「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(28ページ目) - Weblio英語例文検索

A voltage corresponding to the number of the piezoelectric material parts 212 from the grounding side having a reference potential to the piezoelectric material part 212 to which the signal processing circuit 213 is connected is applied to the signal processing circuit 213, and if the voltage exceeds a set voltage set beforehand, a signal for switching on the signal processing circuit 213 is outputted.例文帳に追加

信号処理回路２１３には、基準電位となる接地側からこの信号処理回路２１３が接続された圧電材料部２１２までの圧電材料部２１２の数に応じた電圧が印加され、その電圧が予め設定した設定電圧を超えれば、信号処理回路２１３がＯＮとなる信号を出力する。 - 特許庁

To provide a fault detection system for detecting an unnecessary cable way between a reference electric potential and at least one of a floating power supply (a), a first power conductor (b) connecting to a first terminal of the floating power supply, and a second power conductor (c) connecting to a second terminal of the floating power supply.例文帳に追加

基準電位と、（ａ） 浮動電力源、（ｂ） 浮動電力源の第１の端子に結合する第１の電力導体、及び（ｃ） 浮動電力源の第２の端子に結合する第２の電力導体のうちの少なくとも１つとの間の不要な電路を検出する故障検出システムを提供する。 - 特許庁

To provide a fault detection system for detecting an unnecessary cable way between a reference electric potential and at least one of a floating power source (a), a first power conductor (b) connecting to a first terminal of the floating power source, and a second power conductor (c) connecting to a second terminal of the floating power source.例文帳に追加

基準電位と（ａ） 浮動電力源、（ｂ） 浮動電力源の第１の端子に結合する第１の電力導体、及び（ｃ） 浮動電力源の第２の端子に結合する第２の電力導体のうちの少なくとも１つとの間の不要な電路を検出する故障検出システムを提供する。 - 特許庁

The protecting device is structured, for instance, of a protecting cylinder 11 with a cylindrical conductor put under insulation treatment, a reference potential line 13, and a top presser member 15 as well as a bottom presser member 16 to be housed and fixed inside the protecting cylinder 11 for housing and retaining a mounting member 14 of an ion generating part 8.例文帳に追加

前記保護装置は、例えば、円筒状の導体に絶縁処理された保護筒１１と、基準電位線１３と、保護筒１１内に収納されて固定されるものでイオン発生部８の取付部材１４を内部に収納して保持する上押さえ部材１５および下押さえ部材１６とから構成される。 - 特許庁

An amplifier includes: a signal amplification section 200 which outputs an output signal obtained by amplifying an input signal and a common mode voltage V_CM of the output signal; and a common mode feedback section 300 which outputs a signal corresponding to a difference between the common mode voltage V_CM and a reference potential V_ref as a regulation signal S_REG.例文帳に追加

入力信号を増幅した出力信号および出力信号のコモンモード電圧Ｖ_ＣＭを出力する信号増幅部２００と、コモンモード電圧Ｖ_ＣＭと参照電位Ｖ_ｒｅｆとの差に応じた信号を調整信号Ｓ_ＲＥＧとして出力するコモンモードフィードバック部３００と、を備える。 - 特許庁

A reference current value to be supplied to a sense amplifier corresponding to the N-th level is set to a value or higher that does not cause an undefined sense to the sense amplifier, and in the case of performing the verification judgment of the n-th data, a word line potential to be supplied for reading out the verification is raised from Vw1 to Vw2.例文帳に追加

Ｎ番目のレベルに対応するセンスアンプに供給されるリファレンス電流値は当該センスアンプが不定センスとならない値以上に設定され、Ｎ番目のデータのベリファイ判定を行う際には、ベリファイ読み出しのために供給されるワード線電位をＶｗ１からＶｗ２に上げる。 - 特許庁

The drive circuit for a semiconductor switching element has in a gate driving circuit 16c a means which detects a voltage between a gate and an emitter during a mirror period when the semiconductor switching element 1 is turned on as the gate threshold voltage, and a means which displaces emitter potential Ve corresponding to a difference between a gate threshold voltage reference value and the detected gate threshold voltage.例文帳に追加

ゲート駆動回路１６ｃ内に、半導体スイッチング素子１のターンオン時におけるミラー期間のゲート・エミッタ間電圧をゲート閾値電圧として検出する手段と、ゲート閾値電圧基準値と検出されたゲート閾値電圧との差分に応じてエミッタ電位Veを変位させる手段とを備える。 - 特許庁

A control circuit 4 has a series circuit consisting of resistance connected between the output of the analog regulator 3 and ground and a constant current source, compares a voltage lower than the output of the reference power VREF by the potential difference of resistance with the output of power VDD and controls a transistor T3 connected to the base of the transistor T2.例文帳に追加

制御回路４は、前記アナログレギュレータ３の出力と接地間に接続された抵抗と定電流源の直列回路を有し、前記基準電源Ｖ_REF 出力より前記抵抗の電位差だけ低い電圧と前記電源Ｖ_DD出力とを比較し、トランジスタＴ_2 のベースに接続されたトランジスタＴ_3 を制御する。 - 特許庁

The guard electrodes 21 and 22 are connected to reference electric potential in a detecting circuit of a driving control device 25, and the submerged pump 1 is controlled in driving by detecting a mutual electrically continuing state of the starting water level detecting electrode 11, the stopping water level detecting electrode 12 and the motor casing part 2 by the detecting circuit.例文帳に追加

ガード電極２１，２２は駆動制御装置２５の検出回路における基準電位に接続され、起動水位検出電極１１や停止水位検出電極１２とモータケーシング部２との相互間の導通状態を検出回路により検出することによって水中ポンプ１が駆動制御される。 - 特許庁

The detector is composed so as to flow the DC current between the evaluation target comparison electrode 12 and the comparison electrode 13 for presenting a reference potential in order to measure a resistance of a liquid contact section in the evaluation target comparison electrode 12 and determine the degree of a contamination of the liquid contact section from the resistance.例文帳に追加

評価対象である比較電極１２の液絡部の抵抗値を測定し、当該抵抗値から前記液絡部の汚染度合いを判定するために、評価対象である比較電極１２と基準電位を提示する比較電極１３との間に直流電流を流すように構成してある。 - 特許庁

An active element substrate 11 is provided with a data line 24 to which a data signal is supplied, common electrode wirings 26a, 26b, a common electrode 26 to which reference potential is supplied, a scanning line 28 to which a signal for scanning is supplied, a pixel electrode corresponding to a pixel to be displayed and a TST 50.例文帳に追加

能動素子基板１１には、データ信号が供給されるデータ線２４と、基準電位が供給される共通電極配線２６ａ，２６ｂ及び共通電極２６と、表示すべき画素に対応する画素電極の他に、走査用信号が供給される走査線２８と、ＴＦＴ５０と、を備えている。 - 特許庁

Even when the DC components and amplitude of an output signal Vout outputted from a differential amplifier circuit 50 fluctuate due to the fluctuation of the DC components and amplitude of an input signal Vin, the DC components and amplitude are made close to a reference potential to be generated in a node A3 by the connecting circuit 30, and outputted.例文帳に追加

入力信号Ｖｉｎの直流成分および振幅の変動により差動増幅回路５０から出力された出力信号Ｖｏｕｔの直流成分および振幅が変動した場合でも、その直流成分および振幅は結合回路３０にてノードＡ３にかかる基準電位に近づけられて出力される。 - 特許庁

A reference voltage generating circuit 20 adjusts the potential differences between the pixel electrodes and a common electrode so as to correct the influence of variation in drain voltage due to the presence of the parasitic capacity of the TFT, variance in DC voltage due to asymmetry of characteristics between an active matrix substrate and a counter substrate, etc.例文帳に追加

ＴＦＴの寄生容量の存在に伴うドレイン電圧の変動の影響やアクティブマトリクス基板と対向基板との特性の非対称性に起因する直流電圧のばらつき等を補正すべく画素電極と共通電極との電位差を調整する基準電圧作成回路２０を備える。 - 特許庁

To provide a reference electrode capable of carrying out measurement forcibly, when the condition for generating errors is brought by the fluctuation of a liquid junction potential or the like caused by defective leakage of a gel-like internal liquid, and capable of surely preventing such errors from that are included in the measured results, so as to provide high reliability in the measured result, while being constituted compact.例文帳に追加

コンパクトな構成でありながら、ゲル状内部液のリーク不良に起因する液間電位の変動等により誤差が発生し得る状態となった場合には、測定を強制的に行えなくなるようにして、測定結果にかかる誤差が含まれることを確実に防止し、測定結果に高い信頼性を有するようにした比較電極を提供する。 - 特許庁

This image forming device is provided with several photoreceptors (P1 and P2) which respectively perform developing by developing devices (D1 and D2), and the photoreceptors (P1 and P2) are arranged so that transfer operation between the photoreceptors is performed at least at one or more points, and reference potential is made different between respective photoreceptors which perform the transfer operation.例文帳に追加

それぞれ現像装置（Ｄ１，Ｄ２）により現像される複数の感光体（Ｐ１，Ｐ２）を備えた画像形成装置であって、感光体間の転写動作が少なくとも、１か所以上で行われるように感光体（Ｐ１，Ｐ２）を配置し、転写動作を行う各感光体間で基準電位を異ならせるようにしたものである。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a semiconductor layer 13 formed on an insulating film 12, and a memory cell array having a plurality of memory cells 10 in which first and second transistors Tr1, Tr2 formed in the semiconductor layer are connected in series, formed and disposed in a matrix state connected to a bit line BL in which one side of the cell is connected and a reference potential is imparted to other side.例文帳に追加

絶縁膜１２上に形成された半導体層１３と、半導体層内に形成された第１および第２のトランジスタTr1，Tr2が直列接続されたメモリセル１０が複数個マトリックス状に配置形成され、前記メモリセルの一方側が接続されたビット線ＢＬに接続され、他方側に基準電位を与えられたメモリセルアレイとを備える。 - 特許庁

The method for crystallizing boron nitride by using plasma from molecular seeds containing boron, nitrogen and fluorine comprises synthesizing boron nitride containing cubic boron nitride in a weak state of ion impact by applying a positive voltage or zero voltage to a substrate with respect to a reaction chamber or to a reference electrode, or by setting the substrate at a float potential.例文帳に追加

ホウ素、窒素、フッ素を含む分子種から、プラズマを用い窒化ホウ素を析出させる方法において、反応容器あるいは参照電極に対し、基体に正の電圧あるいは零電圧のバイアスをかけること、あるいは基体をフロート電位にすることにより、イオン衝撃の弱い状態で立方晶窒化ホウ素を含む窒化ホウ素を合成する。 - 特許庁

For forming a chemical image sensor cell using an optical address potential response sensor, a sensor signal electrode terminal part is provided at a part of the surface of the semiconductor layer and moreover, an electrode material film for a reference electrode and counter pole is formed flat, on the same surface of the sensor part via an insulation film and enclosing the sensor part.例文帳に追加

光アドレス電位応答センサを用いて、化学イメージセンサセルを構成するのに、上記半導体層の表面上の一部にセンサ信号電極端子部を設け、さらに上記センサ部の同一面上に絶縁膜を介し且つセンサ部を囲むように参照電極用及び対極用の電極材料膜を平面的に形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In a second error amplifier 42, an electrical potential of the connecting point between the transistor M3 for current generation and the resistance R_RT for current generation is input in the first input terminal, a predetermined second reference voltage V_RT is input in the second input terminal, and the output terminal is connected to a control terminal of the transistor M3 for current generation.例文帳に追加

第２誤差増幅器４２は、その第１入力端子に電流生成用トランジスタＭ３と電流生成用抵抗Ｒ_ＲＴの接続点の電位が入力され、その第２入力端子に所定の第２基準電圧Ｖ_ＲＴが入力され、その出力端子が電流生成用トランジスタＭ３の制御端子に接続される。 - 特許庁

Alternatively, the acoustically coupled IDTs may include series IDTs which are connected by the phase-rotating element and are connected in series between the input and output terminals, and branch IDTs which are acoustically coupled with the series IDTs and are arranged on a transmission line branched to a reference potential from a transmission line between the input and output terminals.例文帳に追加

或いは、音響結合する前記ＩＤＴが、位相回転素子が接続されかつ入出力端子間に直列に接続された直列ＩＤＴと、この直列ＩＤＴと音響結合しかつ入出力端子間の伝送路から基準電位へ分岐する伝送路上に配される分岐ＩＤＴとを含むようにしても良い。 - 特許庁

The amplifier circuit includes: an inductive element; a variable resistance element connected to the inductive element; a MOS transistor whose gate is connected to the variable resistance element and whose source is connected to a reference potential; an impedance element connected to the drain of the MOS transistor and a positive power source; and a control means for increasing/decreasing the resistance value of the variable resistance element.例文帳に追加

本発明に係る増幅回路は、誘導素子と、前記誘導素子に接続された可変抵抗素子と、ゲートが前記可変抵抗素子に接続され、ソースが基準電位に接続されたＭＯＳトランジスタと、前記ＭＯＳトランジスタのドレインと正電源とに接続されたインピーダンス素子と、前記可変抵抗素子の抵抗値を増減させる制御手段とを備える。 - 特許庁

The lithium ion secondary battery includes: a positive electrode which has a positive electrode active material which expresses a potential of at least 4.5 V by a metallic lithium reference; a negative electrode; and a nonaqueous electrolyte in which a lithium salt is dissolved in a nonaqueous solvent, wherein the nonaqueous solvent contains a cyclic carbonate and a chain-like carbonate as a principal component, and boron ethoxide is added to the nonaqueous electrolyte.例文帳に追加

本発明のリチウムイオン二次電池は、金属リチウム基準で４.５Ｖ以上の電位を発現する正極活物質を有する正極と、負極と、リチウム塩を非水溶媒に溶解した非水電解液と、を有し、非水溶媒が、環状カーボネートと鎖状カーボネートとを主成分とし、非水電解液にホウ素エトキシドを添加したものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the thin-film device includes a step of transferring a thin-film element (transfer object layer 110) on a second conductive transfer substrate 120 and a step thereafter of connecting an electrode terminal 130 for imparting reference potential to a thin film element circuit formed of the thin-film element, or the like, to the second conductive transfer substrate 120.例文帳に追加

本発明に係る薄膜装置の製造方法は、導電性を有する第二転写基板１２０上に薄膜素子（被転写層１１０）を転写した後、その薄膜素子などによって形成された薄膜素子回路に基準電位を与える電極端子１３０を、導電性を有する第二転写基板１２０と接続する。 - 特許庁

In the stroboscope sharing a set of booster circuits (11, 12, 13) for charging a discharge capacitor 3 and triggering a discharge tube 4, the anode terminals of the discharge capacitor 3, the discharge tube 4, and a rectifier diode 16 are connected in parallel, respectively, and when a switch 20 is closed, they are grounded to the reference potential (ground voltage).例文帳に追加

放電コンデンサ３の充電用と放電管４のトリガ用に１組の昇圧回路（１１、１２、１３Ａ）を共用するストロボ装置において、放電コンデンサ３、放電管４、並びに整流用ダイオード１６のアノード端子は、それぞれ並列に接続されており、スイッチ２０が閉状態のときには、基準電位（グランド電圧）に接地する。 - 特許庁

The incandescent lamp 12 and MOSFET14 are connected in series against a power supply, and a capacitor 164 is connected between a gate G of the MOSFET14 and the reference potential, and electric charge is made to be gradually accumulated in this capacitor 164, thereby the voltage level of the control signal supplied to the gate G is made to become gradually larger.例文帳に追加

電源に対し白熱ランプ１２とＭＯＳＦＥＴ１４とを直列接続すると共に、ＭＯＳＦＥＴ１４のゲートＧと基準電位間にコンデンサ１６４を接続し、このコンデンサ１６４に電荷が徐々に蓄積されるようにすることでゲートＧに供給される制御信号の電圧レベルが徐々に大きくなるようにする。 - 特許庁

To provide a simple forming method of high degree of freedom for a coloring material separating film for realizing the high picture quality using a fine particle coloring material of a pigment family, separating the coloring material by applying the voltage of small potential difference between a coloring material separating film forming section and a reference electrode generated correspondinly to a light image signal and provided with high safety.例文帳に追加

顔料系の微粒子色材を用いて高画質を実現するとともに、光画像信号に対応して発生する如き、色材析出膜形成部と基準電極の電位差が小さい印加電圧によっても色材析出が可能であり、安全性高く、簡易な方法で、自由度の高い色材析出膜の形成方法を提供すること。 - 特許庁

The apparatus comprises: the chamber 10; an RF power supply 51, or a filter arrangement 67 that passes at least one of the plasma excitation frequencies while excluding other frequencies; and central top and bottom electrodes 14 and 13 and a peripheral top 42 and/or bottom electrode arrangement(s) 34 connected to a reference potential by the filter arrangement 67.例文帳に追加

装置は、チャンバ１０、ＲＦて電力供給５１、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも１つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成６７、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極１４および底部電極１３ならびに周辺の頂部４２および／または底部電極３４、を含む構成である。 - 特許庁

The module has a semiconductor amplifier element chip 3 containing a power amplifier circuit, upper layer leads 4a forming a signal transmission line, lower layer leads 4b forming a reference potential conductor pattern, a plurality of conductive wires 6 for electrically connecting the upper layer leads 4a with the lower layer leads 4b, and a seal 7 for sealing them.例文帳に追加

電力増幅回路を内蔵した半導体増幅素子チップ３と、信号用の伝送線路を構成する上層リード４ａと、基準電位用の導電パターンを構成する下層リード４ｂと、上層リード４ａと下層リード４ｂとを電気的に接続する複数の導電性ワイヤ６と、それらを封止する封止部７とを有する。 - 特許庁

To easily and suitably match impedance by simplifying the constitution of a connection part of a high-frequency coaxial connector by forming a projection part of a reference potential layer at a position corresponding to a signal thin line in a recess part around a through hole formed in a surface on the opposite side from a surface where a signal thin line functioning as a microstrip line is formed.例文帳に追加

マイクロストリップラインとして機能する信号細線が形成された面の反対側の面に形成されたスルーホール周囲の逃げ部における信号細線と対応する部位に、基準電位層の凸部を形成することによって、高周波同軸コネクタの接続部を簡単な構成とし、インピーダンスを容易に、かつ、適切に整合させることができるようにする。 - 特許庁

In the diode operation, by impressing a voltage equal to or lower than a threshold voltage of a gate electrode G to the gate electrode G with the potential of a first ohmic electrode S as a reference, a current is applied from the first ohmic electrode S to a second ohmic electrode D, and the current from the second ohmic electrode D to the first ohmic electrode S is shut off.例文帳に追加

ダイオード動作は、ゲート電極Ｇの閾値電圧以下の電圧を第１のオーミック電極Ｓの電位を基準としてゲート電極Ｇに印加することにより第１のオーミック電極Ｓから第２のオーミック電極Ｄへの電流を通電し、第２のオーミック電極Ｄから第１のオーミック電極Ｓへの電流を遮断する動作である。 - 特許庁

A holder 14 that holds an electronic component 4 with first and second external terminal electrodes 2 and 3 pointing toward first and second open ends 6 and 7 of a receiving cavity 5 is provided with a shield layer 15 extending between first and second measuring terminals 9 and 10, and the shield layer 15 is electrically connected to a measurement reference potential 16.例文帳に追加

第１および第２の外部端子電極２，３を収容キャビティ５の第１および第２の開口端６，７側にそれぞれ向けた状態で電子部品４を保持しているホルダ１４に、第１および第２の測定端子９，１０間の位置を横切るように延びるシールド層１５を設け、シールド層１５を測定基準電位１６に電気的に接続する。 - 特許庁

To provide a simply constituted and inexpensive liquid crystal driving device capable of equalizing a positive voltage integration value and a negative voltage integration value with respect to a reference potential of a PWM signal to be applied to a liquid crystal panel without converting the PWM signal outputted from a PWM signal generator.例文帳に追加

本発明は、ＰＷＭ信号発生器から出力されるＰＷＭ信号を変換することなく、液晶パネルに印加されるＰＷＭ信号の基準電位に対する正の電圧の積分値と負の電圧の積分値を等しくすることができ、簡単な構成で且つ安価な液晶駆動装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A transistor 10 connected in series to the flowing route of the output current of a photodiode 206 is intermittently on/off controlled by a control signal 8, and the output voltage of the current-voltage conversion circuit 212 is clamped by a clamp circuit 6 so that the output voltage of the circuit 212 at the time when the transistor 10 is turned off coincides with the reference potential.例文帳に追加

フォトダイオード２０６の出力電流が流れる経路に直列に接続されたトランジスター１０は、制御信号８により間欠的にオン・オフ制御され、クランプ回路６は、トランジスター１０がオフした際の電流電圧変換回路２１２の出力電圧を基準電位に一致させるべく電流電圧変換回路２１２の出力電圧をクランプする。 - 特許庁

To provide an isolator to be a small device, used for an electric stimulator which carries out bipolar electric stimulation insulated from reference potential and with small leakage current, by which measurement is possible for a long period by reducing the exhaust of a battery, and which can be used for the physiological study of brain by observing the waveform of stimulating current flowing through a living body.例文帳に追加

小型の装置で、漏洩電流が小さく、基準電位に対して絶縁された双極性の電気刺激を行うことができ、電池の消耗が少なく、長時間の測定も可能であり、さらに、生体に流れる刺激電流の波形観察ができて、脳の生理学的研究にも使用できる電気刺激装置に使われるアイソレータを提供する。 - 特許庁

In this display device, all pixel transistors connected on a selected signal line X are not simultaneously driven with the same timing in one horizontal scanning period, but, pixel transistors connected on all signal lines Xs are driven with both polarities while making a prescribed potential as a reference with the same timing in one horizontal scanning period at least in four vertical scanning periods.例文帳に追加

選択された信号線Ｘ上に接続されたすべての画素トランジスタを１水平走査期間内の同一タイミングに同時に駆動することなく、少なくとも４垂直走査期間内において、すべての信号線Ｘ上に接続された画素トランジスタを１水平走査期間内の同一タイミングに所定の電位を基準として両極性で駆動する。 - 特許庁

To realize a reference potential supply wiring causing no cross talk, and eliminate need of searching for an adjacent wiring having possibilities of cross talk after a functional cell is disposed and wired in the prior art, and unrequire a correcting time, and further reduce the chip size or improve wiring.例文帳に追加

クロストークが発生しない基準電位供給配線を実現、従来行なっていた機能セルの配置配線後にクロストークの可能性がある隣接配線を洗出し、修正する時間も不要に、更に、チップサイズの縮小化あるいは配線性の向上を図った半導体集積回路の基準電位供給配線方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

This on-vehicle display device has the substrate SBT built in the device body, connectors CN1, CN2 for electrical connection fixed on the substrate SBT and earth members SPE1, SPE2 formed in a disc spring to connect the substrate SBT to a reference potential, and the earth members SPE1, SPE2 are held between the connectors CN1, CN2 and the substrate SBT.例文帳に追加

装置本体に内蔵された基板ＳＢＴと、基板ＳＢＴ上に固定された電気的接続のためのコネクタＣＮ１，ＣＮ２と、基板ＳＢＴを基準電位に接続するための板ばね状に形成されたアース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２とを、有し、アース部材ＳＰＥ１，ＳＰＥ２は、コネクタＣＮ１，ＣＮ２と基板ＳＢＴとの間に挟持されている。 - 特許庁

The ion generating device is provided with a fuse resistor 20 as a current detecting resistor for detecting charging current, and an operation amplifier 21 as a comparison circuit for comparing a both-end potential difference of the current detection resistor and a reference voltage, and controls the charging current to be a constant current based on comparison results by the operation amplifier 21.例文帳に追加

本発明のイオン発生装置は、充電電流を検出するための電流検出抵抗としてのヒューズ抵抗２０と、電流検出抵抗の両端電位差と基準電圧とを比較する比較回路としてのオペアンプ２１とを有しており、オペアンプ２１による比較結果を基にして、充電電流が定電流になるように制御する。 - 特許庁

The device includes a power semiconductor module or an arrangement of at least one power semiconductor module, a first shaped body at reference potential, and at least two DC load connection elements of differing polarity which are arranged in the interior of the device to serve for the connection of power semiconductor components to connection elements for added external connection.例文帳に追加

パワー半導体モジュール又は少なくとも１つのパワー半導体モジュールの構成部と、第１形成体を備えている基準電位と、パワー半導体構成素子を外部接続するために付設されている端子要素と接続するため、装置内に配されている異なる極性の少なくとも２つの直流負荷接続要素とを有している。 - 特許庁

A control circuit 8 generates a common electrode voltage, which minimizes this difference signal voltage, and applies it to the common electrode 4 to adjust the potential difference between the polarity inversion reference voltage of the display signal and the common electrode voltage, thus obtaining a display picture where flicker is always extremely small.例文帳に追加

制御回路は、前記差信号電圧に対応して、この差信号電圧を最小とするような共通電極電圧を発生して共通電極に印加することにより、表示信号の極性反転基準電圧と共通電極電圧間の電位差を調整して、フリッカーが常時極めて小さい表示画像を得ることができる。 - 特許庁

In this air/fuel ratio detector 1, the potential difference between the outside pump electrode of pump cell 14 not faced to a measuring gas chamber and the reference electrode of an oxygen concentration measuring cell 24 is acquired as the gas detection signal Vic through a first differential amplifying circuit 53 and the behavior of the signal Vic shows high response with respect to fluctuations in the air/fuel ratio.例文帳に追加

この装置１では、測定ガス室に面しないポンプセル１４の外側ポンプ電極と酸素濃度測定セル２４の基準電極との間の電位差を、第１差動増幅回路５３を介してガス検知信号Ｖｉｃとして取得しており、信号Ｖｉｃの挙動は排気ガスの空燃比変動に対し高応答性を示す。 - 特許庁

A current source 17 is connected to the terminals n3, n4 through a control device 16 for controlling make and break of lead wires 15, 15, and the operation device 13 is equipped with a threshold reference table 13a for comparing with a potential difference generated in the K thermocouple when a current is provided to the K thermocouple from the current source 17.例文帳に追加

更に、端子ｎ３，ｎ４には導線１５，１５の開閉を制御する制御装置１６を介して電流源１７が接続されており、前記演算装置１３は、電流源１７からＫ熱電対１０へ電流が供給された場合の、Ｋ熱電対１０に生じる電位差と比較するための閾値参照テーブル１３ａを備えている。 - 特許庁

In the capacitive inclination sensor 10, a substrate 11, a conductive mass 14 installed to be freely movable according to gravity with reference to the substrate 11, and a plurality of stoppers 13a to 13d which regulate a movement range of the mass 14 and which give a potential to the mass 14 in a position according to movement track of the mass 14, are installed.例文帳に追加

静電容量型傾斜センサ１０は、基板１１と、同基板１１に対して重力に従って移動自在に設けられた導電性のマス１４と、前記マス１４の移動範囲を規制するとともに、同マス１４の移動軌跡に応じた位置に、同マス１４に対して電位を付与する複数のストッパ１３ａ〜１３ｄを設ける。 - 特許庁

The PNP type reference transistor 16 and NPN type reset transistor 15 have the forward voltage VBE between the base and emitter which is a near value on the same semiconductor integrated circuit, and the emitter voltage of the reset transistor 15, namely, the voltage at the other end of a capacitor 12 is reset to the voltage having an potential difference of approximately 0 from that on one end side.例文帳に追加

ＰＮＰ型である基準用トランジスタ１６とＮＰＮ型であるリセット用トランジスタ１５とは、同一の半導体集積回路上では、近い値のベース・エミッタ間順方向電圧ＶBEとなり、リセット用トランジスタ１５のエミッタ電圧、すなわちコンデンサ１２の他端の電圧は、一端側との電位差がほとんど０の電圧までリセットされる。 - 特許庁

The semiconductor circuit comprises a terminal VCC 2 connected to a VDD output of an upper semiconductor circuit 20, a terminal VCC 1 directly connected to a power line 13 and an IO circuit 32 on the high potential side to which power voltage VCC 2 is supplied from the terminal VCC 2 and reference voltage VCC 1 is supplied from the terminal VCC 1.例文帳に追加

上位の半導体回路２０のＶＤＤ出力に接続される端子ＶＣＣ２と、電源線１３に直接接続される端子ＶＣＣ１と、を備えており、高電位側のＩＯ回路３２には、端子ＶＣＣ２から電源電圧ＶＣＣ２が供給されると共に、端子ＶＣＣ１から基準電圧ＶＣＣ１が供給される。 - 特許庁