWR (time to write recovery) of a chip by generating a control signal for regulating a potential of an internal power source voltage of an internal circuit when the internal circuit enters into a specific mode for high-speed operation, more detailedly in setting an extended mode register about a semiconductor memory device.例文帳に追加

本発明は半導体メモリ装置に関し、より詳しくは拡張モードレジスタセッティング時に内部回路を高速動作させる特定モードに進入させる場合、前記内部回路の内部電源電圧の電位を調節する制御信号を発生してチップの動作速度及びtWRを容易に調節することができる技術を開示する。 - 特許庁

Then, the apparatus is provided with a ground wire connected to the output terminal, a DC power source serially connected to the output terminal for applying a negative voltage to the output terminal, and a changeover switch connected to the output terminal for performing changeover between the case of connecting the output terminal to the potential generator and the case of connecting it to the ground wire.例文帳に追加

そして、前記出力端子に接続されるアース線と、前記出力端子に直列に接続され、該出力端子に負電圧を印加する直流電源と、前記出力端子に接続され、該出力端子を前記電位発生器に接続する場合と前記アース線に接続する場合を切り替える切換スイッチとを具備することを特徴とする。 - 特許庁

The transfer control circuit 12 transfers data of the flash memory 11 to a DRAM 9 in response to the rise of a power source potential VDD, transfers the data of the DRAM 9 to the flash memory 11 in response to a signal PWOFF indicating that an external power switch is turned OFF, and outputs a signal READY for turning OFF an internal power switch 7.例文帳に追加

転送制御回路１２は、電源電位ＶＤＤの立上がりに応答してフラッシュメモリ１１のデータをＤＲＡＭ９に転送させ、外部電源スイッチ１５がオフされたことを示す信号ＰＷＯＦＦが与えられたことに応じてＤＲＡＭ９のデータをフラッシュメモリ１１に転送させ、内部電源スイッチ７をオフさせるための信号ＲＥＡＤＹを出力する。 - 特許庁

The atomic force microscope (AFM) 102 includes also an electric power source 130 for impressing a potential between the first tip 302 and the second tip 304, at least one mechanism 108 for generating relative motion between a probe and the surface 131, and at least one sensor 132 for detecting a current flowing between the first tip 302 and the second tip 304.例文帳に追加

該原子間力顕微鏡(102)は更に、第１の先端部(302)と第２の先端部(304)との間に電位を印加する電圧源(130)と、表面(131)とプローブ(106)との間の相対的な運動を生じさせる少なくとも１つの機構(108)と、第１の先端部(302)と前記第２の先端部(304)との間に流れる電流を検出する少なくとも１つのセンサ(132)とを含む。 - 特許庁

The present invention includes a plurality of MOS transistors of which sources are connected to different potentials and drains are connected to a common load, and a selection means which is connected to a back gate of at least one of the plurality of MOS transistors for connecting the back gate to selected one of the source of the relevant MOS transistor and a predetermined potential.例文帳に追加

ソースが異なる電位に接続され、ドレインが共通の負荷に接続された前記複数のＭＯＳトランジスタと、前記複数のＭＯＳトランジスタの内の少なくとも１つのＭＯＳトランジスタのバックゲートに接続され、前記バックゲートを、当該ＭＯＳトランジスタのソースと所定の電位との内の選択された１つに接続する選択手段とを含む。 - 特許庁

When depositing a thin film in a vacuum state on a substrate with particles flying from a thin film forming source 9 while the substrate travels along an endless belt 7 having at least an insulating layer 21 and a conductive layer 22 in this order from the side in contact with the substrate 12, the fluctuated potential difference is applied between the conductive layer 22 and the substrate 12.例文帳に追加

基板１２と接する側から順に少なくとも絶縁層２１と導電層２２を有する無終端帯７に沿って基板が走行中に、薄膜形成源９から飛来する粒子によって基板上に真空中で薄膜形成を行うにあたり、導電層２２と基板１２との間に変動する電位差を付与する。 - 特許庁

A joint section where the carbon nanotube adheres to the tip of the probe of the scanning probe microscope or the handling equipment, is dipped in a dielectric liquid section, and a portion of liquid is solidified around the joint section in order to form a reinforcing section, by applying a potential difference between the joint section and the liquid section by using an external power source, thereby reinforcing the joint section.例文帳に追加

走査型プローブ顕微鏡あるいはハンドリング機器のプローブ先端部とカーボンナノチューブとの付着部である接合部を誘電体である液体部に浸し、該接合部と液体部間に外部電源装置によって電位差を付与させて接合部周囲に液体の一部を固化させて補強部を形成し、以って接合部を強化する。 - 特許庁

A capacitance 4 for detection having the same layer structure as the auxiliary capacitance 22 disposed in each pixel is provided on an array substrate 1, a capacity value of the capacitance 4 for detection is detected as a representative of the plurality of auxiliary capacitances 22 and a potential amplitude ΔVcs of a power source wiring line Y connected to the auxiliary capacitance 22 is adjusted based on the detected value.例文帳に追加

各画素に配置された補助容量２２と同一の層構造をもつ検出用容量４をアレイ基板１に設け、複数ある補助容量２２の代表として検出用容量４の容量値を検出し、この検出値に基づいて補助容量２２に接続された電源配線Ｙの電位振幅ΔＶcsを調整する。 - 特許庁

The liquid applying apparatus 100 for spraying the liquid L and coating a material 50 to be coated with the liquid L is provided with a conductive body 14 having a spray hole 15 formed to spray the liquid L and supported elastically, a stage 52 for placing the material 50 to be coated and a power source 20 for applying a prescribed potential grounded on the stage 52 to the conductive body 14.例文帳に追加

液体Ｌを噴出する噴出孔１５が形成され、弾性的に支持された導電体１４と、被塗布物５０を載置するステージ５２と、導電体１４に、ステージ５２に対する所定の電位を付加する電源２０とを備える、液体Ｌを噴霧して被塗布物５０に液体Ｌを塗布する液体塗布装置１００。 - 特許庁

This detecting element B turns the transistor Q5 on/off according to the potential difference between both ends of the detecting resistor R1, and sends a current from a power source 4 out to the judging part 3 as a detection result reporting to the effect that the resistor R1 is disconnected, since by the on-state an open breakdown of the detecting resistor R1 is detected.例文帳に追加

この検出部Ｂは、検出用抵抗Ｒ１の両端の電位差に応じてトランジスタＱ５をオンオフし、トランジスタＱ５のオン状態により検出用抵抗Ｒ１のオープン破壊の検出状態となり、断線を検出した旨の検出結果として電源４からの電流をトランジスタＱ５を介して判定部３に送出する。 - 特許庁

This integrated circuit device comprises a comparator 1 having a reverse amplifier 2, a sampling capacitor 3 for holding a potential Vi1 of a first input signal In1, the bias source 4 of the reverse amplifier 2, a sampling switch 5 turned on during the sampling operation, a comparison switch 6 turned on during the comparing operation, and a bias switch 7 for setting the operating point of the reverse amplifier 2.例文帳に追加

コンパレータ１を、反転増幅器２と第１の入力信号Ｉｎ１の電位Ｖｉ１を保持しておくためのサンプリングコンデンサ３、反転増幅器２のバイアス源４、サンプリング動作時にオンするサンプリング用スイッチ５、コンパレート動作時にオンするコンパレート用スイッチ６、及び反転増幅器２の動作点を設定するためのバイアス用スイッチ７を含んで構成する。 - 特許庁

In this temperature detection circuit 20, a detection circuit 22 for detecting a detection voltage Vsen by a sensor element Sen uses a logic voltage Vcc for its driving power source, and the detection voltage Vsen and a reference potential Gnd' of a reference voltage Vref2 are connected not to the earth Gnd but to an output voltage Vref3 outputted from a voltage follower circuit 23, respectively.例文帳に追加

温度検出回路２０では、センサー素子Ｓenによる検出電圧Ｖsen を検出する検出回路２２は、その駆動電源をロジック電圧Ｖccとし、また検出電圧Ｖsen および基準電圧Ｖref2の基準電位Ｇnd’をいずれもアースＧndにすることなく、電圧フォロア回路２３から出力される出力電圧Ｖref3にしている。 - 特許庁

The data latch circuit connects a storage circuit composed of inverters 11, 12 connected to a power source having power potential VDD(5V) larger than an amplitude (0-3V) of a digital signal via TFTs 13, 14 to a data bus line to which the digital signal is applied via a TFT 16, and controls the TFTs 13, 14, 16 by using a sampling signal S.例文帳に追加

デジタル信号の振幅（０−３Ｖ）よりも大きな電源電位ＶＤＤ（５Ｖ）を有する電源にＴＦＴ１３，１４を介して接続されたインバータ１１，１２で構成された記憶回路と、デジタル信号が印加されるデータバスラインとをＴＦＴ１６を介して接続し、サンプリング信号ＳによってＴＦＴ１３，１４，１６を制御する。 - 特許庁

When, on the other hand, the applied voltage to the power source line 325 drops, the circuit applies the voltage held in the capacitor element 61 to a gate of the switching element 63 to turn on the gate, thereby holding the data line 12 and the counter electrode at the same potential.例文帳に追加

このうち制御回路６５は、電源線３２５への印加電圧が電源の高位側電圧Ｖddであるときに当該高位側電圧Ｖddに応じた電圧を容量素子６１に保持させる一方、この電源線３２５への印加電圧が低下すると、容量素子６１に保持された電圧をスイッチング素子６３のゲートに印加してオン状態とすることによりデータ線１２と対向電極とを同電位とする。 - 特許庁

This track and hold circuit comprises a MOS transistor switch 3 and hold capacitor 4, and higher harmonics distortion is reduced by constituting the circuit so that electric charges accumulated in a gate oxide film capacitor of the MOS transistor of which the bulk potential is varied in the same phase as an input signal Vln and a capacitor between a gate and a source of the MOS transistor do not depend on input voltage.例文帳に追加

ＭＯＳトランジスタスイッチ３とホールドキャパシタ４とを含んでなり、ＭＯＳトランジスタスイッチ３のバルク電位を入力信号Ｖｉｎと同位相で変化させるＭＯＳトランジスタのゲート酸化膜容量及びＭＯＳトランジスタのゲート・ソース間容量に蓄積される電荷を入力電圧に依存しない様にする事により高調波歪を軽減するトラックアンドホールド回路。 - 特許庁

An FET includes an organic semiconductor layer 3, an insulator layer 2 in contact with the organic semiconductor layer 3, a gate electrode G sandwiching the insulator layer 2 together with the organic semiconductor layer 3, a source electrode S and a drain electrode D electrically connected by a channel formed in the organic semiconductor layer 3 in accordance with the potential of the gate electrode G.例文帳に追加

電界効果トランジスタは、有機半導体層３と、有機半導体層３に接触する絶縁体層２と、絶縁体層２を有機半導体層３と共に挟むゲート電極Ｇと、ゲート電極Ｇの電位に応じて有機半導体層３内に形成されるチャネルによって電気的に接続されるソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄとを有している。 - 特許庁

Information is written to the memory cell by turning on the writing transistor, supplying a potential to a node where a source electrode (or a drain electrode) of the writing transistor, one of electrodes of the capacitor, and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected to each other, and thereafter, turing off the writing transistor so that a predetermined amount of charge is held in the node.例文帳に追加

メモリセルへの情報の書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

The RF may be connected to the mirror 150 or the metallic backing material, and in this case, a dark shield made of an appropriate conductive material and connected to the earth potential may be formed by covering the back face of the collector mirror 150, and is separated from the mirror by an insulator (air gap) and a voltage (DC from the DC power source 220 connected to the mirror 150 as well).例文帳に追加

ＲＦは、ミラー１５０または金属製バッキング材に接続されてもよく、この場合、適切な導電性材料製で且つアース電位に接続された暗シールドが、コレクタミラー１５０の背面を覆って形成されてよく、これは絶縁体（空気ギャップ）および電圧（ミラー１５０にも接続されたＤＣ電源２２０からのＤＣ）によってミラーから分離される。 - 特許庁

To prevent the unstable potential of a power-supply line and the generation of instantaneous power interruption, and to eliminate the need for the installation of a complicated switching circuit, a secondary battery exclusive for preventing the instantaneous power interruption and a regulator when a power supply source for a circuit used even at standby is changed over between a normal operation and a standby operation in electronic equipment operated by an external power supply.例文帳に追加

外部電源で動作する電子機器において、待機時にも使用する回路に対する電力の供給元を通常動作時と待機動作時との間で切り替えるに際し、電力供給ラインの電位が不安定になることや瞬断が生じることを防止でき、また複雑なスイッチ回路や瞬断防止専用の２次電池やレギュレータを設置する必要も無くす。 - 特許庁

Writing to the memory cell is performed such that potential is supplied to a node at which a source electrode (or a drain electrode) of the writing transistor, one of electrodes of the capacitative element, and a gate electrode of the reading transistor are electrically connected by setting an ON state of the writing transistor and then the node is made to retain a predetermined amount of electric charge by setting an OFF state of the writing transistor.例文帳に追加

メモリセルへの書き込みは、書き込み用トランジスタをオン状態とすることにより、書き込み用トランジスタのソース電極（またはドレイン電極）と、容量素子の電極の一方と、読み出し用トランジスタのゲート電極とが電気的に接続されたノードに電位を供給した後、書き込み用トランジスタをオフ状態とすることにより、ノードに所定量の電荷を保持させることで行う。 - 特許庁

This electrophotographic image forming device has the photoreceptor, the ion generator which is arranged in proximity to this photoreceptor, has a heat source and electrostatically charges the surface of the photoreceptor to a prescribed potential and temperature rise preventing means which prevent the surface temperature of the photoreceptor from being elevated to a prescribed temperature or above by the heat generated by the ion generator.例文帳に追加

感光体と、前記感光体に近接して配置され、熱源を有し、前記感光体の表面を所定の表面電位に帯電させるイオン発生器と、前記イオン発生器の発生する熱により前記感光体の表面温度が所定温度以上に上昇することを防止する温度上昇防止手段とを有することを特徴とする電子写真画像形成装置である。 - 特許庁

The attracting device 3 has a positive electrode disposed on the lower face of the working arm 12, a negative electrode disposed adjacent to the positive electrode on the lower face of the working arm 12, an insulating layer to cover the positive electrode and the negative electrode on the lower face of the working arm 12, and a voltage source to generate a potential difference between the positive electrode and the negative electrode.例文帳に追加

吸着装置３を、加工用アーム１２の下面に設けられた正電極と、加工用アーム１２の下面に正電極と隣接して設けられた負電極と、加工用アーム１２の下面に正電極及び負電極を覆うようにして設けられる絶縁層と、正電極と負電極との間に電位差を生じさせる電圧源とを有する構成とする。 - 特許庁

Each of the image forming parts corresponding to the transfer unit 5 applying the transfer bias from the common transfer power source P3 controls previous charging potential by the charger 2 so that the density of the toner images formed therein is in the allowable range on the surface part of the image carrier 1 in which transfer charge flows in from the transfer unit 5 without interposing the recording medium S.例文帳に追加

共通転写電源Ｐ３から転写バイアスが印加される転写器５に対応する画像形成部のそれぞれにおいては、記録媒体Ｓの介在なくして転写器５から転写電荷が流れ込む像担持体１の表面部分について、そこに形成されるトナー画像の濃度が許容範囲内のものになるように帯電器２による予めの帯電電位が制御される。 - 特許庁

Memory information can be written in a memory cell by selecting whether characteristics of transistors are made an enhancement type or a depression type by connecting a transistor through a connection hole in a contact window 39 and power source lines 37 for body potential in a contact window forming process near the final process in a diffusion process for a transistor group of a drive section.例文帳に追加

ドライブ部のトランジスタ群に対して、拡散工程の中の最終に近いコンタクト窓形成工程で、コンタクト窓３９における接続孔を通じたトランジスタとボディ電位用電源配線３７との接続によって、トランジスタの特性をエンハンスメント型にするかデプレッション型にするかを選択することにより、メモリセルへの記憶情報の書き込みを行うことを可能にする。 - 特許庁

Thereby, direct incidence of the illumination light from the light source on the light receiving surface of the photosensor is prevented by a simple construction, change of the reflection light quantity reflected by the electrode of a pixel in a light transmission state of the liquid crystal display is detected with high sensitivity and the potential of the common electrode of the liquid crystal display can be accurately adjusted so that the flicker is minimized.例文帳に追加

これにより、簡単な構成で光源から照明光がフォトセンサの受光面に直接入射するのを遮断し、液晶表示装置の透光状態の画素の電極により反射された反射光量の変化を高感度に検出して、フリッカが最小となるように液晶表示装置の共通電極の電位を正確に調整することができる。 - 特許庁

Since the vertical electric field formed between the conductive coating films 14 and 15 with the same potential as the source electrode 12, the drain electrode 13, and the gate electrode 6 is applied to ohmic contact regions 16 and 17 formed of the semiconductor thin film 8 and the ohmic contact layers 10 and 11, shifting is suppressed in Vg-Id characteristics to the minus side.例文帳に追加

半導体薄膜８と各オーミックコンタクト層１０、１１とによって形成されるオーミックコンタクト領域１６、１７には、ソース電極１２及びドレイン電極１３と同電位である各導電性被覆膜１４、１５とゲート電極６との間で形成される縦電界がかかることにより、Ｖｇ−Ｉｄ特性のマイナス側へのシフトを抑制することができる。 - 特許庁

The manufacturing method of the electrode for a lithium secondary cell is provided with a process forming a positive electrode active material layer including Li-Co-O layer on a collector 8 under an atmosphere including an Ar element being cation, using a sputtering method in a condition of a voltage impressed on the collector 8 using an RF power source 7 so that a potential of the collector 8 is to be practically negative.例文帳に追加

このリチウム二次電池用電極の製造方法は、集電体８の電位が実質的に負電位になるように、ＲＦ電源７を用いて集電体８に電圧を印加した状態で、スパッタリング法を用いて、正イオンになるＡｒ元素を含む雰囲気下で、集電体８上に、Ｌｉ−Ｃｏ−Ｏ層を含む正極活物質層を形成する工程を備える。 - 特許庁

In a liquid crystal driving circuit equipped with a scanning line, data line, active element, pixel electrode, vertical scanning circuit 2, horizontal scanning circuit 5, first switch circuit, second switch circuit, and opening/closing pulse feeding circuit; a common potential is supplied to all active elements by a pre-charge signal feeding circuit just before a power source to be fed to the liquid crystal driving circuit is turned off.例文帳に追加

スキャンライン、データライン、能動素子、画素電極、垂直走査回路２、水平走査回路５、第１のスイッチ回路、第２のスイッチ回路及び開閉パルス供給回路を備える液晶駆動回路において、液晶駆動回路に供給される電源がオフになる直前に、全ての能動素子にプリチャージ信号供給回路によって共通電位を供給する。 - 特許庁

Thereby, direct incidence of radiation light from the light source in the receiving surface of the detecting device is prevented by a simple constitution, change of the reflection light quantity reflected by an electrode of a pixel in a light transmission state of the liquid crystal display device is detected with high sensitivity and the potential of the common electrode of the liquid crystal display device can be accurately adjusted so that the flicker is minimized.例文帳に追加

これにより、簡単な構成で光源から照射光が検出装置の受光面に直接入射するのを防止し、液晶表示装置の透光状態の画素の電極により反射された反射光量の変化を高感度に検出して、フリッカが最小となるように液晶表示装置の共通電極の電位を正確に調整することができる。 - 特許庁

Voltage drop Vdc generated between the two ends of field-effect transistors Tr11 and Tr12 interposed in series in the charging/discharging path of the secondary battery B11 and controlling the charging and discharging is measured with a differential amplifier 13, and the case temperature Tc of each transistor is measured with a temperature sensor 21, and the drain-source potential difference Vgs of the transistor is detected.例文帳に追加

二次電池Ｂ１１の充放電路に直列に介挿されて、その充放電を制御する電界効果トランジスタＴｒ１１，Ｔｒ１２の両端間に発生する電圧降下Ｖｄｃを差動増幅器１３を用いて測定すると共に、各トランジスタのケース温度Ｔｃを温度センサ２１で測定し、更にトランジスタのドレイン・ソース間電位差Ｖｇｓを検出する。 - 特許庁

In a structure wherein a counter electrode having rectangular flat pattern and a comb-shaped transparent pixel electrode which are formed by using a transparent material are superposed on one substrate via an insulating film in one pixel region, a notch or a slit is incorporated in the counter electrode so that a source electrode of an opaque material transmitting potential from a thin film transistor to the transparent pixel electrode does not overlap with the counter electrode.例文帳に追加

１画素領域の一方の基板に透明材料で構成した平面パターンが矩形の対向電極と櫛歯状の透明の画素電極が絶縁膜を介して重なる構造において、薄膜トランジスタから透明の画素電極に電位を伝える不透明材料のソース電極が対向電極と重ならないように、対向電極に切り欠きあるいはスリットいれる。 - 特許庁

The display control circuit CNT makes a pre-charging period between the non-video writing period, to write non-video signals and the video writing period to write first video signals following the non-video writing period, and changes the potential of the source line X, to a level close to the grey level corresponding to the video signals during the pre-charging period.例文帳に追加

表示制御回路ＣＮＴは非映像信号書込みを行う非映像書込期間とこの非映像書込期間に続いて最初の映像信号書込みを行う映像書込期間との間にプリチャージ期間を設け、プリチャージ期間において映像信号に対応する中間調表示レベルに近いレベルにソース線Ｘの電位を遷移させるように構成される。 - 特許庁

To provide a driver circuit of a display apparatus which is equipped with a precharging circuit inside and can securely avoid a case wherein a precharging potential conflicts with a video signal on a signal supply line while the number of stages of shift transistors is held necessarily irreducible when the signal supply line is precharged by a precharging power source having small driving capacity.例文帳に追加

予備充電回路を内部に備え、信号供給線に駆動能力の小さい予備充電電源から予備充電を行う場合に、シフトレジスタの段数を必要最小限に留めながら、信号供給線上において予備充電電位とビデオ信号とが衝突するといった事態の招来を確実に回避することのできる表示装置のドライバ回路を提供する。 - 特許庁

Japan has the strength and potential with its technical skills as a core. However, we can see that Japan fell behind on raising the vitality level of talented people, which becomes the source of new competitive strength, and improving business models like efficiency of business activities and commonness of standards. Consequently, we need to build our foundation to improve international competitive power of the industries in Japan once again.例文帳に追加

我が国は、技術力を中心にした強みやポテンシャルを有しながらも、新たな競争力の源泉となる人材の活力向上や、企業活動の効率性及び規格基準の共通性といったビジネスモデル構築に対する取組に遅れが見られ、我が国産業が国際競争力を発展させていくための基盤づくりが改めて必要となっている。 - 経済産業省

An electrification voltage correction value is calculated in accordance with a secular change in each of the plurality of photoreceptor drums 11, and an electrification voltage to be supplied from a second electrification power source is set based on the calculated electrification voltage correction value, and also, a developing voltage is set in accordance with each electrification potential formed on each of the plurality of photoreceptor drums 11 in reply to the supply of the electrification voltage.例文帳に追加

複数の感光体ドラム１１の各々の経時変化に対応した帯電電圧補正値を算出し、算出された帯電電圧補正値に基づいて第２帯電電源から供給する帯電電圧を定めるとともに、帯電電圧を供給することで複数の感光体ドラム１１に形成される各々の帯電電位に応じた現像電圧を定める。 - 特許庁

In the system provided with a DC ground fault detecting means 12 for detecting the ground fault of the DC power source, a control means 13 is installed which controls an input voltage or an intermediate voltage between the converter circuit and the inverter circuit, increases or decreases the voltage, and sets the potential to ground of the DC power source a value except the vicinity of zero.例文帳に追加

直流電源１から入力される直流電力を、入出力間が絶縁されていないコンバータ回路５およびインバータ回路６を経て交流電力に変換し、接地された系統３に出力する系統連系インバータであって、前記直流電源の地絡を検出する直流地絡検出手段１２を備えたものにおいて、入力電圧またはコンバータ回路とインバータ回路との間における中間電圧を制御して上昇または下降させることにより直流電源の対地電位をゼロ近傍以外の値とする制御手段１３を備える。 - 特許庁

An output circuit comprising a first transistor in which a collector is connected through connecting means to a power source line, and a base is connected to an input terminal; a second transistor in which a base is connected to an emitter of said first transistor, a collector is connected to an output terminal, and an emitter is connected to a reference potential source; and a diode inserted between the collectors of said first transistor and said second transistor so that an electric current flows when said first and second transistors are conductive, and an electric current is stopped when said first and said second transistors are not conductive. 例文帳に追加

コレクタが接続手段を介して電源ラインに接続され、ベースが入力端子に接続された第のトランジスタと、ベースが前記第のトランジスタのエミッタに接続され、コレクタが出力端子に接続され、エミッタが基準電位源に接続された第のトランジスタと、前記第のトランジスタと前記第のトランジスタとのコレクタ間に、前記第及び第のトランジスタが導通したときに電流が流れかつ前記第及び第のトランジスタが遮断した時に電流が遮断されるように挿入されたダイオードを含むことを特徴とする出力回路。 - 特許庁

A digital drive type display device equipped with a plurality of pixel circuits is provided with a current adjusting transistor Tr3 between a node N2 where power lines V2 from the respective pixel circuits 100 gather and a low-potential side power source CV in order to reduce variation of a current flowing to an organic light emitting device OLED provided to a pixel circuit 100.例文帳に追加

複数の画素回路を備えるデジタル駆動型の表示装置において、画素回路１００に設けられた有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流の変動を軽減するために、各画素回路１００から出る電源線Ｖ２が収束する節点Ｎ２と低電位側の電源ＣＶとの間に、有機発光素子ＯＬＥＤに流れる電流を調整する電流調整用トランジスタＴｒ３が設けられる。 - 特許庁

The output buffer 3 is formed by using a P channel transistor 1 as a transistor which inputs an input signal at its gate electrode and the source potential of an N channel transistor forming a NAND gate 8 as a precedent-stage driver is switched by a switch circuit 11 to make the level of the signal inputted to the gate electrode of the P channel transistor lower in a test than in normal use.例文帳に追加

出力バッファ３を、入力信号がそのゲート電極に入力されるトランジスタにＰチャネルトランジスタ１を用いて形成し、前段ドライバとしてのＮＡＮＤゲート８を形成しているＮチャネルトランジスタのソース電位を、スイッチ回路１１で切り替えることにより、上記Ｐチャネルトランジスタのゲート電極に入力される信号のレベルを、テスト時には通常使用時よりも低いレベルとするようにしたものである。 - 特許庁

The peak detection circuit comprises a first transistor, connected between a power supply potential and an output terminal, an amplifier for driving the first transistor, based on the difference between an input signal and an output signal, a second transistor connected to the first transistor, a third transistor current-mirror-connected to the second transistor, and a current source for setting a current value flowing in the third transistor.例文帳に追加

ピーク検波回路は、電源電位と出力端子の間に接続された第１のトランジスタと、入力信号と出力信号の差に基づいて、前記第１のトランジスタを駆動する増幅器と、前記第１のトランジスタに接続された第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタにカレントミラー接続された第３のトランジスタと、前記第３のトランジスタに流れる電流値を設定する電流源とを有する。 - 特許庁