「potential source」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

The word line driving circuit includes: the boosting capacitor C1 that is connected with a source of an inverter I0-Im and an Id P-channel field effect transistor M21; and a P-channel field effect transistor M1 that separates the source of the P-channel field effect transistor 21 from supply potential VDD.例文帳に追加

インバータＩ０〜Ｉｍ、ＩｄのＰチャンネル電界効果トランジスタＭ２１のソース側に接続されたブースト用容量Ｃ１と、Ｐチャンネル電界効果トランジスタ２１のソース側と電源電位ＶＤＤとを分離するＰチャンネル電界効果トランジスタＭ１とを設ける。 - 特許庁

The source region and the drain region 15 are formed on the surface of the well so as to sandwich a channel region beneath the gate electrode while having a second conductivity type opposite to the first conductivity type wherein one of them is connected electrically with the ground potential thus constituting the source and the drain.例文帳に追加

ソース領域およびドレイン領域１５は、ゲート電極下のチャネル領域を挟むようにウェルの表面に形成され、第１導電型と反対の第２導電型を有し、一方が接地電位と電気的に接続され、ソースおよびドレインを構成する。 - 特許庁

In the N MOS transistor 12, a source terminal is connected to a power source voltage terminal giving a reference potential Vss (e.g. zero volt) of L level, a drain terminal is connected to a data storage node Na, and a gate terminal is connected to an output terminal of the inversion circuit 14.例文帳に追加

ＮＭＯＳトランジスタ１２は、ソース端子がＬレベルの基準電位Ｖ_SS（たとえば零ボルト）を与える電源電圧端子に接続され、ドレイン端子がデータ・ストレージノードＮａに接続され、ゲート端子が反転回路１４の出力端子に接続されている。 - 特許庁

The dummy cell is constituted of a series of a first switching transistor (15) made conductive in response to a dummy word line (DWL) and a second switching transistor (17) for connecting an adjacent source line to a corresponding bit line in response to the potential of the source line (SL) of a corresponding row.例文帳に追加

ダミーセルは、ダミーワード線（ＤＷＬ）に応答して導通する第１のスイッチングトランジスタ（１５）と、対応の列のソース線（ＳＬ）の電位に応答して隣接ソース線を対応のビット線に結合する第２のスイッチングトランジスタ（１７）の直列体で構成する。 - 特許庁

This configuration makes it possible to attract an electric field of a portion surrounded by the source electrode 21 of the second drain plug 33 by a source potential and to somewhat suppress an electric field from the surrounded portion to the "boundary between the portion below the gate electrode 11 and the drain region 5".例文帳に追加

このような構成であれば、第２ドレインプラグ３３のソース電極２１によって包囲された部分の電界はソース電位に引き付けられ、包囲された部分から「ゲート電極１１下とドレイン領域５との境界部分」への電界がある程度抑えられる。 - 特許庁

In a drive transistor Tr2, a gate G receives forward bias that is a positive polarity, with reference to the source S by a signal potential held in the holding capacitance C1, and current Ids, flowing between the source and the drain according to the forward bias, is caused to flow to a load device EL.例文帳に追加

ドライブトランジスタＴｒ２は、ゲートＧが保持容量Ｃ１に保持された信号電位によってソースＳ基準で正極性となる順バイアスを受け、且つ順バイアスに応じてソース／ドレイン間に流れる電流Ｉｄｓで負荷素子ＥＬに通電する。 - 特許庁

The ion generator is provided with an electron source 10 emitting electron by field emission, an anode electrode 9 arranged in opposition to a surface electrode of the electron source 10 and with accelerating voltage impressed between itself and the surface electrode with the latter as a low potential side, and a rectangular parallelepiped case 20 housing the electron source 10 and the anode electrode 9.例文帳に追加

電界放射により電子線を放出する電子源１０と、電子源１０の表面電極に対向配置され電子源１０の表面電極との間に表面電極を低電位側として加速電圧が印加されるアノード電極９と、電子源１０およびアノード電極９が収納された直方体状のケース２０とを備える。 - 特許庁

Amplitude of an input signal to be supplied to a source area of the analog switch TFT is set to 5V or less and an input signal to which compensation for compensating feed-through voltage which changes according to size of potential of the input signal to be supplied to the source area of the analog switch TFT is performed is supplied to the source area of the analog switch TFT.例文帳に追加

アナログスイッチＴＦＴのソース領域に供給する入力信号の振幅を５Ｖ以下にし、アナログスイッチＴＦＴのソース領域に供給する入力信号の電位の大小により変化する突き抜け電圧を補償する補正を行った入力信号を、アナログスイッチＴＦＴのソース領域に供給する。 - 特許庁

To provide a method of oxidizing and decomposing cyanide complexes and coexisting cyanide ions in waste water containing cyanide compounds containing metal cyanide complexes by adding a chlorine source under alkaline condition so that the reaction is made to smoothly proceed with almost equivalent amount or a little excess amount of the chlorine source added by controlling feeding of the chemical based on the ORP(oxidation reduction potential) value of the chlorine source.例文帳に追加

金属のシアン錯体を含むシアン含有排水に、アルカリ性下に塩素源を添加して含有されるシアン錯体及び共存するシアンイオンを酸化分解する方法において、塩素源のＯＲＰ値に基く薬注制御を行ってほぼ当量ないし小過剰量の塩素源添加量で反応を円滑に進行させることを可能とする。 - 特許庁

This circuit comprises a pre-charge circuit 41 which is connected between a first power source terminal and an output node N1 and precharges the output node N1 to the potential of the first power source terminal in accordance with a control signal, and a fuse bank 100 which is connected between the output node N1 and a second power source terminal and stores an address signal corresponding to a defective cell.例文帳に追加

第１電源端子と出力ノードＮ１との間に接続され、制御信号に応じて出力ノードＮ１を第１電源端子の電位にプリチャージするプリチャージ回路４１と、出力ノードＮ１と第２電源端子との間に接続され、欠陥セルに対応するアドレス信号を貯蔵するヒューズバンク１００を含む。 - 特許庁

This image forming device is provided with a low voltage source 21 with a speedy rising and a high voltage source 22 where potential that is necessary for image formation is generated to a voltage source 19 where voltage to be impressed on a grid electrode 20 of an electrifying device 13 to electrify the photoreptor on a surface of the photoreceptor drum 11 and the output is changed over by a changeover switch 23.例文帳に追加

感光体ドラム１１の表面の感光体を帯電させるための帯電器１３のグリッド電極２０に印加する電圧を発生する電圧源１９に、立上りが迅速な低電圧源２１と、画像形成に必要な電位を発生させる高電圧源２２とを設け、切換スイッチ２３で出力を切換える。 - 特許庁

A semiconductor device is provided which cancels variation in threshold voltage or variation in gate-source voltage between transistors by acquiring, holding and adding to a signal potential input thereafter a voltage corresponding to the gate-source voltage or the threshold voltage of a transistor inputting an analog signal and a transistor including a function as a constant current source.例文帳に追加

アナログ信号を入力するトランジスタ、及び定電流源としての機能を有するトランジスタのゲート・ソース間電圧又はしきい値電圧に応じた電圧を取得、保持し、後に入力される信号電位に上乗せすることで、トランジスタ間のしきい値電圧のバラツキやゲート・ソース間電圧のばらつきをキャンセルする半導体装置を提供する。 - 特許庁

The ink mist is adsorbed and eliminated by arranging at least one pair of positive/negative electrodes 64, 66 whose electric potential difference is 50 V or higher in the conveyance direction of a medium to be recorded of an active energy beam irradiation light source 58.例文帳に追加

活性エネルギー線照射光源５８の被記録媒体搬送方向に、電位差が５０Ｖ以上の、少なくとも1対の正負電極６４、６６を配置してインクミストを吸着・除去する。 - 特許庁

An electric conductive material 3 is interposed between a carbon material 1 and a radioisotope 2, and by connecting the electric conductive material 3 to a power source 4, a negative potential is applied to emit electrons.例文帳に追加

炭素材１と放射性同位体２の間に電気伝導性材３を挟み、当該電気伝導性材３を電源４に接続して負電位を印加することにより、電子を放出する。 - 特許庁

When the main lateral HVFET and the sense FET are in an on-state, a voltage potential is produced at a second source metal layer that is proportional to a first current flowing through the lateral HVFET.例文帳に追加

主横型ＨＶＦＥＴおよびセンスＦＥＴがオン状態である場合、横型ＨＶＦＥＴを通って流れる第１の電流に比例する電圧電位が第２のソース金属層において生成される。 - 特許庁

In this case, the power supply source 47 generates the potential difference, where the motion component of the particle crossing the inner electrode array 37 can be rotated reversely and the motion component faces crosswise to the length axis.例文帳に追加

ここで、電圧源４７は、内側電極配列３７を横断する粒子の運動成分が逆転可能であり、運動成分が長さ軸に対して横方向を向くような電位差を発生させる。 - 特許庁

To provide an apparatus for producing low redox potential drinking, washing or bathing water capable of removing active oxygen without using an electrolytic method which needs an electric source.例文帳に追加

活性酸素除去作用があると言われる酸化還元電位の低い飲料水、美容、浴用水を、電源を必要とするような電気分解法によらず製造する装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The second transistor T2 has a gate connected with a sense node between the photodiode PD and the first transistor T1, a drain connected with a second high potential power supply, and a source connected with a row signal line.例文帳に追加

第２トランジスタＴ２は、ゲートがフォト・ダイオードＰＤと第１トランジスタＴ１との間のセンスノードに接続され、ドレインが第２高電位電源に接続され、ソースが列信号線に接続される。 - 特許庁

When the low potential side output transistors are turned on again with the next oscillation pulse from an oscillator 16 for PWM, the source current of the driving current L1 is supplied with the discharge current from the capacitor Co.例文帳に追加

ＰＷＭ用発振器１６の次の発振パルスで低電位側出力トランジスタは再びオンされると、駆動コイルＬ１のソース電流はコンデンサＣｏのディスチャージ電流によって供給される。 - 特許庁

Even at least any of LEDs 16 of the light emitting module 13 is opened due to breakage or the like, the lowering of the base potential of the transistor 17 connected to the other light emitting module 13 can be prevented by the constant voltage source 15.例文帳に追加

発光モジュール13のＬＥＤ16の少なくともいずれかが破損などにより開放した場合でも、他の発光モジュール13に接続したトランジスタ17のベース電位の低下を定電圧源15により防止できる。 - 特許庁

To readily manage heat generated from an integrated circuit element by connecting a bottom voltage input lead of an integrated circuit 24 to a voltage supply source other than a ground and maintaining a heat sink 30 at a ground potential.例文帳に追加

集積回路24の底面電圧入力リードを接地以外の電圧供給源に結合し、ヒートシンク30を接地電位に維持して、集積回路素子が発生する熱を容易に管理する。 - 特許庁

The photoreceptor drum K to be measured is charged with a charger 6, the surface of the photoreceptor drum K is exposed with a laser beam light source 2 so that a surface potential change is caused in the minute area.例文帳に追加

測定対象の感光体ドラムＫを帯電器６で帯電させ、レーザ光源２で感光体ドラムＫの表面を露光して微小領域部分で表面電位変化を生じさせる。 - 特許庁

Moreover, a high potential side power source line 150 of a holding circuit 110 used in the digital display mode is shared with a selection signal line 88, therefore, it is possible to highly integrate the display pixel 200.例文帳に追加

また、デジタル表示モードで使用する保持回路１１０の高電位側電源線１５０を選択信号線８８と兼用しているので、表示画素２００の高集積化を図ることができる。 - 特許庁

In the detection period, the correcting means blocks the energization for sensing a potential difference between a source S and a gate G of the drive transistor Tr2 while a transient current Iref flows in the drive transistor Tr2.例文帳に追加

検出期間で、補正手段は該通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２に過渡電流Ｉｒｅｆが流れている間に、ドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

In the case that the MOSFET for the trigger and the MOSFET for the protection are N-channel type MOS transistors, gate electrodes for triggers 5, 5a, source dispersion layers 6, 6a or the like are connected to earth potential.例文帳に追加

なお、トリガー用ＭＯＳＦＥＴと保護用ＭＯＳＦＥＴとがＮチャネル型ＭＯＳトランジスタである場合には、トリガー用ゲート電極５，５ａ、ソース拡散層６，６ａ等は接地電位に接続されている。 - 特許庁

As an image signal input to a pixel from a source signal line, a desired potential is applied to a gate of a diode-connected transistor for supplying the electric current to the display device.例文帳に追加

ソース信号線より画素に入力される映像信号は、表示素子に電流を供給するためのトランジスタをダイオード接続とし、当該ダイオード接続されたトランジスタのゲートに所望の電位が印加される。 - 特許庁

Thus, potential difference between the gate and the source is made lower than that of a threshold level, the FET 1 for power supply on the side of the upper stage is surely turned off and the through current is prevented.例文帳に追加

これにより、ゲート・ソース間の電位差をスレッシュレベルより低くすることが可能になり、上段側の給電用ＦＥＴ１を確実にオフすることができ、貫通電流の防止が図られる。 - 特許庁

In the detection period, the correction means cuts off the electricity conduction and detects a potential difference across a source S and a gate G of the drive transistor Tr2 while a transient current Iref flows therethrough.例文帳に追加

検出期間で、補正手段は該通電を遮断しドライブトランジスタＴｒ２に過渡電流Ｉｒｅｆが流れている間に、ドライブトランジスタＴｒ２のソースＳとゲートＧ間に現れる電位差を検出する。 - 特許庁

The potential of a measurement point A is measured by connecting the measurement point A on the energizing circuit between the electric power source 220 and the heating resistor 114, to the input port M2 of a microcomputer 160.例文帳に追加

電源部２２０と発熱抵抗体１１４との間の通電経路上の測定点Ａはマイクロコンピュータ１６０の入力ポートＭ２に接続され、測定点Ａの電位が測定されている。 - 特許庁

A switching transistor Tr3 turns on according to a control signal AZ1 supplied from a scan line AZ1 prior to a sampling period to charge the source S of a drive transistor Trd to a potential Vini.例文帳に追加

スイッチングトランジスタＴｒ３は、サンプリング期間に先立ち走査線ＡＺ１から供給される制御信号ＡＺ１に応じオンして駆動トランジスタＴｒｄのソースＳを電位Ｖｉｎｉに充電する。 - 特許庁

When there are few memory cells to be erased, the erase control circuit performs second erase operation control for setting the bit lines BL1 to BL4 corresponding to the memory cells to be erased at a low potential power source voltage VSS.例文帳に追加

消去対象メモリーセルが少ない場合には、消去対象メモリーセルに対応するビット線ＢＬ１〜ＢＬ４が低電位電源電圧ＶＳＳに設定される第２の消去動作制御を行う。 - 特許庁

In the Nch MIS transistor NT2, a high potential side power source V_DD voltage is input into a drain, and an output voltage (gate voltage) V_G output from the differential amplifier circuit 1 is input into a gate.例文帳に追加

Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ２は、ドレインに高電位側電源Ｖ_ＤＤ電圧が入力され、ゲートに差動増幅回路１から出力される出力電圧（ゲート電圧）Ｖ_Ｇを入力する。 - 特許庁

In the Nch MIS transistor NT1, a high potential side power source V_DD voltage is input into a drain, and an output voltage (gate voltage) V_G output from the differential amplifier circuit 1 is input into a gate.例文帳に追加

Ｎｃｈ ＭＩＳトランジスタＮＴ１は、ドレインに高電位側電源Ｖ_ＤＤ電圧が入力され、ゲートに差動増幅回路１から出力される出力電圧（ゲート電圧）Ｖ_Ｇを入力する。 - 特許庁

Changes in potential of source signal lines S1 to Sx due to discharging of charges in a holding capacity 1001 are monitored to determine whether pixel TFTs are normally operated or not.例文帳に追加

保持容量１００１の電荷が放電されることによるソース信号線Ｓ１〜Ｓｘの電位の変化をモニターすることによって、画素ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断を行う。 - 特許庁

An LSI chip 1 has a power terminal 4 for supplying an external source voltage to an internal circuit 2 having a circuit operating in synchronism with a clock and a ground terminal 6 applying a ground potential.例文帳に追加

ＬＳＩチップ１は、クロックに同期して動作する回路を有する内部回路２に外部電源電圧を供給する電源端子４と、接地電位を与えるグランド端子６とを備えている。 - 特許庁

The output of the charge amplifier (112) is passed through a common mode transformer (113) which is coupled to an excitation voltage source (110) in order to remove a guard potential (corresponding to an excitation signal) from the output signal.例文帳に追加

（励磁信号に対応する）ガード電位を出力信号から除去するため、励磁電圧源（１１０）に結合されたコモンモード変成器（１１３）を電荷増幅器（１１２）の出力が通過する。 - 特許庁

The member substrate 1015 is fixed to the substrate deformation suppressing fixture 6 using the electrostatic force generated by potential difference by impressing high voltage on the member substrate 1015 from the high voltage power source 1.例文帳に追加

部材基板１０１５に高圧電源１から高電圧を印加することによる電位差にて生じる静電気力を用いて、部材基板１０１５が基板変形抑制冶具６に固定される。 - 特許庁

The amplifier circuit 3 has an EX-OR gate 31 whose first input port is connected to a first output end of the detection circuit 2, and whose second input port is connected to DC power source potential.例文帳に追加

増幅回路３は、ＥＸ−ＯＲゲート３１を備え、その第１入力端は検出回路２の第１出力端に接続され、第２入力端は直流電源電位に接続されている。 - 特許庁

Likewise a second switching transistor Tr3 is conducted according to a control signal AZn-1 supplied from a scanner 7 and sets a source S of the drive transistor Trd at a second reference potential Vss2.例文帳に追加

同じく第２スイッチングトランジスタＴｒ３は、スキャナ７から供給される制御信号ＡＺｎ−１に応じ導通してドライブトランジスタＴｒｄのソースＳを第２基準電位Ｖｓｓ２に設定する。 - 特許庁

A voltage to be compared is generated using a reference capacitor having a variable current source, a comparator compares the voltage to be compared with a reference voltage, and a logic circuit converts their potential difference into a digital signal.例文帳に追加

可変電流源を備えた基準コンデンサを用いて被比較電圧を生成し、被比較電圧と基準電圧を比較器によって比較し、電位差をロジック回路によってデジタル信号に変換する。 - 特許庁

In that case, as the main bit line is charged and raised to Vmbl (=Vleg-Vth(ST)), potential difference between a drain and a source of a select-transistor and a main bit line discharge transistor is made lower, and stress can be lightened.例文帳に追加

その場合に、メインビット線が充電されてＶmbl(＝Ｖleg−Ｖth(ＳＴ))に引き上げられるため、セレクトトランジスタ及びメインビット線ディスチャージトランジスタのドレイン‐ソース間の電位差が低くなり、ストレスを軽減できる。 - 特許庁

In a driving period PDR, supply of a potential to the first electrode L1 is stopped to supply a driving current IDR corresponding to the gate-source voltage of the driving transistor TDR to a light emitting element E.例文帳に追加

駆動期間ＰDRにおいては、第１電極Ｌ１対する電位の供給を停止することで、駆動トランジスタTDRのゲート・ソース間の電圧に応じた駆動電流ＩDRを発光素子Ｅに供給する。 - 特許庁

For recording, a current is supplied to the address line connected to the transistor while a potential difference between the gate and the source or the drain of the transistor connected to the storage element is maintained at an operation threshold voltage or lower.例文帳に追加

記録は、記憶素子に接続されたトランジスタのゲートとソース又はドレイン間の電位差を動作しきい電圧以下に保ちながら、そのトランジスタに接続されたアドレス線に電流を流す。 - 特許庁

In this display device inspection method, whether pixel TFTs operate normally or not is judged by monitoring potential changes of source signal lines S1 to Sx due to electric discharges of storage capacitors 1001.例文帳に追加

保持容量１００１の電荷が放電されることによるソース信号線Ｓ１〜Ｓｘの電位の変化をモニターすることによって、画素ＴＦＴが正常に動作するかどうかの判断を行う。 - 特許庁

Therefore, since electric potential is not generated between drain and source of a memory transistor MTij in a standby state, a leakage current is prevented, and consequently power consumption of the mask ROM is reduced.例文帳に追加

このため、スタンバイ状態におけるメモリトランジスタＭＴｉｊのドレイン・ソース間に電位差は生じないためリーク電流を防止し、マスクＲＯＭの消費電力を低く抑える事が可能となる。 - 特許庁