「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(30ページ目) - Weblio英語例文検索

When a negative voltage is applied to the sample base 7 and the outer magnetic pole 5b by a power source 9, the sample base 7, the sample 6 and the outer magnetic pole 5b are set at the same potential; and the symmetry of an electric field with respect to the optical axis of an electron beam is kept even if the sample is tilted.例文帳に追加

試料台７と外側磁極５ｂに電源９により負電位が印加されると、試料台７及び試料６と外側磁極５ｂは同電位となり、試料を傾斜させても、電子線の光軸に対して電界の対称性が保たれる。 - 特許庁

Source: An Analysis of the Potential Economic Effects of Bilateral, Regional, and Multilateral Free Trade: The Analysis Based on the Michigan Model (Kiyota, 2006). WAGAKUNI NO ZAI-SAABISU BOUEKI OYOBI TOUSHI NO JIYUUKA NO KEIZAI KOUKANI KANSURU CHOUSA KENKYUU (RIETI).例文帳に追加

（出所）清田（2006）「日本の二国間・地域的自由貿易協定と多角的貿易自由化の効果：ミシガン・モデルによる分析」（「我が国の財・サービス貿易及び投資の自由化の経済効果等に関する調査研究報告書」（独立行政法人経済産業研究所））。 - 経済産業省

The CDR circuit has one chip mounting a phase frequency comparator circuit, a charge pump circuit, a loop filter and a voltage controlled oscillator circuit, and a charge pump circuit potential generator circuit mounted on one chip generating a reference potential for setting the output current of the charge pump circuit, so as to compensate the temperature and source voltage variations of the output current of the charge pump circuit.例文帳に追加

、位相周波数比較回路と、チャージポンプ回路と、ループフィルタと、電圧制御発振回路とを搭載している１つのチップと、チャージポンプ回路の出力電流量を設定するレファレンス電位であって、チャージポンプ回路の出力電流の温度・電源電圧変動を補償するレファレンス電位を発生し、１つのチップに搭載されているチャージポンプ回路用電位発生回路とを有するＣＤＲ回路である。 - 特許庁

In growing the carbon nanotube 230 on the nickel membrane 231 by vapor phase synthesis in the reaction jar 101 of microwave plasma CVD device, only cathode line film 202 is set at a lower electric potential than the metal mesh by the bias power source and the gate line film 204 is set at the same potential as the metal mesh, and the carbon nanotube 230 is grown only on the nickel membrane 231 over the cathode line film 202.例文帳に追加

マイクロ波プラズマＣＶＤ装置の反応槽１０１内で、気相合成によりニッケル膜２３１上にカーボンナノチューブ２３０を成長させる際、カソードライン薄膜２０２のみをバイアス電源により金属メッシュよりも低い電位に設定し、ゲートライン薄膜２０４は金属メッシュと同じ電位として、カソードライン薄膜２０２上のニッケル膜２３１のみにカーボンナノチューブ２３０を成長させる。 - 特許庁

An ultra-low constant voltage is generated from a potential difference between a first power source line VDD and a second power source line VSS externally supplied by a low voltage generator 102 having a MOSFET of a body tie type PD SOI structure, and supplied to a digital circuit 110 having a MOSFET of a floating body type PD SOI structure.例文帳に追加

ボディタイ型のＰＤ型ＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴにより構成された低電圧発生回路１０２により、外部から供給される第１の電源線Ｖ_DDと第２の電源線Ｖ_SSとの間の電位差から、超低定電圧を発生し、フローティングボディ型のＰＤ型ＳＯＩ構造のＭＯＳＦＥＴにより構成されたディジタル回路部１１０に供給する。 - 特許庁

This field emission type electron source 10 emits an electron e^- via a surface electrode 7 by drifting in a strong electric field drift layer 6 by an electric field acting when impressing voltage between the surface electrode 7 and a lower electrode 12 when outputting the voltage from a driving power source Va so that the surface electrode 7 becomes the high electric potential side to the lower electrode 12.例文帳に追加

電界放射型電子源１０は、下部電極１２に対して表面電極７が高電位側となるような電圧が駆動電源Ｖａから出力されると、当該電圧を表面電極７と下部電極１２との間に印加したときに作用する電界により電子ｅ^−が強電界ドリフト層６をドリフトし表面電極７を通して放射される。 - 特許庁

A plurality of BLC generating circuits 4 are provided correspondingly to respective control areas CA of the memory cell array 1, each of BLC generating circuits inputs the potential of a cell source line CELSRC in a corresponding control area, then individually generates and outputs the bit line control signal BLC in each control area in accordance with input voltage of the cell source line CELSRC in each control area.例文帳に追加

ＢＬＣ発生回路４は、メモリセルアレイ１の各制御領域ＣＡに対応して複数設けられ、各ＢＬＣ発生回路が、対応する制御領域内のセルソース線ＣＥＬＳＲＣの電位をそれぞれ入力し、入力された各制御領域内のセルソース線ＣＥＬＳＲＣの電圧に応じて各制御領域内のビット線制御信号ＢＬＣを個別に生成し出力する。 - 特許庁

An ion enhanced EBPVD device 100 provides a depositing chamber 102, a depositing material supply source 112, a means 124 for forming a plasma from the depositing material supply source, a means 128 for applying a modulated bias potential to a workpiece to attract the ion from the plasma to the workpiece 106, and a means 200 for monitoring the density of the plasma and ion current to the workpiece.例文帳に追加

イオン強化ＥＢＰＶＤ装置１００は、堆積室１０２と、堆積材料供給源１１２と、堆積材料供給源からプラズマを形成する手段１２４と、プラズマからワークピース１０６にイオンを引き付けるようにワークピースに変調されたバイアス電位を印加する手段１２８と、プラズマの密度およびワークピースへのイオン電流をモニタする手段２００とが提供される。 - 特許庁

In the semiconductor integrated circuit device of LGA (land grid array) structure, a semiconductor integrated circuit chip is mounted on the substrate surface side, lands composing a signal terminal are located on the substrate back side in grid, and electrodes composing a power source terminal for providing a power source voltage and a ground potential are located on both sides of the substrate, respectively.例文帳に追加

ＬＧＡ（ランド・グリッド・アレイ）構成からなる半導体集積回路装置において、基板表面側に半導体集積回路チップを搭載し、信号用端子を構成するランドを上記基板裏面側にグリッド状に面配置し、電源電圧及び接地電位を供給するための電源用端子を構成する電極をそれぞれ上記基板側面側に設けるようにする。 - 特許庁

In order to drive a semiconductor switching element having an input capacitance formed between a gate electrode and a first output electrode, a first switch is connected between a direct-current voltage source and the gate electrode, a second switch is connected between the first output electrode and a reference potential terminal of the direct-current voltage source, and the first and second switches are turned on to turn the semiconductor switching element on.例文帳に追加

ゲート電極と第１の出力電極間に入力容量が形成された半導体スイッチング素子を駆動するため、直流電圧源とゲート電極間に第１のスイッチを接続し、第１の出力電極と直流電圧源の基準電位端間に第２のスイッチを接続し、第１，第２のスイッチをオンして半導体スイッチング素子をターン・オンさせる。 - 特許庁

In a method for erasing information stored in a flash memory element, erasure is performed, in a state in which a ground potential is applied to a source and first voltage Vd is applied to a drain, by a hot hole injecting method in which bias voltage Vg is applied to a gate stepwise from high voltage to low voltage.例文帳に追加

本発明のフラッシュメモリ素子における記憶情報の消去方法は、ソースに接地電位を印加しドレインに第１電圧(Vd)を印加した状態で、ゲートに高電圧から低電圧に段階的なバイアス電圧(Vg)を印加することによるホットホール注入方法によって消去を行なう。 - 特許庁

In an inkjet type recording head, the position of a meniscus 216 in a nozzle opening 211 can be moved to a liquid-repellent position on an ejection surface 212 side by electrostatic force with a low-potential nozzle plate 210 while lowering surface tension of ink 400 by accumulating positive charge in the ink 400 by a power source 240.例文帳に追加

電源２４０によって、インク４００にプラス電荷を蓄積させてインク４００の表面張力を下げつつ、低電位のノズルプレート２１０との間の静電力により、ノズル開口２１１でのメニスカス２１６の位置を噴射面２１２側の撥液性の位置まで移動できる。 - 特許庁

The MISFET used for the RF module for the portable telephone suppresses the generation of a hot carrier by forming a field plate electrode 13 connected to a source potential on the side face of the drain 9 side of a gate electrode 6, and reduces a capacity (feedback capacity) between a gate and a drain.例文帳に追加

携帯電話用ＲＦモジュールに使用されるＭＩＳＦＥＴは、ゲート電極６のドレイン９側の側面に、ソース電位に接続されたフィールドプレート電極１３を形成することによって、ホットキャリアの発生を抑制すると共に、ゲート、ドレイン間容量（帰還容量）を低減する。 - 特許庁

A reference voltage generation means 22 maintaining the electric potential on a non-voltage measuring side in a series circuit of partial resistances R1, R2 constituting the voltage divider at a reference voltage value over an output voltage limit value and below an input voltage limit value of the single power source operation amplifier 20.例文帳に追加

前記分圧回路を構成する分圧抵抗Ｒ１，Ｒ２の直列回路の非電圧計測点側の電位を、単電源演算増幅器２０の出力電圧下限値以上であって入力電圧上限値以下の基準電圧値に保持する基準電圧発生手段２２を備える。 - 特許庁

The range of a capacity division ratio by the plurality of capacities C10-C36 is set, so as to allow the largeness and position of the output voltage range of the digital/analog converter 10 to be set to a desired value within a voltage range between the power source voltage and grounding potential.例文帳に追加

電源電圧とグラウンド電位との間の電圧範囲内にて、本デジタルアナログ変換器１０の出力電圧範囲の大きさおよび位置が所望の値に設定されるよう、複数の容量Ｃ１０〜Ｃ３６による容量分割比の取り得る範囲が設定される。 - 特許庁

A voltage level converter 12 is controlled by a row control circuit 11 to output an accumulation voltage V_ccd which is supplied form a voltage drop circuit 13 and between the common source voltage V_dd and a ground potential GND to the gate electrode of an accumulating transistor M_ccd of the memory part 9.例文帳に追加

行コントロール回路１１に制御され、電圧レベル変換器１２は、電圧降下回路１３から供給された、共通電源電圧Ｖ_ｄｄと接地電位ＧＮＤの中間の蓄積電圧Ｖ_ｃｃｄをメモリー部９の蓄積トランジスタＭ_ｃｃｄのゲート電極に出力する。 - 特許庁

To provide an electrophotographic device which resolves instability of a light source regardless of write with a high resolution and gives a high stability to a surface potential of a photoreceptor and maintains a high sensitivity peculiar to titanyl phthalocyanine even in using a non-halide solvent as a charge transport layer coating liquid.例文帳に追加

高解像度で書き込みを行なっても、光源の不安定さを解消し、かつ感光体の表面電位の安定性の高くまた、電荷輸送層用塗工液に非ハロゲン系溶媒を用いた場合においても、チタニルフタロシアニン固有の高感度を維持した電子写真装置を提供する。 - 特許庁

To relieve the potential fluctuation of power sources and GNDs in the vicinity of a package which occurs in the case of a test at high frequencies at the time of testing an LSI with an extremely large number of input/output signals and power source and GND electrodes especially in the case of performing the test in a package state.例文帳に追加

ＬＳＩの入出力信号や、電源及びＧＮＤ電極が非常に多いＬＳＩをテストするに際し、特にパッケージの状態でテストする場合において、高周波でテストする場合に起こるパッケージの近傍での電源及びＧＮＤの電位変動を緩和する。 - 特許庁

The function as a VDD potential power source plane is given to a stiffener 12, by junctioning the metal thin film layer wiring pattern 5a of the film carrier tape 10 for a metal two-layer structure Taper BGA and a conductive stiffener 12 using a conducting bonding agent 15.例文帳に追加

金属２層構造Ｔａｐｅ−ＢＧＡ用フィルムキャリアテープ１０の金属薄膜層である配線パターン５ａと導電性のスティフナ１２とを導電性接着剤１５によって接合することにより、スティフナ１２にＶＤＤ電位の電源系プレーンとしての機能を持たせる。 - 特許庁

In the manufacturing method of the sintered body, a material powder comprising a metal powder or an alloy powder, a getter material having a higher oxidation potential than that of the material powder and a hydrogen compound which serves as a hydrogen source are sealed under reduced pressure in a metal container and subjected to pressure sintering while being heated.例文帳に追加

金属粉末あるいは合金粉末からなる原料粉末と、該原料粉末よりも酸化活性の高いゲッター材と、水素供給源となる水素化合物とを、金属容器に減圧下で封止し、加熱しつつ加圧焼結する焼結体の製造方法である。 - 特許庁

A voltage selecting circuit 3000 selects and outputs a plurality of kinds of voltage generated by a power source circuit 4000 to each voltage supply line 210-240, one side of potential of the non-selection word voltage supply line 240 and the non-selection bit voltage supply line 220 out of them is outputted fixedly.例文帳に追加

電圧選択回路３０００は、電源回路４０００が発生する複数種の電圧を各電圧供給線２１０〜２４０に選択出力し、そのうち、非選択ワード電圧供給線２４０および非選択ビット電圧供給線２２０の一方の電位を固定出力する。 - 特許庁

The high impedance circuit 41 has an impedance higher than that of a lighting circuit 30 at lighting, and is equipped with a detection circuit 40 composed of a resistor 42 and a capacitor 43 monitoring a potential of direct current bias component of the capacitor 26 for the auxiliary power source at the lighting circuit side.例文帳に追加

前記高インピーダンス回路４１は点灯時における点灯回路３０よりも高インピーダンスであり、前記補助電源用コンデンサ２６の前記点灯回路側の直流バイアス成分の電位を監視する、抵抗４２とコンデンサ４３からなる検出回路４０を備える。 - 特許庁

The power source control device 3 judges a polarity and size of a static charged potential of the object by a signal of a detection resistance 10 connected to a grounding line 9, and controls an output voltage of the high-voltage generation circuits of positive and negative sides for retaining the ion balance of the object.例文帳に追加

電源制御装置３は、接地線９に接続された検出抵抗１０の信号で対象物体の帯電電位の極性と大きさを判断し、対象物体のイオンバランスを保持するように正負の高電圧発生回路の出力電圧を制御する。 - 特許庁

The lighting drive power sources I1 to In comprise a constant current source of an attraction type to attract the lighting drive current of the light emitting elements from a cathode terminal side of the light emitting elements in a scanning state toward a reference potential point.例文帳に追加

点灯駆動電源Ｉ１〜Ｉｎは、データドライバ側の切り換え手段Ｓｋ１〜Ｓｋｎを介して、走査状態の発光素子におけるカソード端子側より発光素子の点灯駆動電流を基準電位点に向かって吸い込む吸い込み型の定電流源により構成される。 - 特許庁

Specifically, a gate current value of an n-channel transistor in which a channel region is formed by an oxide semiconductor is measured in a state where a voltage lower than the threshold voltage of the transistor is applied between a gate and a source, and a potential higher than that applied to the gate is applied to a drain.例文帳に追加

具体的には、酸化物半導体によってチャネル領域が形成されるｎチャネル型トランジスタのゲート及びソース間にトランジスタのしきい値電圧未満の電圧を印加し且つドレインにゲートに与えられる電位よりも高電位を与えた状態におけるゲート電流値の測定を行う。 - 特許庁

The inductor L_1 is charged with an inductor current I_L when the transistor TR_1 is on, and the relay M is driven as the result of obtaining pump-up output of higher potential than the power source voltage E by discharging the inductor current I_L charged in the inductor L_1 when the transistor TR_1 is off.例文帳に追加

トランジスタＴＲ_１のオン時に、インダクタＬ_１にインダクタ電流Ｉ_Ｌがチャージされ、オフ時に、インダクタＬ_１にチャージされたインダクタ電流Ｉ_Ｌが放出されることによって電源電圧Ｅより高電位のポンプアップ出力が得られることにより、リレーＭが駆動される。 - 特許庁

The active region R1' includes an N-type first diffusion region 48 serving as a source or drain of a transistor, and a P-type second diffusion region 71 having a higher impurity concentration than the P-type semiconductor 52 and supplying a potential to the P-type semiconductor 52.例文帳に追加

アクティブ領域Ｒ１’には、トランジスタのソース又はドレインとなるＮ型の第１の拡散領域４８と、Ｐ型の半導体５２よりも不純物濃度が高く、Ｐ型の半導体５２に電位を供給するためのＰ型の第２の拡散領域７１とが形成されている。 - 特許庁

Thus, this device can prevent reverse tilts by impressing signals having the same polarity on all pixel electrodes and by reducing the potential difference of adjacent pixel electrodes and by suppressing effects of transverse-direction electric fields while invertingly driving fields at the time of turning the power source on when the reverse tilts and most apt to be generated.例文帳に追加

もっともリバースチルトが発生しやすい電源オン時にフィールド反転駆動にすることにより、すべての画素電極に同極性の信号を印加し、隣接する画素電極の電位差を減らし、横方向電界の影響を押さえることにより、リバースチルトを防止することができる。 - 特許庁

The apparatus is equipped with many scan electrodes and sustain electrodes which are formed side by side and a scan drive part which alternately supply sustain pulses having the positive and negative polarities to the scan electrodes during a sustain period, and the sustain electrodes are connected to a base voltage source and always maintain a base potential.例文帳に追加

お互いに並んで形成される多数の走査電極及び維持電極と、サステイン期間の間走査電極に正極性及び負極性のサステインパルスを交番的に供給するための走査駆動部を備え、維持電極は基底電圧源に接続されていつも基底電位を維持する。 - 特許庁

A cantilever and a probe substrate are connected to a constant current source and a digital voltmeter (not shown) in the divided state into four independent conductive parts by etching a coated gold thin film as shown in Fig.(b), and transmits a current and a potential difference signal respectively.例文帳に追加

また、カンチレバーとプローブ基板は、図（ｂ）に示されているように、コーティングされた金の薄膜をエッチングすることによって、４つの独立した伝導部分に分かれて、定電流源及びデジタル電圧計（図示せず）に接続されており、それぞれ電流と電位差信号を伝送する。 - 特許庁

To obtain a charge pump circuit with a dead zone reduced which operates at high speed by preventing variation in the gate potential of a current source Tr (transistor) and making the rise time of output current small even when an up signal and a down signal input to the charge pump circuit have short pulses.例文帳に追加

チャージポンプ回路へ入力されるアップ信号、ダウン信号が短いパルスであった場合でも、電流源Ｔｒ（トランジスタ）のゲート電位の変動を防ぎ、出力電流の立ち上がり時間を小さくし、高速で動作する、不感帯が低減されたチャージポンプ回路を得る。 - 特許庁

Since the predetermined power source potential is supplied to the boosting output terminal in advance, the charge-pump booster circuit can be started in a short time.例文帳に追加

本発明のチャージポンプ昇圧回路は、昇圧動作を停止しているときなどに昇圧出力端子に所定の電源電位供給しておくスイッチ手段を設けており、昇圧出力端子に所定の電源電位を予め供給しておくから、チャージポンプ昇圧回路を短時間に起動することができる。 - 特許庁

Bit lines BL1, BL2 are pre-charged to VCC/2, a plate line PL1 is made to VCC/2, all word lines WL1, WL2 are made to a high potential, and connection nodes between one side terminal of ferroelectric substance capacitors and source terminals of cell transistors TC11, TC12 are held at VCC/2.例文帳に追加

ビット線ＢＬ１，ＢＬ２はＶＣＣ／２にプリチャージされ、プレート線ＰＬ１はＶＣＣ／２とされ、全てのワード線ＷＬ１，ＷＬ２を高電位にして強誘電体容量の一方の端子とセルトランジスタＴＣ１１，ＴＣ１２のソース端子との接続ノードをＶＣＣ／２に保つ。 - 特許庁

To realize a configuration which is free from an erroneous operation due to the effect of a dv/dt transient phenomenon of an output terminal for driving a load, when an RS flip-flop controls a high potential side switch element of a pair of switch elements connected in series between a high voltage power source and a ground in response to an input signal.例文帳に追加

高電圧電源と接地間に直列接続された一対のスイッチ素子の高電位側スイッチ素子を入力信号に応じＲＳフリップフロップで制御する際に、負荷を駆動する出力端子のｄｖ／ｄｔ過渡現象の影響で誤動作することのない構成を実現する。 - 特許庁

While the conductive section 561a which is positioned in a secondary transfer section T2 of the roller inside the secondary transfer roller 56 is connected to grounding potential, and a separating voltage which is the reverse polarity to charging polarity of a toner image is applied to a conductive section 561a positioned downstream of the secondary transfer section T2 by a power source D5.例文帳に追加

二次転写内ローラ５６の二次転写部Ｔ２に位置する導電部５６１ａが接地電位に接続される一方、二次転写部Ｔ２の下流に位置する導電部５６１ａには、電源Ｄ５によってトナー像の帯電極性と逆極性の分離電圧が印加される。 - 特許庁

Since adverse influence is exerted on the film deposition when recoil atoms from an electron beam heating source 22 reach the substrate W to be treated, a recoil atom control board 23 for preventing the arrival of the recoil atoms at the substrate W to be treated is provided; thus the charge potential of the substrate W to be treated is controlled.例文帳に追加

電子ビーム加熱源２２からの反跳電子が被処理基板Ｗに到達してしまうと膜形成に悪影響を及ぼすため、被処理基板Ｗに反跳電子が到達するのを防ぐための反跳電子制御板２３を設けて、被処理基板Ｗのチャージ電位を制御する。 - 特許庁

To apply effective cathodic corrosion prevention by a constant potential control type external power source cathodic corrosion prevention system to an object for corrosion prevention in a local region where electric resistance to DC stray current is lower than that of the circumference thereof, and also the value of DC stray current is made high under prescribed conditions.例文帳に追加

直流迷走電流に対する電気抵抗が周囲に比べて低く且つ所定の条件下で直流迷走電流の値が大きくなる局所的な領域の防食対象に対して、定電位制御型外部電源カソード防食システムによる効果的なカソード防食を行う。 - 特許庁

After a light emission potential corresponding to a video signal 20A is written to a pixel circuit 14 of a selection object (between the gate and source of a driving transistor Tr_1) (T_5), when a write and μ correction period and a bootstrap period (T_b) is elapsed, a falling signal 25A is output (T_8).例文帳に追加

映像信号２０Ａに対応する発光電位が選択対象の画素回路１４（駆動トランジスタＴｒ_1のゲート−ソース間）に書き込まれたのち（Ｔ_5）、書き込み・μ補正期間およびブートストラップ期間（Ｔ_b）が経過した時に立ち下がり信号２５Ａが出力される（Ｔ_8）。 - 特許庁

Distance D of the overlapped part between both shields 30, 32 satisfies Dd<D<λ, where Dd is discharge starting distance to potential difference between both shields 30, 32 in an atmosphere where both shields 30, 32 are placed, and λ is the mean free path of ion source substrance introduced into a plasma-generating part 10.例文帳に追加

両シールド３０、３２間の重合部分の距離Ｄは、両シールドが置かれている雰囲気の両シールド間電位差に対する放電開始距離をＤ_d 、プラズマ生成部１０に導入されるイオン源物質の平均自由行程をλとすると、Ｄ_d ＜Ｄ＜λを満たす。 - 特許庁

To provide an output buffer circuit that can reduce the level of a through current in simultaneous switching, reduce necessary current capacity of a power source, and suppress the through current irrelevantly to an external load when applied to a plurality of output buffers connected in parallel between a power supply terminal and a reference potential point.例文帳に追加

電源端子と基準電位点間に並列接続される複数の出力バッファに適用した場合、同時スイッチング時における貫通電流の大きさを減少でき、電源の電流容量が少なくて済み、また外部負荷によらず貫通電流を抑制可能とする。 - 特許庁

The prescribed voltage Vg, Vd are applied to a gate and a drain respectively, in a state in which a source and a substrate are kept at a ground potential, the prescribed voltage Vd or Vg is applied to a terminal of either of the gate or the drain, and the voltage Vd or Vg is applied to the other end varying by two stages or more.例文帳に追加

ゲート及びドレインに所定の電圧(Vg、Vd)を印加し、ソース及び基板を接地電位に維持させた状態で、ゲートまたはドレインのいずれか一方の端子に所定の電圧(VgまたはVd)を印加し、他方の端子に電圧(VdまたはVg)を２段階以上に変化させて印加する。 - 特許庁

By this setup, an SiO2 insulating film forming region which serves as a source to generate hydrogen that produces a surface potential level is reduced to an irreducible minimum, atomic hydrogen is less generated even in a radiation environment, and an interface state density is restrained from being generated, so that a semiconductor device of this constitution can be prevented from deteriorating in characteristics.例文帳に追加

これにより界面準位を生成する水素の発生源となるSiＯ_2 絶縁膜の形成領域を必要最低限の領域のみとし、放射線環境下でも原子状水素の発生を低減し、界面準位の生成を抑制して特性劣化を防止する。 - 特許庁

A metal film of a turbine blade 33 in a peeling liquid 32 is peeled while the potential of the turbine blade 33 is being controlled by an external power source 36 to about -200 mV according to the standard of a reference electrode (a silver-silver chloride electrode in a saturated potassium chloride solution) 34.例文帳に追加

剥離液３２中のタービン翼３３の電位を照合電極（飽和塩化カリウム溶液中の銀−塩化銀電極）３４の基準に対して約−２００ｍＶになるように、外部電源３６により制御しながら、タービン翼３３の金属皮膜の剥離作業を行う。 - 特許庁

In that respect, we welcome the launch of the Partnership’s Capital Markets Access Initiative, as an additional critical source of finance and a complement to our existing commitments, to help countries regain access to capital markets to spur growth and unlock potential investments in the region. 例文帳に追加

トメントを補完し更に追加的な重要な資金源となる、資本市場アクセス・イニシアティブが立ち上げられたことを歓迎。このイニシアティブは、パートナーシップ国の成長を刺激し、この地域への潜在的な投資を開放するため、資本市場へのアクセスを各国が取り戻すことを支援する。 - 財務省

The power supply device 1 connects the negative electrode for the DC power supply 10 and the reference potential source 40 by the relay 20 while connecting the positive electrode for the DC power supply 10 and the output terminal OUT by the relay 30, thus outputting a positive voltage from the output terminal OUT.例文帳に追加

この電源装置１は、リレー２０により直流電源１０の負極と基準電位源４０とを接続するとともに、リレー３０により直流電源１０の正極と出力端子ＯＵＴとを接続することで、出力端子ＯＵＴから正電圧を出力する。 - 特許庁