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reference potentialの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 1430件
In the reference potential pattern layer 75, a circuit board side recessed portion 171 is formed which is recessed in a thickness direction on the circuit board 70 and on a bottom face 162 of the ribs 62a, a case body side projecting portion 163 is formed which is at least partially inserted into the circuit board side recessed portion 171.例文帳に追加
基準電位パターン層75には、回路基板70における厚さ方向に窪む回路基板側凹部171が形成され、リブ62aの底面162には、回路基板側凹部171に少なくとも一部が挿入されるケース体側凸部163が形成される。 - 特許庁
In etching exposing the striation of the semiconductor crystal, an etching liquid 3 of an oxidation-reduction potential ≥2.0 V (with a standard hydrogen electrode as a reference) is used, and the etching is performed while light having a larger energy than an energy of a bad gap of the semiconductor is irradiated during the etching.例文帳に追加
半導体結晶のストリエーションを露呈させるエッチングにおいて、酸化還元電位が2.0V(標準水素電極基準)以上であるエッチング液3を用い、エッチング中に半導体のバンドギャップのエネルギーよりも大きなエネルギーを有する光を照射しながらエッチングする。 - 特許庁
To provide a solid-state imaging apparatus provided with a circuit capable of obtaining a sufficient effect even under an environment at a comparatively lower temperature of 60°C or below, easily adjusting an output characteristic, and outputting a reference potential equivalent to an offset of a black level caused by a dark current.例文帳に追加
60℃以下の比較的低温の環境においても十分な効果が得られ、出力特性を容易に調整することができ、暗電流により発生する黒レベルのオフセット分に相当する基準電位を出力する回路を備える固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
The transparent electrode film is composed of In-Sn oxide and one kind of metal selected from Al, Mg, Zn, and Li, and an electrode potential V in a state of being immersed in saturated KCl aqueous solution, based on Ag/AgCl reference electrode fulfills a relation: -0.42≤V≤-0.35(V).例文帳に追加
In−Sn酸化物と、Al,Mg,Zn,Liから選ばれる少なくとも1種の金属とを含有してなり、25℃の飽和KCl水溶液中に浸漬したときのAg/AgCl参照電極を基準とする電極電位Vが、−0.42≦V≦−0.35(V)を満たすことを特徴とする。 - 特許庁
Furthermore, a high-frequency voltage of 1 kHz or more is applied across the gold electrode 11 and a reference electrode 5 by using a power supply 6, in order to reduce instability of a surface potential which is caused by external fluctuations (influences of foreign substances and the like) and poses a problem when using the gold electrode 11 in a solution.例文帳に追加
溶液中で金電極11を使用する際に問題となる外部変動(夾雑物等の影響)による表面電位の不安定性を低減するために、金電極11と参照電極5間に電源6により1kHz以上の高周波電圧を印加した。 - 特許庁
As shown in Fig. 6, the driving device is constituted so that driving switches Sa1 to Sam in a data driver 2 and scanning switches Sk1 to Skn in a scanning driver 3 are connected to the ground which is a reference potential point, while the reset operation for removing charges stored in a parasitic capacitance of organic electroluminescence elements E11 to Emn is performed.例文帳に追加
有機EL素子E11〜Emnの寄生容量に蓄積された電荷を除去するリセット動作時には、データドライバ2におけるドライブスイッチSa1〜Samおよび走査ドライバ3における走査スイッチSk1〜Sknは基準電位点であるグランドに接続される。 - 特許庁
A multiplexer circuit 12 comprises: a differential amplifier A3 having a non-inverting input terminal connected to the reference potential; switches turned on and off in response to the control signals φ1 and φ2; a hold capacitor C5 connected to between an output terminal and an inverting input terminal of the differential amplifier A3.例文帳に追加
マルチプレクサ回路12は、非反転入力端が基準電位に接続された差動増幅器A3と、制御信号φ1,φ2に従ってオンオフするスイッチと、差動増幅器A3の出力端と反転入力端との間に接続されたホールド容量C5と、を備える。 - 特許庁
The semiconductor device has a plurality of signal wires 2, 4 objective to waveform analysis on operation, and a portion of a signal wire 8 and a portion of a reference signal wire 10 are disposed in an area generating potential interference with each other in an uppermost wiring layer.例文帳に追加
半導体装置は、動作波形解析の対象となる複数の信号線2、4と、動作波形解析の基準となる基準信号線6とを有し、信号線の一部8と基準信号線の一部10が最上層配線層において互いに電位の干渉を生じる距離に配置されている。 - 特許庁
The power supply device 1 connects the negative electrode for the DC power supply 10 and the reference potential source 40 by the relay 20 while connecting the positive electrode for the DC power supply 10 and the output terminal OUT by the relay 30, thus outputting a positive voltage from the output terminal OUT.例文帳に追加
この電源装置1は、リレー20により直流電源10の負極と基準電位源40とを接続するとともに、リレー30により直流電源10の正極と出力端子OUTとを接続することで、出力端子OUTから正電圧を出力する。 - 特許庁
For the capacitive sensor having the sensor capacitive element and the reference capacitive element and keeping one terminal connected to fixed electric potential as a common terminal, a reading voltage is applied to the other terminal of each capacitive element to accumulate electric charges, and the electric charges are extracted from the other terminal.例文帳に追加
センサ容量素子と参照容量素子とを備えて一方端子が共通端子として固定電位に接続されてなる容量センサに対して、各々の容量素子の他方端子に読出し電圧を印加して電荷を蓄積させた後、他方端子から蓄積された電荷を取り出す。 - 特許庁
A switching mechanism coupled to first and second power conductors is operative for alternately connecting a phase of the load with the first and second power conductors according to a predetermined switching rate, whereby, during normal operation, voltages developed at the first power conductor and second power conductor are substantially constant with respect to a reference potential.例文帳に追加
第1、第2の電力導体に結合する開閉機構は、所定の開閉率に従って負荷の位相を第1、第2の電力導体に交互に接続するように動作し、正常動作の間、第1、第2の電力導体での電圧は基準電位に対し一定である。 - 特許庁
The gap between the tapped hole 37 and the screw part 41 of the screw member 13 is filled with conductive adhesive 25, and one of the pair of electrodes is set to the reference potential through the vibrating plate 21, the screw member 13, the conductive adhesive 25, and the metal fitting 12.例文帳に追加
そして、ネジ孔部37と取付ネジ部材13のネジ部41との隙間には、導電性接着剤25が充填され、一対の電極のうち一方が、振動板21、取付ネジ部材13、導電性接着剤25、及び主体金具12を介して、基準電位に設定される。 - 特許庁
A current sense circuit 62 is used for a read amplifier circuit 20 reading data from a memory cell, further, an amplitude limiting section 61 receiving a reference potential Vref is used for the read amplifier circuit 20 to suppress amplitude of a pair of global I/O lines GIOR, /GIOR of which parasitic capacity and parasitic resistance are large.例文帳に追加
電流センス回路62をメモリセルからデータを読出すリードアンプ回路20に用い、さらに、寄生容量および寄生抵抗の大きいグローバルIO線対GIOR,/GIORの振幅を抑えるために参照電位Vrefを受ける振幅制限部61をリードアンプ回路20に用いる。 - 特許庁
The lamp for the vehicle comprises a cold cathode fluorescent lamp having a cathode, a gate, and an anode and an anode voltage impressing coil for impressing an acceleration voltage between the cathode and the anode of the cold cathode fluorescent lamp, and in the anode voltage impressing coil, one end of the secondary side is connected to a reference potential of the primary side.例文帳に追加
車両用灯具は、カソード、ゲート、およびアノードを有する冷陰極蛍光灯と、冷陰極蛍光灯のカソードとアノードとの間に加速電圧を印加するアノード電圧印加コイルとを備え、アノード電圧印加コイルは、2次側の一端が1次側の基準電位に接続されている。 - 特許庁
The OAT 301 has a current mirror circuit for supplying back currents equivalent to the distributed currents of the second reference current, and supplies back currents depending on the potential difference between the positive input terminal and the negative input terminal to a load capacitance 302 via the current mirror circuit.例文帳に追加
OTA301は、第2の基準電流を分配した電流と同量の電流を折り返して供給するカレントミラー回路を有し、正入力端子と負入力端子間の電位差に応じた電流をカレントミラー回路により折り返して負荷容量302に供給する。 - 特許庁
Inside the rear gate 1 made of resin, an AM/FM antenna 7 is arranged at a position that is offset with respect to the negative potential terminal side of a defogger 3, and at a position, that is separated from the wiring route of the feed line in the defogger 3 with a center line, that is extended in the vertical direction of the rear gate 1 as a reference.例文帳に追加
樹脂製のリアゲート1の内部において、AM/FMアンテナ7は、リアゲート1の垂直方向に延びる中心線を基準として、デフォッガ3の負電位端子側にオフセットした位置に配設されており、且つデフォッガ3の給電ラインの布線ルートから離れた位置に配設されている。 - 特許庁
The semiconductor device 10 has such a structure that a first shield line 26 and a second shield line 35 connected with a reference potential electrode 23 are provided around a metal wire 30 having characteristic impedance which can be kept at a substantially constant level at the time of signal transmission.例文帳に追加
半導体装置10は、基準電位電極23に接続された第1シールド配線26と第2シールド配線35とが金属配線30の周囲に設けられた構造を有し、信号伝送時の金属配線の特性インピーダンスをほぼ一定に維持することができる。 - 特許庁
An image signal from this CDS circuit 14 is supplied through a gain control amplifier 15 to a clamp circuit 16, further, the control signal from the timing generator 13 is supplied to this clamp circuit 16 and a reference black level in the image signal is fixed at any arbitrary potential.例文帳に追加
このCDS回路14からの画像信号が利得制御アンプ15を通じてクランプ回路16に供給され、さらにこのクランプ回路16にタイミング発生器13からの制御信号が供給されて画像信号中の基準黒レベルが任意の電位に固定される。 - 特許庁
A pair of switches are arranged on each signal line DTL, respectively, one switch HSW supplies the signal voltage to the signal line DTL, and the other switch PSW connects common wiring 109 supplying reference potential to the signal line DTL.例文帳に追加
各信号線DTLには夫々一対のスイッチが配されており、一方のスイッチHSWは信号線DTLに信号電位を供給するためのものであり、他方のスイッチPSWは基準電位を供給する共通配線109を信号線DTLに接続するためのものである。 - 特許庁
Start control circuits 150-1, 150-2 activate control signals ALV1, ALV2, respectively, until the original and reference potential signals Vr0, Vr1 reach specified values after starting an external power supply in order to operate the voltage generating circuit 100 at a high rate.例文帳に追加
起動制御回路150−1,150−2は、外部電源の起動から元参照電位信号Vr0および参照電位信号Vr1が所定値に到達するまでの期間、電圧発生回路100を高速に動作させるために制御信号ALV1,ALV2をそれぞれ活性化する。 - 特許庁
To provide a residual chlorine meter capable of sharply reducing the electrodeposition of metal ions to the surface of a cathode caused by the oxidation reaction of an anode without requiring polishing or the like, capable of extending the life of the anode and capable of always keeping a stable reference potential in the case of a galvanic cell type.例文帳に追加
研磨等を要することなく、アノード電極の酸化反応による金属イオンのカソード電極面への電着を大幅に低減できるとともに、アノード電極の長寿命化が図れ、また、ガルバニ電池式の場合、常に安定した基準電位を維持できるようにする。 - 特許庁
The wafer detector 72 detects that an electrostatic capacitance between the electrode member 71 and the reference potential changes with whether the wafer W is held by the tweezers 511 or not, whereby the wafer detector 72 is capable of detecting whether the tweezers 51 holds a wafer W or not.例文帳に追加
ウェーハ検知部72は、ツィーザ511にウェーハWが保持されている場合と保持されていない場合とで、電極部材71と基準電位点との間の静電容量が変化することを検出することにより、ツィーザ511にウェーハWが保持されているか否かを検知する。 - 特許庁
The controller 91 which PWM controls the DC-DC converter circuit 90 of the input/output dielectric isolation type DC-DC converter device is applied with the power voltage using the potential of the output side circuit of the input/output dielectric isolation type DC-DC converter device as a reference.例文帳に追加
入出力絶縁分離型DC−DCコンバータ装置のDC−DCコンバータ回路90をPWM制御するコントローラ91には入出力絶縁分離型DC−DCコンバータ装置の出力側回路の電位を基準とする電源電圧が印加される。 - 特許庁
To provide a platinum reference electrode which is superior in corrosion resistance and integrity, can indicate the potential of platinum accurately and stably over a long period in a nuclear reactor environment and enables reduction of radiation exposure by restraining the elution of radioactive elements, such as cobalt.例文帳に追加
耐食性および健全性に優れ、原子炉環境において白金の電位を正確にしかも長期に亘り安定して示すことができ、コバルト等の放射化元素の溶出が抑えられ被爆低減を達成できる白金照合電極を提供することである。 - 特許庁
On a substrate 30, a ground area 34 connected to a reference potential (GND) and power wiring 35 (VBATT pattern) electrically connected with the positive pole terminal 41a of a rechargeable battery 40 are formed by a prescribed pattern, and a noise reduction part 80 is formed.例文帳に追加
基板30には、基準電位(GND)に接続されるグランド領域34と、充電池40の正極端子41aと電気的に接続される電源配線35(VBATTパターン)と、が所定のパターンにより形成されており、ノイズ低減部80が形成されている。 - 特許庁
A plurality of segment signals S140 are generated in a segment signal generating circuit 140 based on a liquid crystal panel driving reference voltage V100, the minimum potential V101 of a liquid crystal panel driving voltage, a voltage V110 which is generated by a booster circuit 110 and a liquid crystal panel display data S130.例文帳に追加
液晶パネル駆動基準電圧V100と液晶パネル駆動電圧の最低電位V101と昇圧回路110が生成した電圧V110と液晶パネル表示データS130とを基にセグメント信号生成回路140で複数のセグメント信号S140を生成する。 - 特許庁
Consequently, the current flowing in the bit line and the current flowing in the reference line is subjected to current-voltage conversion by a load circuit while keeping current difference before the adjusting current is added, and the read operation is performed by a sense amplifier circuit of one kind using the converted potential difference.例文帳に追加
結果、ビット線に流れる電流とリファレンス線に流れる電流は、調整電流を加える前の電流差を保ったまま、負荷回路により電流−電圧変換を行い、その変換電位差を用いて、1種類のセンスアンプ回路による読み出し動作を行う。 - 特許庁
An equalizer comprises resistors 8 and 10 of a T-tipe resistor attenuator 2, which are connected in series between an input terminal 4 supplied RF signals in a wide frequency band and an output terminal 6, and a resistor 12, which is connected between an interconnection point of the resistors 8 and 10 and a reference potential point.例文帳に追加
広帯域の周波数帯の高周波信号が供給される入力端子4と、出力端子6との間にT型抵抗減衰器2の抵抗器8、10が直列に接続され、抵抗器8、10の相互接続点と基準電位点との間に抵抗器12が接続されている。 - 特許庁
To obtain shield effect by positioning the relative position of a case for a base and conducting the case on a reference potential part while arranging a holding piece projected upward from the base for a high frequency circuit part integrally assembling the base, a board and the case.例文帳に追加
ベース、基板、ケースが一体的に組み付けられて成る高周波回路部品に対し、ベースから上方に突出する保持片を廃しながらも、ベースに対するケースの相対位置を位置決めでき、且つケースを基準電位部分に導通させてシールド効果が得られるようにする。 - 特許庁
The flexible printed board 50 comprises a first layer 50a having a wiring pattern 50c formed, and a second layer 50b which is laminated and disposed on the first layer 50a and has a ground portion 50d electrically connected to a reference potential (circuit board 70).例文帳に追加
フレキシブルプリント基板50は、配線パターン50cが形成されてなる第1の層50aと、第1の層50aに積層配設されると共に、基準電位(回路基板70)と電気的に接続されるグランド部50dが形成されてなる第2の層50bと、から構成される。 - 特許庁
The occurrence of the unintended electrical path between the load and reference potential causes a change in the voltage or current signal on the first power conductor of sufficient magnitude relative to the threshold value for detection by the detector such that the output signal of the detector is indicative of a detected fault.例文帳に追加
負荷と基準電位との間の偶発的な電気路の発生によって、検出器による検出の該閾値に対して十分な大きさで第1の電力導体の電圧或いは電流信号が変化し、検出器の出力信号は検出された故障を示す。 - 特許庁
An operator holds the apparatus 20 for measuring the electric current so that the reference electrodes 21a, 21b, 21c and 21d are arranged, in this order, on the outside of the radial direction of the first skeletal member 6 and measures the potential around the first skeletal member 6, to measure the electric current around the first skeletal member 6.例文帳に追加
そして、作業者は、照合電極21a、21b、21c、21dの順に、第1骨格部材6の径方向外側に並ぶように電流計測装置20を保持して第1骨格部材6の周りの電位を計測して、第1骨格部材6の周りの電流を計測する。 - 特許庁
By a high frequency grounding circuit connected between a high frequency oscillation circuit and the DC output circuit, a reference potential of the high frequency oscillation circuit is stabilized even when the AC output circuit and the DC output circuit are connected in series, and it becomes possible to obtain a desired high frequency AC signal.例文帳に追加
高周波発振回路とDC出力回路との間に接続される高周波接地回路によって、AC出力回路とDC出力回路とが直列接続された場合でも高周波発振回路の基準電位は安定し、所望の高周波AC信号が得ることが可能になる。 - 特許庁
The protective circuit 100 provided between differential input terminals 103a, 103b and the internal circuit 101 that receives differential input or performs differential output includes a pair of MOS transistors 105a, 105b interposed between a pair of nodes N3, N4 connecting the differential input terminals 103a, 103b and internal circuit 101, and a reference power source GND for setting a reference potential.例文帳に追加
差動入力端子103a、103bと、差動入力を受ける、または差動出力する内部回路101との間に設けられた保護回路100を、差動入力端子103a、103b及び内部回路101を結ぶ一対のノードN3、N4のそれぞれと、基準電位を設定する基準電源GNDとの間に介在する一対のMOSトランジスタ105a、105bとによって構成する。 - 特許庁
A semiconductor circuit comprises a first circuit block, a second circuit block and power supply wirings supplying a plurality of reference potentials, in which both the first circuit block and the second circuit block are connected to a common power supply wiring, which is one of the power supply wirings and supplies a common reference potential, and the wire width of the common power supply wiring differs between the first circuit block and the second circuit block.例文帳に追加
半導体回路において、第1の回路ブロックと、第2の回路ブロックと、複数の基準電位を供給する電源配線と、を有し、前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックとは、ともに前記電源配線の1つであり共通の基準電位を供給する共通電源配線に接続され、前記共通電源配線の線幅は、前記第1の回路ブロックと前記第2の回路ブロックで異なる。 - 特許庁
The working electrode 132 which generates driving force for transmitting the solution along a flow channel 114, and a reference electrode 131 which generates a predetermined potential difference between the reference electrode 131 and the working electrode 132 to generate the driving force are formed, and a hydrophobic part 135 with high hydrophobicity and a hydrophilic part 134 with high hydrophilicity are formed on the surface in contact with the solution of the working electrode 132.例文帳に追加
流路114に沿って溶液を送液する駆動力を生じさせる作用電極132と、作用電極132との間に所定の電位差を生じさせて駆動力を生じさせる参照電極131とが形成され、作用電極132の溶液と接触する表面上に、疎水性の高い疎水性部分135と親水性の高い親水性部分134とが形成されている。 - 特許庁
This plasma treatment method comprises an arrangement process placing an electrode material layer to contact with an organic functional layer in a vacuum chamber formed between a pair of electrodes, a supply process supplying plasma process gas into the vacuum chamber, and an electric field setting process applying the main alternating voltage overlapped on the reference voltage to one of the electrodes in the vacuum chamber through a condenser and maintaining the other electrode at a reference potential.例文帳に追加
プラズマ処理方法は、1対の電極間に形成されている真空室内に有機機能層に接すべき電極材料層を置く配置工程と、該真空室内にプラズマプロセスガスを供給する供給工程と、該真空室において基準電圧に重畳された主交流電圧を該電極のうちの一方の電極にコンデンサを介して印加するとともに該電極のうち他方の電極を該基準電位に維持する電界設定工程と、を含む。 - 特許庁
A GND front wiring 46A and a GND back wiring 46B are connected with the upper electrode 52 of a piezoelectric body 54 through a second electrically conductive member 45B filling a second through-hole 43B, and connected with a reference electric potential terminal 46C on the GND front wiring 46A side.例文帳に追加
GND表配線46A及びGND裏配線46Bは、第2貫通穴43Bに充填された第2導電性部材45Bを介して後述する圧電体54の上部電極52に接続されると共に、GND表配線46A側で基準電位端子46Cと接続されている。 - 特許庁
An adjusting resistor Rs is connected between the inverting input terminal and the reference potential; and when a resistance value of the input resistor R1 is changed, the resistance value is controlled so as to maintain a fixed value with respect to the change in the composite resistance value of the parallel connection of the adjusting resistor Rs and the input resistor R1.例文帳に追加
調整抵抗Rsは、当該反転入力端子と基準電位との間に接続されており、入力抵抗R1の抵抗値を変化させたときに、入力抵抗R1との並列接続における合成抵抗値が該変化に対して一定の値を維持するように抵抗値が制御される。 - 特許庁
The potential of a substrate of a P-chMOS transistor 2 is controlled independently by a voltage source 11, and a detection voltage value of the comparator circuit with an offset is changed to a value obtained, by adding or subtracting to or from the reference voltage value an offset voltage value, which can be changed by setting a voltage value given from the voltage source 11.例文帳に追加
P−chMOSトランジスタ2の基板の電位は、電圧源11により独立に制御されており、オフセット付きコンパレータ回路の検出電圧値を、電圧源11が与える電圧値を設定することで値を変化させることが可能なオフセット電圧値を基準電圧値に加算又は減算した値とする。 - 特許庁
When electrostatic discharge is produced, the p-type MOS transistor Qp or n-type MOS transistor Qn is turned on and a surge current flows to a power source Vdd or reference potential Vss to limit voltage variation of a pad 1, so that an internal circuit 2 is prevented from being broken owing to the electrostatic discharge.例文帳に追加
静電気放電の発生時にp型MOSトランジスタQpまたはn型MOSトランジスタQnが導通状態となってサージ電流が電源Vddまたは基準電位Vssに流れ、パッド1の電圧変動が制限されるので、静電気放電による内部回路2の破壊が防止される。 - 特許庁
The power supply device 1 includes a DC power supply 10, a relay 20 mounted so as to be able to connect a positive electrode or a negative electrode for the DC power supply 10 and a reference potential source 40, and the relay 30 mounted so as to be able to connect the positive electrode or the negative electrode for the DC power supply 10 and an output terminal OUT.例文帳に追加
電源装置1は、直流電源10と、直流電源10の正極または負極と基準電位源40とを接続可能に設けられたリレー20と、直流電源10の正極または負極と出力端子OUTとを接続可能に設けられたリレー30と、を備える。 - 特許庁
A pixel of the display device is provided with an optical sensor 36, a sensor capacity 37 holding a potential corresponding to the quantity of emitted light is arranged so as to be coupled with a finger of a user made proximate to a display part 2, and precharge voltage V_prc of the sensor capacity 37 and reference voltage PVSS are vibrated in the same phase.例文帳に追加
表示装置の画素に光センサ36を備えるとともに、照射された光量に応じた電位を保持するセンサ容量37を表示部2に近接する利用者の指とカップリングしやすいように配置し、センサ容量37のプリチャージ電圧V_prcと基準電圧PVSSとを同位相で振動させる。 - 特許庁
After separation of these bit lines BL0-BL7, reference line, and virtual GND lines VG0-VG7, access can be performed by CAS latency 3 by performing pre-charge operation of the bit lines BL0-BL7 and the virtual GND lines VG0-VG7 by a VREF potential supply circuits 2, 4 and amplifying operation of the sense amplifier 12 in parallel.例文帳に追加
このビット線BL0〜BL7,リファレンス線およびバーチャルGND線VG0〜VG7の切り離し後、VREF電位供給回路2,4によるビット線BL0〜BL7,バーチャルGND線VG0〜VG7のプリチャージ動作とセンスアンプ12による増幅動作とを並行して実行することによって、CASレイテンシー3でアクセスが可能となる。 - 特許庁
At least at one of the other conductor layer and a conductor layer except the conductor layer right above the one conductor layer among the intermediate conductor layers, a reference plane supplied with a fixed potential is formed opposite the external connection pad in a region above the external connection pad.例文帳に追加
そして、他方の導電体層、および、中間導電体層のうちの一方の導電体層の直上の導電体層を除く導電体層の少なくとも1つに、固定電位が供給される基準プレーンが、外部接続パッドの上空域内で外部接続パッドに対向するように形成されている。 - 特許庁
A shield cover 12 for covering semiconductor memory chips is set on the board and is connected to thereto via the reference potential connection patterns 15 and metal cover contacts 16.例文帳に追加
メモリモジュールのプリント基板11上に配置された高周波数の信号線上、及び/又は信号線の終端部の延長線上に基準電位接続パターン15を設けると共に、半導体メモリチップを覆うシールドカバー12を前記基板上に設けて、基準電位接続パターン15と金属カバーコンタクト部品16を介してシールドカバー12を接続する。 - 特許庁
This is the temperature detection device of the secondary battery pack which is arranged at a part to detect the temperature of the secondary battery 4, and which is equipped with an NTC element 8 whose one end is electrically connected to a temperature detection terminal 3, and an overcurrent cut-off element 9 connected between another end of NTC element 8 and a reference potential terminal 2.例文帳に追加
二次電池4の温度を検知する部分に配置されており、かつ一端が温度検知端子3に電気的に接続されているNTC素子8と、NTC素子8の他端と基準電位端子2との間に接続された過電流遮断素子9とを備える、二次電池パックの温度検知装置。 - 特許庁
To reduce costs and achieve generalization in an inter-device connection system capable of preventing the damage and failure of an electronic component caused by applying an overvoltage generated on a power transmission path to a device when mutually connecting the power transmission path and a reference potential point connection path between two devices in which power is thrown.例文帳に追加
電源が投入された二つの装置間に電力伝送経路及び基準電位点接続経路を相互接続する際に,その電力伝送経路上に発生する過電圧の装置への印加による電子部品の破損や故障を防止することができる装置間接続方式の低コスト化及び汎用化を実現すること。 - 特許庁
A pulse converting part 4 is provided, which consists of a comparator for determining whether or not a signal read from pixel cells 10 reaches reference potential for each column with respect to respective pixel cells 10 arrayed in two-dimensional way and converting the signal into a binary signal, and of a reset signal generating part, etc., which resets a photodiode in accordance with the record.例文帳に追加
2次元状に配列された各画素セル10に対し、各列毎に、画素セル10から読み出された信号が基準電位に到達しているか否かを判定して二値信号に変換するコンパレータやその結果に応じてフォトダイオードをリセットするリセット信号生成部等を有するパルス変換部4を設ける。 - 特許庁
The wiring drive unit for driving wiring of an EL display panel having a pixel array part corresponding to an active matrix driving system has a function for applying specific reference potential set for every emitted light color to the wiring for correction of the threshold voltage of a transistor for driving the EL light emitting element.例文帳に追加
アクティブマトリクス駆動方式に対応する画素アレイ部を有するEL表示パネルの配線を駆動する配線駆動装置として、EL発光素子を駆動するトランジスタの閾値電圧の補正用に、発光色毎に設定された固有の基準電位を配線に印加する機能を有するものを提案する。 - 特許庁
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