「reference potential」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

When electroplating a substrate 9 with the use of a ferrous electroplating bath 11, this electroplating method includes applying an auxiliary potential in between a cathode 4 (working electrode) and a reference electrode 6 concurrently with applying an electroplating potential in between an anode 4 and a cathode 5, during an electroplating period (a period in which the substrate 9 is electroplated in the electroplating bath 11).例文帳に追加

第一鉄系の電気めっき浴１１を使用して基板９に電気めっきする場合に、電気めっき期間（電気めっき浴１１中において基板９が電気めっきされる期間）中にアノード４とカソード５との間に電気めっき電位を加えると共にカソード４（作用電極）と基準電極６との間に補助電位を加える。 - 特許庁

Power supply potential lines VCCL101 to VCCL10n in n columns for supplying a supply voltage Vcc and precharge potential lines VPCL101 to VPCL10n in n columns for supplying a reference voltage Vpc for performing offset cancel are wired in the same direction so as to be parallel to signal lines SGL101 to SGL10n.例文帳に追加

電源電圧Ｖｃｃを供給するｎ列分の電源電位線ＶＣＣＬ１０１〜ＶＣＣＬ１０ｎと、オフセットキャンセルを行うための基準電圧Ｖｐｃを供給するためのｎ列分のプリチャージ電位線ＶＰＣＬ１０１〜ＶＰＣＬ１０ｎを信号線ＳＧＬ１０１〜ＳＧＬ１０ｎの並行するように同一方向に配線している。 - 特許庁

A conductive diamond electrode formed by doping boron at high concentration is used as a working electrode, a potential relative to a reference electrode is swept in the negative potential direction, and an electrochemical active material (e.g. metal) in the solution to be an analysis object is electrodeposited on the surface of the conductive diamond electrode by a prescribed deposit time so as to form an electrodeposited material.例文帳に追加

ボロンを高濃度でドープした導電性ダイヤモンド電極を作用電極として用い、参照電極に対する電位を負電位方向にスイープし、所望の堆積時間で前記導電性ダイヤモンド電極の表面に被分析対象となる溶液中の電気化学的活性物質(例えば、金属)を電着させて電着物質を形成する。 - 特許庁

A solid-state imaging element comprises: at least two infrared detecting sections 2A, 2B formed on a semiconductor substrate 100; electrical wires 2313A, 2312B for connecting at least two infrared detecting sections in series; and a comparison section 30 for comparing a potential in the middle of the electrical wires for connecting the infrared detecting sections in series with a preset reference potential.例文帳に追加

半導体基板１００上に形成された少なくとも２個の赤外線検出部２Ａ、２Ｂと、少なくとも２個の赤外線検出部を直列に接続する電気配線２３１３Ａ、２３１２Ｂと、赤外線検出部を直列に接続する電気配線の中間の電位を、予め設定された参照電位と比較する比較部３０と、を備えている。 - 特許庁

First ends of two ground lines 71, 72 are connected to a wiring set to a ground potential (reference potential) on a socket board 40 at a right and left positions opposite through a CRT socket 30 of the socket board 40, and second ends of the ground lines 71, 72 are connected mutually with a metal band 54 for mounting a convergence means 50.例文帳に追加

２本のグランド線７１および７２の一端を、ソケット基板４０のＣＲＴソケット３０を介して対向する左右位置において、ソケット基板４０上のグランド電位（基準電位）とされる配線に接続し、グランド線７１および７２の他端を、コンバージェンス手段５０の取り付け用の金属バンド５４によって互いに接続する。 - 特許庁

The output of an analog switch 64 or 66 is supplied to the comparator 14 as a threshold value and when a smoothing capacitor 34 is connected to a smoothing terminal 32, the midpoint potential of an input signal obtained in the smoothing terminal 32 is supplied but when the smoothing terminal 32 is a ground potential, a reference voltage VREF is supplied.例文帳に追加

このコンパレータ１４には、しきい値として、アナログスイッチ６４または６６の出力が供給され、平滑端子３２に平滑容量３４が接続されている場合には、この平滑端子３２に得られる入力信号の中点電位が供給され、平滑端子３２がグランド電位になっているときには基準電圧ＶＲＥＦが供給される。 - 特許庁

The apparatus for testing the power conversion apparatus used in place of the finished-product power converter includes a testing power converter having a lower output capacity than this power converter, and a high-frequency voltage application device applying a noise voltage to between a reference potential section of a control circuit and a ground potential section of the testing power converter.例文帳に追加

提案する電力変換装置の試験装置は、最終製品の電力変換器に換えて用いられて、この電力変換器よりも出力容量が小さい試験用電力変換器と、制御回路の基準電位部と、前記試験用電力変換器の接地電位部との間にノイズ電圧を印加する高周波電圧印加装置と、を備える。 - 特許庁

A scanner 104 outputs a control signal for bringing a sampling transistor 3A into conduction in a time zone in which a power source line DSL101 is at power source potential and a signal line DTL101 is at reference potential to conduct a threshold voltage correction operation for holding the voltage corresponding to the threshold voltage of a drive transistor 3B in a holding capacitor 3C.例文帳に追加

スキャナ１０４は、電源線ＤＳＬ１０１が電源電位にあり且つ信号線ＤＴＬ１０１が基準電位にある時間帯でサンプリング用トランジスタ３Ａを導通させる制御信号を出力して、駆動用トランジスタ３Ｂの閾電圧に相当する電圧を保持容量３Ｃに保持するための閾電圧補正動作を行う。 - 特許庁

The current detecting circuit is formed of a p-type output MOS transistor M1 as an element to be protected, a clamping circuit 1 for clamping a gate-source voltage of the output MOS transistor M1, a detecting circuit 2 for detecting operation of the clamping circuit 1, and a comparator circuit 3 for comparing the reference potential Vref and potential of output signal Out.例文帳に追加

本発明の電流検知回路は、被保護素子であるｐ型の出力ＭＯＳトランジスタＭ１と、出力ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート・ソース間電圧をクランプするクランプ回路１と、クランプ回路１が動作したことを検出する検出回路２と、基準電位Ｖｒｅｆと出力信号Ｏｕｔの電位を比較するコンパレータ回路３で構成されている。 - 特許庁

Second MOS 102 where a gate is not connected to a terminal 101 is arranged in series between first MOS 111 and reference potential wiring 106, and it is provided with a fourth electrostatic protection element 124 close to the gate and a source.例文帳に追加

ゲートが端子１０１に接続されない第２のＭＯＳ１０２は、第１のＭＯＳ１１１と基準電位配線１０６との間に直列に配置され、ゲート−ソース間に近接して第４の静電保護素子１２４を備える。 - 特許庁

The static electricity generated in the lens barrel is connected to the reference potential terminal 5a by using the lead wire 13, rather than using the pattern wire on a mounting substrate; consequently, malfunctions of the electrical components on the mount substrate will not occur.例文帳に追加

レンズ鏡筒で発生した静電気はリード線１３を用いて、実装基板上のパターン配線を通さずに、基準電位端子５ａに接続するために、実装基板上の電気部品が誤作動を起こすことはない。 - 特許庁

The first to third phase voltage conversion means generates first to third DC voltage signals with a size corresponding to a phase difference between the neutral point of three-phase transmission line and each potential of the first to third phases of reference distribution line, respectively.例文帳に追加

第１〜３の位相電圧変換手段は、それぞれ、三相送電線の中性点電位と基準配電線の第１〜３相の電位との位相差に対応する大きさの第１〜３の直流電圧信号を生成する。 - 特許庁

The reference potential of the battery block 11 is sent to the module voltage detection part 4 through a switch SW21 and a diode D1.例文帳に追加

電池ブロック１１の基準電位はスイッチＳＷ２１及びダイオードＤ１を通じてモジュ−ル電圧検出部４に送り、電池ブロック１２の基準電位はスイッチＳＷ２２及びダイオードＤ２を通じてモジュ−ル電圧検出部４に送る。 - 特許庁

Namely, the luminance fluctuating characteristic by temperature is canceled while maintaining the light emitting display performance of a pixel circuit only by vertically cooperatively controlling the Vofs voltage and γ-reference voltage while maintaining an initial potential relation between the both.例文帳に追加

即ちＶｏｆｓ電圧とγ基準電圧とを、初期の電位関係を保ったまま、上下に連動コントロールすることだけで、画素回路の発光表示性能を維持しながら、温度による輝度変動特性をキャンセルする。 - 特許庁

Thus, the reference potential section 25 isolates between the Ip2 cell detection circuit 13 and specific wirings, which prevents noise due to the current flowing in the specific wirings from infiltrating the Ip2 cell detection circuit.例文帳に追加

従って、基準電位部２５がＩｐ２セル検出回路１３と特定配線とを電気的に隔てるので、特定配線を流れる電流によるノイズがＩｐ２セル検出回路１３に侵入することを防止することができる。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device involving a voltage generating circuit which can vary a dummy capacitor driving voltage to be used to generate a reference potential to be used for a sense amplifier following voltage fluctuation of sense amplifier supply voltage.例文帳に追加

センスアンプ供給電圧の電圧変動に追随して、センスアンプにて使用する参照電位を発生させるために用いられるダミーキャパシタ駆動電圧を変動可能な電圧発生回路を含む半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Then, the reference voltage Vofs is switched from the second offset voltage Vofs2 to the first offset voltage Vofs1, before a gate-source potential Vgs of the drive transistor is converged to the threshold voltage Vth during a threshold value correction period.例文帳に追加

次いで、閾値補正期間に入って駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓが閾値電圧Ｖｔｈに収束する前に基準電圧Ｖｏｆｓを第２オフセット電圧Ｖｏｆｓ２から第１オフセット電圧Ｖｏｆｓ１に切り替える。 - 特許庁

A correction circuit 55 corrects gradation data Vd designating the gradation of a pixel; and a D/A converter circuit group 544 converts the corrected gradation data Vda into data signals, at a positive and a negative voltages with a prescribed potential as the reference.例文帳に追加

補正回路５５は、画素の階調を指定する階調データＶdを補正し、Ｄ／Ａ変換回路群５４４は、補正した階調データＶdaを、所定電位を基準として正極性および負極性電圧としたデータ信号に変換する。 - 特許庁

The reference output common voltage Voutcm_ideal of the replica circuit 4 is set in such a way that a potential difference between the power supply voltage Vdd and an output common voltage Voutcm becomes a value lower than a threshold voltage Vth of the diode-connected PMOS transistors MP1 and MP2.例文帳に追加

電源電圧Ｖddと出力コモン電圧Ｖoutcmとの電位差がダイオード接続されたＰＭＯＳトランジスタＭＰ１及びＭＰ２の閾値電圧Ｖthよりも低い値となるように、レプリカ回路４の基準出力コモン電圧Ｖoutcm_idealを設定する。 - 特許庁

During a monitor mode, reference potential lower than normal is supplied to a reception circuit to determine a logical level of a transmission signal, so that the process state of the semiconductor chip connected outside the semiconductor integrated circuit is detected.例文帳に追加

モニタモード中に、通常より低い参照電位を受信回路に供給して伝送信号の論理レベルを判定することで、半導体集積回路の外部に接続される半導体チップのプロセス状態を検出する。 - 特許庁

The control data storing circuit 6 is divided into groups 1 and 2, the read-out control circuit 7 generates successively a read-out control signal with different timing for the groups 1, 2 using an output of an internal potential detecting circuit 41 as timing reference.例文帳に追加

制御データ記憶回路６は、グループ１，２に分けられ、読み出し制御回路７は、内部電位検出回路４１の出力をタイミング基準として、グループ１，２に対して順次異なるタイミングで読み出し制御信号を生成する。 - 特許庁

The IC card K in which the electrostatic capacity type fingerprint sensor 10 is mounted on a substrate 60 is provided with a discharge electrode 20 mounted on the substrate 60 and connected to the reference potential G of a detection circuit in the fingerprint sensor 10.例文帳に追加

基板６０上に静電容量型指紋センサ１０を搭載したＩＣカードＫにおいて、基板６０上に静電容量型指紋センサ１０の検出回路の基準電位Ｇと導通する放電用電極２０を備える。 - 特許庁

In the transceiver 1, a reference electrode S- for reception is disposed separately from a transmission and reception common electrode S+, thus relatively increasing the potential difference between the electrodes, namely the level of the signal to be received (reception signal).例文帳に追加

トランシーバ１では、受信用基準電極Ｓ−は、送受信共通電極Ｓ＋に離間して配置されているので、当該電極間の電位差つまり受信される信号（受信信号）を比較的大きくすることができる。 - 特許庁

The control voltage CON is imparted to a PMOS 16 constituting a current mirror, and a potential by an NMOS 18 diode-connected to a sheet resistor 17 connected to the PMOS 16 in series is outputted as a reference voltage VREF.例文帳に追加

制御電圧ＣＯＮを電流ミラーを構成するＰＭＯＳ１６に与え、このＰＭＯＳ１６に直列に接続されたシート抵抗１７とダイオード接続されたＮＭＯＳ１８による電位を、基準電圧ＶＲＥＦとして出力する。 - 特許庁

A first reference voltage supplied from the outside and a potential of a node between the ninth transistor and the tenth transistor are inputted to an operational amplifier, and an output signal of the operational amplifier is inputted to the first and seventh transistors.例文帳に追加

オペアンプには、外部から供給される第１のリファレンス電圧と、第９のトランジスタと第１０のトランジスタとの間のノードの電位とが入力され、オペアンプの出力信号が、第１、第７のトランジスタに入力される。 - 特許庁

In one embodiment, the active termination circuit has a bottom clamping transistor 320 coupled to a first potential having a bottom clamp transistor control node arranged for clamping a signal at about a first reference voltage.例文帳に追加

一実施形態では、その能動終端回路は、信号を第１の参照電圧付近にクランプするよう構成された下側クランプトランジスタ制御ノードを有する第１の電位に接続された下側クランプトランジスタ３２０を備える。 - 特許庁

A pre-charge circuit 250 is provided with an N-channel transistor T1 for switch, and a reference potential Vb is applied to one of the source and the drain of the transistor T1, and the other is connected to a connection point A, and a pre-charge signal PC1 is applied to the gate.例文帳に追加

プリチャージ回路２５０にスイッチ用のＮチャネル型トランジスタＴ１を設け、このトランジスタＴ１のソース・ドレインの一方に基準電位Ｖｂを印加し、他方を接続点Ａに接続し、ゲートにプリチャージ信号ＰＣ１を印加する。 - 特許庁

A self-oscillation is operated by use of a first switching transistor Q1 that is connected in series with a choke coil and a second switching transistor Q2 that is connected in series with an impedance element R1 between an input and a reference electric potential of the power supply.例文帳に追加

チョークコイルと直列に接続された第１のスイッチングトランジスタＱ１と入力端と電源装置の基準電位間にインピーダンス素子Ｒ１と直列に接続された第２のスイッチングトランジスタQ2を用いて自励発振させる。 - 特許庁

A sequence circuit 3 generates the digital data of a pattern voltage, and a D/A converter 1A switches respective resistors R1-R3 of a resistant voltage dividing circuit to high impedance and reference potential with TTL elements G1-G3 of high breakdown voltage open collector output.例文帳に追加

シーケンス回路３はパターン電圧のディジタルデータを発生し、Ｄ／Ａコンバータ１Ａは高耐圧オープンコレクタ出力のＴＴＬ素子Ｇ１〜Ｇ３で抵抗分圧回路の各抵抗Ｒ１〜Ｒ３をハイインピーダンスと基準電位に切り替える。 - 特許庁

A source of the second field effect transistor 32 is connected to a ground potential as a reference voltage to be turned on/off by a second input signal Srpwm supplied from a second level shifter 28 to its gate.例文帳に追加

第２電界効果型トランジスタ３２は、そのソースが基準電圧としてのグランド電位に接続され、第２レベルシフタ２８からゲートに供給される第２入力信号Ｓｒｐｗｍによってオン・オフ動作するように構成されている。 - 特許庁

To enable a ferroelectric memory device to reduce a cell area more than that of a 2T2C type cell and unnecessitate a reference potential, a cell plate drive line and its drive circuit.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリ装置において、２Ｔ２Ｃ型セルよりもセル面積を小さくできるとともに、リファレンス電位やセルプレート駆動線とその駆動回路を不要にできるようにすることを最も主要な特徴としている。 - 特許庁

With glassy carbon as a working electrode, a platinum wire as a counter electrode, and a silver-silver chloride electrode as a reference electrode, 0.1 M of ammonium carbamate solution is electrolyzed and oxidized for an hour at a constant potential between 0.8 V and 1.3 V.例文帳に追加

グラッシーカーボンを作用電極とし、白金線を対極とし、銀—塩化銀電極を基準電極として、０．８Ｖから１．３Ｖの間の一定電位で１時間、０．１Ｍのカルバミン酸アンモニウム水溶液を電解酸化した。 - 特許庁

A technique is provided for supplying, to a pixel array part, a drive pulse that defines a supply period of a reference potential for threshold correction and that a rear end timing in each supply period is set after rear end timing in the threshold correction period.例文帳に追加

閾値補正用の基準電位の供給期間を規定するドライブパルスであって、各供給期間の後端タイミングが閾値補正期間の後端タイミング以降に設定されたドライブパルスを画素アレイ部に供給する手法を提案する。 - 特許庁

A conductive film 150 is formed on a main surface, facing the VCSEL 120, of the optical waveguide 140, and the conductive film 150 is electrically connected to reference potential through a conductive adhesive 132 and a mounter 130.例文帳に追加

光導波路１４０のＶＣＳＥＬ１２０と向かい合う主面には、導電膜１５０が形成され、導電膜１５０は、導電性接着剤１３２およびマウンタ１３０を介して基準電位に電気的に接続されている。 - 特許庁

The active voltage step-down circuit 2 is controlled to be active/inactive according to "L"/"H" of the activation signal VACT, and generates in the active state an internal voltage step-down power source potential VDD which is set based on a reference voltage VREF.例文帳に追加

アクティブ降圧回路２は活性化信号ＶＡＣＴの“Ｈ”／“Ｌ”により活性／非活性が制御され、活性状態時に基準電圧ＶＲＥＦに基づき設定される内部降圧電源電位ＶＤＤを発生する。 - 特許庁

A precharge circuit 250 is provided with an N-channel transistor T1 for switch, and a reference potential Vb is applied to one of the source and the drain of the transistor T1, and the other is connected to a connection point A, and a precharge signal PC1 is applied to the gate.例文帳に追加

プリチャージ回路２５０にスイッチ用のＮチャネル型トランジスタＴ１を設け、このトランジスタＴ１のソース・ドレインの一方に基準電位Ｖｂを印加し、他方を接続点Ａに接続し、ゲートにプリチャージ信号ＰＣ１を印加する。 - 特許庁

The pressurizing part 13c surely brings a projection 63 provided on the reference potential part 62 of the circuit board 15 into contact with the conductive member 16 by energizing the circuit board 15 to the conductive member 16 by the elastic force of the elastic member.例文帳に追加

押圧部１３ｃは、弾性部材の弾性力により回路基板１５を導電性部材１６に付勢することで、回路基板１５の基準電位部６２に設けられた突起６３を導電性部材１６に確実に接触させる。 - 特許庁

A second D/A converting part 3 for performing processing belonging to a first input group by using a first analog input terminal operates as a capacity load part for differential input and generates a ground potential as a comparing reference voltage Vcp2.例文帳に追加

第１のアナログ入力端子を使用し、第１入力グループに属する処理を行う第２ＤＡ変換部３は、差動入力用の容量負荷部として動作し、グランド電位を比較基準電圧Ｖcp2として発生する。 - 特許庁

Successively, a reference current (is), which is a displacement current from a sample holding part 11 independent of the distance between the vibration electrode 12 and the sample 9 surface 91 is determined, from the plurality of relations between the electrode potential and the displacement current.例文帳に追加

続いて、電極電位と変位電流との複数の関係から、振動電極１２と試料９の表面９１との間の距離に依存しない試料保持部１１からの変位電流である基準電流ｉｓが求められる。 - 特許庁

A selected potential is supplied to first and second comparators CP1 and CP2 different in comparison reference potentials, and the comparison results are latched in latch circuits LC1 and LC2 respectively and are stored in a data register 6 being a storage means.例文帳に追加

選択された電位は、比較基準電位が異なる第１と第２のコンパレータＣP1，ＣP2に供給され、その比較結果がラッチ回路ＬＣ1 ，ＬＣ2 によってそれぞれラッチされ、記憶手段としてのデータレジスタ６に格納される。 - 特許庁

A light scanner 4 and a drive scanner 5 output control signals to scanning lines WS and DS respectively when a signal line SL is at reference potential Vss1 to drive the pixels 2, and perform the correction operation of the threshold voltage of a drive transistor Trd.例文帳に追加

ライトスキャナ４及びドライブスキャナ５は、信号線ＳＬが基準電位Ｖｓｓ１の時走査線ＷＳ及びＤＳに夫々制御信号を出力して画素２を駆動し、ドライブトランジスタＴｒｄの閾電圧の補正動作を行う。 - 特許庁

An electrode 10b on the reference potential side in an electrode couple 10 of a constant-current applying means 9 which applies a high frequency current to the human body is arranged at a site between the human body and the electrodes where contact resistance becomes smaller.例文帳に追加

人体に高周波電流を印加する定電流印加手段９の電極対１０の内の基準電位側の電極１０ｂを人体と電極間の接触抵抗が小さくなる部位に配置するものである。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging device that can control the occurrence of shading regardless of the wavelength of incident visible light by stabilizing a substrate's reference potential and securing high-speed and stable performance of a transistor for pixel cells.例文帳に追加

基板の基準電位の安定化を図ることにより、画素セルのトランジスタの高速・安定な動作を確保しながら、入射可視光の波長に関係なく、シェーディングの発生を抑制することができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

The optical semiconductor device comprises the optical semiconductor element, a first resistance connected in series with the optical semiconductor element, a second resistance connected between a negative electrode of the optical semiconductor element and the reference potential, and a driver for differentially driving the optical semiconductor element.例文帳に追加

光半導体素子と、光半導体素子と直列に接続された第１の抵坑と、光半導体素子の陰極と基準電位の間に接続された第２の抵抗と、光半導体素子を差動駆動するドライバとを有する。 - 特許庁

To provide a means that achieves sure grounding of a rotating member without being influenced by rotating operation in constitution where the rotating member is provided to be rotatable through a hinge mechanism relative to a fixed part grounded to a reference potential surface.例文帳に追加

基準電位面にアースされた固定部に対してヒンジ機構を介して回転部が回転可能に設けられた構成において、回転動作に影響を受けることなく回転部の確実なアースを可能にする手段を提供する。 - 特許庁