「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(20ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, on the comparator 11, the number of the inversions of the data read out from the memory cells MC is compared with the expectation N2, and a comparison result is transmitted to a source potential control unit 13.例文帳に追加

そして、コンパレータ１１において、メモリセルＭＣから読み出されたデータの反転数と期待値Ｎ２が比較され、その比較結果がソース電位制御部１３に送られる。 - 特許庁

To drop terminal voltage of an output capacitor linearly to ground potential always in a fixed time in a voltage source circuit using the output capacitor.例文帳に追加

出力キャパシタを用いた電圧源回路において、出力キャパシタの端子電圧を常に一定時間で直線的にグランド電位まで降下させることができるようにする。 - 特許庁

To provide an electron gun of which potential distribution, temperature distribution, and local degree of vacuum at the aperture where the electron beam from the electron source and Wehnelt electrode pass through are respectively made more uniform.例文帳に追加

電子源とウエネルト電極の電子線が通過する開口の電位分布や温度分布および局所の真空度をそれぞれより均一にする電子銃を提供する。 - 特許庁

When a transistor M1 is driven OFF in the power down mode, transistors M6, M7 are driven ON and the gate electrodes of transistors M2, M3 are clamped at the same potential as that of the source electrodes.例文帳に追加

パワーダウンモード時にトランジスタＭ１がオフ駆動されると、トランジスタＭ６，Ｍ７がオン駆動され、トランジスタＭ２，Ｍ３のゲート電極がソース電極と同電位にクランプされる。 - 特許庁

The diode 53 and the diode 54 are connected between a signal line connecting a transmission and reception separation circuit 4 and a preamplifier 61 of amplifiers 6, and the positive and negative potential control power source.例文帳に追加

ダイオード５３及びダイオード５４は、送受分離回路４と増幅器群６のプリアンプ６１とを結ぶ信号線と、正負電位制御電源との間に接続される。 - 特許庁

To reduce a power consumption by decreasing the number of power source wiring to set a potential of substrate of a semiconductor element in a semiconductor integrated circuit of an SOI structure.例文帳に追加

ＳＯＩ構造の半導体集積回路において、半導体素子の基板電位を設定する電源配線の数を削減して、消費電力の低減を図ること。 - 特許庁

To enable reduction of a layout area in a CMOS circuit having a source diffusion layer and a well region having the same potential as the diffusion layer.例文帳に追加

本発明は、ソース拡散層がウェル領域の電位と同電位になるＣＭＯＳ回路において、レイアウト面積を減少できるようにすることを最も主要な特徴とする。 - 特許庁

The gate potential of the transistor in the loopback cascode amplifier circuit 140 is set so that the voltage between the gate and source and that between the gate and drain become smaller than the VCC.例文帳に追加

折り返しカスコード増幅回路１４０内のトランジスタのゲート電位は、ゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間の電圧がＶＣＣよりも小さくなるように設定される。 - 特許庁

The conductive plate 26 can also be stabilized electrically because the trench plate 24 takes a GND potential by a connection to a ground for the external circuit of the source electrode 28.例文帳に追加

また、ソース電極２８が外部回路のアースに接続されることで、トレンチプレート２４がＧＮＤ電位をとるので、導電プレート２６を電気的に安定させることもできる。 - 特許庁

One counter electrode electrically connected to a common potential source common to a capacitance line and opposite to the plurality of pixel electrodes is equipped on a counter substrate.例文帳に追加

対向基板上に、容量線と共通の共通電位源に電気的に接続されており且つ複数の画素電極に対向する一つの対向電極を備える。 - 特許庁

When the potential difference between the source electrode 40 and the first gate electrode 10 is 0 V, the portion of the semiconductor layer 30 opposite to the first gate electrode is conducted.例文帳に追加

ソース電極４０と第１ゲート電極１０との間の電位差が０ボルトのときに、半導体層３０のうちの第１ゲート電極に対向する部分は導通する。 - 特許庁

Thus, a power source is shut off while the polarity of the scanning potential of the mutually adjacent scanning electrodes is different, and the occurrence of flickering can be suppressed.例文帳に追加

このようにすることで、互いに隣接する走査電極の走査電位の極性が異なったまま、電源を遮断することがなくなり、フリッカの発生を抑えることができる。 - 特許庁

The electrodes 22a and 22b are interconnected by a variable constant current source 23 (power means), with the first electrode 22a having a higher potential than the second electrode 22b.例文帳に追加

電極２２ａ，２２ｂどうしは可変定電流源２３（電源手段）によって接続され、第１電極２２ａが第２電極２２ｂより高電位になっている。 - 特許庁

Therefore, the potential drop of the internal power source voltage VINT for current consumption at the time of FUSE discrimination is reduced so that the current consumption at the time of standby is not exceeded.例文帳に追加

したがって、ＦＵＳＥ判定時の消費電流に対する内部電源電圧ＶＩＮＴの電位降下を軽減し、しかも待機時の消費電流を越えないようにする。 - 特許庁

When a switch 12 is turned on, a variable current source 10 raises a filament current in accordance with the potential rise of a junction point 50 of a CR time constant circuit 32.例文帳に追加

スイッチ１２をオンすると、ＣＲ時定数回路３２の接続点５０の電位の上昇に対応して可変電流源１０はフィラメント電流を上昇させる。 - 特許庁

An input switch 21 is opened in response to this control signal and a pull-down switch 22 is closed, and hence the gate terminal is fixed to a voltage of the low potential power source GND.例文帳に追加

この制御信号に応答して入力スイッチ２１を開き、プルダウンスイッチ２２を閉じることで、ゲート端子を低電位電源ＧＮＤの電圧に固定する。 - 特許庁

A second diffusion region 104 for supplying a substrate or well potential is provided separately from a first diffusion region 102 for forming a source of a transistor.例文帳に追加

トランジスタのソースを形成する第１の拡散領域１０２と分離して、基板またはウェル電位を給電するための第２の拡散領域１０４を設けている。 - 特許庁

The negative side of the DC bias power source 52 is connected to the discharging electrode 44, and the DC bias voltage whose polarity is the same as that of the electrostatic potential of the photoreceptor 14 is applied on the electrode 44.例文帳に追加

放電電極４４は、直流バイアス電源５２のマイナス側が接続され、感光体１４の帯電電位と同極性の直流バイアス電圧が印加される。 - 特許庁

For stop of the pump circuit, each transistor for discharge is made conductive, nodes trg1, chg1 being high voltage are discharged to a potential of power source voltage or less.例文帳に追加

ポンプ回路停止時に、各ディスチャージ用トランジスタを導通状態にして、高電圧となっているノードｔｒｇ１、ｃｈｇ１を電源電圧以下の電位にディスチャージさせる。 - 特許庁

In the transistor Q1, a drain is connected to a power supply voltage 1, a gate and a source are connected to an output voltage terminal 3, and a substrate is connected to a GND potential 5.例文帳に追加

トランジスタＱ１は、ドレインが電源電圧１に接続され、ゲートとソースが出力電圧端子３に接続され、基板がＧＮＤ電位５に接続されている。 - 特許庁

This circuit 9 is provided with a first transistor of which one end is connected to a power source potential and plural transistors connected in series between the other end of the first transistor and a ground potential, and the constant potential decided in accordance with a total sum value of respective threshold voltage of the plural transistors is outputted from the other end of the first transistor.例文帳に追加

一端が電源電位に接続された第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタの他端と接地電位との間に直列に接続された複数のトランジスタとを備え、前記第１のトランジスタの他端から前記複数のトランジスタそれぞれのしきい値電圧の総和値に応じて決定される定電位が出力されてなる定電位発生回路。 - 特許庁

The booster circuit comprises a reference potential circuit for outputting reference potential; a comparator for comparing the reference potential with a voltage corresponding to an output voltage; a booster means as a booster means for boosting the power source voltage and outputting it as an output voltage, controlled in an operating state and a non-operating state by the output of the comparator.例文帳に追加

昇圧回路は、基準電位を出力する基準電位回路と、基準電位と出力電圧に対応する電圧とを比較する比較器と、電源電圧を昇圧して出力電圧として出力する昇圧手段であって、比較器の出力によって動作／不動作が制御される昇圧手段とから構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor resistor element and a semiconductor module with the semiconductor resistor element which can suppress a change in a resistance value of a resistor element layer due to a potential difference between a potential of the resistor element layer and a potential of a semiconductor substrate, power source line, signal line or the like which are disposed around the resistor element layer, without causing useless current and signal distortion or the like.例文帳に追加

無駄な電流や信号の歪み等を発生させることなく、抵抗素子層の電位と、その周辺の半導体基板や電源線、信号線等の電位との電位差によって抵抗素子層の抵抗値が変化してしまうことを抑えることのできる半導体抵抗素子及び半導体抵抗素子を有する半導体モジュールを提供する。 - 特許庁

Thereafter, when returning the supply line DS from the low potential Vss to the high pressure potential Vcc and when the signal line SL is in the reference potential Vofs, correction operation of discharging a holding capacitor C1 is performed such that the sampling transistor T1 is turned on according to the control signal and that the source voltage of the driving transistor T2 increases toward a threshold voltage Vth thereof.例文帳に追加

この後給電線ＤＳを低電位Ｖｓｓから高電位Ｖｃｃに戻し且つ信号線ＳＬが基準電位Ｖｏｆｓのとき、サンプリング用トランジスタＴ１が制御信号に応じてオンして駆動用トランジスタＴ２のソース電圧がその閾電圧Ｖｔｈに向かって上がるように保持容量Ｃ１を放電する補正動作を行う。 - 特許庁

However, since the electrons es2 of reverse spin implanted into the semiconductor SM each have electric charges, the potential of the semiconductor SM deteriorates, the thickness of a potential barrier PB formed based on a Schottky contact SJ between the source S and the semiconductor SM increases and electrons hardly flows from the source S to the semiconductor SM.例文帳に追加

しかしながら、半導体ＳＭ内への注入された逆向きスピンの電子ｅｓ２は、電荷を有しているので、半導体ＳＭの電位が低下し、ソースＳと半導体ＳＭとの間のショットキ接触ＳＪによって形成されたポテンシャル障壁ＰＢの厚みが増加し、ソースＳから半導体ＳＭ内に電子が流れ込みにくくなる。 - 特許庁

A low-threshold transistor MN7 is used as an NMOS transistor driving a high-threshold transistor MP5 between high-threshold transistors MP5 and MN5 of inverter constitution connected between a high-potential power source HiVDD and a ground VSS, and this transistor MN7 is driven with an input voltage varying within the voltage of a low-potential power source LoVDD to securely drive the transistor MN7.例文帳に追加

高電位電源HiVDDと接地VSS間に接続されるインバータ構成の高しきい値のトランジスタＭＰ５，ＭＮ５のうちのＭＰ５を駆動するＮＭＯＳトランジスタを低しきい値のトランジスタＭＮ７とし、このトランジスタＭＮ７を低電位電源LoVDDの電圧内で変化する入力電圧Ｖinで駆動することにより、そのトランジスタＭＮ７が確実に駆動されるようにする。 - 特許庁

As a result, voltage can stably be fed to the drain terminal and the source terminal of the FET constituting the semiconductor switch integrated circuit, and the potentials of the source terminal and the drain terminal of the FET of an off state can be set to a prescribed potential, even if DC voltage including GND potential other than control voltage is not added from an outside.例文帳に追加

その結果、制御電圧以外に外部からＧＮＤ電位を含めたＤＣ電圧を加えなくとも、半導体スイッチ集積回路を構成するＦＥＴのドレイン端子、ソース端子に安定に電圧を供給することができ、オフ状態のＦＥＴのソース端子およびドレイン端子の電位を所定の電位に設定することができる。 - 特許庁

A first diode and a second diode are connected to the hopping field generation means, the first diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the normal phase pulse voltage generation circuit, and the second diode having an anode on the low potential side of the first power source and having a cathode on the output end side of the reversed phase pulse voltage generation circuit.例文帳に追加

また、ホッピング電界発生手段に第１の電源の低電位側をアノードとし正相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第１のダイオード及び第１の電源の低電位側をアノードとし逆相用パルス電圧発生回路の出力端側をカソードとする第２のダイオードを接続した。 - 特許庁

A scanner 104 outputs a control signal for bringing a sampling transistor 3A into conduction in a time zone in which a power source line DSL101 is at power source potential and a signal line DTL101 is at reference potential to conduct a threshold voltage correction operation for holding the voltage corresponding to the threshold voltage of a drive transistor 3B in a holding capacitor 3C.例文帳に追加

スキャナ１０４は、電源線ＤＳＬ１０１が電源電位にあり且つ信号線ＤＴＬ１０１が基準電位にある時間帯でサンプリング用トランジスタ３Ａを導通させる制御信号を出力して、駆動用トランジスタ３Ｂの閾電圧に相当する電圧を保持容量３Ｃに保持するための閾電圧補正動作を行う。 - 特許庁

The substrate has power source wirings 22 supplying a power source potential to the semiconductor chips 19a, 19b, ground wirings 23 supplying a ground potential to the chips 19a, 19b, output wirings 21a, 21b to which output signals from the chips 19a, 19b are supplied and an insulating film 11 covering the output wirings 21a, 21b.例文帳に追加

半導体チップ１９ａ，１９ｂに電源電位を供給する電源配線２２と、半導体チップ１９ａ，１９ｂに接地電位を供給する接地配線２３と、半導体チップ１９ａ，１９ｂからの出力信号が供給される出力配線２１ａ，２１ｂと、出力配線２１ａ，２１ｂを覆う絶縁膜１１とを有する。 - 特許庁

A V-I converter is formed of a combination of two CMOS inverter circuits, each consisting of a CMOS, a voltage control means for variably controlling the source potential of one of MOS transistors forming a CMOS, a voltage shift means for adjusting the source potential of the other MOS transistor forming the CMOS so as to remove DC offset.例文帳に追加

ＣＭＯＳと、ＣＭＯＳを成す一方のＭＯＳトランジスタのソース電位を可変に制御する電圧制御手段と、ＤＣオフセットを除去するようにＣＭＯＳを成す他方のＭＯＳトランジスタのソース電位を調整する電圧シフト手段とから成るＣＭＯＳインバータ回路を２つ組み合わせることで、Ｖ−Ｉ変換器（電圧電流変換器）を構成する。 - 特許庁

The stem of a semiconductor laser light source at a potential of 0 V is brought into contact with the flange of a cylinder to allow the laser holder to home the same potential of 0 V, and furthermore the seating face of the fixing screw 56 is in contact with the grounding pattern 60, thereby the laser holder is connected to the grounding pattern 60 of the drive circuit of the semiconductor laser ray source of the circuit board 57.例文帳に追加

レーザーホルダ４１は０Ｖ電位の半導体レーザー光源４０のステム４０ａと円筒部４２のフランジ４３が接触することより同電位（０Ｖ）となり、更に固定ねじ５６の座面が接地パターン６０と当接することにより回路基板５７の半導体レーザー光源４０の駆動回路の接地パターン６０と接続される。 - 特許庁

To prevent a switching element on a high potential side from being brought into an inappropriate driven state due to a drop in voltage of a capacitor which is a power source of a drive unit on the high potential side when a prediction model control is employed in a system using a bootstrap circuit.例文帳に追加

ブートストラップ回路を用いたシステムにおいて、モデル予測制御を適用する場合、高電位側のドライブユニットの電源となるコンデンサの電圧が低下することで、高電位側のスイッチング素子を適切に駆動することができなくなることを防止する。 - 特許庁

The source terminal of the N-type MOS transistor 160 is connected to the ground potential level; a set signal is supplied to the gate terminal in a pixel unit only for the flip-flop FF corresponding to the pixel for writing and this set signal brings the node 1 into the ground potential level.例文帳に追加

Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１６０のソース端子は接地電位レベルに接続され、ゲート端子には書き込み対象の画素に対応するフリップフロップＦＦにのみ、画素単位でセット信号が供給され、このセット信号によりノードＮ１は接地電位レベルとされる。 - 特許庁

For the initial setup period after the elapse of the initial delay period from the start of the power source, the bias potential of an address electrode 11 is raised to the setup potential SV, the write pulses Pwa for the number of lines of one screen are successively impressed to the address electrode 11.例文帳に追加

電源投入時から初期ディレイ期間の経過後の初期セットアップ期間において、アドレス電極１１のバイアス電位がセットアップ電位ＳＶに上昇し、アドレス電極１１に一画面のライン数分の書き込みパルスＰｗａが順に印加される。 - 特許庁

A gate voltage of the MOS-FET 350 is controlled by an operation amplifier 370, and the control is performed by comparison between a potential S appearing on one end of the current detection resistance 360 and a potential T of a reference power source 380, and thereby a constant-current circuit is formed.例文帳に追加

そして、ＭＯＳ−ＦＥＴ３５０のゲート電圧をオペアンプ３７０で制御し、その制御を電流検出抵抗３６０の一端に現れる電位Ｓと、基準電源３８０の電位Ｔとの比較により行うことで、定電流回路を形成した。 - 特許庁

The output circuit 7 includes an NMOS transistor N1 whose source is connected to the signal line 5 and whose drain is connected to the low potential power line 6, and an NMOS transistor N2 connected between a gate of the NMOS transistor N1 and the low potential power line 6.例文帳に追加

出力回路７は、ソースが信号線５に接続され、ドレインが低電位電源線６に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ１と、ＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートと低電位電源線６の間に接続されたＮＭＯＳトランジスタＮ２とを備えている。 - 特許庁

A potential difference between the input signal line 270 and the gate line of the drive transistor 304 and a potential difference between the input signal line 270 and the source line of the drive transistor 304 is held by the gradation voltage capacitor 306 and the reference voltage capacitance 312.例文帳に追加

入力信号線２７０と駆動トランジスタ３０４のゲート線との間の電位差、及び入力信号線２７０と駆動トランジスタ３０４のソース線との電位差は、それぞれ階調電圧容量３０６及び基準電圧容量３１２により保持される。 - 特許庁

To provide an active matrix EL display device that can display a clear multi gray-scale color display by reducing the shift in the potential caused by potential drop due to the interconnect resistance of a power source supply line to decrease the unevenness in a display region.例文帳に追加

電源供給線の配線抵抗による電位降下によって生じる電位のずれを軽減することにより、表示領域内のムラを軽減し、鮮明な多階調カラー表示が可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

Thereby, by simple circuit constitution in which only auxiliary capacitor C is used, potential difference of fall of a (p) well potential is made large, reduction of pump efficiency by back gate effect is prevented when power source voltage is made lower, while latch-up and charge leak are prevented.例文帳に追加

こうして、補助容量Ｃを用いるだけの簡単な回路構成で、ｐウェル電位の突き下がりの電位差を大きくして、電源電圧の低電圧化に際してバックゲート効果によるポンプ効率の低下を無くすと共に、ラッチアップやチャージ漏れを防止する。 - 特許庁

On and after a time t_17 when the writing of the video signal is finished, a power source scanner increases the potential of the power line DSL-(M-1) of adjacent pixels adjacent to each other in a column direction by ▵Vds from a first high potential Vcc1 for a period of ▵T.例文帳に追加

そして、映像信号の書き込みが終了したとき以降の時刻ｔ_17において、電源スキャナは、列方向に隣接する隣接画素の電源線ＤＳＬ−（Ｍ−１）の電位を、△Ｔ時間、第１高電位Ｖｃｃ１から△Ｖｄｓだけ上昇させる。 - 特許庁

After that, the control wiring Pi is made Low and the potential wiring Ui is made to potential Vc to make the voltage of a capacitor C1, namely, the gate-source voltage of the driving TFT vary, and thereby the control wiring Ri is made to Low for making a driving current flow through an organic EL;EL.例文帳に追加

その後、制御配線ＰｉをＬｏｗとして電位配線Ｕｉを電位ＶｃとしてコンデンサＣ１の電圧すなわち駆動用ＴＦＴのゲート・ソース間電圧を変化させ、制御配線ＲｉをＬｏｗとして有機ＥＬ：ＥＬに駆動電流を流す。 - 特許庁

To provide a technology capable of enhancing safety by setting detecting potential to potential higher than a power source voltage, detecting a charger reverse connecting state by its circuit, and immediately shutting off a current in a semiconductor device for monitoring a lithium ion secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池監視半導体装置において、電源電圧よりも高い電位に検出電位を設け、その回路により充電器逆接続状態を検出し、直ちに電流を遮断して、より安全を向上させることができる技術を提供する。 - 特許庁

When it is determined by a self-diagnosis circuit 21 that a power source potential exceeds the reference potential 14 of a prescribed control range, a time constant control circuit 7 is controlled, a switch SW is turned on, a resistor R2 is added to a discharge resistor R1, and quick discharging is performed.例文帳に追加

自己診断回路２１にて、電源電位が基準電位１４より所定の制御範囲を越えていると判断されると、時定数制御回路７を制御し、スイッチＳＷをＯＮし、放電抵抗Ｒ１に抵抗Ｒ２を付加し、急速に放電させる。 - 特許庁

This increases a potential gradient in a space between the second intermediate electrode 23 and the anode 26 more than a potential gradient caused by the voltage drop, thereby accelerating electrons (plasma) drawn out from the plasma generating source to draw out them long into the film forming space.例文帳に追加

これにより、第２中間電極２３と陽極２６との間の空間の電位勾配を、電圧降下による電位勾配より大きくすることができるため、プラズマ発生源から引き出された電子（プラズマ）を加速して、成膜空間に長く引き出すことができる。 - 特許庁