「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A resistance connected to the source of an FET 43A of a first stage of a first shunt switch 31 is connected to the third potential fixed terminal through diodes which are connected forward.例文帳に追加

第１のシャントスイッチ３１の１段目のＦＥＴ４３Ａのソースと接続された抵抗は、順方向に接続されたダイオードを介して第３の電位固定端子と接続されている。 - 特許庁

In the memory cell 11-11, a drain is reduced to a GND level via the NMOS 12-1 and potential difference occurs between a source and the drain, however, no channel is formed and no current flows.例文帳に追加

メモリセル１１−１１では、ドレインがＮＭＯＳ１２−１を介してＧＮＤレベルへ引き下げられ、ソース・ドレイン間に電位差が生じるが、チャネルは形成されずに電流が流れない。 - 特許庁

An input voltage Vcc is applied to a base in a first bipolar transistor 16, a high potential Vbb is applied to an emitter via a constant current source 17, and a collector is grounded.例文帳に追加

第１バイポーラトランジスタ１６のベースには入力電圧Ｖｃｃが印加され、エミッタには定電流源１７を介して高電位Ｖｂｂが印加され、コレクタは接地されている。 - 特許庁

A local oscillation signal is inputted from a Lo matching circuit 22 connected to the gate of a high-frequency transistor 11 set so that a source and a drain are the same potential in the state of DC.例文帳に追加

ソースおよびドレインが直流的に同電位になるように設定した高周波トランジスタ11のゲートに接続されたＬｏ整合回路22から局部発振信号を入力する。 - 特許庁

The P-type impurity concentration of a channel region which controls the second transistor A2 in a threshold potential is so set as to be higher in a source-side part than in a drain-side part.例文帳に追加

第２のトランジスタＡ２におけるチャネル領域のしきい値電位制御用のｐ型不純物濃度は、ドレイン側部分よりもソース側部分が大きくなるように設定されている。 - 特許庁

In the PMOS transistor P5, a source is connected to the signal line 5, a drain is connected to the gate of the NMOS transistor N1 and a gate and a back gate are connected to the high potential power line 4.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ５は、そのソースが信号線５に接続され、ドレインがＮＭＯＳトランジスタＮ１のゲートに接続され、ゲートとバックゲートが高電位電源線４に接続されている。 - 特許庁

To provide an image display device in which an accurate potential can be recorded in both end electrodes of a capacitance holding voltage between a gate and a source of a (n) type drive TFT by a simple image circuit.例文帳に追加

簡単な画素回路でｎ型駆動ＴＦＴのゲート−ソース間電圧を保持する静電容量の両端電極に正確な電位を記録できる画像表示装置を提供する。 - 特許庁

To secure a sufficient potential contrast among a plurality of photoreceptor drums installed in an image forming apparatus where a power source connected to processing means is used in common.例文帳に追加

プロセス手段に接続される電源が共通化された画像形成装置において、配置された複数の感光体ドラムの各々にて常に充分な電位コントラストを確保する。 - 特許庁

In a write period PWR, a grayscale potential VDATA is supplied to a first electrode L1 to vary the gate-source voltage of the driving transistor TDR to a voltage corresponding to the grayscale value D.例文帳に追加

書込期間ＰWRにおいては、第１電極Ｌ１に階調電位ＶDATAを供給することで、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧を階調値Ｄに応じた電圧に変化させる。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging element that is not required to connect capacitance to a power source voltage while reducing an afterimage by increasing a potential of floating diffusion using the capacitance.例文帳に追加

容量を利用してフローティングディフュージョンのポテンシャルを持ち上げて残像を低減しつつ、前記容量を電源電圧に対して接続しなくてすむ固体撮像素子を提供する。 - 特許庁

The voltage limiting circuit 6 controls a gate voltage of the first PchMOSFET 4 such that a gate-source potential difference of the first PchMOSFET 4 is not excessive.例文帳に追加

この電圧制限回路６により第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４のゲート−ソース間の電位差が過大とならないように、第１ＰｃｈＭＯＳＦＥＴ４のゲート電圧を制御する。 - 特許庁

To provide an input and output circuit without lowering current capability due to back bias effect even after potential of power source voltage or more is applied for input in an integrated circuit.例文帳に追加

集積回路において入力に電源電圧以上の電位が印加された後でもバックバイアス効果による電流能力の低下のない入出力回路を提供する。 - 特許庁

In the constant current source, in a case when the potential of a second terminal 2 is larger than a prescribed value, the output current value Io2 becomes nearly zero.例文帳に追加

本定電流源は、第２端子２の電位が所定値Ｖ_LIMITよりも大きい場合には第２定電流源回路の出力電流値Ｉｏ２が略零となる定電流源である。 - 特許庁

To provide a fire prevention system quantitatively computing a fire danger degree by using information about a potential property of a heat source for precisely preventing a fire.例文帳に追加

熱源の持つ潜在的な性質に関する情報を用いながら定量的に火災危険度を演算することで、精度が高く火災を未然に防止し得る火災予防システムを提供する。 - 特許庁

In this constitution, a connection other than the equal-potential source voltage of the integrated circuit to be verified can efficiently be detected as a voltage connection violation without any omission.例文帳に追加

この構成によれば、レイアウト設計前に、検証対象の集積回路の同電位電源電圧以外の接続を漏れなく電圧接続違反として効率的に検出することができる。 - 特許庁

This photocathode electron source suitable for being used in a flat panel display device has an extraction lattice means 104 maintained in a positive potential with a standard of a cathode face during its use.例文帳に追加

フラット・パネル表示装置において使用するのに適したフォトカソード電子源が、使用中にフォトカソード面を基準にして正電位に維持される抽出格子手段（１０４）を有する。 - 特許庁

A variable voltage source 78 is connected to the third electrode 28, and the potential of the third electrode 28 can be changed independently of the first electrode 12 and the second electrode 14.例文帳に追加

第３電極２８には可変電圧源７８が接続され、第３電極２８の電位を第１電極１２及び第２電極１４に対して独立に変化させることができる。 - 特許庁

To prevent cross-talk from occurring due to fluctuation of a counter potential caused by a jumping-in signal from source wiring, when driving an active matrix type liquid crystal panel by capacitance coupling driving.例文帳に追加

アクティブマトリックス型液晶パネルを容量結合駆動により駆動する場合に、ソース配線からの信号の飛び込みにより対向電位が変動し、クロストークが発生するのを防止すること。 - 特許庁

A voltage is applied between the holder 6 and the electrode 8 from a power source 13 for applying a voltage, to capture flakes to produce potential difference between the holder 6 and the electrode 8.例文帳に追加

捕獲電圧印加用電源１３からホルダ６と破片捕獲電極８との間に電圧を印加して、ホルダ６と破片捕獲電極８との間に電位差を生じさせる。 - 特許庁

At least one transistor (MPX) is connected between a plurality of word line driving factor circuits configured using CMOS inverters (MP0, MN0 and the like) and a power source potential (Vcc).例文帳に追加

ＣＭＯＳインバータ（ＭＰ０とＭＮ０等）を用いて構成される複数のワード線駆動用要素回路と電源電位（Ｖｃｃ）との間に、少なくとも一つのトランジスタ（ＭＰＸ）を接続する。 - 特許庁

The switched current source includes a differential amplifier, a voltage amplifier 135, and a capacitor 140 which compensates the frequency response of feedback amplifiers and stores the potential of a node during transition.例文帳に追加

スイッチト電流源は、差動増幅器と、電圧増幅器１３５と、フィードバック増幅器の周波数応答を補償し、遷移中のノードの電位を保持するコンデンサ１４０とを含む。 - 特許庁

Furthermore, during a holding period, the memory cell is set in a selected state and the source electrode and drain electrode of the read transistor are made to have the same potential, so as to hold the electric charge that is accumulated at the node.例文帳に追加

また、保持期間において、メモリセルを選択状態とし、且つ、読み出し用トランジスタのソース電極およびドレイン電極を同電位とすることで、ノードに蓄積された電荷を保持する。 - 特許庁

The surface potential meter 15 is connected to a control part 16 consisting of a microprocessor or the like, and a power source circuit 17 for a transfer current variable transfer charger 6 is connected to the control part 16.例文帳に追加

この表面電位計１５をマイクロプロセッサなどからなる制御部１６に接続し、この制御部１６に転写電流可変の転写チャージャ６用の電源回路１７を接続する。 - 特許庁

Therefore, in the selected word line driver section 30A, power source voltage VDD is applied to the word line 11 through a PMOS 37 of which a substrate electrode is grounded, and a potential of this word line 11 is made approximately 3 V.例文帳に追加

従って、選択されたワード線駆動部３０Ａでは、ＰＭＯＳ３７を介して電源電圧ＶＤＤがワード線１１に印加され、このワード線１１の電位はほぼ３Ｖになる。 - 特許庁

Therefore, even when the power source potential VCC is rapidly increased to a prescribed voltage, any transient excessive currents can be prevented from flowing through a PMOS 41, and a stable DC voltage OUT can be obtained.例文帳に追加

従って、電源電位ＶＣＣが規定の電圧まで急上昇しても、ＰＭＯＳ４１に過渡的な過大電流が流れることはなく、安定した直流電圧ＯＵＴが得られる。 - 特許庁

Since the source and drain voltages of the N type FET 20 are applied to almost the same potential through resistors Rs and Rd, a capacitance of parasitic capacitance Cds is fixed.例文帳に追加

Ｎ型ＦＥＴ２０のソースおよびドレイン電圧は抵抗ＲｓおよびＲｄを介してほぼ同電位に印加されているため、寄生容量Ｃｄｓの容量は一定となる。 - 特許庁

A voltage at mutual connection point of second and third resistors (R2, R3) series-connected to each other between an input signal terminal (3) and a point having an electric power source potential is applied to the gate of the PMOS transistor.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタのゲートに入力信号端子（３）と電源電位との間に直列接続した第２、第３の抵抗（Ｒ２、Ｒ３）の相互接続点の電圧を印加する。 - 特許庁

The short-circuit position is located from the line distance and the impedance Zo utilizing the potential difference of voltage to the earth between two measuring points positioning nearer to the electric power source than the short-circuit point.例文帳に追加

短絡点よりも電源側に位置する２つの測定地点における対地電圧の電位差を用いて、線路距離とインピーダンスＺｏの関係から、短絡位置を標定する。 - 特許庁

For example, the clamp circuit has a plurality of switches (CU1, CU2) connected in parallel between the capacitive load (120) and power source potential (Vs) and the plurality of switches are turned ON in different timing.例文帳に追加

例えば、クランプ回路は、容量性負荷（１２０）及び電源電位（Ｖｓ）間に並列接続される複数のスイッチ（ＣＵ１，ＣＵ２）を有し、複数のスイッチは時間をずらしてオンする。 - 特許庁

A first fall detecting unit 66 detects a condition change from the condition that the power source electrical potential appears to the condition that it does not appear, and generates the normally open contact point fall signal.例文帳に追加

第１立下がり検出部６６は、逆に、電源電位が現れる状態から現れない状態に転じたことを検出して、常開接点立下がり信号を発生する。 - 特許庁

At the cutoff of a power source VDD, charge of a capacitor 2 is supplied to an FF 5 and a buffer 6 and discharged through a resistor 1, and the potential V1 of a node N1 gradually drops.例文帳に追加

電源ＶＤＤの遮断で、キャパシタ２の電荷はＦＦ５とバッファ６に供給されると共に抵抗１を介して放電され、ノードＮ１の電位Ｖ１は徐々に低下する。 - 特許庁

A cylindrical second shield 32 enclosing a part of the ion source head 8 and having an overlapped part with the shield 30 at a ground potential is extended from the vacuum vessel 2 toward the end plate 6.例文帳に追加

イオン源ヘッド８の一部分を囲み、シールド３０と重合部分を有する筒状で、接地電位の第２シールド３２を真空容器２から端板６側に向けて延設する。 - 特許庁

The plasma source is composed of a plasma container installed on the inside with a conductor and by applying a negative potential to this conductor, the ions generated in the plasma are sealed in the plasma container.例文帳に追加

内部に導体が設置されたプラズマ容器からなり、この導体にマイナス電位を与えることによりプラズマ中に生成されたイオンがプラズマ容器内に閉じ込められるようにする。 - 特許庁

To provide a boosting potential generating circuit in which high speed operation can be performed in a semiconductor memory, while miniaturization also can be performed, even if external power source voltage is dropped in a semiconductor memory.例文帳に追加

半導体メモリにおいて、外部電源電圧が低下しても、半導体メモリ内部では、高速動作を可能にすると共に、小型化をも可能にする昇圧電位発生回路を提供する。 - 特許庁

The low side switching element is formed on a second semiconductor substrate other than the first semiconductor substrate 21, the inductance is connected to its drain, and a reference potential is supplied to its source.例文帳に追加

ローサイドスイッチング素子は、第１の半導体基板２１とは別の第２の半導体基板上に形成され、そのドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されている。 - 特許庁

A surface protecting film 5 is formed on the semiconductor substrate 1 where the source electrode 2, the drain electrode 3, and the gate electrode 4 are formed to stabilize the surface potential of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

表面保護膜５は、ソース電極２、ドレイン電極３、及び、ゲート電極４が形成された半導体基板１上に形成され、半導体基板１の表面順位を安定化させる。 - 特許庁

The malfunction decision part 20 contains a malfunction decision circuit 21, an external connection electrode 41, power source supplying electrodes 43, 44, and a reference potential supplying electrode 46 as required.例文帳に追加

誤動作判定部２０は、誤動作判定回路２１と、外部接続電極４１と、電源供給用電極４３，４４及び必要に応じて基準電位供給用電極４６を含む。 - 特許庁

To heighten potential difference between a pixel electrode having an adjacent defect and a normal pixel electrode and to heighten detection sensitivity of an adjacent defect of pixel electrodes across a source line, in TFT array inspection.例文帳に追加

ＴＦＴアレイ検査において、隣接欠陥を有する画素電極と正常な画素電極との電位差を高め、ソースラインを挟む画素電極の隣接欠陥の検出感度を高める。 - 特許庁

The government will provide long-term training programs to help the unemployed acquire the necessary knowledge and skills to be able to find steady employment in sectors with many job openings and potential for becoming a major source of employment.例文帳に追加

求人ニーズがあり、今後雇用の受け皿として期待できる分野での安定雇用を実現するため、必要な知識・技能を身につけるための長期間の訓練を実施する - 厚生労働省

When the low potential side output transistors Q3, Q4 are turned off by PWM control, the driving coil L2 through which a sync current is made to flow generates counter electro-motive force of the power source voltage or higher.例文帳に追加

シンク電流が流れている駆動コイルＬ２は、ＰＷＭ制御で低電位側出力トランジスタＱ３、Ｑ４がオフすると、電源電圧以上の逆起電圧を発生する。 - 特許庁

The common-connected emitters are connected to a common input terminal 15, and the commonly connected bases are connected to a common bias source 13 made into a cold potential by a capacitor 14.例文帳に追加

共通接続したエミッターを共通の入力端子１５に接続し、前記共通接続したベースは容量１４でコールド電位とした共通のバイアス源１３に接続する。 - 特許庁

A resistance value at the time of write-in operation is set to a large value and a source potential is floated, a sub-threshold leak current of a non-selection cell is decreased, and write-in drain disturbance tolerance is improved.例文帳に追加

書き込み動作時の抵抗値を大きく設定してソース電位を浮かせ、非選択セルのサブスレッショルドリーク電流を減少させて書き込みドレインディスターブ耐性を向上させる。 - 特許庁

To secure travel safety by lighting a part of an LED light source group with a potential of a battery power source without complete extinction of a vehicle lamp even when some sort of abnormality occurs in a control circuit in the LED light source group lit by a boosted voltage by a DC/DC converter, and power supply from the battery power source is intercepted.例文帳に追加

ＤＣ／ＤＣコンバータによる昇圧電圧により点灯されるＬＥＤ光源群の制御回路に何らかの異常が発生してバッテリー電源からの電力の供給が遮断した場合においても、このバッテリー電源の電位でＬＥＤ光源群の一部を発光させ、車両用灯具が完全に消灯することなく、走行の安全性を確保できるようにする。 - 特許庁

In the radiation absolute hygrometer having an ion chamber 10 equipped with a high-potential electrode 11 and a collector electrode 12 arranged in parallel, a radiation source 13 is provided on the side of the high-potential electrode 11 and the distance between the high-potential electrode 11 and the collector electrode 12 is set larger than the range distance of radiation.例文帳に追加

平行配置された高電位電極１１および捕集電極１２を持つ電離箱１０を備える放射線絶対湿度計において、前記高電位電極１１側に放射線源１３が設けられるとともに、前記高電位電極１１と前記捕集電極１２との距離は放射線の飛程距離よりも大きくなるように設定されていることを特徴とする。 - 特許庁

A plasma generating source 10 comprises a plasma generating chamber 21; a cathode 31; an anode 26 disposed in a film forming container 24; and a first and second intermediate electrodes 22, 23 with a potential controller 28 connected to the second intermediate electrode 23, so that the voltage drop between the anode 26 and the cathode 31 lowers the potential thereof below potential generated at the position of the second intermediate electrode 23.例文帳に追加

プラズマ発生源１０は、プラズマ生成室２１と、陰極３１と、成膜用容器２４の内部に配置された陽極２６と、第１および第２中間電極２２，２３とを含み、第２中間電極２３には、電位制御部２８が接続され、陽極２６と陰極３１との間の電圧降下により第２中間電極２３の位置で生じる電位よりその電位を低くする。 - 特許庁