「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

Faced with this source of potential stress, we underscore our strong commitment to continue working collaboratively to secure strong, sustainable, and balanced growth and to refrain from policy actions that would detract from this shared goal.例文帳に追加

こうした潜在的な緊張の原因に直面し、我々は強固で持続可能かつ均衡ある成長を確保するために引き続き協力して取り組み、この共通の目標を損なう政策措置を慎むという我々の強いコミットメントを強調する。 - 財務省

A constant current power source 27 is connected between the first measuring terminal 25 and the second measuring terminal 26, and a fixed measuring current I is supplied along a normal direction of the internal circuit protecting diode to measure a potential between the both measuring terminals 25, 26.例文帳に追加

第１の測定端子２５と第２の測定端子２６との間に、定電流電源２７を接続して、内部回路保護用のダイオードの順方向に一定の測定電流Ｉを供給し、両測定端子２５，２６間の電位差を測定する。 - 特許庁

In the power supply, a second coil is added to a choke coil for harmonic prevention, one end of this second coil is connected to a lower potential side of a rectifier filter circuit output while the other end is connected to an auxiliary power source consisting of an auxiliary coil of a transformer through a diode and a resistor.例文帳に追加

高調波対策用のチュークコイルに、第２の巻線を付与し、この巻線の一端を整流平滑回路の出力の低電位側に、他端をダイオード、抵抗を介して、トランスの補助巻線から作成される補助電源に接続する。 - 特許庁

The source 205, where the junction has been formed, is protected from the alloy spike owing to the barrier metal 206, while in the p-type diffusion layer 301 contact resistance can be reduced because the barrier metal has been removed, to stabilize the electric potential of the p-type diffusion layer 301.例文帳に追加

接合が形成されているソース２０５はバリアメタル２０６によりアロイスパイクが抑制され、Ｐ型拡散層３０１ではバリアメタルが除去されているためコンタクト抵抗を下げることができ、Ｐ型拡散層３０１の電位が安定化される。 - 特許庁

A potential difference is restrained from being produced between the well thermal B and the source terminal S, by which the switching characteristics of the transistors T1 and T2 are restrained from being affected adversely, and the switching characteristics of a differential amplifier are also restrained from being affected adversely.例文帳に追加

ウエル端子（Ｂ）とソース端子（Ｓ）との間に電位差が生じるのを阻止することによって、トランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）の切換特性が不利な影響を受けることがなく、それにより差動増幅器の切換状態も不利な影響を受けることがない。 - 特許庁

When the DC motor 1 stops by overload, the potential difference between the DC motor 1 and the resistor 10 disappears, so the current flowing from the DC motor 1 to the resistor 10 decreases, and this breaks the connection to the AC power source to protect the DC motor.例文帳に追加

直流モータ１が過負荷により停止すると、直流モータ１と抵抗１０との電位差がなくなるので、直流モータ１から抵抗１０に流れる電流が減少し、交流電源との接続を遮断して直流モータを保護する。 - 特許庁

A conductor with an insulator formed on the surface is used as a probe for sampling a thin-piece test piece, and a potential difference is given between a conductive part as an electrode and the test piece by a direct current power source to form an electric field between the probe and the test piece.例文帳に追加

薄片試料採取用プローブとして、表面に絶縁体を形成した導電体を用い、導電部を電極として直流電源によって試料との間に電位差を付与することで、プローブと試料の間に電界を形成する。 - 特許庁

The surface of a screen structural body 1, through which the seawater passes, is covered with a conductive rubber panel 2 and connected to a direct-current power source 3 having a reference electrode and a potential controller so that the conductive panel is used as a positive electrode while the screen structural body is used as a negative electrode.例文帳に追加

海水が通過するスクリーン構造体（１）の表面を導電性ゴムパネル（２）で覆い、これを陽極としスクリーン構造体を陰極とするように、照合電極および電位制御装置を備えた直流電源（３）と接続する。 - 特許庁

During the calibration of an internal resistance measurement device 3 using a reference resistor 5, a potential v1 equal to that of a charge element is applied to a capacitor 6 connected between the reference resistor 5 and an AC voltmeter 2 by a DC voltage source 7.例文帳に追加

基準抵抗器５を用いた内部抵抗計測器３の校正時、基準抵抗器５および交流電圧計２間に接続されたコンデンサ６に、蓄電素子が有する電位と同等の電位ｖ１が直流電圧源７によって与えられる。 - 特許庁

An external DC power source 7 controls the electric potential of a energization circuit formed between a positive pole 7a and a negative pole 7b so as to generate oxygen without substantially generating chlorine gas in sea water 15 via the electrical catalyst 6.例文帳に追加

外部直流電源７は、電気的触媒６を介して海水１５中で塩素ガスを実質的に発生させないで酸素を発生させるよう、正極７ａと負極７ｂとの間に形成される通電回路の電位を制御する。 - 特許庁

Thus, the off-current is reduced between the source electrode and the drain electrode by a gate potential.例文帳に追加

絶縁基板に対して垂直方向から見て、ソース電極をほぼ孤立島パターンにし、ドレイン電極がそれを囲み、ゲート電極がそれらの間隙を包含する構造とすることにより、ゲート電位によりソース電極およびドレイン電極間のオフ電流を小さくすることができる。 - 特許庁

A driving pattern applying different voltages to pixel electrode rows adjacent across a source line of a TFT array is used, and a short circuit defect between adjacent pixel electrodes is detected by potential distribution of the pixel electrodes obtained by the driving pattern.例文帳に追加

ＴＦＴアレイのソースラインを挟んで隣接する画素電極列に異なる電圧を印加する駆動パターンを用い、この駆動パターンによって得られる画素電極の電位分布によって、隣接する画素電極間の短絡欠陥を検出する。 - 特許庁

In this MRAM(magnetoresistive random access memory) structure, a word line or a gate line (WL) is low-ohm-coupled to a programming line (PRL), a potential of a source (S) of a selective transistor (T) can be made same as that of the programming line (PRL).例文帳に追加

本発明のＭＲＡＭ構造では、ワード線またはゲート線（ＷＬ）がプログラミング線（ＰＲＬ）と低オーム結合されており、選択トランジスタ（Ｔ）のソース（Ｓ）を、ゲート（Ｇ）またはプログラミング線（ＰＲＬ）と同様の電位とすることが可能となっている。 - 特許庁

By such a structure, the gate electrode 12 is made to have a gate voltage potential and a channel region is made to be on, which enables a current to flow easily between an n^+-type drain region 10 and an n^+-type source region 9.例文帳に追加

このような構造により、サージが印加されたときに、ゲート電極１２にゲート電位を持たせることができ、チャネル領域をオンさせられるため、ｎ^+型ドレイン領域１０とｎ^+型ソース領域９との間で電流が流れ易くなるようにできる。 - 特許庁

When nonvolatile memory cells which can store two bits in one memory cell and in which current are made to flow bi-directionally are used, a bias power source potential is also given to a bit line BL4 being adjacent to two bit lines BL2, BL3 in which a sense current is made to flow.例文帳に追加

２ビットを１メモリセルに記憶することができ、双方向に電流を流す不揮発性メモリセルを用いる場合に、センス電流を流す２つのビット線ＢＬ２、ＢＬ３に隣接するビット線ＢＬ４にもバイアス電源電位を与える。 - 特許庁

Then, if the actual amount of marking material transferred to the recipient surface is different from the predetermined standard, the method and apparatus can identify the first marking material transfer device as being a potential source of printing defects.例文帳に追加

次に、上記受け取り面に転写された実際のマーク付け材料の量が上記あらかじめ定められた基準とは異なる場合、上記方法および上記装置は、第１マーク付け材料転写装置を印刷不具合の潜在的な原因として識別できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device the output characteristics of which can be corrected by connecting a pad not in use to a power supply source and a ground corresponding to desired output characteristics and controlling output transistors(TRs) connected in parallel according to the potential.例文帳に追加

所望の出力特性に応じて未使用のパッドを電源電位又は接地電位に接続し、その電位に従って並列に接続された出力トランジスタを制御することにより、出力特性を容易に修正することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

The voltage regulator employs such a circuit configuration that a substrate potential (n-well) of an output transistor 103 of the voltage regulator is not VDD terminal fixed and a power source of a reference voltage circuit 101 and an error amplifier 102 does not have a VDD terminal fixed.例文帳に追加

ボルテージ・レギュレータの出力トランジスタ１０３の基板電位（ｎ−ｗｅｌｌ）を、ＶＤＤ端子固定とせず、かつ、基準電圧回路１０１と誤差増幅器１０２の電源を、ＶＤＤ端子固定としない回路構成とすることで、上記課題を解決した。 - 特許庁

The potential treater (2) is provided with one, or two or more electrodes (8) and (9), a high voltage generator (3) for applying a high voltage to the electrodes, and a power source (4) for driving the high voltage generator (3).例文帳に追加

さらに被治療者に高電圧が印加されている状態で、電位治療器の作動を停止する際に、操作時に感電の危険性が無く、治療用電極と被治療者間に本来形成される電界分布に影響を及ぼすことのない電位治療装置を得る。 - 特許庁

A gate potential of a current copier transistor 19 is set to output a current of a prescribed value, a current supplied from a current source circuit 15 is supplied to a pixel circuit 1, a signal level and a reset level are read from the circuit 1 and stored to a line memory 6.例文帳に追加

カレントコピアトランジスタ１９のゲート電位を設定して一定値の電流を出力させ、電流源回路１５から供給される電流を画素回路１へ供給して、画素回路１からシグナルレベルとリセットレベルをそれぞれ読み出し、ラインメモリ６に格納する。 - 特許庁

By this adjustment of impedance, the potential difference of common mode noise in each terminal of a power source output is canceled, a common mode signal component is prevented from entering a negative feedback control circuit 104, overlapping of normal mode noise in the output voltage of the voltage converter circuit 105 is avoided.例文帳に追加

このインピーダンス調整により、電源出力各端子のコモンモードノイズの電位差をキャンセルし、負帰還制御回路１０４にはコモンモード信号成分が入らず、電圧変換回路１０５の出力電圧にノーマルモードノイズが重畳されなくなる。 - 特許庁

By means of employing this pattern sequence, the power source voltage and the reference potential exerts a shield effect, consequently the optical pickup device outputting the light detecting waveform can be inexpensively provided, the light detecting waveform being hardly affected by the external noise and faithfully responding to the recording light emitting waveform.例文帳に追加

このパターン配列にすることにより、電源電圧と基準電位がシールド効果を発揮し、外来雑音の影響を受け難く、記録発光波形に忠実に応答した光検出波形を出力する光ピックアップ装置を安価に提供することができる。 - 特許庁

The source region 8 and the drain region 7 are formed in the semiconductor layer 2 to interpose the gate electrode 5, and the body region 9 taking body potential is arranged on a side surface of the semiconductor layer 2 on the side opposite to the side surface thereof with the gate electrode 5 formed thereon.例文帳に追加

ソース領域８及びドレイン領域７は、ゲート電極５を挟むように半導体層２内に形成され、ボディ電位を取るボディ領域９は、ゲート電極５が形成された半導体層２の側面の反対側の側面に設けられている。 - 特許庁

In a case when the first and the second terminals 1 and 2, since the potential of the second terminal is raised to be larger than the prescribed value, the output current value Io2 of the second constant current source circuit becomes nearly zero to make it possible to detect short-circuit detection between the terminals 1 and 2.例文帳に追加

第１及び第２端子１，２が短絡した場合には、第２端子２の電位が上昇してＶ_LIMITよりも大きくなるので、第２定電流源回路の出力電流値Ｉｏ２が略零となり、端子１，２間の短絡検出を検出することができる。 - 特許庁

In discharging process, the base substrate 7a is applied with a minus potential from a power source part 11, so that plus charges 15 induced near the surface of the base substrate 7a is canceled, and in which condition, the surface of the insulating film 7b is exposed to the gas 5 from the ion generating part 3 (refer to (B)).例文帳に追加

除電処理時には電源部１１によりベース基板７ａにマイナス電位を与え、ベース基板７ａ表面近傍に誘起されているプラス電荷１５を打ち消した状態でイオン発生部３からのガス５に絶縁膜７ｂ表面を暴露する（（Ｂ）参照）。 - 特許庁

When a constant current is fed from a constant-current source 4 to between the electrode 3 and substrate 1, charges are trapped at a trap center within the damaged layer of the substrate 1 and a potential of a conduction band in the vicinity of the surface of the substrate 1 is increased.例文帳に追加

定電流電源４により、水銀電極３とＳｉ基板１との間に一定電流を印加すると、Ｓｉ基板１のダメージ層内の捕獲中心に電荷がトラップされて、Ｓｉ基板１の表面付近における伝導帯のポテンシャルが上昇する。 - 特許庁

An output buffer 150 is the load which need not use all the voltages applied for this voltage boosting system as the driving voltage and its low-potential side electrification end which should normally be grounded is connected to the voltage supply end of the system power source 500.例文帳に追加

出力バッファ１５０は、この昇圧システムにとって印加される電圧の全てを駆動電圧として利用する必要のない負荷であり、通常は接地電位とされるべきその低電位側給電端は、システム電源５００の電圧供給端に接続される。 - 特許庁

With a semiconductor substrate 1 as ground potential, a positive voltage Vp is applied to a gate 4, a source 3, and a drain 2 of the reference cell.例文帳に追加

半導体基板１を接地電位とし、リファレンスセルのゲート４とソース３とドレイン２に正電圧Ｖｐをそれぞれ印加して、チャネル９の直下の空乏層にかかる電界で加速されたホットエレクトロンをチャネル９上の窒化シリコン膜６へ注入する書き込み動作を行う。 - 特許庁

After the voltage of the negative input terminal of the comparator 13 becomes larger than the voltage of a reference voltage source 12 for applying voltage to a plus input terminal of the comparator 13 under this condition, the high potential terminal 1 and the negative input terminal are released.例文帳に追加

その状態で、比較器１３のマイナス入力端子の電圧が、比較器１３のプラス入力端子に電圧を印加するための基準電圧源１２の電圧よりも大きくなった後、高電位側端子１と比較器１３のマイナス入力端子とを開放させる。 - 特許庁

The plating liquid 12 is thereafter stirred by a stirring machine 15 and potential is impressed between a steel sheet 16 which is a cathode and a copper electrode 18 which is an anode by a DC power source 20, by which metal copper is precipitated on the steel sheet 16 and the copper film is deposited thereon.例文帳に追加

その後、攪拌機１５によってメッキ液１２を攪拌するとともに、陰極である鋼板１６と陽極である銅電極１８との間に直流電源２０によって電位を印加し、鋼板１６に金属銅を析出させて銅皮膜を成膜する。 - 特許庁

The drive device 104 is provided with a protective circuit 142 that, under a condition that switching elements Q1-Q6 provided on the drive are all turned off, forcibly turns on all of the switching elements Q1-Q3 corresponding to the high potential side of a power source.例文帳に追加

駆動装置１０４に、それが備えるスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のすべてがＯＦＦ状態とされる状況下において、強制的に、電源の高電位側に対応するスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ３のすべてをＯＮ状態とする保護回路１４２を設ける。 - 特許庁

In LT previous-state return mode, a signal LTB goes up to 'H' level and the N channel MOS transistor 47 turns on; and then the same state as a state wherein none of the fuses 48 to 51 is cut is entered and the internal source potential intVCC returns to the level at wafer test time.例文帳に追加

ＬＴ前状態復帰モード時は、信号ＬＴＢが「Ｈ」レベルになってＮチャネルＭＯＳトランジスタ４７が導通し、ヒューズ４８〜５１が全く切断されていない状態と同じ状態になって内部電源電位ｉｎｔＶＣＣがウェハテスト時のレベルに戻る。 - 特許庁

When a constant voltage of 400V is outputted from an output terminal A of a high voltage power supply unit 300 and the surface potential of a photosensitive body 8 is varied in a range of 0 to 400V, a gate voltage of an FET 301 is made higher than a source voltage to turn off the FET 301.例文帳に追加

高圧電源装置３００の出力端子Ａから４００Ｖの定電圧が出力され、感光体８の表面電位が０〜４００Ｖの範囲で変化する場合、ＦＥＴ３０１のゲート電圧がソース電圧よりも高くなりＦＥＴ３０１がＯＦＦする。 - 特許庁

A magnet 203 is provided nearby a crystal vibrator 100 and an auxiliary electrode 201 as a cathode is equipped with a gap 204 at the cathode tip part nearby the crystal vibrator 100, and the auxiliary cathode 201 is connected to the negative potential of an auxiliary DC power source 202.例文帳に追加

水晶振動子１００の近傍に、磁石２０３、陰極である補助電極２０１に於いて、水晶振動子１００近傍の陰極先端部に空隙２０４を具備し、補助陰極２０１を補助直流電源２０２の負の電位に接続する。 - 特許庁

One end of resistors 205-209 is connected with the opposite ends and the center point of depletion FETs 101-104 connected in series and a specified voltage is applied to the other end of the resistors 205-209 thus fixing the source-drain potential of the FETs 101-104.例文帳に追加

直列接続したデプレッション型のＦＥＴ１０１〜１０４の両端および中点に抵抗２０５〜２０９の一端を接続し、抵抗２０５〜２０９の他端に所定の電圧を印加することにより、ＦＥＴ１０１〜１０４のソース・ドレイン電位を固定する。 - 特許庁

To provide an image forming device by which a driving source to perform the rotation driving of an image carrier is controlled based on the fluctuation of the moving speed of an image carrier surface and the exposure of the image carrier is performed based on the detection of a potential sensor whose deterioration is reduced.例文帳に追加

像担持体表面の移動速度の変動に基づいて像担持体の回転駆動を行う駆動源を制御する、または、劣化の少ない電位センサの検知に基づいて像担持体の露光を行う画像形成装置を提供することである。 - 特許庁

In a word driver 1 of a DRAM, a N channel MOS transistor QN3 to the gate of which a power source potential Vcc is applied is connected between a gate of a P channel MOS transistor QP1 for pull-up and a gate of a N channel transistor QN1 for pull-down.例文帳に追加

ＤＲＡＭのワードドライバ１において、プルアップ用のＰチャネルＭＯＳトランジスタＱＰ１のゲートとプルダウン用のＮチャネルＭＯＳトランジスタＱＮ１のゲートとの間に、そのゲートに電源電位Ｖｃｃが与えられたＮチャネルＭＯＳトランジスタＱＮ３を接続する。 - 特許庁

The power supply device connects the positive electrode for the DC power supply 10 and the reference potential source 40 by the relay 20 while connecting the negative electrode for the DC power supply 10 and the output terminal OUT by the relay 30, thus outputting a negative voltage from the output terminal OUT.例文帳に追加

また、リレー２０により直流電源１０の正極と基準電位源４０とを接続するとともに、リレー３０により直流電源１０の負極と出力端子ＯＵＴとを接続することで、出力端子ＯＵＴから負電圧を出力する。 - 特許庁

Then, in the sense node N1, an inverse conductive channel type second transistor T2 (p-channel MOS transistor) is connected between the first transistor T1 and a high-potential power source Vdd1, and the second transistor T2 is on/off-controlled by a reset signal Φr1.例文帳に追加

そして、センスノードＮ１には第１トランジスタＴ１と高電位電源Ｖｄｄ１との間に逆導電チャネル型の第２トランジスタＴ２（Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタ）を接続し、その第２トランジスタＴ２をリセット信号Φｒ１によりオン・オフ制御するようにした。 - 特許庁

However, when a clock supply circuit 6 is suspending clock supply or when the signal potential of an input signal Din from a signal supply source 3 is fixed, the power-supply voltage of the first logic circuit 21 is lowered to the power-supply voltage VDD1.例文帳に追加

しかしながら、クロック供給回路６がクロックの供給を停止している時、又は信号供給源３からの入力信号Ｄｉｎの信号電位が固定されている時には、第１論理回路２１の電源電圧を第１の電源電圧ＶＤＤ１に下げる。 - 特許庁

When a primary transfer bias is applied on the tension roller 20c by a high- voltage power source 12, the rear side of the belt 20 has the same potential over the entire length, the primary transfer bias works on the primary transfer part, and the toner image on the photoreceptor drum 1 is transferred primarily to the belt 20.例文帳に追加

高圧電源１２からテンションローラ２０ｃに１次転写バイアスを印加すると、ベルト２０の裏面が全長にわたって同電位となるので、１次転写部に１次転写バイアスが作用し、感光ドラム１上のトナー像がベルト２０上に１次転写される。 - 特許庁

For increasing the erasing speed, it is unnecessary that the potential difference Vsf between the source and a control gate is made high voltage, so that intensity of an electric field applied on a tunnel film 14 can be reduced when erasing operation is started, and damage to the tunnel film 14 can be prevented.例文帳に追加

また、消去スピードを向上させるためにソース−コントロールゲート間の電位差Ｖｓｆを高電圧にする必要がないため、消去動作開始時にトンネル膜１４にかかる電界強度を低減でき、トンネル膜１４にダメージが入ることを防止できる。 - 特許庁

In a detector 20 included in a VPP generating circuit of a DRAM, an external power source potential VCC is given to a gate of a N channel MOS transistor 28 for restricting a through current of an inverter 33 outputting an inverse signal of an output signal ϕC of a comparator 32.例文帳に追加

ＤＲＡＭのＶＰＰ発生回路に含まれるディテクタ２０において、コンパレータ３２の出力信号φＣの反転信号を出力するインバータ３３の貫通電流制限用のＮチャネルＭＯＳトランジスタ２８のゲートに外部電源電位ＶＣＣを与える。 - 特許庁

In normal operation (control signal SEL=0), a control signal B is 0, so the output value from a NAND gate 34 provided in the slave latch circuit 3 is fixed at 1 as a source potential whatever value the signal outputted from an inverter 32 has.例文帳に追加

通常動作時（制御信号ＳＥＬ＝０）には、制御信号Ｂ＝０であるため、スレーブラッチ回路３内に設けられたＮＡＮＤゲート３４からの出力値は、インバータ３２から出力された信号がいかなる値であっても電源電位である１に固定される。 - 特許庁

This ion source includes: a plasma generation vessel 30; a filament 42; a reflecting electrode 48 for reflecting electrons and extracting ions 52; a control electrode 46 kept at the same potential as that of the plasma generation vessel 30; and a deceleration electrode 50 for decelerating the ions 52.例文帳に追加

このイオン源は、プラズマ生成容器３０と、フィラメント４２と、電子を反射させると共にイオン５２を引き出す反射電極４８と、プラズマ生成容器３０と同電位に保たれる制御電極４６と、イオン５２を減速する減速電極５０とを備えている。 - 特許庁