「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

This evaluation method for crevice corrosion initiation time is characterized by submerging the metallic material artificially provided with an crevice, in liquid environment containing halide ions and measuring the time change of the density of a current flowing to the metallic material when applying constant voltage to the metallic material by an external constant potential power source.例文帳に追加

ハロゲン化物イオンを含む液状環境中にすきまを人工的に付与した金属材料を浸漬し、外部の定電位電源により金属材料に一定の電位を印加した際に、材料に流れる電流密度の時間変化を測定することを特徴とするすきま腐食発生時間の評価方法。 - 特許庁

As a structure capable of controlling the potential of the buffer layer 2 made of an n-GaN layer, the semiconductor element employs a structure in which a source electrode 6 is buried in an epitaxial layer (channel layer 3 and electron supplying layer 4) formed on the buffer layer 3 and is extended to the depth reaching the buffer layer 2 so as to be in ohmic contact with the buffer layer 2.例文帳に追加

n-GaN層から成るバッファ層２の電位を制御できる構造として、ソース電極６が、バッファ層２とオーミック接触するように、バッファ層３上に形成されるエピタキシャル層（チャネル層３と電子供給層４）に埋め込まれてバッファ層２に達する深さまで延びている構成が採られている。 - 特許庁

By this structure, the voltage between the gate and the source of a TFT 102 for driving the EL is enabled to be changed so that the TFT 102 becomes a non-conduction state surely by changing the potential of the gate signal line 106 even when the TFT 102 becomes 'normally on' by the shift of its threshold.例文帳に追加

この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 - 特許庁

It is possible to change a voltage between a gate and a source of an EL driver TFT 102 by changing the electric potential of the gate signal line 106 to reliably render the EL driver TFT 102 into a non-conducting state even if the EL driver TFT 102 is brought into the normally-on state due to a shift in the threshold of the EL driver TFT.例文帳に追加

この構造により、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のしきい値のシフトにより、ノーマリーオンとなった場合にも、ゲート信号線１０６の電位を変えることで、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２が確実に非導通状態となるように、ＥＬ駆動用ＴＦＴ１０２のゲート・ソース間電圧を変えることを可能とする。 - 特許庁

The semiconductor integrated circuit device includes a DCO 50 and a storage part 42 that stores a temperature coefficient of an oscillation frequency and an absolute value of the oscillation frequency, which should be set in the DCO 50, corresponding to potential obtained from a voltage source 20 that changes with a monotonic characteristic with respect to temperature.例文帳に追加

ＤＣＯ５０と、温度に対して単調な特性を持って変化する電圧源２０から得られる電位に応じたＤＣＯ５０に設定すべき発振周波数の温度係数および発振周波数の絶対値を記憶する記憶部４２と、を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。 - 特許庁

A drive voltage of the rear electromagnet 42 is applied to the base of the transistor 71 through a resister 61, and the collector is connected with the high potential side of the power source through the 2nd resistor 62, and 1st and 2nd voltage signals are outputted from an output terminal (A) of the collector side.例文帳に追加

トランジスタ７１のベースは第１の抵抗６１を介して後幕電磁石４２の駆動電圧が印加され、コレクタは第２の抵抗６２を介して電源の高電位側と接続され、エミッタは電源の低電位側と接続され、コレクタ側の出力端子（Ａ）から、第１及び第２の電圧信号を出力する。 - 特許庁

In the inverter circuit composed of 3Tr2C, transistors Tr1 and Tr3 are provided between the gate of the transistor Tr2 and a low voltage line L1 and between the source of the transistor Tr2 and the low voltage line L1, the transistors Tr1 and Tr3 operating according to a potential difference between the voltages of an input voltage Vin and the low voltage line L1.例文帳に追加

３Ｔｒ２Ｃで構成されるインバータ回路において、トランジスタＴｒ２のゲートと低電圧線Ｌ１との間、さらにトランジスタＴｒ２のソースと低電圧線Ｌ１との間に、入力電圧Ｖｉｎと低電圧線Ｌ１の電圧との電位差に応じてオンオフ動作するトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が設けられている。 - 特許庁

The sampling transistor Tr1 is turned on while the switching transistor Tr2 is turned on to receive and apply an off voltage from a signal line to the gate G of the drive transistor Trd and thus turn it off, thereby inhibiting the through current from flowing from a power source Vdd to the fixed potential Vss.例文帳に追加

サンプリング用トランジスタＴｒ１は、スイッチングトランジスタＴｒ２がオンするときに合わせてオンし、信号線ＳＬからオフ電圧を取り込んで駆動用トランジスタＴｒｄのゲートＧに印加してこれをオフし、以って電源Ｖｄｄから固定電位Ｖｓｓに向かって貫通電流が流れないようにする。 - 特許庁

To provide a display device which can suppress a change due to leakage of a gate potential of an output transistor even during a sampling period of another circuit, can obtain a uniform current source free of a variation in the current value of an output stage, and can display a high-grade image free of the occurrence of luminance unevenness, and also provide a pixel circuit.例文帳に追加

他の回路のサンプリング期間も、出力トランジスタのゲート電位のリークによる変化を抑えることが可能で、出力段の電流値バラツキのない、均一な電流源を得ることができ、輝度むらが発生しない高品位な画像を表示することが可能な表示装置および画素回路を提供する。 - 特許庁

The potential control part 20 connects the electric power Vdd to the anode of each organic EL element OLED 1 to make each organic EL element OLED 1 emit light, while the control part connects the power source Vdd to the cathode of each organic EL element OLED 1 to make each organic EL OLED 1 to be inversely biased contrary to a light emitting time.例文帳に追加

電位制御部２０は、電源Ｖｄｄを各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のアノードに接続して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１を発光させる一方、電源Ｖｄｄを各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１のカソードに接続して各有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ１に対して発光時とは逆のバイアスを生じさせる。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The peripheral circuit part includes a controller 12 for switching between a normal mode and a power save mode, setting the power supply Vcc to a normal potential in the normal mode to make a drive transistor Tr2 operate in the saturated area, supplying an output current corresponding to an input signal to a light-emitting element OLED as a constant current source.例文帳に追加

周辺回路部は通常モードと節電モードを切り換える為のコントローラ１２を有し、通常モードの時電源Ｖｃｃを通常の電位に設定し、以ってドライブトランジスタＴｒ２を飽和領域で動作させ、定電流源として入力信号に応じた出力電流を発光素子ＯＬＥＤ供給する。 - 特許庁

In the display device in which microcapsules with a plurality of built-in charged particles are disposed on a plurality of pixel electrodes and which displays lightness/darkness by controlling the charged particles by using potential of the pixel electrodes, pixels and a drive circuit for driving a source signal line or a gate signal line are formed.例文帳に追加

複数の画素電極上に、複数の帯電粒子を内蔵したマイクロカプセルを配置し、画素電極の電位により帯電粒子を制御することによって明暗を表示する表示装置において、画素と同一基板上にソース信号線またはゲート信号線を駆動する駆動回路を形成した表示装置である。 - 特許庁

The FSK signal voltage regulation circuit 8 includes a first variable resistor 8A, which is connected in series to a transmission line of an inputted FSK signal voltage, for adjusting the amplitude and a second variable resistor 8B, which is connected between the transmission line and a power source of the circuit, for regulating the central potential.例文帳に追加

ＦＳＫ信号電圧調整回路８は、入力されるＦＳＫ信号電圧の伝送路に直列に接続された、前記振幅を調整するための第１の可変抵抗８Ａと、前記伝送路と該回路の電源との間に接続された、前記中心電位を調整するための第２の可変抵抗８Ｂとを有する。 - 特許庁

When discharging of the capacitor 11 progresses and a cathode potential of the diode D1 becomes lower than the positive DC voltage V2 of a second DC power source 3, the diode D1 is biased in a reverse direction, and the diode D2 is biased in a forward direction, so that the input voltage Vin of the DC-DC converter 4 becomes V2.例文帳に追加

コンデンサ１１の充電電荷の放電が進み、ダイオードＤ１のカソード電位が第２の直流電源３の正の直流電圧Ｖ２以下になると、ダイオードＤ１が逆バイアスされ、かつ、ダイオードＤ２が順方向にバイアスされるため、ＤＣ−ＤＣコンバータ４の入力電圧ＶｉｎはＶ２となる。 - 特許庁

In an n-channel type MOSFET 1, the front edge of a depletion layer does not reach up to a low-concentration drain diffusion region 5 when potential is applied among gate electrodes 15, and source electrodes 9 and a drain electrode 5 and a semiconductor substrate 1a and the depletion layer is expanded from the junction surfaces of the semiconductor substrate 1a and a well 3.例文帳に追加

ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴ１において、ゲート電極１５、ソース電極９およびドレイン電極５と、半導体基板1ａとの間に電位を印加して、半導体基板1ａとウェル３との接合面から空乏層を拡張させたとき、この空乏層の先端縁が、低濃度ドレイン拡散領域４にまで到達しない。 - 特許庁

In the flow path where the gas contg. a fine-grain material to be collected is flowing, a discharge electrode 1 and a counter electrode are arranged with a space in the direction vertical to the flow direction B of the path, and a voltage is applied by a corona-discharge power source so that the potential of the discharge electrode 1 is higher than that of the couter electrode.例文帳に追加

集塵すべき微粒子状物質を含むガスが流れる流路に、前記流路の流れ方向Ｂに垂直方向に間隔をあけて、放電電極１及び対向電極を設け、放電電極１が対向電極よりも高電位となるように、コロナ放電用電源によって電圧を与える。 - 特許庁

The system is a computer system on the Internet having the storing function of the source and the document of the project development of the client and the browsing or browsing- restriction function of the project development recording by the developer, and opens a project to not only related persons but also developers interested in it in spite of having no connection (potential developers).例文帳に追加

本システムでは、依頼主のプロジェクト開発のソースおよびドキュメントの保存機能と、開発者によるそれらプロジェクト開発記録の閲覧または閲覧制限機能を持つインターネット上のコンピューターシステムであって、プロジェクトを関係者のみならず無関係ではあるが興味を持つ開発者（潜在的開発者）に開放している。 - 特許庁

This is the inspection device which determines that the thermostat 24 is normal when the potential of the voltmeter 44 is zero while the switch is turned on by connecting an inspection resistive element 40, a switch, and an inspection DC power source 45 connected in series between a control terminal 26 and a plus external terminal 18 of a battery pack 10.例文帳に追加

充電池パック１０の制御端子２６とプラス外部端子１８との間に直列に接続された検査用抵抗素子４０とスイッチ４２と検査用直流電源４５を接続して、スイッチ４２をオン状態にして電圧計４４の電位が零の時にはサーモスタット２４が正常であると判断するものである。 - 特許庁

A switching transistor T3 is turned on according to a control signal supplied from a scanning line AZ prior to sampling of the video signal, connects a source of the transistor T2 for driving with fixed potential Vss to turn off the light emission element EL and corrects variation of threshold voltage and a degree of movement of the transistor T2 for driving.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴ３は、映像信号のサンプリングに先立って走査線ＡＺから供給される制御信号に応じてオンし駆動用トランジスタＴ２のソースを固定電位Ｖｓｓに接続して発光素子ＥＬを非発光状態にし、その間に駆動用トランジスタＴ２の閾電圧や移動度のばらつきを補正する。 - 特許庁

A distance detection device (3A) includes a measurement part (31) for measuring a potential difference between reception electrodes, and a determination part (34) for detecting a reception frequency from the measurement result in the measurement part (31) and determining a distance from an electric field generating source to the reception electrodes based on the reception frequency.例文帳に追加

本発明は、距離検出装置（３Ａ）であって、受信電極間の電位差を計測する計測部（３１）と、当該計測部（３１）での計測結果から受信周波数を検出し、その受信周波数に基づいて、電界発生源から受信電極までの距離を決定する決定部（３４）とを備えている。 - 特許庁

A control circuit 4 has a series circuit consisting of resistance connected between the output of the analog regulator 3 and ground and a constant current source, compares a voltage lower than the output of the reference power VREF by the potential difference of resistance with the output of power VDD and controls a transistor T3 connected to the base of the transistor T2.例文帳に追加

制御回路４は、前記アナログレギュレータ３の出力と接地間に接続された抵抗と定電流源の直列回路を有し、前記基準電源Ｖ_REF 出力より前記抵抗の電位差だけ低い電圧と前記電源Ｖ_DD出力とを比較し、トランジスタＴ_2 のベースに接続されたトランジスタＴ_3 を制御する。 - 特許庁

The image processing section 11 in the control section 10 processes an image signal stored at the image storing section 12 based on the surface potential of a latent image area in a photosensitive body measured by the surface potentiometer 6 or controls a light source drive section 52 to correct the intensity of a light beam being emitted therefrom.例文帳に追加

制御部１０における画像処理部１１は、表面電位計６により測定した感光体における潜像領域の表面電位に基づいて、画像記憶部１２に格納した画像信号を処理し、または、光源駆動部５２を制御してそこから出射される光ビームの強度を補正する。 - 特許庁

The power supply device 1 includes a DC power supply 10, a relay 20 mounted so as to be able to connect a positive electrode or a negative electrode for the DC power supply 10 and a reference potential source 40, and the relay 30 mounted so as to be able to connect the positive electrode or the negative electrode for the DC power supply 10 and an output terminal OUT.例文帳に追加

電源装置１は、直流電源１０と、直流電源１０の正極または負極と基準電位源４０とを接続可能に設けられたリレー２０と、直流電源１０の正極または負極と出力端子ＯＵＴとを接続可能に設けられたリレー３０と、を備える。 - 特許庁

In a synchronization time period, a comparator X2 of a second control circuit 36 outputs a H-level control signal to a control node N7, and thereby, a switching element SW3 is turned on, a power source potential Vdd and a capacitance C2 are connected to each other, charging of the capacitance C2 is performed, and a switching element SW2 is turned on.例文帳に追加

同期期間では、第２制御回路３６の比較器Ｘ２は、Ｈレベルの制御信号を制御ノードＮ７に出力し、スイッチング素子ＳＷ３がオン状態になり、電源電位Ｖｄｄと容量Ｃ２とが接続され、容量Ｃ２の充電が行われるとともに、スイッチング素子ＳＷ２がオン状態になる。 - 特許庁

When electrostatic discharge is produced, the p-type MOS transistor Qp or n-type MOS transistor Qn is turned on and a surge current flows to a power source Vdd or reference potential Vss to limit voltage variation of a pad 1, so that an internal circuit 2 is prevented from being broken owing to the electrostatic discharge.例文帳に追加

静電気放電の発生時にｐ型ＭＯＳトランジスタＱｐまたはｎ型ＭＯＳトランジスタＱｎが導通状態となってサージ電流が電源Ｖｄｄまたは基準電位Ｖｓｓに流れ、パッド１の電圧変動が制限されるので、静電気放電による内部回路２の破壊が防止される。 - 特許庁

When the MOS transistor M2 is in an operational state, the electric potential of a node B is decreased by a current mirror circuits 16 and 13 to make the other MOS transistor M1 off state, by detecting the voltage between the gate and the source of the MOS transistor M2 with a transistor M4 and generating a detection current Idct2 flowing through a resistor element R2.例文帳に追加

またＭＯＳトランジスタＭ２が動作状態にあるときは、そのゲート〜ソース間電圧をトランジスタＭ４で検出し、抵抗素子Ｒ２に流れる検出電流Ｉｄｃｔ２を生成することで、カレントミラー回路１６，１３によりノードＢの電位を下げて他方ＭＯＳトランジスタＭ１をオフ状態とする。 - 特許庁

A signal obtained by logically inverting an input signal S101 of which H level potential is VDDL is connected with the gate of an N type MOS transistor 121, and the input signal S101 is shifted by a level shift part 106, and connected with the gate of a P type MOS transistor 111, and the source of the P type MOS transistor is connected with VDDH.例文帳に追加

Ｈレベルの電位がＶＤＤＬである入力信号Ｓ１０１を論理反転した信号をＮ型ＭＯＳトランジスタ１２１のゲートに接続し、入力信号Ｓ１０１をレベルシフト部１０６でシフトしてＰ型ＭＯＳトランジスタ１１１のゲートに接続し、Ｐ型ＭＯＳトランジスタのソースをＶＤＤＨに接続する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor improved in both of an increase of a residual potential and generation of image blur, free from problems even in exposure by a light source at a short wavelength, capable of forming an image of extremely high picture quality, and excellent in wear resistance characteristics; and to provide an image forming apparatus and a process cartridge using the electrophotographic photoreceptor.例文帳に追加

残留電位の上昇と画像ボケの発生を共に改善し、短波光源による露光においても問題を生ぜず、極めて高画質画像が得られる、耐摩耗特性に優れた電子写真感光体を提供し、該電子写真感光体を用いた画像形成装置及びプロセスカートリッジを提供する。 - 特許庁

When a current offset appears, the differential amplifier circuit 13 and its peripheral circuits are operated to control so that the potential on a common connection point of the transistors 116, 117 is equal to an output voltage of a voltage source Vref1, this operation canceling the current offset.例文帳に追加

その上で、電流オフセットを生じたとき、差動増幅回路１３とその周辺回路に、トランジスタ１１６と１１７の共通接続点の電位を電圧源Ｖref1の出力電圧に等しくするような制御動作を差動増幅回路１３およびその周辺の回路部分に行わせ、この動作に伴って電流オフセットをキャンセルする。 - 特許庁

In a magnetic field analysis equation related to magnetic vector potential using a magnetization vector as a source term, a tensor for relating a variation with time of the magnetization vector with a variation with time of a magnetic field vector is used in common, and thereby variations of magnetization and a magnetic field are calculated from a variation of a magnetic flux density, and the magnetization vector is updated.例文帳に追加

磁化ベクトルをソース項とする磁気ベクトルポテンシャルに関する磁界解析方程式において、磁化ベクトルの時間変化量とを磁界ベクトルの時間変化量とを関係づけるテンソルを併用することにより、磁束密度の変動量から磁化と磁界の変動量を算出し、磁化ベクトルを更新する。 - 特許庁

The switch circuit 14 connects the other end of the resistor 11 to the other end of the bypass capacitor 2 when a second control signal, which is supplied from the test circuit 3, is at a high level and connects the other end of the resistor 11 to the high-potential side terminal of the voltage source circuit 12 when the second control signal is at a low level.例文帳に追加

スイッチ回路１４は、テスト回路３から供給される第２制御信号がハイレベルの場合、抵抗１１の他端とバイパス・コンデンサ２の他端との間を接続し、第２制御信号がローレベルの場合、抵抗１１の他端と電圧源回路１２の高電位側の端子との間を接続する。 - 特許庁

Here, when supplying the electric power to the motor 4 from the auxiliary power source 9, the both end voltage of the MOS-FET13 is detected by two voltage detectors 23 and 25, and when its electric potential difference is a predetermined value or less, a control circuit 24 determines that the short-circuit is caused in the MOS-FET13, and outputs a failure signal.例文帳に追加

そこで、補助電源９からモータ４への電力供給時に、ＭＯＳ−ＦＥＴ１３の両端の電圧を２つの電圧検出器２３，２５で検出し、その電位差が所定値以下であれば、制御回路２４は、ＭＯＳ−ＦＥＴ１３に短絡故障を生じていると判断して、故障信号を出力する。 - 特許庁

A pixel circuit controlled by a drive circuit through a write scan line WSL and a video signal line DTL comprises a light emitting element (organic light emitting diode) varying in applied voltage value with the potential (Vs) of one electrode (source node NDs), a drive transistor having a control node NDc, a sampling transistor, and a holding capacitor.例文帳に追加

書込走査線ＷＳＬおよび映像信号線ＤＴＬを介して駆動回路によって制御される画素回路が、一方電極（ソースノードＮＤｓ）の電位（Ｖｓ）によって印加電圧値が変化する発光素子（有機発光ダイオード）と、制御ノードＮＤｃを有する駆動トランジスタと、サンプリングトランジスタと、保持キャパシタと、を含む。 - 特許庁

The thin-film transistor circuit is provided with shaping circuits CH and CL bringing all of the first and second transistors T1 and T2 into the OFF-state by making the gate potential different, in such a manner as to distribute the voltage between the source terminal N1 and the drain terminal N2 to the first and second transistors T1 and T2 approximately equally.例文帳に追加

ＴＦＴ回路はさらにソース端子Ｎ１およびドレイン端子Ｎ２間の電圧が第１および第２のトランジスタＴ１，Ｔ２にほぼ均等に配分されるようにゲート電位を異ならせて第１および第２のトランジスタＴ１，Ｔ２の全てを少なくともオフさせる整形回路ＣＨ，ＣＬを備える。 - 特許庁

The control section supplies a first voltage and a second voltage that differs from the first one between the source/drain regions while the semiconductor device is off and on, and the second voltage is set so that potential in a body region in an off state becomes substantially the same as that in the body region in an on state.例文帳に追加

制御部は、半導体装置のオフ状態及びオン状態に、ソース／ドレイン領域間に第１電圧及び第１電圧と異なる第２電圧をそれぞれ供給し、第２電圧は、オフ状態のボディ領域の電位がオン状態のボディ領域の電位と実質的に同一となるように設定される。 - 特許庁

Since the height of the potential barrier present between the small-band-gap region 18 and the p-type body region 14 is low for the majority carriers of the p-type body region 14, the residual majority carriers in the p-type body region 14 can be injected efficiently into the source electrode 26 via the small- band gap region 18.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域１４の多数キャリアに対するｐ型ボディ領域１４と小バンドギャップ領域１８との間のポテンシャルバリアが低いので、ｐ型ボディ領域１４に残存する多数キャリアをｐ型ボディ領域１４内の小バンドギャップ領域１８を介して効率良くソース電極２６へ注入することができる。 - 特許庁

In an n-type well potential power supply region 109 connected with a VDD wiring 105, for example, impurity concentration of a high concentration n-type impurity diffusion layer 112 which constitutes the region 109 is made higher than that of a source/drain region 104 formed of the high concentration n-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

ＶＤＤ配線１０５に接続されるＮ型ウエル電位給電領域１０９を、例えばそれを構成する高濃度Ｎ型不純物拡散層１１２の不純物濃度を、高濃度Ｎ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０４よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

The hydrogen and oxygen gases-generating means 1 has a sealed electrolytic cell 9 which accommodates a positive electrode 7 and a negative electrode 8 therein, and a power source 11 for electrolysis, which applies a potential difference to the positive electrode 7 and the negative electrode 8; and electrolyzes the water introduced into the electrolytic cell 9 to generate the mixed gas of hydrogen and oxygen.例文帳に追加

水酸素ガス発生手段１は、陽電極７及び陰電極８を内装して密閉された電解槽９と、陽電極７及び陰電極８に電位差を付与する電解用電源１１とを備え、電解槽９に導入した水を電気分解することにより、水素と酸素の混合気を発生する。 - 特許庁

A thin-film transistor 80 includes: source and drain electrodes 84, 86; an active layer 88 including an oxide semiconductor; a gate electrode 82; a first insulation film 14; a second insulation film 18; and a bias electrode 81 that is provided at a side opposite to the gate electrode to the active layer and has potential fixed independently of the gate electrode.例文帳に追加

ソース・ドレイン電極８４，８６と、酸化物半導体を含む活性層８８と、ゲート電極８２と、第１の絶縁膜１４と、第２の絶縁膜１８と、活性層に対してゲート電極とは反対側に設けられており、該ゲート電極とは独立して電位が固定されるバイアス電極８１と、を有する薄膜トランジスタ８０。 - 特許庁

The liquid level measuring device 10 of liquid helium comprises a superconductive wire 11, a heater 12 disposed at one end of the superconductive wire 11, a constant current source 13 for applying a predetermined current to the superconductive wire 11, and a voltmeter 14 for measuring potential difference between both ends of the superconductive wire 11.例文帳に追加

本発明に係る液体ヘリウムの液面計測装置１０は、超電導線１１と、超電導線１１の一端に設けられたヒータ１２と、超電導線１１に所定の電流を流す定電流源１３と、超電導線１１の両端の電位差を測定する電圧計１４とを有する。 - 特許庁

Since a current flows through an inductor 2 only at a controlled timing when the potential difference of the output capacitor 42 reaches a level close to the input level Ei of an input DC voltage source 1, variation of the output voltage VO1 is minimized so that the output voltage VO2 can be started.例文帳に追加

出力コンデンサ４２の電位差が、入力直流電圧源１の入力レベルＥｉと近いレベルに達すると、制御のかかったタイミングにのみインダクタ２に電流は流れるため、出力電圧ＶＯ１の出力電圧の変動を最小限にして、出力電圧ＶＯ２の起動を可能にする。 - 特許庁

In a composition of passing sewer passage air H in a sewer pipe line 1 as heat source fluid through a heat exchanger 5 for heat radiation installed in a snow melting object place 2, a heat storage part 6 storing potential heat of the sewer passage air H passing the heat exchanger by latent heat storage agents 6b is provided in the heat exchanger 5 for heat radiation.例文帳に追加

融雪対象箇所２に設置した放熱用熱交換器５に対し熱源流体として下水管路１内の下水路空気Ｈを通過させる構成において、放熱用熱交換器５に、その器内を通過する下水路空気Ｈの保有熱を潜熱蓄熱剤６ｂにより蓄熱する蓄熱部６を設ける。 - 特許庁

The image forming apparatus includes a control part which controls a power source part so as to apply second bias voltage nearer to potential in a non-image area than first bias voltage when carrying out the emergency stop of developing operation, and controls a toner supply part so as to supply the predetermined amount of toner when performing restoring operation from the emergency stop.例文帳に追加

現像動作を緊急停止させるときには第１のバイアス電圧よりも非画像領域の電位に近い第２のバイアス電圧を印加するように電源部を制御し、かつ、緊急停止からの復帰動作時、トナーの所定量を補給するようにトナー供給部を制御する制御部とを備えることを特徴とする画像形成装置。 - 特許庁

The ion beam source comprises a metallic enclosure provided with cathodes, magnetic gaps, a magnetic field generating means for generating a magnetic field in the enclosure, reactive gas introducing means for introducing reactive gas into the enclosure, and anodes each arranged in the vicinity of the magnetic gap; wherein the cathodes are electrically insulated from ground potential.例文帳に追加

金属製の筐体に、カソードと、磁気ギャップと、前記筐体内に磁場を生じさせる磁場発生手段と、前記筐体内に反応性ガスを導入するための反応性ガス導入手段と、前記磁気ギャップの近傍に配置されるアノードとを備えるイオンビーム源であって、前記カソードを接地電位から電気的に絶縁したことを特徴とする。 - 特許庁