「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

A lead wire 13 is soldered to one of reference potential terminals 5a of contact terminals 5 on a contact block 4.例文帳に追加

リード線１３は接点ブロック４の接点端子５中の基準電位端子５ａに半田により接続されている。 - 特許庁

Similarly, the DRAM 1 is configured so as to simultaneously start writing of the reference potential to the capacitor 32 and the capacitor 92.例文帳に追加

同様に、キャパシタ３２およびキャパシタ９２への参照電位の書込みが同時に開始されるように構成されている。 - 特許庁

A scanning line 2 and a reference potential line 3 each are disposed for each element row aligned in the direction of each TFT line.例文帳に追加

各ＴＦＴ１の行方向に並ぶ素子列毎にそれぞれ走査線２と基準電位線３とが配設されている。 - 特許庁

One end and the other end of the connecting wire 55 are bonded respectively to the reference potential pad 54 and the conductive layer 27.例文帳に追加

接続ワイヤ５５の一端部と他端部は、各々、基準電位パッド５４と導電性膜２７とにボンディングされている。 - 特許庁

The potential difference between both ends of a detection resistance R1 is determined, the insulation resistance degradation is detected by comparing it with a reference voltage.例文帳に追加

検出抵抗Ｒ１の両端の電位差を求め、基準電圧と比較して絶縁抵抗劣化を検出する。 - 特許庁

Thus, accurate recognition of the value of the write data from the superimpose signal can be made by using the reference potential of 1.75.例文帳に追加

これによって、１．７５〔Ｖ〕の基準電位を使用して、重畳信号からライトデータの値を正確に認識できる。 - 特許庁

The opposed electrode drive signal Vopp repeats the ground potential VSS and the reference voltage VC in a certain cycle.例文帳に追加

対向電極駆動信号Ｖｏｐｐは、グランド電位ＶＳＳと基準電圧ＶＣとが一定周期で繰り返される。 - 特許庁

The input analog signal is compared with the reference potential by comparators C1 to C255, and comparison results are encoded by an encoder 50.例文帳に追加

各コンパレータＣ１〜Ｃ２５５で入力アナログ信号と基準電位とを比較し、比較結果をエンコーダ５０で符号化する。 - 特許庁

A current source Q1 creates a reference current I1 corresponding to the output of the signal processing circuit C1 and the potential VAN1.例文帳に追加

電流源Ｑ1は、信号処理回路Ｃ1の出力と電位ＶAN1とに対応した基準電流Ｉ1を生成する。 - 特許庁

Reference electrode 12 are arranged around the ion induction film 4 for applying predetermined electric potential to solution.例文帳に追加

さらに、イオン感応膜４の周囲には、溶液に所定の電位を付与するための参照電極１２が配置されている。 - 特許庁

The charge pump 10 is connected with a controller 20, that compares the output node of the charge pump 10 with a reference potential.例文帳に追加

チャージポンプ１０は、チャージポンプ１０の出力ノードを基準電位と比較する制御装置２０に接続されている。 - 特許庁

Furthermore, a circuit 415 for discharging a piezoelectric based on a reference potential is provided.例文帳に追加

また、基準電位に基づいて、圧電体に蓄積された電荷を放電する圧電体放電回路４１５が備えられている。 - 特許庁

When a level of a waveform at a point A is higher than a reference voltage (positive) of a reference voltage generator 18, a transistor(TR) 17c is turned on so as to fix the potential of waveform at the point A to the reference voltage (positive) via a diode 17a and a TR 17b.例文帳に追加

波形Ａの電位は１８の基準電圧（正）よりも高い時に１７ｃをＯＮさせ、波形Ａの電位を１７ａのダイオードと１７ｂのトランジスタを経由して基準電圧（正）に固定する。 - 特許庁

The read-out time of the data to the first memory cell MCO is so set as to be made shorter than the read-out time of the reference potential to the first reference cell RMCO or the write time of the data to the first memory cell is so set as to be made shorter than the write time of the reference potential to the first reference cell RMCO.例文帳に追加

第１のメモリセルＭＣ０に対するデータの読み出し時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の読み出し時間よりも短いか、又は第１のメモリセルに対するデータの書き込み時間は、第１のリファレンスセルＲＭＣ０に対する参照電位の書き込み時間よりも短くなるように設定されている。 - 特許庁

In the VDC circuit 70, a differential amplifier 730 compares a first reference potential Vref1 and an internal power supply potential Int.Vcc and generates control signals in accordance with the comparison result.例文帳に追加

ＶＤＣ回路７０において、差動アンプ７３０は、第１の基準電位にＶｒｅｆ１と内部電源電位Ｉｎｔ．Ｖｃｃとを比較し、比較結果に応じて制御信号を生成する。 - 特許庁

A voltage Vo' between output terminals 5a and 5b of a regulator 1 is voltage-divided by resistances R1 and R2, and a potential Vr2 of the voltage-dividing point is inputted to a comparator 2, and compared with a reference potential in the comparator 2.例文帳に追加

レギュレータ１の出力端子５ａ，５ｂ間の電圧Vo'を、抵抗R1,R2で分圧し、その分圧点の電位Vr2をコンパレータ２に入れて、コンパレータ２内の参照電位と比較する。 - 特許庁

The surface potential Vd of the photoreceptor drum 14 is continuously measured, and when the surface potential variation ΔVd becomes less than the prescribed value, the reference paper-to-paper interval is set.例文帳に追加

そして、感光体ドラム１４の表面電位Ｖｄの計測を続行し、表面電位変動ΔＶｄが所定値よりも小さくなった場合は基準紙間時間に設定する。 - 特許庁

An input level shift circuit 41b converts an input signal having a first reference potential into a signal VLS1 corresponding to a substrate potential Vsub based on the comparison result, and outputs it.例文帳に追加

入力レベルシフト回路４１ｂは、比較結果を基に、第１の基準電位を有する入力信号を基板電位Ｖｓｕｂに応じた信号ＶＬＳ１に変換して出力する。 - 特許庁

Timing at which the reference potential VREP becomes identical to output potential VOUT is configured so as to correspond to timing at which the current IL flowing in the inductor L1 becomes zero.例文帳に追加

この参照電位ＶＲＥＰが出力電位ＶＯＵＴと略同一となるタイミングと、インダクタＬ１を流れる電流ＩＬがゼロとなるタイミングとが一致するように設定される。 - 特許庁

Trimming resistors Rw1-Rw4 are provided to adjust the potential level of the detection signal Sd and the temperature signal St to a state being identical to the potential level of the reference signal Sa.例文帳に追加

トリミング抵抗Ｒw1〜Ｒw4は、検出信号Ｓｄ及び温度信号Ｓｔの電位レベルを基準信号Ｓａの電位レベルと等しい状態に調整するために設けられている。 - 特許庁

The circuit 7 obtains a difference between reference potential in a signal whose white balance is corrected with signal potential, removes the DC error at every pixel and also removes noise.例文帳に追加

相関二重サンプリング回路７は、白バランス補正された信号中の基準電位と信号電位との差分を得て１画素毎の直流誤差を除去すると共に、雑音を除去する。 - 特許庁

At that time, while current is passed between the anode 3 and the counter electrode 7, the potential of the anode 3 vs. the reference electrode is kept at 0 to +0.6 V with a constant-potential maintaining means 9.例文帳に追加

このときアノード３と対極７との間に電流を流しつつ、参照電極８に対するアノード３の電位を定電位維持手段９により０〜＋０．６ボルトに維持する。 - 特許庁

A voltage detection part 14 calculates a temperature of the block B based on the potential Vs from the reference potential of a thermistor 42 installed on the surface of the block B constituting the battery pack 20.例文帳に追加

温度検出部１４は、組電池２０を構成するブロックＢの表面に設けられたサーミスタ４２の基準電位からの電位Ｖｓに基づいて、ブロックＢの温度を演算する。 - 特許庁

This area A is of a recessed shape 11, and its electrode surface LM is lower than a reference electrode surface LS to reduce the differential electric potential from the electrode (12) On the high electric potential side (preferably 1.0 V or under).例文帳に追加

この領域Ａを凹陥形状(11)としてその電極面Ｌ_Ｍを基準電極面Ｌ_Ｓより低くし、高電位側電極（１_２）との電位差を少なくする（好ましくは１．０Ｖ以下）。 - 特許庁

In this constitution, the shield metal layer 27 having a potential equal to the reference potential of the semiconductor chip 10 suppresses the effects of noise components and spurious radiations from the semiconductor chip 10.例文帳に追加

半導体チップ１０の基準電位と等電位になる遮蔽金属層２７によって、雑音成分による影響と半導体チップ１０からの不要ふく射とが抑制される。 - 特許庁

The power supply portion 11 for control outputs the potential, which is higher than the reference potential to an output terminal 114, in which input terminals 111, 112 of the power supply portion are connected to the terminals 121, 122, respectively.例文帳に追加

制御用電源部１１は、その入力端子１１１，１２１がそれぞれ端子１２１，１２２に接続され、出力端子１１４に基準電位以上の電位を出力する。 - 特許庁

The crack shape is identified so that the square of the difference between the potential difference actual data and the potential difference reference data and the response to them for a change in the crack shape should be both minimum.例文帳に追加

き裂形状の変化に関する、電位差実測データと電位差基準データとの、差の二乗およびそれらの総和の応答が、いずれも最小になるようにき裂形状を同定する。 - 特許庁

Consequently, a user easily adjusts the threshold values VIH, VIL to arbitrary values between the power source potential VDD and reference potential VSS, and versatility of the Schmitt trigger circuit is expanded.例文帳に追加

したがって、ユーザがスレッシュホールド値ＶＩＨ，ＶＩＬを電源電位ＶＤＤと基準電位ＶＳＳの間の任意の値に容易に調整することができ、シュミットトリガ回路の汎用性が広がる。 - 特許庁

The comparator circuit 8 compares the potential of the node which changes gradually from the peak value to a certain value with a prescribed reference level of potential and outputs the comparison result as detection signals.例文帳に追加

比較回路８は、ピーク値が保持され、ゆっくりと一定電位に戻されるノードの電位を、所与の基準レベルと比較し、その比較結果を検出信号として出力する。 - 特許庁

The state of the memory cell M4 is sensed by comparing the potential of the bit line MBL0 connected to the drain of the memory cell 4 with a generated reference potential by a differential sense amplifier 16.例文帳に追加

メモリセルＭ４のドレインに接続されたビット線ＭＢＬ０の電位と、生成されたリファレンス電位とを差動センスアンプ１６で比較することにより、メモリセルＭ４の状態をセンスする。 - 特許庁

A dummy capacitor driving potential VDC is given to one electrode of a dummy capacitor and a reference potential as a standard for judging a data value of a memory cell is generated on the other electrode.例文帳に追加

ダミーキャパシタ駆動電位ＶＤＣは、ダミーキャパシタの一方の電極に与えられ、他方の電極には、メモリセルのデータの値を判定する基準となる参照電位が発生する。 - 特許庁

When the output potential Vout1 becomes the reference potential Vref, the source is separated from the writing stop discriminating circuit 22, and the drain voltage Vd is released and writing is stopped.例文帳に追加

出力電位Ｖｏｕｔ１が参照電位Ｖｒｅｆになると、ソースが書込停止判定回路２２から切り離され、ドレイン電圧Ｖｄが解除されて書き込みが停止する。 - 特許庁

A voltage obtained by resistance-dividing a difference voltage between a battery power potential and a ground potential by the reference resistance plus one of the dividing resistances is outputted to the output terminal 13.例文帳に追加

従って、出力端子１３にはバッテリ電源電位と接地電位との差の電圧を基準抵抗及び分割抵抗により抵抗分割して得られた電圧が出力される。 - 特許庁

To provide a portable electronic device which improves a degree of abutting a circuit board, on which a reference potential pattern is formed, and a conductive case member layered and disposed on a reference potential pattern side of the circuit board.例文帳に追加

本発明は、基準電位パターンが形成された回路基板と回路基板における基準電位パターン側に積層配置される導電性を有するケース部材との当接度が向上された携帯電子機器を提供することを目的とする。 - 特許庁

If the heating curlers 18 are not connected or not properly connected, the comparative potential of the comparative input terminal 2 is lower than the reference potential of the reference input terminal 3 and the level of an output terminal 1 of the comparator U1 is high, so that the LEDs are not lighted.例文帳に追加

ホットカーラー１８が接続されていないか、接続不全のときは比較入力端子２の比較電位が基準入力端子３の基準電位よりも低いので、コンパレータＵ１の出力端子１はハイレベルとなり、ＬＥＤは点灯しない。 - 特許庁

In the second layer 50b, a conductive member 50f is mounted on the reference potential part 50e, and the conductive member 50f electrically connects the second signal line 50g electrically separately disposed across the reference potential part 50e.例文帳に追加

第２の層５０ｂには、基準電位部５０ｅに導電性の導電性部材５０ｆが実装され、この導電性部材５０ｆが、基準電位部５０ｅを挟んで電気的に離れて配置された第２の信号線５０ｇを電気的に接続する。 - 特許庁

A ground pattern 53 stipulating the reference potential of a reception circuit of the radio wave receiver 4 and a ground pattern 37 stipulating the reference potential of the meter circuit of a meter circuit board 3 are connected, so that the ground patterns 53 and 37 constitute an antenna part together with an antenna 6.例文帳に追加

電波受信機４の受信回路の基準電位を規定するグランドパターン５３と、メータ回路基板３のメータ回路の基準電位を規定するグランドパターン３７とが接続されてグランドパターン５３、３７がアンテナ６とともにアンテナ部を構成する。 - 特許庁

One end of a first line is connected with a prescribed reference potential in a ac and a node NB which is the other end is connected with the reference potential via only capacity, or serial connection between the capacitance and inductance components or a second line.例文帳に追加

第１の線路の一端が交流的に所定の基準電位に接続され、その他端であるノードＮＢが、容量のみか、又は容量とインダクタ成分もしくは第２の線路との直列接続を介して前記基準電位に接続されている。 - 特許庁

Before entering correction operation just after reverse bias operation, the sampling transistor T1 is switched on in a time band where the signal line WS is the reference potential Vofs, and the display executes initialization operation making a gate G of the drive transistor T2 the reference potential Vofs.例文帳に追加

逆バイアス動作の直後で補正動作に入る前に、信号線ＷＳが基準電位Ｖｏｆｓにある時間帯で、サンプリング用トランジスタＴ１をオンし駆動用トランジスタＴ２のゲートＧを基準電位Ｖｏｆｓにする初期化動作を行う。 - 特許庁

A reference potential VSS is always applied to the gate of a PMOS transistor P3 by connecting the gate of the PMOS transistor P3 to the reference potential VSS(0V) and connecting a node ND1 to the drain of the PMOS transistor P3.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタＰ３のゲートを基準電位ＶＳＳ（０Ｖ）に接続し、ノードＮＤ１をＰＭＯＳトランジスタＰ３のドレインに接続した構成を採ることで、ＰＭＯＳトランジスタＰ３のゲートには常に基準電位ＶＳＳが与えられる構成とする。 - 特許庁

Two regions having different potential in a high breakdown voltage IC chip 10 (concretely speaking, a high breakdown voltage junction termination structure 23 and a GND reference circuit formation region 22 for surrounding a floating potential reference circuit formation region 21) are further surrounded by a trench structure 7.例文帳に追加

高耐圧ＩＣチップ１０内の電位が異なる２つの領域（具体的には浮遊電位基準回路形成領域２１を囲う高耐圧接合終端構造２３及びＧＮＤ基準回路形成領域２２）を、さらにトレンチ構造７で囲う。 - 特許庁

A scanner for control 104 makes a sampling transistor Trs conductive in a time band, when a signal line DTL1 is on a reference potential and applies the reference potential on a gate g of a driving transistor Trd, and sets low potential to a source s of the drive transistor Trd from a supply line DSL1.例文帳に追加

制御用スキャナ１０４は、信号線ＤＴＬ１が基準電位にある時間帯でサンプリング用トランジスタＴｒｓを導通させ、駆動用トランジスタＴｒｄのゲートｇに基準電位を印加するとともに、給電線ＤＳＬ１から低電位を駆動用トランジスタＴｒｄのソースｓにセットする。 - 特許庁

After performing a reference potential difference measuring process (process S2) for measuring a reference potential difference on a potential difference measuring position near the repaired welding crack when sending a current into a structure by applying a voltage to a voltage application position near the repaired welding crack, a plant using the structure is operated (process S3).例文帳に追加

補修溶接き裂の近傍の電圧印加位置に電圧を印加して構造物に電流を流したときの補修溶接き裂の近傍の電位差測定位置における基準電位差を測定する基準電位差測定工程（工程Ｓ２）を行った後にその構造物を用いたプラントを運転する（工程Ｓ３）。 - 特許庁

A reference voltage generation circuit 100 includes a gamma correction resistor circuit 110 which outputs a plurality of reference voltages to a plurality of resistance divided nodes resulting from dividing resistance of voltages in both terminals of a resistor circuit, and a high potential side voltage supply circuit 120 and low potential side voltage supply circuit 130 for supplying a high potential side voltage and a low potential side voltage to both terminals of the resistor circuit.例文帳に追加

基準電圧発生回路１００は、抵抗回路の両端の電圧を抵抗分割した複数の抵抗分割ノードに複数の基準電圧を出力するガンマ補正抵抗回路１１０と、抵抗回路の両端に高電位側電圧及び低電位側電圧を供給する高電位側電圧供給回路１２０及び低電位側電圧供給回路１３０とを含む。 - 特許庁

A reference voltage generation circuit 100 includes a gamma correction resistance circuit 110 which outputs a plurality of reference voltages to a plurality of resistance division nodes resistance-dividing a voltage across a resistance circuit, and a high potential-side voltage supply circuit 120 and a low potential-side voltage supply circuit 130 which supply a high potential-side voltage and a low potential-side voltage to both ends of the resistance circuit.例文帳に追加

基準電圧発生回路１００は、抵抗回路の両端の電圧を抵抗分割した複数の抵抗分割ノードに複数の基準電圧を出力するガンマ補正抵抗回路１１０と、抵抗回路の両端に高電位側電圧及び低電位側電圧を供給する高電位側電圧供給回路１２０及び低電位側電圧供給回路１３０とを含む。 - 特許庁